论文尹纯晶
醇-水混合溶剂中双亲水嵌段共聚物对CaCO3粒子形貌的调控
1 实 验 部 分
11 C C . a O。粒 子 的 合 成 实 验 采 用 典 型 的 双 亲 水 嵌 段 共 聚 物—— 聚 乙 二 醇一 甲基 丙 烯 酸 ( E b 聚 P G— —
P AA,P G,50 0g to ;P M E 0 / l MAA, 0 / o) “ o 7 0g t 1[ .将 2 E b P AA 溶 于 2 o 6 OmgP G—— M OmL 乙醇 ( 丙 异
应 的 XRD 结 果 表 明 ,产 物 为 单 一 的 方 解 石 型 C C 晶 体 .当 使 用 体 积 分 数 9 的 乙 醇 溶 液 时 ,产 物 _ a O。 O 由无 规 聚 集 体 与 规 整 的 斜 方 六 面 体 两 种 形 貌 所 构 成 ,后 者 是 显 露 { 0 ) 面 的 方 解 石 型 C C 品 体 的 14 晶 a O。 典 型 形 貌 .相 应 的 XR 谱 图 中 除 了 对 应 于 方 解 石 的 衍 射 峰 外 ,还 在 d值 为 0 3 7 . 2 ,0 2 3 D . 5 ,0 3 9 . 7 ,
及 模 板 作 用 下 典 型 的 生 物 矿 物 C C 的 生 物 模 拟 合 成 a O。
.我 们 曾 系统 地 研 究 了 水 溶 液 中双 亲 水 嵌 段
共 聚 物 X Ca O。 子 形 貌 的 调 控 作 用 l ,最 近 又 在 双 亲 水 嵌 段 共 聚 物 一 面 活 性 剂 混 合 溶 液 中合 成 出 具 , C 粒  ̄ _ 6 ] 表 有 新 颖 形 貌 ( 空 壳 状 等 ) C C 粒 子n 如 的 a O。 .本 文考 察 了醇 一 混 合 溶 剂 中 双 亲 水 嵌 段 共 聚 物 对 C C 水 a O。 粒 子 形 貌 的 调 控 作 用 ,初 步 揭 示 了溶 剂 特性 对 该 调 控 作 用 的显 著 影 响.
偏振光照对偶氮苯侧链聚硅氧烷膜表面能的提高
第 5期 液 晶 Fra bibliotek 显 示 Ch n s o r a fIi i ys as a s l y i e e J u n o qu d Cr t l nd Di p a s l
Vo . 6, . 【 2 NO 5
21 0 1年 1 O月
0c ., O 1 t 2 1
摘 要 : 采用硅氢加成法合 成了含偶氮苯侧链 的聚硅烷液 晶聚合 物 , F R、 C和偏光显微镜对聚合物结 用 TI DS
构及 液 晶 特 性 进 行 了表 征 。采 用 4 3n l 振 光 对 聚 合 物 膜 进 行 了 光 致 取 向 , 偏 光 显 微 镜 对 取 向结 果 进 行 7 l 偏 T 用
g e fa d o f wa e n t e p l m e i . Th t r c n a t a g e s d c e s d fo l so r p o t r o h o y r f m l e wa e o t c n l s wa e r a e r m
M in a g 6 01 ayn 21 0,Ch n ia,E- i mal:ja lu S s . d c ) in i @ wu t e u. n
Ab t a t Az be e c t i i sde c i lqu d r s a lne o yme wa s nt s z d y sr c : o nz ne on a n ng i — han i i c y t li p l r s y he ie b
关
键
词 : 氮 苯 ; 晶; 偶 液 光致 取 向 ; 硅 氧 烷 ; 面 能 聚 表
文献标识码 : A D :1 . 7 8 Y Y S 0 1 6 5 0 7 OI 0 3 8 / J X 2 1 2 0 . 5 7
工学一体背景下的《精细有机合成实验》教学探索
工学一体背景下的《精细有机合成实验》教学探索
代坤;任兰正;王金秀;祝英忠;刘家扬;孙轶民
【期刊名称】《广东化工》
【年(卷),期】2024(51)1
【摘要】基于创建地方应用型高水平大学、产学研融合的办学目标和应用化学专业培养目标,我们针对《精细有机合成实验》课程实验内容与企业生产脱钩、工艺设计环节较少、安全环保意识淡薄等问题,进行更新实验内容、融合生产实例、增强工艺设计和强化安全环保意识等教学探索,以期提高《精细有机合成实验》教学质量,培养高素质应用型人才,更好地服务于地方区域经济发展。
【总页数】3页(P147-148)
【作者】代坤;任兰正;王金秀;祝英忠;刘家扬;孙轶民
【作者单位】滁州学院;南京工大开元环保科技(滁州)有限公司
【正文语种】中文
【中图分类】TQ
【相关文献】
1.新建地方高校精细有机合成实验教学的改革与探索
2.精细有机合成实验的教学改革探索
3.生源多样性背景下高职化工类课程教学改革探索——以《精细有机合成技术》课程为例
4.《精细有机合成工艺学》实验教学中渗透创业教育的探索
5.应用型大学建设背景下的精细化学品合成实验教学探索——以枣庄学院为例
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主配体对铱配合物的结构及光物理性质的影响
2 0 1 7年 8月
广
州
化
工
Vo 1 . 45 No .1 5 Au g . 2 01 7
Gu a n g z h o u C h e mi c a l I n d u s t r y
主 配体 对 铱 配 合 物 的 结构 及 光 物 理 性 质 的影 响 冰
Ke y wo r d s:ma i n l i g a n d;i id r i u m c o mp l e x e s ;s pe c t r a l p r o p e ty;t r he o r e t i c a l c a l c u l a t i o n
有机发光金 属配合物如 I r ( I I I ) , A u ( I I I ) ,O s ( I I )和 P t ( I I ) 是近年来有机 电致发 光领 域的重 大的发 现 l - 5 j 。尤其是 八 面体 I r ( I I I ) 环金属配合物 ,因其在 电化学 、光化学 、光 催化及 生物 化学等方 面有 许多 优 良的特性 ,而成 为 各相关 学科 的 研究 热 点 。在这些有机金属配合 物中 ,引入重金属 原子提 高 了原来 的 自旋 一 轨道 耦合 作用 ,能够 通过 系 间窜越 ,在 电子 一 空 穴 复合 后, 使 原来 自旋禁阻变为局 部允许 , 促 使体 系 内原有 的三 重态 增加 了某些单重 态的性 质 ,实现混合单重 态和三重 态激 子辐射 发光 。而另一类八 面体配 合物 一 钌 多 吡啶类 配合物 ,因其具 有 独特 的与 D N A结合 能力 及丰 富 的光 物理 性质 而 成为 生命科 学 和光学控制领域研究热点 。尽管铱 ( I I I ) 的环金 属配合物 与钉多 吡啶类配合物都是具 有 d 。电子结构 的八面体配合 物 一 ,但它 们的性质有着 明显 的不 同 J ,而且有 关研究 表 明 ,金属 中心 和配体 的改变都 能影 Байду номын сангаас这两类 d 金 属八 面体 配合 物 的光谱 性 质 。本论 文 结 合 以 上 两 类 八 面 体 配 合 物 的 结 构 , 以 I r ( I I I ) 为金属中心 ,多吡啶类配合 物作 为配 体 ,报道 了新 型八 面体配合物 [ I r ( b p y ) L] ( L : p h e n ,d q p ,d p p z )的密度泛 函理 论计算结果 ,探索 了当主配体 上钢性共轭 环增加 时 ,配合 物 的 电子结构及光谱性质 的变化规律 ,对该 类配合物能 否作为 D N A 结构探针和磷光发射体进行合 理预测 ,从 而为实验 上设计 与合
正渗透技术中汲取液的研究进展
Re s e a r c h Ad v a n c e s o n Dr a w So l u t i o n i n F o r wa r d Os mo s i s Pr o c e s s
W E I J i n — z h i , S U NX i a o j u n , G O N G Z h e n g
及利 用 方式 ( 加 热 或蒸 馏 回收 、 磁 场或 电场 回 收及 膜 法 回 收 等 ) 综 述 了汲取 液 的研 究进 展 , 对 正 渗
透技 术 中汲取 液 的发展 方向进 行 了展 望.
