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Zener Voltage Regulators200 mW SOD–323 Surface Mount12This series of Zener diodes is packaged in a SOD–323 surface mount package that has a power dissipation of 200 mW. They are designed to provide voltage regulation protection and are especially attractive in situations where space is at a premium. They are well suited for applications such as cellular phones, hand held portables, and high density PC boards.Specification Features:• Standard Zener Breakdown Voltage Range – 2.4 V to 75 V • Steady State Power Rating of 200 mW• Small Body Outline Dimensions: 0.067" x 0.049"(1.7 mm x 1.25 mm).Low Body Height: 0.035" (0.9 mm)• Package Weight: 4.507 mg/unit• ESD Rating of Class 3 (>16 kV) per Human Body Model • Pb-Free package is available.Mechanical Characteristics:CASE:Void-free, transfer-molded plasticFINISH:All external surfaces are corrosion resistantMAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES:260°C for 10 SecondsPOLARITY:Cathode indicated by polarity band FLAMMABILITY RATING: UL94 V-0MOUNTING POSITION: AnyMAXIMUM RATINGSRatingSymbol Max Unit Total Device Dissipation FR–5 Board,P D(Note 1.) @ TA = 25°C 200mW Derate above 25°C1.5mW/°C Thermal Resistance from R θJA 635°C/W Junction to AmbientJunction and StorageT J , T stg–65 to+150°CTemperature Range 1. FR–4 Minimum PadORDERING INFORMATIONDevice*Package ShippingLM3ZxxxT1G SOD-3233000/Tape&ReelLM3ZxxxT3GSOD-32310000/Tape&ReelLESHAN RADIO COMPANY, LTD.1/6ƽ We declare that the material of productcompliance with RoHS requirements.LM3Z2V4T1G SERIESELECTRICAL CHARACTERISTICS(T A = 25°C unless otherwise noted,V F = 0.9 V Max. @ I F= 10 mA for all types)Symbol ParameterV Z Reverse Zener Voltage @ I ZT I ZT Reverse CurrentZ ZT Maximum Zener Impedance @ I ZT I ZK Reverse CurrentZ ZK Maximum Zener Impedance @ I ZK I R Reverse Leakage Current @ V R V R Reverse Voltage I F Forward Current V F Forward Voltage @ I FQ V Z Maximum Temperature Coefficient of V Z CMax. Capacitance @V R = 0 and f = 1 MHzLESHAN RADIO COMPANY, LTD.2/6LM3Z2V4T1G SERIES2.Zener voltage is measured with a pulse test current I Z at an ambient temperature of 25°C.LESHAN RADIO COMPANY, LTD.3/6LM3Z2V4T1G SERIESTypical CharacteristicsZ Z T , D Y N A M I C I M P E D A N C E ()Ω1000100101.0C , C A P A C I T A N C E (p F )70V Z , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)Figure 3. Typical Capacitance 104.0V Z , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)Figure 4. Typical Leakage Current70605040302010LESHAN RADIO COMPANY, LTD.4/6LM3Z2V4T1G SERIESTypical Characteristics12V Z , ZENER VOLTAGE (V)100101.00.10.01108.06.04.02.00I Z , Z E N E R C U R R E N T (m A )V Z , ZENER VOLTAGE (V)Figure 5. Zener Voltage versus Zener Current(V Z Up to 12 V)Figure 6. Zener Voltage versus Zener Current(12 V to 75 V)1001010.10.011030507090I Z , Z E N E R C U R R E N T (m A )TEMPERATURE (°C)2501004020PO W E R D I S S I P A T I O N (%)50751001251508060Figure 7. Steady State Power DeratingLESHAN RADIO COMPANY, LTD.5/6PACKAGE DIMENSIONSSOD-323MINMAXMINMAXAB CD E H J K1.601.150.800.250.000.0892.301.801.351.000.400.100.1772.700.0630.0450.0310.0100.00000.00350.0910.0710.0530.0390.0160.0040.00700.106DINMILLIMETERS INCHES0.15 REF 0.006 REF NOTES:1. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS2. LEAD THICKNESS SPECIFIED PER L / F DRAWING WITH SOLDER PLATING.DSOD-32312LM3Z2V4T1G SERIESSTYLE 1:PIN 1: CATHODE 2: ANODELESHAN RADIO COMPANY, LTD.6/6Reel DimensionsMetric Dimensions Govern –– English are in parentheses for reference onlyEMBOSSED TAPE AND REEL DATAFOR DISCRETESAT MaxOutside Dimension Measured at EdgeGInside Dimension Measured Near Hub20.2mm Min (.795’’)1.5mm Min(.06’’)13.0mm ± 0.5mm(.512 ±.002’’)50mm Min (1.969’’)Full RadiusSize A Max GT Max 8 mm330mm (12.992’’)8.4mm+1.5mm, -0.0(.33’’+.059’’, -0.00)14.4mm (.56’’)LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Storage ConditionsTemperature: 5 to 40 Deg.C (20 to 30 Deg. C is preferred) Humidity: 30 to 80 RH (40 to 60 is preferred )Recommended Period: One year after manufacturing(This recommended period is for the soldering condition only. The characteristics and reliabilities of the products are not restricted to this limitation)元器件交易网Shi p ment S p ecification10 Reel12 Inner Box/Carton 360KPCS/CartonDim(Unit:mm)Dim(Unit:mm)10Reel/Inner Box30KPCS/Inner Box460mm*400mm*420mm8000PCS/Reel (SOT-723,SOD-723)3000PCS/Reel80KPCS/Inner Box (SOT-723,SOD-723)960KPCS/Carton (SOT-723,SOD-723)LESHAN RADIO COMPANY, LTD.元器件交易网。

手操器375中文手册

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第一节 简介 本手册的使用. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
第二节 掌握基本知识 概述 . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 安全信息 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 安装系统卡和电池组. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 启动和关闭 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 创建新文档 . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . 9 打开已有文档 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 输入文本. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 选择文本. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
理解HART图标 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 启动HART应用程序 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

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MM3Z2V4T1 SERIESZener Voltage Regulators 200 mW SOD−323 Surface MountThis series of Zener diodes is packaged in a SOD−323 surface mount package that has a power dissipation of 200 mW. They are designed to provide voltage regulation protection and are especially attractive in situations where space is at a premium. They are well suited for applications such as cellular phones, hand held portables, and high density PC boards.Specification Features:•Standard Zener Breakdown V oltage Range − 2.4 V to 75 V •Steady State Power Rating of 200 mW•Small Body Outline Dimensions:0.067″ x 0.049″(1.7 mm x 1.25 mm)•Low Body Height: 0.035″ (0.9 mm)•Package Weight: 4.507 mg/unit•ESD Rating of Class 3 (>16 kV) per Human Body Model•Pb−Free Package is AvailableMechanical Characteristics:CASE:V oid-free, transfer-molded plasticFINISH:All external surfaces are corrosion resistantMAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES: 260°C for 10 SecondsLEADS:Plated with Pb−Sn or Sn only (Pb−Free)POLARITY:Cathode indicated by polarity bandFLAMMABILITY RATING:UL 94 V−0MOUNTING POSITION:AnyMAXIMUM RATINGSSee specific marking information in the device marking column of the Electrical Characteristics table on page 3 of this data sheet.DEVICE MARKING INFORMATIONELECTRICAL CHARACTERISTICS(T A = 25°C unless otherwise noted,V= 0.9 V Max. @ I = 10 mA for all types)ZZ Z T , D Y N A M I C I M P E D A N C E ()Ω100101.0C , C A P A C I T A N C E (p F )V Z , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)Figure 3. Typical Capacitance V Z , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)Figure 4. Typical Leakage CurrentV Z , ZENER VOLTAGE (V)101.00.10.01I Z , Z E N E R C U R R E N T (m A )V Z , ZENER VOLTAGE (V)Figure 5. Zener Voltage versus Zener Current(V Z Up to 12 V)Figure 6. Zener Voltage versus Zener Current(12 V to 75 V)1010.10.01I Z , Z E N E R C U R R E N T (m A )TEMPERATURE (°C)25010040200P O W E R D I S S I P A T I O N (%)50751001251508060Figure 7. Steady State Power DeratingPACKAGE DIMENSIONSSOD−323CASE 477−02ISSUE DSTYLE 1:PIN 1.CATHODE 2.ANODEǒmm inchesǓSCALE 10:1*For additional information on our Pb−Free strategy and solderingdetails, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SOLDERING FOOTPRINT*NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.3.LEAD THICKNESS SPECIFIED PER L/F DRAWING WITH SOLDER PLATING.4.DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE MOLD FLASH, PROTRUSIONS OR GATE BURRS.5.DIMENSION L IS MEASURED FROM END OF RADIUS.DIM MIN MAX MIN MAX INCHESMILLIMETERS A 1.60 1.800.0630.071B 1.15 1.350.0450.053C 0.80 1.000.0310.039D 0.250.400.0100.016E 0.15 REF 0.006 REF H 0.000.100.0000.004J 0.0890.1770.00350.0070K 2.30 2.700.0910.106NOTE 3L0.075−−−0.003−−−ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.PUBLICATION ORDERING INFORMATION。

Analog Devices ADM6384YKS29D3Z-R7 微处理器监测电路说明书

Analog Devices ADM6384YKS29D3Z-R7 微处理器监测电路说明书

ADM6384YKS29D3Z-R7ADM6384YKS23D3Z-R7Microprocessor SupervisoryRev. CInformation furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, noresponsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. T rademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, M A 02062-9106, U.S.A. Tel: 781.329.4700 Fax: 781.461.3113 ©2005–2011 Analog Devices, Inc. All rights reserved.FEATURESPrecision power supply monitoring31 reset threshold options: 1.58 V to 5.0 VFour reset timeouts: 1 ms, 20 ms, 140 ms, and 1120 ms Manual reset inputReset output stagePush-pull active-lowGuaranteed reset output valid to V CC = 1 VPower supply glitch immunitySpecified over the −40°C to +125°C temperature range4-lead SC70 packageAPPLICATIONSMicroprocessor systemsComputersControllersIntelligent instrumentsPortable equipmentGENERAL DESCRIPTIONThe ADM6384 is a supervisory circuit that monitors power supply voltage levels in microprocessor-based systems. A power-on reset signal is generated when the supply voltage rises to a preset threshold level. The debounced manual reset input of the ADM6384 can be used to initiate a reset by means of an external push button or logic signal.The part is available in a choice of 31 reset threshold options, from 1.58 V to 5.0 V. The minimum reset timeout periods are 1 ms, 20 ms, 140 ms, and 1120 ms.The ADM6384 is available in a 4-lead SC70 package and typi-cally consumes only 7 µA, making it suitable for use in low power, portable applications. FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAMSFigure 1.535-2Figure 2.ADM6384Rev. C | Page 2 of 12TABLE OF CONTENTSFeatures .............................................................................................. 1 Applications ....................................................................................... 1 General Description ......................................................................... 1 Functional Block Diagrams ............................................................. 1 Revision History ............................................................................... 2 Specifications ..................................................................................... 3 Absolute Maximum Ratings ............................................................ 5 ESD Caution .................................................................................. 5 Pin Configuration and Function Descriptions ............................. 6 Typical Performance Characteristics ..............................................7 Circuit Description............................................................................9 Reset Output ..................................................................................9 Manual Reset Input .......................................................................9 Applications Information .............................................................. 10 Negative-Going V CC Transients ................................................ 10 Ensuring Reset Valid to V CC = 0 V ........................................... 10 Outline Dimensions ....................................................................... 11 Ordering Guide .. (11)REVISION HISTORY4/11—Rev. B to Rev. CUpdated Outline Dimensions ....................................................... 11 Changes to Ordering Guide . (11)7/08—Rev. A to Rev. BChanges to Figure 5, Figure 8, and Figure 9.................................. 7 Changes to Figure 10 ........................................................................ 8 Changes to Figure 15 ...................................................................... 11 Changes to Ordering Guide . (11)1/07—Rev. 0 to Rev. AUpdated Format .................................................................. U niversal Changes to Specifications Table ...................................................... 3 Updated Outline Dimensions ....................................................... 11 Changes to Ordering Guide . (11)7/05—Revision 0: Initial VersionSPECIFICATIONSV CC = full operating range, T A = −40°C to +125°C, unless otherwise noted.Rev. C | Page 3 of 121 T A = 25°C only.Rev. C | Page 4 of 12Rev. C | Page 5 of 12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGST A = 25°C, unless otherwise noted.Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only; functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operationalsection of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.Rev. C | Page 6 of 12PIN CONFIGURATION AND FUNCTION DESCRIPTIONSGNDRESET 05305-003Figure 3. Pin ConfigurationRev. C | Page 7 of 12TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS05305-004TEMPERATURE (°C)120–40–2020406080100I C C (µA )10.09.57.57.06.59.08.58.06.05.55.04.54.03.5 Figure4. Supply Current vs. Temperature05305-005TEMPERATURE (°C)120–40–2040201008060N O R M A L I Z E D R E S E T T I M E O U T (m s )1.201.151.101.050.951.000.900.850.80Figure 5. Normalized Reset Timeout Period vs. Temperature05305-006TEMPERATURE (°C)120–40–2040201008060V C C T O R E S E T O U T P U T D E L A Y (µs )100908060704050201030Figure 6. V CC to Reset Output Delay vs. Temperature05305-007TEMPERATURE (°C)120–40–2040201008060N O R M A L I Z E D R E S E T T H R E S H O L D (V )1.051.031.041.011.020.991.000.970.980.950.96Figure 7. Normalized Reset Threshold vs. Temperature05305-008I SINK (mA)70123456V OL (V )0.200.150.100.05Figure 8. Output Voltage Low vs. I SINK05305-009I SOURCE (mA)1.000.20.40.60.8V O H (V )2.922.902.882.862.842.82Figure 9. Output Voltage High vs. I SOURCERev. C | Page 8 of 1205305-010OVERDRIVE V OD (mV)100010100M A X I M U M V C C T R A N S I E N T D U R A T I O N (µs )160120140100608040200Figure 10. Maximum V CC Transient Duration vs. Reset Threshold Overdrive05305-011TEMPERATURE (°C)–40–2020406080100120M A N U A L R E S E T T O R E S E T D E L A Y (n s )340280320300260220240200180160140120100Figure 11. Manual Reset Minimum Pulse Width vs. TemperatureRev. C | Page 9 of 12CIRCUIT DESCRIPTIONThe ADM6384 provides microprocessor supply voltage supervi-sion by controlling the microprocessor reset input. Code execution errors are avoided during power-up, power-down, and brownout conditions by asserting a reset signal when the supply voltage is below a preset threshold. In addition, the ADM6384 allows supply voltage stabilization with a fixed timeout before the reset deasserts after the supply voltage rises above the threshold. If the user detects a problem with the system operation, a manual reset input is available to reset the microprocessor by means of an external push-button, for example.RESET OUTPUTThe ADM6384 features an active-low, push-pull reset output. The reset signal is guaranteed to be logic low for V CC down to 1 V . The reset output is asserted when V CC is below the reset threshold (V TH ) or when MR is driven low. Reset remains asserted for the duration of the reset active timeout period (t RP ) after V CC rises above the reset threshold or after MR transitions from low to high. Figure 12 illustrates the behavior of the reset outputs. VV V CC RESET05305-012Figure 12. Reset Timing DiagramMANUAL RESET INPUTThe ADM6384 features a manual reset input (MR ) that, when driven low, asserts the reset output. When MR transitions from low to high, reset remains asserted for the duration of the reset active timeout period before deasserting. The MR input has a 52 kΩ internal pull-up so that the input is always high when unconnected. An external push-button switch can be connected between MR and ground so that the user can generate a reset. Debounce circuitry for this purpose is integrated on-chip. Noise immunity is provided on the MR input, and fast, negative-going transients of up to 100 ns (typical) are ignored. A 0.1 µF capacitor between MR and ground provides additional noise immunity.Rev. C | Page 10 of 12APPLICATIONS INFORMATIONNEGATIVE-GOING V CC TRANSIENTSTo avoid unnecessary resets caused by fast power supply tran-sients, the ADM6384 is equipped with glitch rejection circuitry. The typical performance characteristic shown in Figure 10 plots V CC transient duration vs. the transient magnitude. The curves show combinations of transient magnitude and duration for which a reset is not generated for 4.63 V and 2.93 V reset threshold parts. For example, with the 2.93 V threshold, a transient that goes 100 mV below the threshold and lasts 8 µs typically does not cause a reset, but if the transient is any greater in magnitude or duration, a reset is generated. An optional 0.1 µF bypass capacitor mounted close to V CC provides additional glitch rejection.ENSURING RESET VALID TO V CC = 0 VBoth active-low and active-high reset outputs are guaranteed to be valid for V CC as low as 1 V . However, by using an external resistor with push-pull configured reset outputs, valid outputs for V CC as low as 0 V are possible. For an active-low reset out-put, a resistor connected between RESET and ground pulls the output low when it is unable to sink current. A large resistance such as 100 kΩ should be used to avoid overloading the reset output when V CC is above 1 V .Figure 13. Ensuring Reset Valid to V CC = 0 VADM6384Rev. C | Page 11 of 12OUTLINE DIMENSIONS*PACKAGE OUTLINE CORRESPONDS IN FULL TO EIAJ SC82EXCEPT FOR WIDTH OF PIN 2AS SHOWN.072809-A0.100.10Figure 14. 4-Lead Thin Shrink Small Outline Transistor Package [SC70](KS-4)Dimensions shown in millimeters1: 1ms (MIN)2: 20ms (MIN)3: 140ms (MIN)4:1120ms (MIN)Y: –40°C (16TO 50)05305-014Figure 15. Ordering Code StructureORDERING GUIDEStandard Models 1, 2ResetThreshold (V) ResetTimeout (ms) Temperature RangeQuantity Package Description PackageOption BrandingADM6384YKS23D3Z-R7 2.31 140 −40°C to +125°C 3k 4-Lead SC70 KS-4 N0R ADM6384YKS26D3Z-R7 2.63 140 −40°C to +125°C 3k 4-Le a d SC70 KS-4 N0R ADM6384YKS29D1Z-R7 2.93 1 −40°C to +125°C 3k 4-Lead SC70 KS-4 N0R ADM6384YKS29D3Z-R7 2.93 140 −40°C to +125°C 3k 4-Lead SC70 KS-4 N0R ADM6384YKS31D1Z-R7 3.08 1 −40°C to +125°C 3k 4-Lead SC70 KS-4 N0R ADM6384YKS31D2Z-R7 3.08 20 −40°C to +125°C 3k 4-Le a d SC70 KS-4 N0R ADM6384YKS34D2Z-R7 3.4 20 −40°C to +125°C 3k 4-Le a d SC70 KS-4 N0R ADM6384YKS39D2Z-R7 3.9 20 −40°C to +125°C 3k 4-Le a d SC70 KS-4 N0R ADM6384YKS45D3Z-R7 4.5 140 −40°C to +125°C 3k 4-Le a d SC70 KS-4 N0R ADM6384YKS46D2Z-R74.63 20 −40°C to +125°C 3k 4-Le a d SC70 KS-4 N0R1If ordering nonstandard models, complete the ordering code shown in Figure 15 by inserting reset timeout and reset threshold suffixes. Contact sales for availability of nonstandard models. 2Z = RoHS Compliant Part.ADM6384Rev. C | Page 12 of 12NOTES©2005–2011 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.D05305-0-4/11(C)ADM6384YKS29D3Z-R7ADM6384YKS23D3Z-R7。

2A3资料

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三、关于胆机的造型(外形)
胆机的外型多数均是把电子管(胆),变压器这些部件裸露在机壳外,这与人们传统观念中的箱式机有区别。是不是胆机一定要这样做而不能做成箱式的呢?不是的,事实上现在已有部分胆机产品做成箱式机,那么为什么在国内外还是流行“裸”机呢?这与设计者和使用者心理审美观念有关,现代胆机的设计犹如工业艺术设计,讲究起伏变化,色彩对比,线条明快,材质的体现。一台精美的胆机造型与加工都犹如一件艺术品,箱式机在这些方面的体现较难,裸机的自由空间就大多了。再之,胆机工作之后电子管的灯丝被点亮给人一种温暖感,而与之比较箱式机则显得冷竣一些,没有“裸机”那种“人情味”,这是裸机较箱式机流行的原因之一。还有,裸机也更能体现胆机之特色。虽然在使用中裸机往往没有箱式机方便,比较难“伺候”,这样就出现了裸机与箱式机并存的局面。从比例上来看,裸机的量要大于箱式机的量。
Hale Waihona Puke 胆机(电子管功放):它是音响业界最古老而又经久不衰的长青树,其显著的优点是声音甜美柔和、自然关切,尤其动态范围之大,线性之好,绝非其他器件所能轻意替代。
在晶体管产生后,由于其体积小,耗电省很快便取代了电子管,技术的进步,导致电子管从兴旺走向衰败,令人大有“无可奈何花落去”之感,但是由于近年来人们对电声技术的提高发现电子管放大器能够发出晶体管所不能比拟的音色,所以时至今日电子管在音频领域又迅速走红。
五、关于胆机中的几个技术问题
(1)关于单端与推挽
在胆机末级中有采用推挽工作方式的,有采用单端工作方式的,由于采用推挽方式较容易取得大功率,所以是一种很常见的电路形式,但是由于推挽的工作方式是一种叠加方式,故客观地存在有一些失真,而且在推挽叠加中有加有减,在这加减中也可能会增加一些原来没有的细小的东西,同时减去了原本有的一些细小东西。而若在末级电路中采用单管在单端甲类状态下工作就不存在推挽工作方式所无法避免的问题。因此,在听感上单端的要比推挽的好许多,特别是在一些微小的细节上。但是,单端的很难在功率上做得很大,比如用同一型号的管子,在单端时只能做到10W,而在推挽时很容易做到30W,功率做大就要付出一些代价,同时在工艺上,单端机比推挽机要难处理一些。因此,单端电路往往在高档机中采用,推挽电路在普及机中采用。

EMERSON hart375中文说明书

EMERSON hart375中文说明书
第3节 HART功能 概述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 安全信息 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 基本性能和功能 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Hart375 现场通讯器操作手册
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375型现场通讯器
注意 使用375型现场通讯器之前,请阅读操作手册。为保证人身安全和系统安全,以及发挥产品的 最佳性能,使用或维修本产品之前,请深入掌握相应内容。 如果设备需要维修,请与最近的产品代理联系。
© 2004艾默生过程管理。保留所有权利。 艾默生标志为艾默生电气公司的商标和服务标志。 AMS Suite设备管理组合为艾默生电气公司的商标。 罗斯蒙特和SMART FAMILY为罗斯蒙特有限公司的注册商标。 Windows为美国和其他国家微软公司的注册商标。 IrDA为红外数据协会的注册商标。 FOUNDATION为现场总线基金会的商标。 HART为HART通信基金会的注册商标。 Hitachi为Hitachi美国有限公司的注册商标。 所有其他商用标志的所有权归其各自的所有者。 正在申请美国和其他国家的专利号。
理解HART图标 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 启动HART应用程序 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

派克液压中文样本

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液压注意 – 用户方责任 错误或不当地选择或使用本样本或有关资料阐述的产品,可能会导致人生伤亡及财产损失! 本样本以及其它由派克汉尼汾公司及其子公司、销售公司与授权分销商所提供的资料,仅供用户专业技术人员在对产品和系统的选型进行深入调查考证时参考。

用户应全面分析自身设备的运行工况、适用的工业标准,并仔细查阅现行的样本,以详细地了解产品及系统的相关信息,通过自己的分析和试验,对产品及系统的独立的最终选择负责,确保能满足自身设备的所有性能、耐用性、维修型、安全性以及预警功能等要求。

对于派克或其子公司或授权分销商而言,应负责按用户提供的技术资料和规范,选择和提供适当的元件或系统,而用户则应负责确定这些技术资料和规范对其设备的所有运行工况和能合理预见的使用工况是否充分和准确。