关键 词 : 正渗 透 ;汲取 液 ;热 法回收 ;电磁 法 回收 ;膜 法 回收
中图分 类号 : T Q 0 2 8 . 8 文献标 志 码 : A 文章 编 号 : 1 0 0 7 —2 6 8 3 ( 2 0 l 3 ) O 1 —0 0 6 1 一 O 6
污水 净化 过程 中. 正渗 透是 水分 子通过 选择 性 渗透 膜 从 高水 化 学势 区域 向低 水化 学 势 区域 的 自发 迁移过 程 . 该过 程 的驱 动 力由汲 取液 与待 处理 液之 间产 生的渗 透压 差提 供 , 而汲 取液 是 决定这 一过 程驱 动 力的 主要 因素 . 本 文介 绍 了正渗 透技 术 的基本 原理 , 并从 环境 友 好 的 角度 按 照汲取 液 的 回收
C h e mi c a l a n d E n v i r o n m e n t a l E n g i n e e r i n g , Ha r b i n Un i v e r s i t y o f S c i e n c e a n d T e c h n o l o g y , Ha r b i n 1 5 0 0 4 0,C h i n a )
Y掺杂BaTiO3的电子结构及光学性质的第一性原理研究
收稿 日期 :2015—12-29 基金项 目:伊 犁师 范学院一般项 目(2013YSYB16). 作者简介 :彭彩云 (1991一 ),女 ,伊 犁师范学院在读硕士研 究生 ,主要研 究方向 :凝聚 态物理 .通信 作者 :张丽丽 ,南京 大学在读博士 生,研 究方向 :凝 聚态物理 .
为 了满 足 应 用 方 面 的更 多 需 要 ,目前 对钛 酸钡 铁 电体 的研 究 重 点 放在 它 的掺 杂 改性 上 .研究 发现 :在 BaTiO 中掺 人 杂质 后会 对其 特 性产 生影 响 ],尤 其是 掺 杂对 BaTiO,陶瓷半 导 化 的影 响一 直是 一个 非 常引 人 注 目的课 题 .实 验室 和工业 生产 中常通过 掺 杂高 价 的施 主 ,产生 电子补偿 成 为导 电载 流子 ,实 现半 导化 .因 此 ,本文 利用 第 一性 原 理方 法 ,通过 对 BaTiO 掺 杂 不 同浓 度 的 Y元素 ,对 比分 析 掺杂 前 后 的 电子 结 构 和光 学 性 质 ,从 而为 BaTiO,材料 的掺 杂 改性提 供 理论依 据 .
= : 摹 = = 一一
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Q
Z
(c)x=l/4
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(d)x=l/2
圈 2 YIBa1 lOs电子 能 带结 构 分 布
图2(a)为纯 BaTiO。的能带结构图.从图中可以看出,其跃迁类型为间接带隙 ,经计算得到BaTiO,的禁带宽
度为 1.820eV,比实验值2.92 eV j/J、1.10 eV,这主要是因为密度泛函理论对禁带宽度计算值普遍偏低的结果 .
PDCA循环对手术室和供应室泌尿外科器
【摘要】 目的 探讨PDCA 循环在降低手术室和供应室泌尿外科器械交接过程中不规范操作发生率中的效果。
方法 选择2020年1—12月泌尿外科腔内镜手术患者3806例作为对照组,采用常规管理;按照组间基本特征具有可比性的原则,选择2021年1—12月腔内镜手术患者4199例作为观察组,通过PDCA 循环管理,比较两组管理效果和专科医生对工作人员满意度。
结果 PDCA 循环管理后,观察组腔内镜器械和镜子的拆装及配包错误发生率低于对照组,工作人员腔镜器械辨识的正确率、组装检查掌握率高于对照组,组间差异均有统计学意义(P <0.05)。
观察组专科医生对工作人员满意度高于对照组,但组间差异无统计学意义(P >0.05)。
结论 PDCA 循环解决了手术室和供应室的泌尿外科腔内镜器械转运交接问题,降低腔内镜器械拆卸、组装、错误发生率,有助于提高工作人员的腔镜器械辨识度和组装检查掌握,提高工作效率,降低器材损坏节约成本,为患者提供安全有效的医疗器械。
【关键词】 PDCA ;手术室;供应室; 腔内镜; 器械交接;不规范操作中图分类号R47 文献标识码A DOI:10.3969/j.issn.1672-9676.2023.03.031PDCA 循环对手术室和供应室泌尿外科器械交接不规范操作发生率的影响作者单位:530021 广西南宁市,广西医科大学第一附属医院手术室通信作者:李英,硕士,主任护师李家亮 李佳美 李英 陈云超 张晖 岑颖 谭理宁 莫金燕 韦映娟 岑少英随着手供一体供应流程的实施,手术器械的清洗包装流程也走向手供一体化的模式[1]。
泌尿外科手术器械特别是腔内镜器械更新快,品牌种类多,价格昂贵,结构复杂,构造精密,管腔、关节、齿纹多,手柄与功能端的连接部细、长,容易折损,对操作要求高、专业性强,且有各自配套部件,部件较难辨识,容易混淆[2-3],给工作人员手术器械的拆装、器械的识别和配置增加了难度,同时也增加了手术室和供应室的转运交接难度,直接影响到手术器械的质量[4-5]。
硅_锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光
第21卷第7期半 导 体 学 报V o l .21,N o .7 2000年7月CH I N ESE JOU RNAL O F SE M I CONDU CTOR S July ,2000 3国家自然科学基金资助项目[P ro ject Suppo rted by N ati onal N atural Science Foundati on of Ch ina ].1999205225收到,1999209212定稿硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光3王艳兵 孙永科 乔永平 张伯蕊 秦国刚(北京大学物理系,北京 100871)陈文台 龚义元 吴德馨(中国科学院微电子中心,北京 100029)马振昌 宗婉华(信息产业部电子第十三研究所,石家庄 050051)摘要:将Si 、Ge 和A r 三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中,在N 2气氛中,作550、650、750、850、950和1050℃退火后,进行电致发光研究.对比样品为退火条件相同的未经注入的上述两种二氧化硅.对于离子注入情况,只观察到A u 1050℃退火的离子注入的富硅二氧化硅 p 2Si 的电致发光.低于1050℃退火的离子注入富硅二氧化硅和上述各种温度下退火的热生长二氧化硅,无论离子注入与否,都未观察到电致发光.A u 未注入富硅二氧化硅 p 2Si 的电致发光光谱在1.8eV 处出现主峰,在2.4eV 处还有一肩峰.在A u Si 注入富硅二氧化硅 p 2Si 的电致发光谱中,上述两峰的强度分别增加了2倍和8倍;在A u Ge 注入富硅二氧化硅 p 2Si 和A u A r 注入富硅二氧化硅 p 2Si 的电致发光谱中,上述两峰的强度变化不大,但都观测到峰位位于2.2eV 的新发光峰.