目录目录页次概述 1 订货代号 2 技术参数 4 变量控制器 5 控制选项 “C”, 压力限定(恒压)变量控制器 5 控制选项 “L”, 负载传感及压力限定变量控制器 6 控制选项 “AM”, 带遥控口的标准型先导式压力限定变量控制器 7 控制选项 “AN”, 带ISO 4401 NG06先导阀安装界面的先导式压力限定变量控制器 8 控制选项 “AE”及“AF”, 带电磁比例调节的先导式压力限定变量控制器 9 控制选项 “AMT”, “ALT”及“LOT”, 带最高压力限定的扭矩限定(恒功率)变量控制器 10 P1性能特性 11典型流量特性 11 典型总效率特性 13 典型轴输入功率特性 15 典型噪声特性 18 典型轴承寿命 20 PD性能特性 22典型流量特性 22 典型总效率特性 24 典型轴输入功率特性 26 典型噪声特性 29 典型轴承寿命 31 安装尺寸 33 P1/PD 018 33 P1/PD 028 36 P1/PD 045 40 P1/PD 060 44 P1/PD 075 49 P1/PD 100 54 P1/PD 140 59 变量控制器安装尺寸 65 可提供的扩展的液压产品 75派克汉尼汾备记派克汉尼汾概述简介, 优点派克汉尼汾简介 • 开式回路用轴向柱塞式变量液压泵 • 中压,连续工作压力280 bar • 高驱动转速型,适用于行走机械; 低噪声型,适用于工业应用 • 静音及高效的控制效能 优点 • 总结构尺寸紧凑 • 低噪声• 流量脉动小,进一步降低噪声• 采用弹性密封,不使用密封垫,从而避免外泄漏的产生• 总效率高,功耗小,减小发热• 采用带无泄漏调节装的简单变量控制器 • 符合SAE 及ISO 标准的安装法兰及油口 • 采用圆锥滚柱轴承,使用寿命长 • 全功率后驱动能力• 后部或侧面油口配置可选• 泄油口的配置对水平安装及驱动轴向上垂直安装均适用• 带有最大及最小排量调节选项 • 具有壳体至吸口单向阀选项,可延长轴封寿命 • 使用、维修方便 脉动容腔技术下列图表所示为侧向油口配置P1/PD 18, 28及45泵采用 “脉动容腔” 技术的效果,脉动容腔可降低泵出口处的压力脉动幅值40-60%,这样,无需增加成本来加装噪声缓冲元件,便可大大降低液压系统的整体噪声,P1系列 PD 系列出口压力p / bar平均压力脉动 / b a rP1 045出口压力脉动2600 rpm 无脉动容腔2600 rpm 带脉动容腔订货代号18 ml, 28 ml, 45ml派克汉尼汾P 类型 01 驱动轴 转向R 5密封材料E 油口配置0 壳体-吸口 单向阀 0 排量调节 018 排量 S 安装法兰 及油口 S 轴封 M 应用范围A 设计系列0 通轴驱动选项 C0控制选项0附加控制选项 00油漆 00修改代号系列 P D * 仅适用于045排量, “S”型安装法兰及油口00 标准型, 无修改M2 按要求修改 代号修改代号 * 适用于028及045排量 ** 仅适用于045排量 代号设计系列 A 现行设计系列5 氟碳橡胶 (FPM) 代号密封材料 A 82-2 SAE A M33x2 M27x2 BSPP 1/4”, 3/8” 101-2 SAE B M42x2 M27x2 BSPP 1/4”, 1/2” 101-2SAE B M48x2M33x2Ø38/25DN51/25BSPP 1/4”, 1/2”B ISO M33x2 M27x2 BSPP 1/4”,3/8”ISO M42x2 M27x2 BSPP 1/4”, 1/2” ISO M48x2M33x2Ø38/25DN51/25BSPP 1/4”, 1/2”代号 018排量 028排量 045排量 安装法兰及油口 安装 法兰 螺纹 油口 辅助 油口 安装 法兰 螺纹 油口 辅助 油口 安装法兰螺纹油口法兰 油口辅助 油口 S 82-2 SAE A SAE 16/12 SAE 4/6 101-2 SAE B SAE 20/12 SAE 4/8 101-2SAE B SAE 24/16Ø38/2561系列SAE 4/10M ISO M33x2 M27x2 M12x1.5 M16x1.5 ISO M42x2 M27x2 M12x1.5 M22x1.5 ISO M48x2M33x2Ø38/25DN51/25M12x1.5M22x1.5代号 018驱动轴 028驱动轴 045驱动轴 01 SAE A 11T 花键SAE B-B 15T 花键 SAE B-B 15T 花键02 SAE 19-1平键Ø0.75” SAE B-B 平键Ø1” SAE B-B 平键Ø1” 08— SAE B 13T 花键 SAE B 13T 花键 04 ISO/DIN 平键, Ø20ISO/DIN 平键, Ø25ISO/DIN 平键, Ø25 06 SAE A 9T 花键— — PD 工业液压用 代号 系列P1 行走机械用 代号 排量 018 18 ml/rev (1.10 in 3/rev) 028 28 ml/rev (1.71 in 3/rev) 045 45 ml/rev (2.75 in 3/rev) 代号 类型 P 开式回路用变量柱塞泵 U*通用 代号应用范围 S 工业液压 (PD) M 行走机械 (P1) R 顺时针 (右转)L 逆时针 (左转)代号 转向 代号 轴封 S 单唇轴封 * 并不具有控制功能,仅在运输时予以防护,详情见第7页的控制说明。

三星规格书(中文版)

三星规格书(中文版)

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7.电容厚度编码:
3 = 0.30‫ ע‬A = 0.65‫ ע‬M = 1.15‫ע‬ 5 = 0.50‫ ע‬C = 0.85‫ ע‬F = 1.25‫ע‬ 8 = 0.80‫ ע‬D = 1.00‫ ע‬H = 1.60‫ע‬
I = 2.00‫ע‬ J = 2.50‫ע‬ L= 3.20‫ע‬
July 2006
MUTLAYER CERAMIC CAPACITORS
The specification and designs contained herein may be subject to change without notice.
QS 9000/ISO 9001
Registered by BSI to QS 9000 or ISO 9001 under BSI’s accreditation by UKAS for Certification. Registration NO : FM25309(2002. 2. 28)
6.Low ESL Capacitors
Packaging Specification
67
Reliability Test Condition
71
1.Appearance
2.Insulation Resistance
3.Withstanding Voltage
4.Capacitance
5.Q Factor / Tan Ҝ
Q = 1.25‫*ע‬ V = 2.50‫*ע‬
8.电容内电极 / 端子 / 电镀编码:
A=常规产品 钯/银/镍屏蔽/锡 100% N=常规产品 镍/铜/镍屏蔽/锡 100% G=常规产品 铜/铜/镍屏蔽/锡 100% L=低侧面产品 镍/铜/镍屏蔽/锡 100%

August 2012 Vodafone Mobile Wi-Fi R203-Z用户说明书

August 2012 Vodafone Mobile Wi-Fi R203-Z用户说明书
Release Notes
August 2012
Vodafone Mobile Wi-Fi R203-Z
Vodafone R203-Z is an exclusive Vodafone branded Mobile Wi-Fi device with innovative, attractive and compact design. It creates a personal portable Wi-Fi zone which allows several Wi-Fi enabled devices (for example PCs, Apple® iPhone, iPad or iPod touch, or mobile gaming devices such as Nintendo® DSi, Android devices including the Samsung® Galaxy Tab) to share a secure mobile internet connection via Wi-Fi. The device is battery, mains or USB powered, ande device to be positioned for best mobile coverage.
The customer experience, developed in conjunction with business marketing and Group Technology, is market leading through the Vodafone Mobile Wi-Fi web UI which delivers an unmatched web based management experience, integrating full prepay management for appropriate markets and the Mobile Wi-Fi monitor app which allows Android and iOS users to monitor their Mobile Wi-Fi connection via the convenience of their smartphone or tablet.

HZ3A3中文资料

HZ3A3中文资料

HZ SeriesSilicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power SupplyADE-208-117B(Z)Rev. 2Nov. 1999 Features•Low leakage, low zener impedance and maximum power dissipation of 500 mW are ideally suited for stabilized power supply, etc.•Wide spectrum from 1.6V through 38V of zener voltage provide flexible application.Ordering InformationType No.Mark Package CodeHZ Series Type No.DO-35OutlineHZ SeriesRev.2, Nov. 1999, page 2 of 8Absolute Maximum Ratings(Ta = 25°C)ItemSymbol Value Unit Power dissipation Pd 500mW Junction temperature Tj 175°C Storage temperatureTstg-55 to +175°CElectrical Characteristics(Ta = 25°C)Zener Voltage Reverese CurrentDynamic Resistance V Z (V)*1TestConditionI R (µA)TestCondition r d (Ω)TestCondition Type Grade Min Max I Z (mA)Max V R (V)Max I Z (mA)HZ2A1 1.6 1.85250.51005A2 1.7 1.9A3 1.8 2.0B1 1.9 2.1550.51005B2 2.0 2.2B3 2.1 2.3C1 2.2 2.4C2 2.3 2.5C32.4 2.6HZ3A1 2.5 2.7550.51005A2 2.6 2.8A3 2.7 2.9B1 2.8 3.0B2 2.9 3.1B3 3.0 3.2C1 3.1 3.3C2 3.2 3.4C33.3 3.5HZ4A1 3.4 3.655 1.01005A2 3.5 3.7A33.63.8Note:1.Tested with DC.HZ SeriesRev.2, Nov. 1999, page 3 of 8Zener Voltage Reverese CurrentDynamic Resistance V Z (V)*1TestConditionI R (µA)TestCondition r d (Ω)TestCondition Type Grade Min Max I Z (mA)Max V R (V)Max I Z (mA)HZ4B1 3.7 3.9551.01005B2 3.8 4.0B3 3.9 4.1C1 4.0 4.2C2 4.1 4.3C34.2 4.4HZ5A1 4.3 4.555 1.51005A2 4.4 4.6A3 4.5 4.7B1 4.6 4.8B2 4.7 4.9B3 4.8 5.0C1 4.9 5.1C2 5.0 5.2C35.1 5.3HZ6A1 5.2 5.555 2.0405A2 5.3 5.6A3 5.4 5.7B1 5.5 5.8B2 5.6 5.9B3 5.7 6.0C1 5.8 6.1C2 6.0 6.3C36.1 6.4HZ7A1 6.3 6.651 3.5155A2 6.4 6.7A3 6.6 6.9B1 6.77.0B2 6.97.2B37.07.3Note:1.Tested with DC.HZ SeriesRev.2, Nov. 1999, page 4 of 8Zener Voltage Reverese CurrentDynamic Resistance V Z (V)*1TestConditionI R (µA)TestCondition r d (Ω)TestCondition Type Grade Min Max I Z (mA)Max V R (V)Max I Z (mA)HZ7C17.27.6513.5155C27.37.7C37.57.9HZ9A17.78.151 5.0205A27.98.3A38.18.5B18.38.7B28.58.9B38.79.1C18.99.3C29.19.5C39.39.7HZ11A19.59.9517.5255A29.710.1A39.910.3B110.210.6B210.410.8B310.711.1C110.911.3C211.111.6C311.411.9HZ12A111.612.1519.5355A211.912.4A312.212.7B112.412.9B212.613.1B312.913.4C113.213.7C213.514.0C313.814.3Note:1.Tested with DC.HZ SeriesRev.2, Nov. 1999, page 5 of 8Zener Voltage Reverese CurrentDynamic Resistance V Z (V)*1TestConditionI R (µA)TestCondition r d (Ω)TestCondition Type Grade Min Max I Z (mA)Max V R (V)Max I Z (mA)HZ15114.114.75111.0405214.515.1314.915.5HZ16115.315.95112.0455215.716.5316.317.1HZ18116.917.75113.0555217.518.3318.119.0HZ20118.819.72115.0602219.520.4320.221.1HZ22120.921.92117.0652221.622.6322.323.3HZ24122.924.02119.0702223.624.7324.325.5HZ27125.226.62121.0802226.227.6327.228.6HZ30128.229.62123.01002229.230.6330.231.6HZ33131.232.62125.01202232.233.6333.234.6HZ36134.235.72127.01402235.336.8336.438.0Note: 1.Tested with DC.Note:2.Type No. is as follows; HZ2B1, HZ2B2, HZ36-3.HZ SeriesMain CharacteristicRev.2, Nov. 1999, page 6 of 8HZ Series Package DimensionsRev.2, Nov. 1999, page 7 of 8HZ SeriesRev.2, Nov. 1999, page 8 of 8Disclaimer1.Hitachi neither warrants nor grants licenses of any rights of Hitachi’s or any third party’s patent,copyright, trademark, or other intellectual property rights for information contained in this document.Hitachi bears no responsibility for problems that may arise with third party’s rights, including intellectual property rights, in connection with use of the information contained in this document.2.Products and product specifications may be subject to change without notice. Confirm that you have received the latest product standards or specifications before final design, purchase or use.3.Hitachi makes every attempt to ensure that its products are of high quality and reliability. However,contact Hitachi’s sales office before using the product in an application that demands especially high quality and reliability or where its failure or malfunction may directly threaten human life or cause risk of bodily injury, such as aerospace, aeronautics, nuclear power, combustion control, transportation,traffic, safety equipment or medical equipment for life support.4.Design your application so that the product is used within the ranges guaranteed by Hitachi particularly for maximum rating, operating supply voltage range, heat radiation characteristics, installationconditions and other characteristics. Hitachi bears no responsibility for failure or damage when used beyond the guaranteed ranges. Even within the guaranteed ranges, consider normally foreseeable failure rates or failure modes in semiconductor devices and employ systemic measures such as fail-safes, so that the equipment incorporating Hitachi product does not cause bodily injury, fire or other consequential damage due to operation of the Hitachi product.5.This product is not designed to be radiation resistant.6.No one is permitted to reproduce or duplicate, in any form, the whole or part of this document without written approval from Hitachi.7.Contact Hitachi’s sales office for any questions regarding this document or Hitachi semiconductor products.Sales OfficesHitachi, Ltd.Semiconductor & Integrated CircuitsNippon Bldg., 2-6-2, Ohte-machi, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0004, Japan Tel: (03) 3270-2111 Fax: (03) 3270-5109Copyright © Hitachi, Ltd., 2001. All rights reserved. Printed in Japan.Hitachi Asia Ltd. Hitachi Tower16 Collyer Quay #20-00 Singapore 049318Tel : <65>-538-6533/538-8577 Fax : <65>-538-6933/538-3877URL : .sg URLNorthAmerica : /Europe : /hel/ecg Asia : Japan : http://www.hitachi.co.jp/Sicd/indx.htmHitachi Asia Ltd.(Taipei Branch Office)4/F, No. 167, Tun Hwa North Road Hung-Kuo Building Taipei (105), Taiwan Tel : <886>-(2)-2718-3666 Fax : <886>-(2)-2718-8180 Telex : 23222 HAS-TPURL : Hitachi Asia (Hong Kong) Ltd.Group III (Electronic Components) 7/F., North TowerWorld Finance Centre,Harbour City, Canton Road Tsim Sha Tsui, Kowloon Hong KongTel : <852>-(2)-735-9218 Fax : <852>-(2)-730-0281URL : Hitachi Europe GmbHElectronic Components Group Dornacher Straße 3D-85622 Feldkirchen, Munich GermanyTel: <49> (89) 9 9180-0Fax: <49> (89) 9 29 30 00Hitachi Europe Ltd.Electronic Components Group Whitebrook ParkLower Cookham Road MaidenheadBerkshire SL6 8YA, United Kingdom Tel: <44> (1628) 585000Fax: <44> (1628) 585200Hitachi Semiconductor (America) Inc.179 East Tasman Drive San Jose,CA 95134 Tel: <1> (408) 433-1990Fax: <1>(408) 433-0223For further information write to:Colophon 4.0。

UPC29M33A中文资料

UPC29M33A中文资料

FEATURES • Output current in excess of 0.5 A • Low dropout voltage VDIF = 0.5 V TYP. (at IO = 0.5 A) • On-chip overcurrent and thermal protection circuit • On-chip output transistor safe area protection circuit
Output Voltage 3.3 V
3.3 V 3.3 V 3.3 V
µ PC29M33AT -E2
MP-3Z (SC-63)
3.3 V
µ PC29M33AT -T1
MP-3Z (SC-63)
3.3 V
µ PC29M33AT -T2
MP-3Z (SC-63)
3.3 V
µ PC29M05AHF
µ PC29M05AHB µ PC29M05AT µ PC2905AT-E1
MP-45G (Isolated TO-220)
MP-3 (SC-64) MP-3Z (SC-63) MP-3Z (SC-63)
5.0 V
5.0 V 5.0 V 5.0 V
µ PC2905A0 V
µ PC2905AT-T1
MP-3Z (SC-63)
5.0 V
µ PC2905AT-T2
STANDARD CONNECTION
D1
INPUT CIN
PC29M33A, PC29M05A
+ COUT
OUTPUT D2
CIN: 0.1 µF or higher. Set this value according to the length of the line between the regulator and INPUT pin. Be sure to connect CIN to prevent parasitic oscillation. Use of a film capacitor or other capacitor with excellent voltage and temperature characteristics is recommended. If using a laminated ceramic capacitor, it is necessary to ensure that CIN is 0.1 µF or higher for the voltage and temperature range to be used.

LS变频器说明书iS5-中文说明书

LS变频器说明书iS5-中文说明书

在某些确定的条件下可以识别导致人身伤害的危险。 由于危险电压可能已出现,所以应有意识地特别注意。
在某些确定的条件下可以识别潜在的危险。 仔细阅读相关信息并遵守相关指令。
为了方便取阅使用说明书,请就近保存。
仔细阅读本说明书,使 SV-iS5 系列变频器的性能达到最佳化,并确保安全地使用。
危险
当电源已经送电或变频器处于运行状态时,不要打开变频器的外壳。 否则,可能发生电击。
位,否则可能发生意外事故。
不要修改或变动变频器内部任何东西。 变频器的电子热保护功能可能无法保护电机。 在变频器的输入侧不要使用电磁式交流接触器作为变频器频繁启停的开关。 使用噪声滤波器来降低变频器产生的电磁干扰的影响,否则,附近的电子设备可能会受到干扰。 如果输入电压不平衡,需要安装交流电抗器。来自变频器的潜在高次谐波可能会引起电力电容器和发生
第一章 安装 .....................................................................................................................................10 1.1 检查 ..................................................................................................................................................... 10 1.2 环境条件 ............................................................................................................................................. 10 1.3 安装 ..................................................................................................................................................... 10 1.4 其它注意事项 ..................................................................................................................................... 11 1.5 尺寸 ..................................................................................................................................................... 12 1.6 基本配线 ............................................................................................................................................. 17 1.7 电源端子 ............................................................................................................................................. 18 1.7.1 类型 A 构造 ............................................................................................................................... 19 1.7.2 类型B 构造 ................................................................................................................................. 19 1.7.3 类型C 构造 ................................................................................................................................. 20 1.7.4 电源端子配线 ............................................................................................................................. 21 1.8 控制端子 ............................................................................................................................................. 23 1.8.1 控制端子配线 ............................................................................................................................. 24 1.8.2 键盘和 RS485电路连接配线 ..................................................................................................... 25

广州数控数控车床操作编程说明书

广州数控数控车床操作编程说明书

广州数控980TD编程操作说明书第一篇编程说明第一章:编程基础n兼配瑋式死叽□辛床匚皿CNC G SK980TDGSK980T的升级产品,采用了32位高性能CPUS超大规模可编程器件FPGA运用实时多任务控制技术和硬件插补技术,实现卩m级精度运动控制和PLC逻辑控制。

技术规格一览表运动控制控制轴:2轴(X、Z);同时控制轴(插补轴):2轴(X、Z)插补功能:X、Z二轴直线、圆弧插补位置指令范围:-9999.999〜9999.999mm;最小指令单位:0.001mm电子齿轮:指令倍乘系数1〜255,指令分频系数1〜255快速移动速度:最高16000mm分钟(可选配30000mm分钟)快速倍率:F0、25% 50% 100%3级实时调节切削进给速度:最高8000mm分钟(可选配15000mm分钟)或500mm转(每转进1.1 GSK980T简介广州数控研制的新一代普及型车床机床数控系统和数控机床数控机床是由机床数控系统( Numerical Co ntrol Systems of machi ne tools )、机械、电气控制、液压、气动、润滑、冷却等子系统(部件)构成的机电一体化产品,机床数控系统是数控机床的控制核心。

机控系统由控制装置(Computer Numerical Con troler简称CNC、伺服(或步进)电机驱动单元、伺服(或步进)电机等构成。

数控机床的工作原理:根据加工工艺要求编写加工程序(以下简称程序)并输入CNCCNC □工程序向伺服(或步进)电机驱动单元发出运动控制指令,伺服(或步进)电机通过机械传动构完成机床的进给运程序中的主轴起停、刀具选择、冷却、润滑等逻辑控制指令由CN传送给机床电气控制系统,由机床电气控制系统完成按钮、开关、指示灯、继电器、接触器等输入输出器件的控制。

目前,机床电气控制通常采用可编程逻辑控制器(Programable Logic Controler简称PLC ,PLC具有体积小、应用方便、可靠性高等优点。

科友加密机接口

科友加密机接口

编程手册编程手册 (1)第一篇编程指南 (6)1.1简要介绍 (6)1.2一般说明 (6)1.3三倍DES运算 (7)1.3.1密钥的用法 (7)1.3.2密钥的加密方案 (7)1.ANSI X9.17方式 (7)2.变量方式 (7)YYYY YYYY YYYY YYYY (8)BBBB BBBB BBBB BBBB (8)YYYY YYYY YYYY YYYY (8)BBBB BBBB BBBB BBBB (8)CCCC CCCC CCCC CCCC (8)YYYY YYYY YYYY YYYY (8)ZZZZ ZZZZ ZZZZ ZZZZ (8)BBBB BBBB BBBB BBBB (8)CCCC CCCC CCCC CCCC (8)1.4密钥的生成、输入和输出 (8)1.5命令消息格式 (9)1.5.1TCP/IP方式 (9)1.5.2串口Async方式 (9)1.6响应消息格式 (10)1.6.1TCP/IP方式 (10)1.6.2串口Async方式 (11)1.7数据的表示 (11)1.7.1ASCII字符编码 (12)1.7.2EBCDIC字符编码 (12)1.7.3EBCDIC码至ASCII码的转换表 (14)1.8输入/输出流控制 (16)1.9错误控制 (16)1.10多HSM的使用 (17)1.11用户存储 (17)1.11.1分配和使用索引 (18)1.11.2指定存储数据 (19)1.12通过一台连接在HSM上的打印机打印 (20)1.13禁止弱密钥和半弱密钥 (20)1.13.1DES弱密钥 (20)1.13.2DES半弱密钥 (21)1.14本地主密钥 (21)1.14.1LMK表 (21)1.14.2标准测试用LMK集 (22)1.15本地主密钥变种 (23)1.16本地主密钥三DES变量方案 (24)1.16.1一般说明 (24)1.16.2密钥类型表 (25)1.16.3密钥方案表 (26)第二篇主机命令 (27)2.1一般说明 (27)2.2通用密钥管理命令 (27)2.2.1生成密钥 (28)2.2.2生成并打印一个成份 (29)2.2.3由密的成份组成一个密钥 (31)2.2.4输入一个密钥 (32)2.2.5输出一个密钥 (33)2.3区域主密钥(ZMK)管理 (34)2.3.1生成并打印一个ZMK成份 (35)2.3.2由三个ZMK成份组成一个ZMK (37)2.3.3由2到9个ZMK成份组成一个ZMK (38)2.3.4将ZMK由ZMK转为LMK加密 (40)2.4区域PIN密钥(ZPK)管理 (42)2.4.1生成一个ZPK (43)2.4.2将ZPK由ZMK转为LMK加密 (44)2.4.3将ZPK由LMK转为ZMK加密 (46)2.5区域加密密钥,区域认证密钥管理 (47)2.5.1生成一个ZEK/ZAK (48)2.5.2将ZEK/ZAK从ZMK转为LMK加密 (49)2.5.3将ZEK/ZAK从LMK转为ZMK加密 (50)2.6终端主密钥,终端PIN密钥和终端认证密钥管理 (51)2.6.1生成并打印一个TMK、TPK或PVK (52)2.6.2生成一个TMK、TPK或PVK (54)2.6.3将TMK、TPK或PVK从LMK转为另一TMK、TPK或PVK加密542.6.4将TMK、TPK或PVK从ZMK转为LMK加密 (55)2.6.5将TMK、TPK或PVK从LMK转为ZMK加密 (56)2.6.6生成一对PVKs (57)2.7终端认证密钥管理 (60)2.7.1生成一个TAK (61)2.7.2将TAK从ZMK转为LMK加密 (62)2.7.3将TAK从LMK转为ZMK加密 (63)2.7.4将TAK从LMK转为TMK加密 (64)2.8PIN和Offset的生成 (65)2.8.1生成一个随机的PIN (66)2.8.2生成一个VISA的PIN校验值 (67)2.9PIN校验 (68)2.9.1校验一个用VISA方式的终端PIN (68)2.9.2校验一个用VISA方式的、用于交换的PIN (69)2.9.3校验一个用比对方式的终端PIN (70)2.9.4校验一个用比对方式的、用于交换的PIN (71)2.10PIN翻译 (72)2.10.1将PIN从一个ZPK翻译到另一个ZPK(已升级) (73)2.10.2将PIN从TPK翻译到ZPK (75)2.10.3将PIN从ZPK翻译到LMK (76)2.10.4将PIN从TPK翻译到LMK (77)2.10.5将PIN从LMK翻译到ZPK (78)2.11PIN请求数据处理 (79)2.12清除PIN支持 (81)2.12.1加密一个明文的PIN (82)2.13主机口令支持 (82)2.14消息认证码支持 (83)2.14.1生成一个MAC (84)2.14.2校验一个MAC (85)2.14.3校验并转换一个MAC (85)2.14.4用ANSI X9.19方式对大消息生成MAC(MAB) (86)2.14.5用银联方式对大消息生成MAC(MAB) (88)2.15打印输出的格式 (92)2.15.1字格式打印PINs (95)ONE TWO THREE FOUR (95)2.15.2以列形式打印PINs (96)2.15.3装载格式化数据至HSM (97)2.15.4装载附加格式化数据至HSM (98)2.16复合命令 (99)2.16.1退出授权状态 (99)2.16.2生成密钥校验值(非双倍长度ZMK) (100)2.16.3生成密钥校验值 (101)2.16.4完成诊断 (102)2.16.5HSM状态 (103)2.17VISA卡校验值 (104)2.17.1生成CVK对 (105)2.17.2将CVK对由LMK下加密转换为ZMK下加密 (105)2.17.3将CVK对由ZMK下加密转换为LMK下加密 (106)2.17.4生成VISA CVV (107)2.17.5校验VISA CVV (108)2.17.6用EDK密钥加解密数 (109)第三篇PIN格式 (110)3.1一般说明 (110)3.2格式01 (110)3.3格式02 (111)3.4格式03 (111)3.5格式04 (112)3.6格式05 (113)1NP1...PNR...R . (113)第四篇错误代码 (113)4.1错误代码表 (113)第五篇名词表 (115)5.1一般说明 (115)文档修订记录版本创建日期作者校订备注1.02007/12/21第一篇编程指南1.1 简要介绍HSM(Host Security Module)称为主机安全模块(注:以下将主机安全模块均称为HSM),作为主机的外围设备,为主机在一个物理上安全的环境中实现加/解密运算的功能。