采用隧穿2量子限制2发光中心模型对实验结果进行了分析和解释.关键词:硅基发光;电致发光;发光中心;纳米硅(锗);量子限制;离子注入PACC :7360F ;7865中图分类号:TN 383 文献标识码:A 文章编号:025324177(2000)0720667206Electrolu m i nescence of Si ,Ge and ArIon -I m plan ted Si -R ich Si O 23W AN G Yan 2b ing ,SUN Yong 2ke ,Q I AO Yong 2p ing ,ZHAN G Bo 2ru i and Q I N Guo 2gang866半 导 体 学 报21卷(D ep art m ent of P hy sics,P ek ing U nivesity,B eij ing 100871,Ch ina)CH EN W en2tai,GON G Y i2yuan and W U D e2x in(M icroelectronics R esearch&D evelopm ent Center,T he Ch inese A cad e my of S ciences,B eij ing 100029,Ch ina)M A Zhen2chang and Z ON G W an2hua(T he13th Institu te of M inistry of E lectronic Ind ustry,S h ij iaz huang 050051,Ch ina)R eceived25M ay1999,revised m anuscri p t received12Sep tem ber1999Abstract:Si2rich Si O2fil m s are fabricated using the R F m agnetron sputtering technique and a comparative study of EL from A u Si2rich Si O2 p2Si and that from A u i on i m p lanted Si2rich Si O2 p2Si is m ade. Compared to the A u Si2rich Si O2 p2Siw ho se EL spectrum has a peak at1.8eV and a shoulder at2.4eV, bo th A u Ge i m p lanted Si2rich Si O2 p2Si and A u A r i m p lanted Si2rich Si O2 p2Si have a new band at 212eV,w h ile A u Si i m p lanted Si2rich Si O2 p2Si only enhances the118eV and214eV peak s in different degrees.Som e Si O2fil m s are also fabricated w ith the ther m al grow n technique and an investigati on is carried out.But no EL can be found from the A u ther m al grow n Si O2 p2Si,no m atter w hether the ther m al grow n Si O2fil m s are i m p lanted o r no t.T he results are exp lained by the T unneling2Q uantum Confinem ent2 L um inescence Centers(TQ CL C)model.Key words:silicon base lum inescence;EL;lum inescence centers;nanom eter silicon(ger m anium); quantum confinem ent;i on i m p lantati onPACC:7360F;7865Article I D:025324177(2000)07206672061 引言自从室温下多孔硅的可见光致发光报道后[1],除了多孔硅以外,镶嵌在二氧化硅薄膜中的纳米硅结构也得到了广大科技工作者的大量研究[2—7].在二氧化硅中引入纳米硅的方法很多,考虑到与平面工艺的相容性,离子注入以其纯度高、重复性好等优点而受到重视.迄今为止,离子注入材料的光致发光和电致发光都得到了报导[8—14],但其发光机制却并未取得共识.一般说来,离子注入的作用体现在两个方面:(1)引入纳米粒子,(2)引入缺陷,包括发光中心和非辐射中心.以往的研究多集中于第一方面,采用二氧化硅作衬底,通过注入Si或Ge离子来引入纳米硅或纳米锗[10—12],以获得纳米硅或纳米锗镶嵌的二氧化硅,并研究其发光性质.为了全面考察离子注入上述两方面的作用,我们重点研究离子注入的富硅二氧化硅,这种材料在离子注入前就已沉淀出纳米硅,并有电致发光特性,通过注入Si、Ge和A r研究这些离子的注入对于富硅二氧化硅电致发光光谱的影响.作为对比研究,我们对热生长的二氧化硅也注入了前述三种离子.通过本实验,我们希望对纳米硅(锗)镶嵌的二氧化硅薄膜的发光特性和机制有更为深入的认识,并对发展硅基电致发光器件有所启发.2 实验过程考虑到不同种类的离子注入射程和分布差别相当大,本实验制备了100nm和200nm两种厚度的富硅二氧化硅和热生长二氧化硅.富硅二氧化硅采用取向为(100)、电阻率为6—98・c m的p型单晶硅作衬底,用射频测控溅射方法制备,溅射时采用硅2二氧化硅复合靶,控制硅与总靶的面积比约为20%.热生长的二图1 在22V 正向偏压下(曲线a )未注入(曲线b )注入Si 后的富硅二氧化硅的电致发光谱F IG .1 EL Spectra of Si 2R ichSi O 2at Fo r w ard B ias (22V )Curve a Befo re I mp lantati on ,Curve b A fter Si I mp lantati on 氧化硅用高温氧化方法制备,对两种厚度的样品采用不同的工艺.100nm 的反应气体为三氯乙烯(TCA ,150m l m in )和氧气(500m lm in ),200nm 的反应气为氢气(8l m in )和氧气(5l m in ),氧化温度为1050℃.为保证离子在富硅二氧化硅和热生长二氧化硅薄膜中有尽可能宽的分布,通过T ri m 计算,特采用如下注入方案:对于200nm厚的富硅二氧化硅和热生长二氧化硅分两次注入硅,两次的能量分别为50keV 和90keV ,剂量分别为1×1016c m -2和1.6×1016c m -2.对于100nm 厚的富硅二氧化硅和热生长二氧化硅则分为两组:一组以30keV 注入剂量为1×1016c m -2的Ge ,另一组则以50keV 注入剂量为5×1016c m -2的A r .