派克液压中文样本

派克液压中文样本

液压注意 – 用户方责任 错误或不当地选择或使用本样本或有关资料阐述的产品,可能会导致人生伤亡及财产损失! 本样本以及其它由派克汉尼汾公司及其子公司、销售公司与授权分销商所提供的资料,仅供用户专业技术人员在对产品和系统的选型进行深入调查考证时参考。

用户应全面分析自身设备的运行工况、适用的工业标准,并仔细查阅现行的样本,以详细地了解产品及系统的相关信息,通过自己的分析和试验,对产品及系统的独立的最终选择负责,确保能满足自身设备的所有性能、耐用性、维修型、安全性以及预警功能等要求。

对于派克或其子公司或授权分销商而言,应负责按用户提供的技术资料和规范,选择和提供适当的元件或系统,而用户则应负责确定这些技术资料和规范对其设备的所有运行工况和能合理预见的使用工况是否充分和准确。

目录目录页次概述 1 订货代号 2 技术参数 4 变量控制器 5 控制选项 “C”, 压力限定(恒压)变量控制器 5 控制选项 “L”, 负载传感及压力限定变量控制器 6 控制选项 “AM”, 带遥控口的标准型先导式压力限定变量控制器 7 控制选项 “AN”, 带ISO 4401 NG06先导阀安装界面的先导式压力限定变量控制器 8 控制选项 “AE”及“AF”, 带电磁比例调节的先导式压力限定变量控制器 9 控制选项 “AMT”, “ALT”及“LOT”, 带最高压力限定的扭矩限定(恒功率)变量控制器 10 P1性能特性 11典型流量特性 11 典型总效率特性 13 典型轴输入功率特性 15 典型噪声特性 18 典型轴承寿命 20 PD性能特性 22典型流量特性 22 典型总效率特性 24 典型轴输入功率特性 26 典型噪声特性 29 典型轴承寿命 31 安装尺寸 33 P1/PD 018 33 P1/PD 028 36 P1/PD 045 40 P1/PD 060 44 P1/PD 075 49 P1/PD 100 54 P1/PD 140 59 变量控制器安装尺寸 65 可提供的扩展的液压产品 75派克汉尼汾备记派克汉尼汾概述简介, 优点派克汉尼汾简介 • 开式回路用轴向柱塞式变量液压泵 • 中压,连续工作压力280 bar • 高驱动转速型,适用于行走机械; 低噪声型,适用于工业应用 • 静音及高效的控制效能 优点 • 总结构尺寸紧凑 • 低噪声• 流量脉动小,进一步降低噪声• 采用弹性密封,不使用密封垫,从而避免外泄漏的产生• 总效率高,功耗小,减小发热• 采用带无泄漏调节装的简单变量控制器 • 符合SAE 及ISO 标准的安装法兰及油口 • 采用圆锥滚柱轴承,使用寿命长 • 全功率后驱动能力• 后部或侧面油口配置可选• 泄油口的配置对水平安装及驱动轴向上垂直安装均适用• 带有最大及最小排量调节选项 • 具有壳体至吸口单向阀选项,可延长轴封寿命 • 使用、维修方便 脉动容腔技术下列图表所示为侧向油口配置P1/PD 18, 28及45泵采用 “脉动容腔” 技术的效果,脉动容腔可降低泵出口处的压力脉动幅值40-60%,这样,无需增加成本来加装噪声缓冲元件,便可大大降低液压系统的整体噪声,P1系列 PD 系列出口压力p / bar平均压力脉动 / b a rP1 045出口压力脉动2600 rpm 无脉动容腔2600 rpm 带脉动容腔订货代号18 ml, 28 ml, 45ml派克汉尼汾P 类型 01 驱动轴 转向R 5密封材料E 油口配置0 壳体-吸口 单向阀 0 排量调节 018 排量 S 安装法兰 及油口 S 轴封 M 应用范围A 设计系列0 通轴驱动选项 C0控制选项0附加控制选项 00油漆 00修改代号系列 P D * 仅适用于045排量, “S”型安装法兰及油口00 标准型, 无修改M2 按要求修改 代号修改代号 * 适用于028及045排量 ** 仅适用于045排量 代号设计系列 A 现行设计系列5 氟碳橡胶 (FPM) 代号密封材料 A 82-2 SAE A M33x2 M27x2 BSPP 1/4”, 3/8” 101-2 SAE B M42x2 M27x2 BSPP 1/4”, 1/2” 101-2SAE B M48x2M33x2Ø38/25DN51/25BSPP 1/4”, 1/2”B ISO M33x2 M27x2 BSPP 1/4”,3/8”ISO M42x2 M27x2 BSPP 1/4”, 1/2” ISO M48x2M33x2Ø38/25DN51/25BSPP 1/4”, 1/2”代号 018排量 028排量 045排量 安装法兰及油口 安装 法兰 螺纹 油口 辅助 油口 安装 法兰 螺纹 油口 辅助 油口 安装法兰螺纹油口法兰 油口辅助 油口 S 82-2 SAE A SAE 16/12 SAE 4/6 101-2 SAE B SAE 20/12 SAE 4/8 101-2SAE B SAE 24/16Ø38/2561系列SAE 4/10M ISO M33x2 M27x2 M12x1.5 M16x1.5 ISO M42x2 M27x2 M12x1.5 M22x1.5 ISO M48x2M33x2Ø38/25DN51/25M12x1.5M22x1.5代号 018驱动轴 028驱动轴 045驱动轴 01 SAE A 11T 花键SAE B-B 15T 花键 SAE B-B 15T 花键02 SAE 19-1平键Ø0.75” SAE B-B 平键Ø1” SAE B-B 平键Ø1” 08— SAE B 13T 花键 SAE B 13T 花键 04 ISO/DIN 平键, Ø20ISO/DIN 平键, Ø25ISO/DIN 平键, Ø25 06 SAE A 9T 花键— — PD 工业液压用 代号 系列P1 行走机械用 代号 排量 018 18 ml/rev (1.10 in 3/rev) 028 28 ml/rev (1.71 in 3/rev) 045 45 ml/rev (2.75 in 3/rev) 代号 类型 P 开式回路用变量柱塞泵 U*通用 代号应用范围 S 工业液压 (PD) M 行走机械 (P1) R 顺时针 (右转)L 逆时针 (左转)代号 转向 代号 轴封 S 单唇轴封 * 并不具有控制功能,仅在运输时予以防护,详情见第7页的控制说明。

IC-M33中文使用说明书

IC-M33中文使用说明书
·按住一秒,切换按键锁定或解锁 ·按下此键,快速选择 16 频道 ·按住一秒,快速选择呼叫频道 ※机器默认的呼叫频道是 9 频道 · 在选择呼叫频道后, 按住此键 3 秒直到机器从长蜂鸣音变 成两声短蜂鸣音,进入呼叫频道编辑 ·在设置模式操作时按此键可退出设置操作
⑧ 频道选择键 [▼]/[▲] ·按下此键,选择工作频道
·选择设置模式下各项的设置 ·检查标记频道或者扫描时,更改扫描方向
PTT 按键[PTT] 按住时发射,松开时接收
⑨ 扫描/双重值守开关[SCN·DUAL]
·启动或停止普通或优先扫描模式 ·按住一秒进入双频或三频值守模式 ·在值守状态下,按一下此键退出值守模式 ·同时按住此键和[H/L]键,可启动自动除水功能
■监听功能
使用这个功能时, 机器暂时关闭静噪抑制, 便于监听频道的 有用信号。关于监听功能开关的设置详见后面的设置。 ·按住[MONI](SQL)键,打开监听功能。 ·功能打开时, “BUSY”字样闪烁显示,声音发出。
■自动排水功能 ■自动背光控制
晚上作业时使用这个功能非常方便。 自动背光功能能在设置 模式下打开。 ·按除了【PTT】外的任何键便能启动背光。 ·如果在 5 秒内没有任何操作,背光将自动关闭。 IC-M33 使用一新技术震动排水(AquaQuake)来排出喇叭 上的积水, 以免喇叭上的积水抑制喇叭出来的声音。 开启此 功能后,机器发出震动音,以便排出喇叭上的积水。 ①同时按住[SCAN]和[H/L]键,打开自动排水功能 ·不管音量设置如何,机器发出 9 秒长的低音震动 ·正在进行排水功能时,任何按键不起作用;当连接选配的 手麦后,自动排水功能不能使用
③标记频道指示
标记频道被选择时显示
⑨异频频道指示
显示表示工作频道是异频频道(发射接收频率不一样) 3

MM3Z3V3T1G稳压二极管规格书

MM3Z3V3T1G稳压二极管规格书

MM3Z3V3T1G稳压二极管规格书Zener Voltage Regulators200 mW SOD–323 Surface MountMM3Z2V0T1GSeriesThis series of Zener diodes is packaged in a SOD–323 surface mount package that has a power dissipation of 200 mW. They are designed to provide voltage regulation protection and are especially attractive in situations where space is at a premium. They are well suited for applications such as cellular phones, hand held portables, and high density PC boards.Specification Features:Standard Zener Breakdown Voltage Range – 2.0 V to 75 V ? Steady State Power Rating of 200 mWSmall Body Outline Dimensions: 0.067" x 0.049"(1.7 mm x 1.25 mm).Low Body Height: 0.035" (0.9 mm)? Package Weight: 4.507mg/unitESD Rating of Class 3 per Human Body Model ? Pb-Free package is available.Mechanical Characteristics:CASE:Void-free, transfer-molded plasticFINISH:All external surfaces are corrosion resistant260°C for 10 SecondsPOLARITY:Cathode indicated by polarity band FLAMMABILITY RATING: UL94 V-0MOUNTING POSITION: AnyMAXIMUM RATINGSRating SymbolMax UnitTotal Device Dissipation FR–5 P DBoard(Note 1.) @ TA = 25°C 200 mW Derate above 25°C 1.5mW/°C Thermal Resistance fromR θJA635 °C/W Junction to Ambient Junction and StorageT J , T stg –65 to+150 °CTemperature Range 1. FR–4 Minimum PadDevicePackageShippingMM3Z2V0T1G Series SOD-3233000/T ape&ReelMM3Z2V0T3G SeriesSOD-32310000/Tape&ReelRev.A 1/6S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.ORDERING INFORMATIONMaximum case temperature for soldering purpose:MM3Z2V0T1G SeriesELECTRICAL CHARACTERISTICS(T A = 25°C unless otherwise noted,V F = 0.9 V Max. @ IF = 10 mA for all types)Symbol ParameterV Z Reverse Zener Voltage @ I ZT I ZT Reverse CurrentZ ZT Maximum Zener Impedance @ I ZT I ZK Reverse Current Z ZK Maximum Zener Impedance @ I ZK I R Reverse Leakage Current @ V R V R Reverse Voltage I F Forward Current V F Forward Voltage @ I FQ V Z Maximum T emperature Coefficient of V Z CMax. Capacitance @V R = 0 and f = 1 MHzRev.A 2/62.Zener voltage is measured with a pulse test current I Z at an ambient temperature of 25°C.Rev.A 3/6MM3Z2V0T1G SeriesTypical CharacteristicsZ Z T , D Y N A M I C I M P E D A N C E () 1000100101.0C , C A P A C I T A N C E (p F )70V Z , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V) Figure 3. Typical Capacitance 104.0V Z , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V) Figure 4. Typical Leakage Current70605040302010Rev.A 4/6MM3Z2V0T1G SeriesTypical Characteristics12V Z , ZENER VOLTAGE (V)100101.00.10.01108.06.04.02.00I Z , Z E N E R C U R R E N T (m A )V Z , ZENER VOLTAGE (V)Figure 5. Zener Voltage versus Zener Current (V Z Up to 12 V)Figure 6. Zener Voltage versus Zener Current (12 V to 75 V)1001010.10.011030507090I Z , Z E N E R C U R R E N T (m A ) Figure 7. Steady State Power Derating Rev.A 5/6300200100005025100150P O W E R D I S S I P A T I O N : P d (m W ) AMBIENT TEMPERA TURE : T a (°C)MM3Z2V0T1G SeriesPACKAGE DIMENSIONSSOD-323Rev.A 6/6HE NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.3.LEAD THICKNESS SPECIFIED PER L/F DRAWING WITH SOLDER PLATING.4.DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE MOLD FLASH, PROTRUSIONS OR GATE BURRS.5.DIMENSION L IS MEASURED FROM END OF RADIUS.NOTE 3DIM MIN NOM MAX MILLIMETERSA 0.800.90 1.00A10.000.050.10A30.15 REF b 0.250.320.4C0.0890.120.177D 1.60 1.70 1.80E 1.15 1.25 1.350.082.30 2.50 2.70L 0.0310.0350.0400.0000.0020.0040.006 REF0.0100.0120.0160.0030.0050.0070.0620.0660.0700.0450.0490.0530.0030.0900.0980.105MINNOM MAX INCHESSOLDERING FOOTPRINT*MM3Z2V0T1G Series。

A323中国移动拓展资料-09-附件2-线缆性能

A323中国移动拓展资料-09-附件2-线缆性能

附件2 招标方提供的线缆技术性能目录1. 概述2. 2Mbit/s数字传输电缆3.155Mbit/s、140Mbit/s数字传输电缆4.其他线缆1. 概述1.1本文件为光缆通信干线工程局站通信线缆的技术规范1.2 本文件的解释权属招标方2. 2Mbit/s数字传输电缆2.1 该电缆的使用场合该电缆作为数字复用终端设备2Mbit/s速率口间或与长途数字程控交换机2Mbit/s速率口间连接用,用于传输2Mbit/s速率数字信号。

2.2 结构数据类型Ⅰa) 线对导体:单芯无氧镀锡铜线,外径:0.5±0.01mmb) 绝缘层:发泡PE(皮-泡-皮),外径:1.3±0.1mmc) 屏蔽层材料及屏蔽方式:单面铝箔绕包外加镀锡铜丝接地线d) 外护层:PVC护套,标准厚度:0.35mm单对电缆外径:3.9mm, 容差-0.20~0mm组合电缆外径:8对:12.8mm,容差-0.1~0mme) 应有组合(单组)接地线。

类型Ⅱa) 内导体:单芯无氧铜线,外径:0.34±0.01mmb) 绝缘层:单层:聚乙烯,外径:2.1±0.1mmc) 外导体:单层无氧软铜线编织,编织密度>95%。

d) 护套:PVC护套,标称厚度0.35mm,单管电缆外径:3.2 mm或3.30mm, 容差-0.20~0mm;组合电缆外径:2芯平行:8管:11.9~12.3mm, 容差-0.3~0mm;2.3 电气技术指标类型Ⅰa) 特性阻抗标称阻抗:120Ω (2.5MHz)平均特性阻抗:120Ω±12Ω(1-4MHz)b) 衰减常数:衰减频率特性符合f特性1MHz < 0.021dB/mc) 工作电容:≤45±3pF/m (1kHz)d) 绝缘电阻:在20℃时不小于1x104MΩ.kme) 工作线对间及工作线对与层蔽层间绝缘介电强度:1.5kv 50Hz有效值1分钟不击穿。