所有样品在氮气中高温退火30分钟,退火温度分别为550、650、750、850、950和1050℃.退火后在其背面蒸铝,在540℃氮气中合金7分钟以形成欧姆接触,然后在正面蒸镀半透明的金膜.在室温下对各样品做电致发光测量,所有的电致发光谱均已经过对仪器光谱响应修正.3 实验结果对于离子注入的富硅二氧化硅,实验发现退火温度低于1050℃时不发光,而只有在1050℃退火后才发光.因此,虽然我们做了多种温度退火的实验,以下报道的仅是1050℃退火样品的实验结果.图1曲线a 和b 分别示出了在22V 正向偏压下Si 注入前后富硅二氧化硅的电致发光谱.未注入的富硅二氧化硅的电致发光谱的主峰在1.8eV 附近,并在2.4eV 处有一肩峰.Si 注入后的富硅二氧化硅的电致发光谱与注入前相比,主峰移至2.4eV .上述两光谱可分别分解为两个高斯型谱线.可以看出,主峰移动的原因是Si 注入所导致的2.4eV 处的发光峰增强倍数(约为8倍)比1.8eV 处的发光峰增强倍数(约为2倍)大得多的缘故.图2 Si 注入前(曲线a )注入后(曲线b )富硅二氧化硅的I 2V 特性曲线.F IG .2 I 2V Curve of Si 2R ich Si O 2Curve a Befo re I mp latati onCurve b A fter Si 2I mp latati on 图2曲线a 和b 分别给出Si 注入前后富硅二氧化硅的I 2V 特性曲线.与注入前样品的I 2V 特性相比,注入后的样品在相同电压下无论是正向还是反向的电流都明显增大.图3曲线a 和b 分别示出20V 正向偏压下Ge 注入前后富硅二氧化硅的电致发光谱;而图4曲线a 和b 分别示出20V 正向偏压下A r 注入前后富硅二氧化硅的电致发光谱.图3曲线a 和图4曲线a 所示的是同一块未注入富硅二氧化硅样品的电致发光谱.与200nm 的未注入的富硅二氧化硅样品一样,100nm 的富硅二氧化硅也有1.8eV 主峰和2.4eV 肩峰的光谱结构.由图3曲线b 和图4曲线b 可以看出,Ge 和A r 的注入对118eV 和2.4eV 两峰影响都不大,但在两种注入情况下,2.2eV 处都产生一个强的新峰.注Ge 的和注A r 的相比,注Ge 的样品的212eV 发光峰比注A r 的样品为强.图5曲线a 、b 和c 分别示出未注入、注入A r 和注入Ge 的富硅二氧化硅的I 2V 特性曲线.相同电压下,不论正反向,都以注Ge 的样品电流为最大,注A r 的次之,而未注入的最小.9667期王艳兵等: 硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光图3 在20V正向偏压下(曲线a未注入,曲线b注入Ge)的富硅二氧化硅的电致发光谱F IG.3 EL Spectra of Si2rich Si O2at+22VCurve a Befo re I mp lantati on,Curve bA fter Ge I mp lantation图4 在20V正向偏压下(曲线a未注入曲线b注入A r)的富硅二氧化硅的电致发光谱F IG.4 EL Spectra of Si2rich Si O2at+20V Curve a Befo re I mp lantati on,Curve b A fter A rI mp lantation图5 富硅二氧化硅的I2V特性曲线曲线a未注入A r;曲线b注入A r;曲线c注入GeF IG.5 I2V Curve of Si2rich Si O2Curve a N o A r,b A r I mp lantati on,c Ge I mp lantation图6 富硅二氧化硅的I2V特性曲线曲线a注入Si后热生长二氧化硅和曲线b未注入SiF IG.6 I2V CharacteristicsCurve a fo r T her m al Grow n Si O2w ith SiI mp lantati on,Curve b Befo re I mp lantati on 在本实验中,热生长的二氧化硅在注入前后均测不到电致发光.图6曲线a和曲线b分别示出Si注入热生长二氧化硅和Si注入富硅二氧化硅的I2V特性,在相同电压下,Si注入富硅二氧化硅的电流远远大于Si注入热生长二氧化硅的电流.076半 导 体 学 报21卷4 讨论对于氧化多孔硅和富硅二氧化硅等纳米硅材料的电致发光机制有多种不同解释.D i m aria 等人提出的量子限制模型[15],认为电致发光是由于电子2空穴对通过纳米硅的带2带辐射复合而产生,这显然难以解释本实验现象.根据量子限制模型的观点,发光峰位是由纳米颗粒的大小决定的,新发光峰的产生就意味着尺寸不同于原有纳米粒子的新纳米粒子的产生,这似乎可以解释注Ge 后2.2eV 新发光峰的出现.但A r 的注入过程不同于Si 和Ge ,它不可能引入新的纳米颗粒,然而也产生了2.2eV 的发光峰,这是用量子限制模型无法解释的.考虑到离子注入有引入纳米粒子和产生缺陷两方面的作用,那么发光很可能来源于新产生的缺陷.而Ge 和A r 注入产生了同样的新峰,即2.2eV 发光峰与注入离子种类无关,那么唯一的可能就是Ge 和A r 的注入产生了同样的缺陷,而2.2eV 发光峰正是由于这种缺陷引起的.虽然2.2eV 电致发光峰以前未见报导,但是在镶嵌纳米硅的二氧化硅中2.2eV 光致发光峰曾有报导[16,17],并且被归因于二氧化硅中的缺陷.我们认为先前报导的2.2eV 的光致发光峰和本实验中Ge 和A r 注入产生的2.2eV 的电致发光峰很可能来源于二氧化硅中相同的缺陷.以下用隧穿2量子限制2发光中心模型讨论本实验结果[18—20].由于量子限制效应,纳米硅(锗)的带隙相对体硅(锗)的带隙明显变宽.在正向偏压下,电子和空穴分别由A u 膜和P 2Si 注入到富硅二氧化硅膜或其中的纳米硅(锗)中.考虑到富硅二氧化硅膜比较厚(≥100nm ),电子和空穴分别直接隧穿到二氧化硅中的同一个发光中心并在其上复合的几率很小.主导的电致发光过程是,金膜中的电子和p 2Si 衬底中的空穴分别隧穿进入带隙由于量子限制效应而增大了的纳米硅(锗)中的激发态能级中,并向其基态能级弛豫.电子和空穴的输运是通过电子和空穴在相邻纳米颗粒间的隧穿来实现的[21].由于硅(锗)是间接带隙材料,电子2空穴对在纳米硅(锗)中辐射复合的几率很小.结果,纳米硅(锗)中的大部分电子和空穴最终隧穿进入二氧化硅层并通过二氧化硅中的发光中心复合发光.纳米硅(锗)作为量子隧穿的中继站,是载流子在较厚的氧化硅中输运和电子2空穴对辐射复合的必要条件.在本实验中,富硅二氧化硅至少存在两种发光中心,对应的发光能量分别为2.4eV 和1.8eV .电子2空穴对在这两种发光中心上的辐射复合存在一个竞争机制,两峰的强度是由两种发光中心的数目和电子2空穴对在两种发光中心的辐射复合几率决定的.这就可以解释未注入的富硅二氧化硅有1.8eV 的主峰和214eV 的肩膀的光谱结构.Si 的注入在引入了纳米硅的同时,也会引入新的缺陷,其中包括发光中心和非辐射中心.由实验结果可以看出,Si 注入所产生的发光能量为2.4eV 的发光中心要多于发光能量为118eV 的发光中心,或2.4eV 发光中心的发光效率高于1.8eV 发光中心,或兼而有之.具体表现在Si 注入后214eV 发光中心复合的电子2空穴对数增加为8倍,在1.8eV 发光中心复合的电子2空穴对数增加为2倍,因此光谱的主峰移至2.4eV 处.与此不同,Ge 和A r 的注入则引入了发光能量为2.2eV 的缺陷,同注Si 的情形相似,电子2空穴对在各发光中心和非辐射中心的复合相互竞争,导致强的2.2eV 新峰,而1.8eV 和2.4eV 处的发光只有很小的变化.发光中心一般由缺陷或杂质构成,由前面的分析可知,在本实验中发光中心是由二氧化硅层中的缺陷构成的.至于为什么Ge 和A r 注入引入新的缺陷而Si 却没有,可能是由于离子质量的差异,即Si 离子因质量较小而不足以产生足够数量的这种缺陷.以上讨论中涉及离子注入的两方面作用,引入注入离子和产生缺陷,这在样品的I 2V 特性曲线中也有所体现.在本实验中,Si 和Ge 的注入都可以引入纳米粒子,而Si 、Ge 和A r 的注入又都可以产生缺陷,它们是发光中心或非辐射中心,这都会增加电子2空穴对的复合几率,从而引起电流的增大.尤其是A r 的注入不可能引入纳米粒子,因而注A r 后I 2V 特性中电流的增大是产生缺陷的结果.需要指出的是,发光中心和非辐射中心的产生都有利于电流的增大,但在发光过程中却是相互竞争的关系.最后分析一下热生长二氧化硅的实验结果.在本实验中,热生长的二氧化硅不论在注入前或注入后都不发光,从I 2V 特性可看出它与富硅二氧化硅也有明显差别.虽然注入引起的发光中心和非复合中心对电1767期王艳兵等: 硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光276半 导 体 学 报21卷流都有贡献,注入后热生长二氧化硅的电流仍远小于未注入的富硅二氧化硅.这种差异源于两者的制备工艺不同.与磁控溅射淀积的富硅二氧化硅相比,即使在硅(锗)注入后,热生长的二氧化硅中的纳米硅(锗)的数量也远小于磁控溅射制备的富硅二氧化硅中的纳米硅的数量;特别是热生长的二氧化硅结构致密,硅和氧的比例很接近严格的1∶2,其中很少存在缺陷.注入Si离子后,虽然在Si离子浓度较高处,化学比偏离1∶2,但浓度较低处偏离很少.这些因素最终导致热生长的二氧化硅无论在注入前后都不发光.5 结论将Si、Ge和A r三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中,在室温下观测到富硅二氧化硅在注入前后的电致发光.其中,Si注入后富硅二氧化硅两个发光峰有不同程度的增强,而Ge和A r的注入则产生了2.2eV的新发光峰.对实验结果分析表明,隧穿2量子限制2发光中心模型适用于富硅二氧化硅及离子注入富硅二氧化硅的电致发光.在其电致发光过程中,纳米粒子起到了接力站的作用,而电子2空穴对的辐射复合都发生在二氧化硅中的发光中心上.至于Ge和A r的注入在富硅二氧化硅中引起的新峰,则是因为在二氧化硅中产生了新的发光中心所致.参考文献[1] L.T.Canham,A pp l.Phys.L ett.,1990,57:1046.[2] X.Zhao,O.Schoenfeld,J.Kusano,Y.A oyagi and T.Sugano,Jpn.J.A pp l.Phys.,1994,33:L649.[3] Q.Zhang,S.C.Bayliss and R.A.H utt,A pp l.Phys.L ett.,1995,66:1977.[4] K.D.H irschm an,L.T sybeskov,S.P.D uttagup ta and P.M.Fauchet,N ature,1996,384:338.[5] B.Gelloz,T.N akagaw a and N.Ko sh ida,A pp l.Phys.L ett.,1998,73:2021.[6] 郑翔钦,郭新立,廖良生,刘治国,半导体学报,1998,19(1):21[ZH EN G X ianqin,GUO X inli,L I AO L iangshengand L I U Zh iguo,Ch inese Journal of Sem iconducto rs,1998,19(1):21(in Ch inese)][7] 王映月,薛华,郭永平,等,半导体学报,1999,20(2):157[W AN G Yinyue,XU E H ua,GUO Yongp ing et a l.,Ch inese Journal of Sem iconducto rs,1999,20(2):157(in Ch inese)].[8] T.Sh i m izu2I w ayam a,K.Fujita,S.N akato,K.Saitoh,T.Fujita and N.Itoh,J.A pp l.Phys.,1994,75:7779.[9] K.S.M in,K.V.Shcheglov,C.M.Yang,H.A.A tw ater,M.L.B rongers m a and A.Po l m an,A pp l.Phys.L ett.,1996,69:2033.[10] A.D.L an,B.X.L iu and X.D.Bai,J.A pp l.Phys.,1997,82:5144.[11] H.Z.Song and X.M.Bao,Phys.R ev.B,1997,55:6988.[12] L.R eboho le,J.V on Bo rany,R.A.Yankov and W.Sko rupa,A pp l.Phys.L ett.,1997,71:2809.[13] T.Sh i m izu2I w ayam a,N.Kurum ado,D.E.Ho le and P.D.Tow nsend,J.A pp l.Phys.,1998,83:6018.[14] 刘世祥,刘渝珍,伍勇,等,半导体学报,1999,20(3):242[L I U Sh ixiang,L I U Yuzhen,W U Yong et a l.,Ch ineseJournal of Sem iconducto rs,1999,20(3):242(in Ch inese)].[15] D.J.D i m aria,J.R.K irtley,E.J.Pakulis,D.W.Dong,T.S.Kuan,F.L.Pesavento,T.N.T heis,J.A.Cutro and S.D.B ro rson,J.A pp l.Phys.,1984,56:401.[16] T.M ak i m ura,Y.Kunii,N.O no and K.M urakam i,Jpn.J.A pp l.Phys.,1996,35:L1703.[17] S.T.Chou,J.H.T sai and B.C.Sheu,J.A pp l.Phys.,1998,83:5394.[18] G.G.Q in,A.P.L i,B.R.Zhang and B.C.L i,J.A pp l.Phys.1995,78,2006.[19] G.F.Bai,Y.P.Q iao,Z.C.M a,W.H.Zong and G.G.Q in,A pp l.Phys.L ett.,1998,72:3408.[20] G.G.Q in,Y.Q.W ang,Y.P.Q iao,B.R.Zhang,Z.C.M a and W.H.Zong,A pp l.Phys.L ett.,1999,74:2182.[21] M ino ru Fujii,O sam u M am ezak i,Sh inji H ayash i and Keiich i Yam amo to,J.A pp l.Phys.,1998,83:1507.。