修正了M33免引导模式的一些错误

修正了M33免引导模式的一些错误

修正了M33免引导模式的一些错误叫UMD的小货色的时候,让我们第一次知道了PSP,这个PS家族的小女儿.随后在2004年3月的E3展上,我们第一次看到了这个小女儿的样子容貌和山脊赛车的演示视频,让人们热血为之沸腾,而在发售时久多良木健豪言的就算是当时最进步的装备和技术,也要60年才能*PSP,因为这句高调舆论,PSP和黑客之间的仇怨就结下了.自发售日起,无数黑客对其发动了冲击,这场没有硝烟的战斗已经打了5年多,PSP*事业也阅历了一次次的光辉和低谷.在此给大家回想下PSP*过程,同时为那些在*进程中做出尽力的黑客们致敬2005年3月25日SONY更新了1.5固件,这次的固件升级文件可以直接放在记忆棒下运行,让黑客们从中找到了*的方向.2005年5月7日PSP游戏盘UMD内的ISO被成功导出,为记忆棒运行打下基础,同日,HELLO WORLD V1.0出现(2KV3和3K用户一定不陌生)自制软件的门户就此被翻开2005年5月9日Saturn Expedition Committee发布了PSP Firmware,可以DUMP PSP1.0固件.2005年5月12日HW的第一个产物,GB模拟器出现,从此开始了自制软件的大高潮2005年6月13日MD模拟器的出现打破了PSP的锁频,让PSP可以以333的频率全速运行2005年6月15日西班牙*组织的"飞棒(疾速切换记忆棒)"程序MSwapTool正式发布,从而可以在1.5版本下运行自制程序2005年6月22日KXploit v1.5发布,老玩家必定不生疏,通过%来诈骗系统,从而离别了飞棒.2005年7月1日Xecuter发布了第一个ISO引导程序Lumines ISO Loader,虽然只能运行Lumines一款游戏,而且没有声音,不能联机,而且需要UMD去引导,但首创了ISO LOADER的先河,给寰球玩家相称大的震撼(天朝受益无限啊)2005年7月2日第一个泛用型ISO引导程序WAB MS Launcher发布,在当时来看兼容性相称不错.让人们看到了贸易游戏*的盼望(天朝再次欢呼)2005年7月20日DevHook的前身Hook Boot v0.10发布.紧接着6天后更新了v0.90,WAB与Hook Boot并存的时代到来.2005年8月4日FastLoader发布,虽然没有前两种那么受欢送,但是也是个不错的引导系统2005年9月16日1.5时期最经典也是最存在影响力的引诱程序DevHook在今天正式呈现,发布了v0.22版,无需任何领导就能运行ISO镜像,最强的双引导DevHookv0.22+UE v0.8构成.两者联手打造出了当时最强的引导程序2005年9月25日在PSP2.0系统上可以运行的HW出生,借助TIFF图片阅读漏洞成功运行自制程序MPH小组发布了2.0固件的降级程序,至此,降级风潮开始袭来.2005年10月3日EBOOT Loader for 2.0FW诞生,通过它可以成功引导自制软件,社会话题,让那些还怕降级失败的人也可以运行自制软件了2005年11月30日Edison Carter发现了GTA的存档漏洞,开发了游戏修改程序GTA:LCS Cheat Device(这是老金的成功)2005年12月12日2.01/2.50的HW横空降生,Fanjita在对Edison Carter研究成果的基础上通过对GTA存档的深刻研究,开发出了高版本固件上的ELOADER 2005年12月15日2.6系统的GTA存档漏洞被发现(SONY泪目),GTA:LCS Cheat Device v0.4放出.同日,MPH Firmware Loader 1.3.6发布.在1.5系统上模拟2.0版本固件.让1.5用户可以享受2.0加入的AVC视频播放功能,此外直接能运行高版本需要的UMD也为其他*小组带来新的研究方向.而在3天后更新的1.3.7版更是支持了对2.5系统的模拟.2006年1月29日在Edison Carter的帮助下Fanjita发布了2.00/2.01和2.50用的ELOADER.紧接着一天后又发布了2.60系统使用的ELOADER 2006年2月22日GTA金身告破,MPH GTA Loader的放出,让1.5固件也能够运行需要2.0能力运行的GTA,让宽大GTA迷为之高兴不已,而仅仅只过了一天,在24和25日又分辨推出了MPH GA ME LOADER测试版和正式版,与DH的组合甚至可免得引导运行2.0的游戏,从这天开端,必需要进级才干运行高版本游戏的规矩被攻破了这是一个冲动人心的时刻,由于被广大PSP用户尊称为DA大神的DARK ALEX在今天正式亮相,发布了他的童贞作DAXZISO.压缩ISO让小容量记忆棒也可以玩大作,而最新版本的加入更是支持通过USB运行电脑里面贮存的ISO.(DA 撒花)2006年4月11日又是DARK ALEX,他放出了一个UE的修改版core.bin文件,可以通过UE8.0+RUNUMD来运行怪物猎人P(DA继续欢呼,老卡泪目吧)2006年5月6日UMD Emulator的源代码公布.同一天,DH 0.32a发布,支持CSO文件格式,至此,DH的矛头已经逐步展露出来了2006年5月19日DA发布了DAXZISO的最终版0.62版.至此,DA首个展现自己才干的软件,宣告结束2006年5月27日对直读芯片这个词,很多老玩家应当不陌生,就在这一天,首个直读芯片,Undiluted Platinum公布,采用外接NAND FLASH ROM替代自身闪存的*方法,让高版本也可以不用因为无法降级而苦恼,不过由于价钱过于昂扬,最终还是没能成大器2006年5月30日DH的最新开发情报公布,DH的辉煌史从此刻正式拉开帷幕2006年6月6日DevHook v0.41发布,可以成功模拟2.5版本固件,这一刻,DH的辉煌来临,而SONY的噩梦就此开始了.至此,ISO引导程序进入了DH一家独大的时代.值得一提的是,作为DH的作者,Booster本人是一位日本黑客(SONY泪目啊)2006年6月29日DARK ALEX发布了非TA-082主板的2.5和2.6降级工具,至此,蠢才黑客DARK ALEX的名号正式在PSP*界打响2006年7月6日DA再次出手,发布了1.50降级回1.00的降级软件2006年7月10日2.60/2.71固件被黑客解密,为下一版的DH奠定了基础,紧接着在11日和14日,BOOSTER再次更新了DH,支持了2.60和2.71固件,瞧瞧这些富二代-博文预览,遇上了官方固件发布的脚步2 006年8月18日NOPx86发现了新的libtiff漏洞,接下来60个小时,Skylark和psp250在Fanjita的辅助下验证了运行自制程序的可行性.紧接着在28日发布了2.8系统用的HW.而DA也敏捷将2.5/2.6降级程序重制,在9月2日发布了非TA082主板的2.71降级程序2006年9月23日又是DA,他公布了Homebrew Enabler for 2.71,直接通过激活TIFF漏洞运行在2.71固件上运行自制软件,至此,TA082主板也宣告*.(是不是眼熟,没错,这就是HEN的原型)2006年9月24日仅仅只隔了一天,DA就公布了2.71可以使用的DH,DevHook Launcher Port to v2.71,2.71用户也可以玩上ISO了.正式版的HEN FOR 2.71B2正式发布,世界上第一款HEN,正式从DA手中发布.启动成功率高达99%.2006年10月8日这是一个激动听心的日子,就在这天,DA发表申明2.71修正版固件行将发布,该固件将可直接运行自制软件,临时命名成为2.71SE,紧接着第二天,2.71SE 发布,从这天起,PSP正式进入了自制固件的时代2006年10月25日2.71SE-B发布,社会话题,在这个系统里,大家无比惊疑的发现可以进入游戏菜单当前可以直接看到ISO镜像,纷纭猜想是不是要做免引导功能,紧接着,DA 发表申明宣布再下一版中支持免引导功能,并与28日正式发布了2.71SE-B2,支持绝大部分游戏的免引导运行,仅有极少部分游戏像是MHP仍然需要引导盘2006年11月25日沉静了许久的BOOSTER宣布复出,DevHook的更新火烧眉毛(此时PSP用户还分成DA派和1.5派,就犹如当初的M33派和GEN派一样)2006年11月29日这是一个值得哀悼的日子,由于某位无聊网友假冒DA自建了个网站,并且在网站上放了良多甚至可能让PSP变砖的假程序,再加上亲人的逝世,使DA身心俱疲,DA在这天第一次宣布退出PSP*界.2006年11月30日BOOSTER发布了新版的DH,可以模拟2.8固件.紧接着在12月4日发布了模拟3.01和3.02的DHV0.51 2006年12月21日DA归来,并且给了SONY重重的一击,放出了3.02OE-A,成功*了PS模拟的数字授权,此时,大家可以通过别人的受权来玩官方的PS模拟游戏Ockm发布了非TA082主板用的2.80降级程序(不外他的光辉完全被DA大神所掩饰)2006年12月25日在这一天,DA又放下了一个重磅炸弹,3.02OE-B发布,可以运行玩家自己转换的PS游戏,并且同时发布了转换软件,官方PS模拟器完全告破2006年12月27日DA和Mathieulh还有Harleyg三人结合发布了TA-082主板的2.71固件降级程序,自此,TA-082金身被破.但是,TA086再一次挡在了玩家眼前,让很多人在迫于无奈之下挑选了硬降2007年1月5日OE继续更新,3.03OE-A发布,在PS模拟器中加入了紧缩镜像,解释文档天生的功能紧接着两天后又发布了补丁OE-A′,支持了对UMD/ISO中主频的调节2007年1月10日3.03OE-B发布,加入了480X272MP4AVC的播放功能.2007年1月14日Noobz小组将HEN漏洞激活程序利用到2.8系统上,并成功使用DA发布的降级程序将全主板型号的PSP降级到1.5.2007年1月25日3.03OE-C自制固件发布,将AVC播放码率从768Kbps提高到了16384Kbps.同日,GTA再次破功(SONY的恶梦啊).Noobz小组成功使用GTA的存档漏洞洞穿了PSP的防备并在三天后放出了通过此漏洞的降级程序,全主板3.03成功降级2007年2月4日仅仅距离SONY发布3.10固件(1月31日)只有4天的时间,DA就推出了3.10OE-A加入了非充电状况下4级亮度的功能并在两天后发布了针对合金弹头完全版中的合金弹头6运行黑屏问题的补丁OE-A′2007年2月8日Team C+D小组发布了3.11固件解密工具3.11 Firmware Decrypter.为新版DH打下基础2007年2月11日DA推出了各个版本的PS模拟器的整合插件POPSLOADER.2007年2月24日Booster出手,发布了DevHook 0.52.0100加入了对3.11固件的模拟2007年3月11日2.71降级程序完美版发布,修正了本来程序中的一点小错误.使得2.71降级更完美2007年3月30日Team C+D小组成功解密了3.30固件并放出懂得密工具.2007年4月16日DA发布了3.30OE-A,固然并没有实现他的在48小时内放出系统的许诺,然而照旧给大家带来了最新的自制系统2007年4月20日DA接连发布了3.40OE-A和3.40OE-A′,第一次在官方固件发布后24小时内完整自制固件2007年6月24日这是PSP*史上的最辉煌的时刻,国内传出了可以通过特殊电池+记忆棒实现全主板全系统降级的消息,至此,神奇电池第一次进入了*界,虽然在当时由于神奇电池的稀缺并没有引起太大反应,CQ40-422Tx 405Tx 404Tx 423Tx xp完美系统-博文预览,但现在已成为刷机修砖必备良品(据说第一块神奇电池是国内某个制作厂流出来的,天朝立功了)2007年6月26日Noobz小组再次发现3.50漏洞,并在第二天发布了降级程序,通过美版或者欧版的Lumines,成功降级到1.5.新版本再次惨遭*2007年7月2日由于某无良黑客将DA的材料公布到了互联网上,DA的人生保险受到要挟,因此DA第二次宣布退出PSP*界2007年7月4日Noobz小组发布了新版降级程序,支持日版Lumines的UMD启动降级程序2007年7月14日来自俄罗斯的黑马,Team M33出现(DA聪慧得换上了MJ),发布了3.51M33自制固件,继续了OE系列自制固件长处的同时,修正了无线网络毛病问题,M33狂潮就此开展(虽然在当时,90%以上的人都坚持张望态度)2007年7月17日3.51M33-2发布,加入了自己编写的免引导模式M33 DRIVER.至此,怪物猎人等部门游戏须要引导盘的时代宣布停止2007年7月18日M33小组持续发布了M33-4和M33-5的补丁,修正了M33免引导模式的一些错误,并且加入了1.5核心2007年7月19日M33-6再次发布,加入了SONY官方引导模式SONY NP9660.2007年7月21日No obz继承更新降级程序,韩版的Lumines也可能启动降级程序,统一天,M33小组持续发布了3.51M33-7补丁,修正了网络过错,加入了1.5核心的4级亮度,大大加强了M33 DRIVER的兼容性.2007年7月25日M33小组在3.52发布的一天内,发布了3.52M33固件,再次加强了M33 DRIVER的兼容性,并修正了PS模拟的兼容性2007年7月29日M33小组发布3.52M33-2,增强M33 DRIVER跟PS模拟的兼容性,并在恢复模式中参加了格局化Flash1的功效.同时,体系语言中终于加入了中文,从而另大局部OE众也潜逃到了M33 2007年8月6日OE系列源代码放出2007年8月18日3.52M33-3发布,加入了拜访FLASH2,3等的指令,加入了新的频率.使使用更加便利,同时也间接增添了砖头的数目(USB DEVICE改成F0而后发现磁盘错误格式化磁盘或删除文件,这也是目前最多的变砖起因)2007年8月21日3.52M33-4发布,修正了一些小BUG 2007年8月23日DA复出再次出手(此时大家还不晓得M33=DA),发布潘多拉电池程序,解开了海内闹得满城风雨的神奇电池之谜.通过软件改写电池中暗藏的EEPROM进入工厂模式,从而引导经由特殊处置的记忆棒(神奇记忆棒)中的特定程序,修砖或者降级,自此,神奇电池的发展正式迈向了成熟的阶段2007年8月24日Noobz小组联合Team C+D发布了潘多拉电池的制作程序,并联合DA制作了神奇电池修复程序.2007年9月4日PSP2000主板遭曝光,TA-085主板,证实了早就在开发PSP2000这个消息,TA-085V1,也是PSP2000所有主板中独一一个可以制作潘多拉电池的版本2007年9月6日PSP2000发售,搭载了当时最新版的3.60系统,同时,对时下风行的潘多拉电池采用的是不布防立场,因此,也为2000的*打下了坚实的基本2007年9月7日仅仅只过了一天,DA,Mathieulh和另外多少位黑客宣布成功导出3.60固件,还贴出了导出的文件截图,同时也证明了2000的NAND确实是66M.2007年9月10日间隔2000发售仅仅几天的时间,M33小组宣布,他们已经成功开发出了3.60M33固件.并于未几后发布.2007年9月11日M33小组发布了3.60M33固件.2000正式告破.但是也是从3.60开始,PSP开始不再兼容1.50核心,因此当时大部分的自制软件都无法使用,不过好在各种软件的作者很快就更新了软件,新的时代开始了2007年9月15日基于3.60M33无法运行以前的自制软件问题,Noobz发布了eLoader V1.0版.支持在3.60上运行以前的部分自制软件.2007年9月22日M33小组宣布,社会话题,3.71M33固件已实现,但是由于之前的源代码被盗事件,因此内部投票3票反对,2票赞成的情况下,暂不发布3.71M33 2007年9月23日最终,M33小组仍是放出了自制系统,为了兼容PSP2000,并不在系统中加入1.50中心模式,同时采取了SONY官方的升级界面,不像以前那样黑底白字,同时,在3.71升级包里面的Readme文档里.咱们看到了3.71M33 by M33=Dark_Alex的字样.M33=DA这新闻震动了全世界2007年9月28日DA发布了PSP最强修复工具Despertar Cementerio v2(神电套装V2).通过它,我们可以自己修复变砖的PSP 2007年10月2日DA发布了3.71M33-2和PSP1000用的1.50核心补丁2007年10月27日新版PSP主板可以制作潘多拉电池得到确认,Hellcat发布了在2000上使用的潘多拉电池制作工具2007年11月6日新人黑客HellDashX在反编译了3.71M33-2固件以后联合3.72官方固件发布了3.72HX-1,并在十天后放出了3.72HX-2,由于大家都对其不大释怀,所以并没有多少人使用这个系统2007年11月29日SONY官方3.73系统发布,而DA在研讨完固件后发现并无太大改良,因而发布废弃开发3.72和3.73固件DA发布了3.71M33-4升级程序,加入了支持PS模拟的合盘游戏功能,至此PS模拟靠近完善.同一天,HellDashX继续放出3.73HX-1.2008年1月14日由于SO NY再3.80系统中作出了太多的转变,因此原定在07年12月24日发布的3.80M33延迟到了这一天才发布,而SONY在固件里修改了部分内核代码导致了不容许读取双字节命名的文件,因此对国内用户而言最大的问题来了,无论MP3,MP4还是模拟器ROM,ISO只有一用中文命名,通通无法运行2008年1月15日DA发布了1.50核心补丁和3.80M33-2的补丁,修正了调换PS游戏图标的问题2008年1月20日DA发布3.80M33-5补丁,修正了部分小错误.2008年1月21日DA发布了神电套装V4(Despertar del Cementerio v4),支持PSP2000制作神电,并且整合了NAND操作工具2008年1月30日首次发现了无法制作神奇电池的使用TA085V2主板的PSP2000 2008年1月31日DA发布了3.90M33,并且宣布最近研究的重点是另PSP2000也能支持1.5核心的软件时间机器(Time Machine)2008年2月13日3.90M33-2发布,为时间机器的涌现做筹备.因为SONY大幅度改写记忆棒读写指令,因此造成记忆棒读取速度变慢,因此DA在这一天发布了3.71fatmsmod for 3.80/3.90 M33 v2 2008年2月15日时间机器正式发布v0.1版,它实现了固件脱离主机内部固件芯片而直接在记忆棒上启动,发明出了一个1.50+3.40HW混杂固件,让PSP2000也能使用1.5自制软件2008年3月29日鉴于SONY对2000视频输出的种种严厉限度,首款可以让2000在隔行电视上也能输出游戏画面的插件Fusa build45放出2008年3月30日神奇电池套装V5(Despertar del Cementerio v5)发布,全面兼容时间机器,并且与最新的3.90M33-3同步2008年4月25日TA088主板第一次亮相.同样没有屏蔽神电的使用2008年4月26日这是GEN的第一次亮相,虽然现在大家对GEN小组可以说是知之甚深,不过很少有人知道其切实1年前GEN小组就已经出手.Miriam在鉴戒了M33的同时对其进行了改进,在征得DA等人的批准后开发了3.93GEN系统,加入了一键返回恢复模式和存档免加密等功能并在第二天放出了1.50核心补丁2008年5月4日Miriam放出了3.93GEN-2补丁,将存档免加密程序以插件放出2008年6月1日3.95GEN放出,由于DA很早就申明了由于3.93,3.95的变更不大,因此对大部分想升级到最新的系统的人来说,GEN是一个不错的抉择2008年6月6日3.95GEN-2补丁放出2008年6月18日4.00固件被解密,DA也在之前宣告要制造4.00自制固件2008年6月28日由于仅仅只过了一周,SONY又发布了4.01固件,因此DA也直接采用了4.01固件内核制作了4.01M33,并在固件里为玩家加入了即时存档功能(2000独享)2008年6月29日4.01M33-2补丁放出,同时放出了1.50核心补丁2008年7月5日TA-088主板现身,DC5无法在上面使用.2008年8月5日silverspring公布了他对TA-088主板的剖析状态,揣测至少已经有三版主板2008年8月6日神奇电池套装V6(Despertar del Cementerio v6)发布,整合了时间机器,可以直接安装4.01M33-2,并且推倒了TA-085V2主板2008年8月8日DA网站管理员Alex(这里要阐明下,DA素来就不是一个人,而是DARK和ALEX两个)表示,由于TA-088V3主板采用了最新部件,打了Prs-IPL补丁以致神电核心完全无法运行,至此,SONY终于成功堵住了神奇电池.2008年8月19日神奇电池套装V7(Despertar del Cementerio v7)发布,大家等待的推倒TA-088V3主板的目的没能实现,只是加入了重建分区等功能,可以修复1K硬降机锁造成的KEY缺失从而无法升级,MAC地址错误等问题2008年10月15日PSP3000开始发售2008年10月17日5.00M33自制固件发布,让人遗憾的是,并不支持TA088-V3主板2008年10月22日5.00M33-2补丁发布,我们每个人都有秘密,修正了5.00的部分BUG 2008年10月23日DA再次放出5.00M33-3补丁,修正了2里面部分游戏或是自制软件无法运行的BUG,并且加入了跳过PSN检测的功能2008年10月27日国外玩家通过将2000的CPU换到3000硬*,而且会有液晶屏毫无反映的BUG,只有通过将画面输出到电视上才可以(家用机?)2008年11月18日国外某网站流露了Datel公司研制了神奇电池,名为LITE BLUE TOOL并表示可以进入PSP2000与PSP3000机器的Service mode.电池将于11月28日上市英国地域售价为19.99英镑,北美售价为29.99美元.而在第二天ALEX更新了博客指出可以点亮并不代表可以装置自制系统.而DA也在19日下战书发布了支持解压官方系统固件中PSP3000专用模块的Psardumper程序2008年12月2日ALEX更新了博客的内容.确认了蓝点只是能够将3000点亮而已,并不能履行其余操作2008年12月6日DA放出了5.00M33-4的补丁包,修正游戏中CPU取舍,另外还在VSHMENU中加入了软关机功能2008年12月18日神奇电池套装V8(Despertar del Cementerio v8)发布,可以直接升级到5.00M33-4或者是官方5.00系统.然而新版本神电工具仍旧没能推倒V3或是3K 2008年12月25日DA论坛上有人发布利用神电给PSP2000 TA-088v3主板主机刷写自制系统的*视频.而在三天后DA官网申明那个视频是虚伪的2009年1月4日黑客MaTiAz发现了PSP早期游戏爆冲赛车的游戏存档存在数据溢出的漏洞并编写了一个特别的存档数据,成功运行了存档中的部分代码2009年1月5日利用爆冲赛车存档漏洞编写的HW已经出现并在3K下成功运行2009年1月13日PSPGEN网站发布消息,通过爆冲赛车存档漏洞,已经可以在3000上运行各种自制软件以及ISO.但没有放出文件2009年1月17日DA在论坛表态,假如得不到硬件黑客的帮助.PSP的*最多也就到达运行虚构系统的情形,因为PSP最为要害核心Pre-IPL无法通过软件来反编译,基本进入不了核心模式2009年1月20日DA发布了5.00M33-5和5.00M33-6补丁,社会话题,新增一个进步记忆棒读取速度的功能,让自从3.80以来记忆棒读取变慢的问题得到解决,据测试已经十分濒临3.80之前时候记忆棒的读取速度2009年2月3日原M33小组成员MathieuLH在接收PSPGEN网站管理员MaGiXieN访谈时说,由于Pre-IPL很难被导出.因此想要*PSP3000或者通过HEN是最好的方式2009年2月27日ALEX更新了自己的博客,廓清了M33会泄漏个人消息这个传言,并宣布不准再来讯问对于3000*的问题2009年3月25日08年底被炒得火爆的蓝电终于出现了,社会话题,号称可以*3000的电池,最后被证明只是能主动点亮罢了,并不能进入工厂模式.完全没有用途2009年4月9日DA论坛爆出了游戏Tony Hawks's Underground 2运行中会有两个引起瓦解的处所.但是漏洞会不会对*发生实际用处还是未知2009年4月12日这是3K*的转折点.MaTiAz发现了5.02和5.03的一个基于TIFF图片浏览的漏洞,并成功通过此漏洞运行了hello world,由此,3K的*开始正式走向了光亮期2009年4月14日瘦P(2000和3000)使用的HW被放出并被网友测试成功2009年4月16日小黑客Davee(德芙)发表申明,说会尽快放出HEN,称这版HEN是一个简化版的M33,可以运行绝大部分自制软件2009年4月18日德芙继续发表申明,HEN不会支持ISO甚至永远不会支持,因为他自己是竭力反对玩D版的2009年4月20日因为一个叫ShadowFax的人在M论坛就不会支撑ISO这点辱骂德芙,因此在怒气之下放出了要在程序里加一道禁止ISO LOADER运行的代码,但终极表示不会可以去阻拦2009年4月21日Fanjita宣布Noobz小组的爆冲赛车3K*名目撤消并表示了对德芙和ShadowFax的支持2009年5月3日德芙放出了一张运行GBA模拟器的图片,但是实在性受到疑惑2009年5月6日HEN正式发布但是由于最后DEBUG阶段过于匆仓促,导致了产生一个最大的BUG,完全无法运行自制软件,进入PSP LOGO后就黑屏逝世机.而在当天下昼某不著名黑客放出了反编译版的HEN,使得可以运行许多自制软件.但是由于最终修改时间对不上号,被猜忌是放出了之前的版本2009年5月7日德芙发布正式版HEN Release2,也就是现在常用的HEN R2.可以运行99%的自制软件,自此,3K宣告正式*2009年5月25日DA论坛有人放出修改版的TIFF文件,据说可以提高成功率2009年5月26日DA论坛有人放出了一个基于HEN R2的自制系统加载工具CFWEnabler 1.0 for ChickHEN,通过CFW,V3已经可以运行ISO,V3全面告破.但该软件不支持在3K上使用,不过也给3K的*指出了方向2009年5月29日DA表示不会对CFW作者供给技巧赞助,但Xenogears和Becus25表示会保持下去2009年6月5日PSPGEN网站治理员表现Custom Firmware 5.03GEN for hen将于20小时内宣布.将给大家带来一个高兴的周末2009年6月6日Custom Firmware 5.03GEN for hen正式发布.自从,3K也全面告破2009年6月11日PSPGEN小组*成员GENyUS表示会在当地时间12日放出1000和非V3的2000使用的自制固件5.50GEN-A 2009年6月13日5.50GEN-A正式放出,可以玩需要高版本才能运行的游戏2009年7月2日5.50GEN-B发布,1000应用会有部分自制软件无奈运行的BUG 2009年8月27日DA发表申明论坛正式封闭2009年8月30日虽然系统依然没有*,但是可以另辟蹊径,国外玩家通过修改ISO引导文件BOOT.PBP成功运行了灵魂才能又给PSP*带来了新方向2009年9月6日5.50GEN-B2,修改了B在1000上使用的BUG 2009年9月11日官方6.00固件被解密,从中发明了最新的PS模仿插件,并在其中发现PSP 可能已经打算好了总计多达8代型号这一有趣事件2009年9月27日ISO解密软件prxdecrypter的开发者jas0nuk发表了一个帖子,申明为了能玩GT赛车,预备再次更新prxdecrypter 2009年9月30日PSPGEN网站放出游戏解密工具prxdecrypter,至此,5.55游戏全体告破2009年10月1日PSP GO发售2009年10月4日FreePlay这次应用了一个未被颁布的漏洞,成功启动了HW,然而为了保密并没有放出漏洞详情2009年10月9日PSPGEN发布了Game Decrypter v4版,甚至可以支持6.XX以上版本的游戏*,让玩家惊奇异样5.50GEN-D正式发布,GEN小组还发表申明很快就会有2000V3和3000的用户使用的新系统2009年10月24日5.50GEN-D2发布修正了部分BUG,加强了稳固性2009年11月2日2000V3和3000用系统5.03GEN-B发布,2000V3和3000用户也可以玩需要高版本的游戏了,不过会有部分老游戏运行不能得BUG 2009年12月2日HEN R2的改版,MHUSPEED3发布,可以直接在主题状态下刷机,并且成功率相当高(美版貌似比拟低)2009年12月4日GEN小组宣布当地时光15日发布最新系统5.50GEN-D3和5.03GEN-C.并表示可以玩GVGNP和梦幻之星2等新加密游戏2009年12月16日5.50GEN-D3和5.03GEN-C正式发布,而这次GEN-C的发布还在D3之前,让V3和3000众第一次祖先一步玩到新游戏2009年12月23日神秘系统5.03DT-A发布,作者称完全采用了自己的代码,与GEN无关,但实在采用了部分GEN的插件2010年1月7日GEN小组的核心成员yoshihiro发布申明,由于结果被人盗用,因此决议退出PSP*界国外玩家pspjoke声名本人发现了6.20的一个破绽,HW已经胜利通过测试,eLoader正在开发中2010年2月7日基于6.20的eLoader已经开发结束并且已经向有实力的黑客发送了开发工具2010年2月16日日本黑客Mamosuke发现了一个日版游戏中存档溢犯错误,仿佛可以被认定为一个漏洞,目前正求助于自制软件界,看这个漏洞是否可以使用.感激L.U.的chenchao45。