光聚合现状与展望
活性 不 高 。而 且 羰 自由基 可 能 会 在 聚 合 过 程 中作 为链 终 止 剂 导致 部 分 羰 自 由基 引 入 聚 合 物 链 中使
p lme oy r
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图1 T _ x A在氧气下的 自由基聚合引发机理
F g Pr p s d M e h n s f r P o o n t t n o r eRa ia l me i to t i1 o o e c a im o h t i i a i fF e d c l i o Po y rz in wi TX— i h r s n eo y e a h A n t e P e e c f Ox g n
长 期储存 性 能 ,以 及 较 高 的量 子 产 率 ,尤 其 是 在
深紫外 和 中紫外 的 UV 波长 下 ( 3 3 0 m)2 20 0n l ;
光引 发产 生 的超 强 酸 对 聚 合 有 关 键 性 的影 响 ,随
着酸性 的上 升 ,聚合 的速 率 和转 化 率 均会 出 现 明
离 子聚 合 。许 多 倾 向于 阳离 子 聚 合 的 单 体 有 低 挥 发 性 和低 毒 性 和 优 异 的 流 变性 能 。与 自由基 聚合 不 同 ,氧分 子 不 会 阻碍 阳离 子 聚 合 并 且 在 干 燥 的 空 气 中可 以固化 形 成一 定 厚 度 的薄膜 。众 所 周 知 , 水气 会 阻断 阳 离 子 聚 合 。然 而 在 干 燥 空 气 中 ,终
—1
衍 生 物是 自由基 聚合 最 常 用 的 引 发 剂 类 型 ,因 为 他们 量子产 率 高 ,光之 裂 解 产 生 的 自由基 活性 高 。
然而 ,这类 光 引发 剂 由于 苄 基 上 存 在 可 提 取 的 氢
低温等离子体与天然丝光沸石协同降解正己醛
2 1 年 5 月 02
无
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化
学
学
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Vo .8 N . 1 o5 2 8 18 7 8 -8
CH【 S 0URN N0RGANI HE [ T NE E J AL 0F I C C MI RY S
低温等 离子体与天然丝光沸石协 同降解正 己醛
陈春 雨 王 卉 于琴 琴 吴 丹娴 范 杰 肖丽 萍 郑 小 明 *
( 江 大 学化 学 系 , 州 3 0 2 ) 浙 杭 10 8
摘 要 :本文 研 究 了在 低 温 等 离 子 体 和 天 然 丝 光 沸 石 (a ml re i , MO ) N t dnt N R 的共 同作 用 下 对 低 浓 度 正 己 醛 的 降 解 性 能 。 研 究 u Mo e
Re o a fHe a l m b na i n o n,h r a a m a a t a or nie m v lo x na by a Co i to fNo - e m lPl s nd Na ur lM t d t
C E h nY WA G H i Y i.i WU D n a H NC u- u - N u U QnQn - a- n Xi
rsl h w dta teew sasn ri i fn t n b ten tepam n a rl re i l MO ) i eut so e h th r a y egs c u c o e e h ls aa d nt a mod nt [ R wt a s t i w u e N h
F AN i XI i ig Je AO L 一 n Z NG XioMig . P HE a — n (eat etfC e sy Z ei gU i rt H n zo 1 0 8 C D p r n hmir, hj n n esy agh u3 0 2 , 矗n m o t a v i,
环境规制与中国经济高质量发展的非线性关系检验
策的实施对中国经济高质量发展会产生什么影响?环境 规制与经济高质量发展之间是否存在线性或者非线性关 系?不同的环境规制强度对不同区域经济高质量发展是否 存在空间异质性?关于以上问题的回答,对环境规制政策 的制定与评估,以及促进经济高质量发展具有重要的现实 意义。
目前的研究认为[1—11]环境规制与经济高质量发展之间存 在“U”型或“倒 U”型的非线性关系,而且存在明显的区域差 异性。为此,有必要在实证模型中引入半参数空间计量模 型,既可以直观地反映两个参数的非线性关系和空间异质
0、β2 = 0 时,表明 ln EQ 与 ln ER 存在递增的线性关系;当
β1 < 0、β2 = 0 时,表明 ln EQ 与 ln ER 存在递减的线性关
系;当 β1 > 0、β2 < 0 时,表明 ln EQ 与 ln ER 存在“倒 U”型
的非线性关系;当 β1 < 0、β2 > 0 时,表明 ln EQ 与 ln ER 存
基金项目:福州市社会科学院重点课题(202007) 作者简介:叶娟惠(1988—),女,福建建瓯人,硕士,助理研究员,研究方向:区域经济学、计量经济学。
Statistical Measurement on Economic Efficiency of China’s Strategic Emerging Industries
润减少,不利于经济高质量发展;从长期来看,随着环境规 制强度的提升,企业为了追求利润最大化,在生产过程中 主动进行管理模式和生产技术的创新,不断提高生产效 率,从而抵消了因环境规制强度提升而带来的成本增加, 有利于经济的高质量发展。因此,根据经济发展阶段的不 同,环境规制对经济高质量发展的影响可能是积极的,也 可能是消极的,环境规制与经济高质量发展可能存在“U” 型、“倒 U”型或者其他类型的非线性关系。据此,提出如 下假设:
对仪器设备资源共享的思考
对仪器设备资源共享的思考
孙启惠
【期刊名称】《实验室研究与探索》
【年(卷),期】2001(020)003
【摘要】阐述了仪器设备资源共享的重要性,提出了实现高校内部仪器设备资源共享的途径.
【总页数】2页(P113-114)
【作者】孙启惠
【作者单位】济南大学
【正文语种】中文
【中图分类】G474
【相关文献】
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3.对高校大型仪器设备资源共享的思考 [J], 周蒲荣
4.强化共建共享理念以机制创新实现资源共享——关于搭建海洋仪器设备资源共享平台的若干思考 [J], 白福义
5.高校大型仪器设备资源共享机制创新研究 [J], 万李
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SOI结构M—Z型调制器的有限元法分析
SOI结构M—Z型调制器的有限元法分析
赵策洲;刘恩科
【期刊名称】《电子科学学刊》
【年(卷),期】1997(019)001
【摘要】本文提出了采用有限元法分析SOI(Silicon on Insulator)结构M-
Z(Mach-Zehnder)干涉型调制器的新方法。
该方法在大截面单模SOI脊形波导理论的基础上,根据等离子体色散效应分析了这种调制器的电光调制机理;根据有限元法分析了p^+n结大注入时该调制器的电学性质,从而为实际研制成这种干涉型调制器打下了理论基础。
【总页数】4页(P141-144)
【作者】赵策洲;刘恩科
【作者单位】西安交通大学电子工程系;西安交通大学电子工程系
【正文语种】中文
【中图分类】TN256
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L—B膜与衬底间的相互作用研究
L—B膜与衬底间的相互作用研究
宫明宣;札.,ВБ
【期刊名称】《佳木斯工学院学报》
【年(卷),期】1993(011)001
【摘要】本文用 AES 方法研究硬酯酸 LB 膜与 AL_2O_3、Ni 膜衬底间的离子交换反应.用 SEM 方法观察淀积在这两种薄膜衬底上的最初几层硬酯酸膜与
AL_2O_3、Ni 间不同相互作用引起的 LB 膜表面形貌上的差异,并分析了实验结果.【总页数】4页(P32-35)
【作者】宫明宣;札.,ВБ
【作者单位】不详;不详
【正文语种】中文
【中图分类】O484.1
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5.Al膜和衬底Ti间的反应和互扩散 [J],
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改变石英玻璃折光率的方法
改变石英玻璃折光率的方法
佚名
【期刊名称】《化工矿物与加工》
【年(卷),期】2003(32)1
【摘要】用波长等于或短于石英玻璃可吸收波长的真空紫外激光束照射该石英玻璃,使照射点的Si-O键发生光解作用,从而改变其折光率,采用波长长于该石英玻璃可吸收波长的真空紫外激光束照射也可改变其折光率。
【总页数】1页(P45-45)
【关键词】石英玻璃;折光率;光解作用;真空紫外激光束;照射;Si-O键
【正文语种】中文
【中图分类】TQ171.731
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1.折光率快速测定碘海醇注射液含量的方法研究 [J], 刘茜;金薇;李丹;乐健;杨永健
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第一电离能为什么会出现这样周期性的变化?
第一电离能为什么会出现这样周期性的变化?
戚雅颂
【期刊名称】《化学教学》
【年(卷),期】1989(000)002
【摘要】元素周期表中,元素的第一电离能随着原子序数的递增,从碱金属(第一周
期从氢开始)到惰性元素,总的趋势是由小到大呈现周期性变化。
将第二周期和第三周期元素的第一电离能的数据绘成曲线图如下:
【总页数】2页(P36-37)
【作者】戚雅颂
【作者单位】湖南邵阳一中
【正文语种】中文
【中图分类】G633.8
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1.哲学思想的重大变化会带来多个领域颠覆性创新的出现(上) [J], 韦钰;
2.哲学思想的重大变化会带来多个领域颠覆性创新的出现(下)——对两元论的批判和抛弃 [J], 韦钰;
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软驱按钮注塑件设计及数值模专业班级:机械0702 学生姓名:尹纯晶指导老师:张洁职能:教授摘要:目前大多数企业都已采用CAD、CAE、CAM软件进行设计和制造,但是限于国内的生产和技术水平,根据产品的性能进行CAD/CAM集成化地设计制造还远没有普及,仅仅是单独地进行产品的CAD或者CAM,没有充分利用统一的产品数据模型将设计制造融为一体。
本文以塑料制品软驱按钮为例,利用Moldflow分析软件对注塑成型过程进行模拟分析,得到较满意结果后设计模具结构,并完成了模具总装图和主要零件图。
关键词:注塑成型、有限元分析、填充、翘曲、模具结构Floppy button design and numerical simulation of injection molded partsAbstract Most companies have adopted CAD, CAE, CAM software for design and manufacturing, but the limited domestic production and technology, according to the performance of the product CAD / CAM design and manufacturing of integrated land far from popular, is only carried out separately Products CAD or CAM, the products did not take full advantage of a unified data model design and manufacturing integration. In this paper, floppy plastic buttons, for example, use of Moldflow injection molding analysis software to simulate the process of analysis, the results of a more satisfactory design mold structure and complete the mold assembly map and the main part drawing.Keywords ection molding, finite element analysis, fill, warp, mold structure第一章绪论1.1注塑成型基础知识及原理所谓注塑成型(Injection Molding),是指将已经加热融化的材料喷射注入到模具内,经由冷却与固化后,得到成品的方法。
注塑成型已经成为大多数塑料制品的成型方法,,Moldflow软件对注塑成型方式的模拟分析技术比较成熟。
因此,本文重点介绍有关注塑模具设计的流程结构以及注塑成型的相关知识和以软驱按钮为例的分析操作。
在树脂原料经由注塑机注塑成型变为塑料制品的整个过程中,包括以下几个部分。