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Dimensions in inches and (millimeters)
2M11Z - 2M200Z
2.0 Watts Glass Passivated Junction
Silicon Zener Diodes
DO-15
Features
U
L Recognized File # E-96005
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0 Low profile package Built-in strain relief
Excellent clamping capability Typical to less than 1µA
High temperature soldering guaranteed: 260o C
/ 10 seconds / .375”,(9.5mm) lead length / 5lbs.,(2.3kg) tension
Mechanical Data
Case: Molded plastic
Terminals: Pure tin plated lead free,, solderable per mil-std-750, method 2026
Polarity: Color band denotes positive end
(cathode)
Weight: 0.04gram, 0.015 ounce
Maximum Ratings and Electrical Characteristics Rating at 25
o C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Symbol Value Units Steady State Power Dissipation at T L =75o
C
Lead Lengths .375”, 9.5mm ( Note 1 )
P D 2.0 Watts Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method) ( Note 2 )
I FSM 15 Amps
Operating and Storage Temperature Range
T J , T STG -55 to + 175 o
C Notes:
1. Mounted on 5.0mm² (0.13mm thick) land areas.
2. Measured on 8.3ms Single half sine-wave of equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per minute maximum.
O
Notes:
1. TOLERANCES - Suffix indicates 5% tolerance any other tolerance will be considered as a special device.
2. ZENER VOLTAGE (V Z) MEASUREMENT - guarantees the zener voltage when measured at 40 ms ±10ms from the diode body, and an ambient temperature of 25℃ ( + 68℃, -2 ℃).
3. ZENER IMPEDANCE (Z Z) DERIVATION - The zener impedance is derived from the 60 cycle ac voltage,
which results when an an current having an rms falue equal to 10% of the dc zener current (I ZT or I ZK) is superimposed on I ZT or I ZK.
4. SURGE CURRENT (Ir) NON_REPETITIVE - The rating listed in the electrical characteristics table is
maximum peak, non-repetitive, reverse surge current of 1/2 square wave or equivalent sine wave pulse of 1/120 second duration superimposed on the test current, I ZT, per JEDEC standards, however, actual device capability is as described in Figure 3.
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES (2M11Z THRU
2M200Z)
FIG.1-TYPICAL THERMAL RESPONSEL
V ,ZENER VOLTAGE @I (VOLTS)
Z ZT V ,ZENER VOLTAGE @I (VOLTS)
Z ZT -----O V ,T E M P E R A Y U R E C O E F F I C I E N T (m V /C )Z o @I Z T
P p k ,P E A K S U R G E P O W E R (W A T T S )
J L (t ,D )T R A N S I E N T T H E R M A L R E S I S I T A N C E J U N C T I O N -T O -L E A D (C /W )
o
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES (2M11Z THRU 2M200Z)
FIG.6-VZ =3.9THRU 10VOLTS
V ZENER VOLTAGE (VOLTS)Z ,I Z E N E R C U R R E N T (m A )
Z ,00.1
123456781
10
100
910
FIG.7-VZ =12THRU 82VOLTS
V ZENER VOLTAGE (VOLTS)
Z ,I Z E N E R C U R R E N T (m A )
Z ,0
0.110203040506070801
10
100
90100
FIG.8-VZ =3.9THRU 10VOLTS
V ZENER VOLTAGE (VOLTS)Z ,I Z E N E R C U R R E N T (m A )
Z ,100
0.11201401601801
10
100
200
8070
605040302010
00
1
1/81/43/81/25/83/47/8FIG.9-TYPICAL THERMAL RESISTANCE
L,LEAD LENGTH TO HEAT SINK (INCH)
J L ,J U N C T I O N -L E A D T H E R M A L R E S I S T A N C E (C /W )
O。

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