(1)计量:为了成型一定大小的塑件,必须使用一定量的颗粒状塑料,这就需要计量。
(2)塑化:为了将塑料充入模腔,就必须使其变为熔融状态,流动充入模腔。
(3)注塑冲模:为了将熔融塑料充入模腔,就需要对熔融塑料施加注塑压力,注入模腔。
(4)保压增密:熔融塑料充入模腔后,向模腔内补充因制品冷却收缩所需的物料。
(5)制品冷却:保压结束后,制品开始进入冷却定型阶段。
(6)开模:制品冷却定型后,注塑机的合模装置带动模具动模部分与定模部分的分离。
(7)顶件:注塑机的顶出机构顶出塑件。
(8)取件:通过人力或机械手取出塑件和浇注系统冷凝料等。
(9)闭模:注塑机的合模装置闭合并锁紧模具。
用注塑的方法加工塑料制品,不仅精度高、质量好,而且生产效率高可以加工出外形复杂、花纹精细的模制品。
塑料因具有美观轻巧、耐磨耐腐蚀、优异的绝缘性能,已备受人们关注。
随着经济的发展和科学技术的进步,使用塑胶制品的数目与日俱增,并且广泛应用于国民经济的各个部门。
1.2注塑成型技术的发展1.塑料及塑料工业的由来塑料的历史可以追溯到1832年,当时法国人发现,假如把硝酸均匀而集中地倒在棉花或木质纤维上,就会得到一层很硬的防水薄膜。
1907年贝克兰人工合成了酚醛塑料并申请了专利。
酚醛塑料被发明后,由于其具备优良的性能,很快占领了20世纪初的消费品市场和先进技术领域。
到20世纪30‐40年代,塑料工业发展成为现在工业的重要组成部分。
三大合成材料(合成树脂、合成橡胶、合成纤维)成为当今材料工业的一个重要支柱,其中合成树脂的产量最大、应用最广。
2.塑料的定义及组成塑料是以合成树脂为主要成分,加入各种能够改善其加工及使用性能的添加剂,在一定温度、压力等条件的作用下,能够塑化流动成型设计要求的形状,并可在常温、常压下保持此形状的一类材料。
根据塑料的定义,可见塑料在一定条件下具有塑性,具备连续变形的能力;主体成分为树脂;常温常压下为具有一定强度和固定形状的塑性或刚性材料。
树脂是塑料的主要成分,它决定着塑料的基本性能。
树脂按其来源可分为天然树脂和合成树脂。
如蛋白质、虫胶、琥珀等属于天然树脂。
目前塑料中使用的树脂绝大部分是合成树脂。
合成树脂的种类繁多,可达上千种,并且随着合成化学的发展还在不断增加,但塑料工业经常使用的树脂主要有几十种。
除树脂外,绝大部分的塑料中还需要加入各种添加剂以改善其加工及使用性能。
常用的添加剂种类有增塑剂、稳定剂、润滑剂、着色剂、阻燃剂、抗静电剂、抗氧化剂、填料及发泡剂等。
有些塑料可不加任何添加剂,如聚四氟乙烯塑料,此种塑料称为单组分塑料,否则称为多组分塑料。
3.注塑成型在塑料成型及塑料工业中的地位塑料工业可以分为塑料生产(包括树脂和半成品的生产)和塑料制品生产(也称为塑料成型加工工业)两个系统,这两个系统相互依存,完成从作为最初原料的单体到最终满足使用要求的塑料制品的转换。
塑料从成型材料(包括树脂和添加剂)到有使用价值的塑料制品的转换必须经过成型加工过程,塑料的成型加工过程是将塑料材料与塑料制品联系起来的中间桥梁,是完成由前者到后者转换的比由之路。
塑料的成型加工过程即塑料制品的生产过程是一个非常复杂而又关键的过程。
在此过程中,首先必须根据各种成型材料固有的性质,利用加热、加压、溶胀或溶解等一切可以实施的办法使其达到可塑状态,并继而获得模具所赋予的形状和尺寸,经进一步加工,最终成为符合要求的制品。
塑料制品的成型过程概括起来又分为两个阶段。
首先是使塑料成型材料达到可流动状态或至少是部分可塑状态;然后,通过施加压力等方式使其充满型腔或通过模口成为所需制品或型坯。
成型过程中塑料会发生一系列的物理和化学变化,而促使其发生这些变化的一个重要因素就是热。
因此,在成型过程中,热塑性塑料与热固性塑料会表现出不同的成型工艺性能。
每种塑料都有其适合额成型方法,但是塑料与成型方法的适用关系并不是一成不变的,随着新的塑料品种及成型方法的出现,两者之间会出现越来越宽的适应性。
注射成型是塑料加工最普遍也是最早的成型方法。
1862年英国出现了用硝酸纤维素制成的塑料梳子、伞柄等;1879年Gray在英国发明了第一部螺旋挤出机。
1920年注塑机已经发展成为工业化得加工方法,可以用热塑性聚合物生产出复杂的制品。
1970年以来,塑料工业取得了重要的发展,从民用塑料开发转向工程塑料是这个时期的主要特征,近年来高分子材料的品种得到了迅速的发展,注塑方法种类不断增多,主要有热塑性塑料注塑、热固性塑料注塑、结构发泡注塑、多分组注塑、反应注塑等。
注塑成型在整个塑料制品的生产中占有十分重要的地位,除少数塑料外,几乎所有的塑料都可以用注塑成型的方法来生产制品。
据估计,注塑成型的塑料制品约占所有模塑制品总量的1/3,注塑模约占塑料模具数量的1/2以上。
1.3我国塑料模具工业现状及发展方向模具行业是一个高新技术密集型,而且又重视经验的产业。
特别是随着近代工业的飞速发展,塑料制品用途日益广泛,注塑模具工艺空前发展,依靠人工经验来设计模具已经不能满足需要,企业越来越多地利用注塑模流分析技术来辅助塑料模具的设计。
利用此类CAE软件,设计人员可以仿真出塑料成型过程中的充填、保压、冷却及脱模后的翘曲变形等过程,准确预测塑料熔胶在模腔内的流动状况,温度、压力、剪切应力、体积收缩等变量在整个充填工程中某瞬间的分布情况。
利用注塑模流分析技术,能预先分析模具设计的合理性,减少试模次数,加快产品研发,提高企业效率。
我国塑料模具工业的发展方向可以归纳如下:①出于塑料膜成型的制品日渐大型化、复杂化和高精度的要求和为适应高生产率而发展的一模多腔的原因,今后应该重点提高大型、精密、复杂、长寿命模具的设计水平及比例。
②在塑料模具设计制造中全面推广应用CAD/CAM/CAE技术。
CAD/CAM技术已经发展成一项比较成熟的共性技术,随着CAD/CAM软件智能化程度的逐步提高,塑料制品及模具的三维设计与成型过程的模拟分析将在我国塑料模具工业中发挥越来越重要的作用。
③推广应用热流道技术、气体注射辅助成型技术和高压注射成型技术。
④开发新的成型工艺和快速经济模具,以适应多品种、少批量的生产方式。
⑤提高塑料膜标准化水平和标准件的使用率。
为提高模具质量和降低模具制造成本,模具标准件的应用要大力推广。
为此,首先要制定统一的国家标准,并严格地按标准生产;其次要逐步形成规模生产,提高商品化程度,提高标准件质量,降低成本;再次就是要进一步增加标准件的规格品种。
第二章注塑模拟软件moldflow分析基础及功能2.1有限元分析基础Moldflow作为成功的注塑产品成型仿真及分析软件,采用的基本思想也是工程领域中常用的有限元分析方法。
有限元法的应用领域从最初的离散弹性系统发展到后来进入连续介质力学之中,目前广泛应用于工程结构强度、热传导、电磁场、流体力学等领域。
经过多年的发展,现有的有限元法几乎可以用来求解所有的连续介质和场问题,包括静力问题和与时间有关的变化问题以及振动问题。
简单来说,有限元分析方法就是利用假想的线(或面)将连续的介质的内部和边界分割成有限大小的、有限数目的、离散的单元来研究。
这样,就把原来一个连续的整体简化成有限个单元的体系,从而得到真实结构的近似模型,最终的数值计算就是在这个离散化的模型上进行的。
直观上,物体被划分为“网格”状,在Moldflow中将这些单元成为网格。
2.1.1有限元法的基本思想有限元法的基本思想主要包括以下几个方面:(1)连续系统(包括杆系、连续体、连续介质)被假想地分割成数目有限的单元,单元之间只有数目有限的节点处相互连接,构成一个单元集合体来代替原来的连续系统。