Ca_1_x_A_xMnO_3__省略__Bi_陶瓷的制备和红外辐射性能_管浩

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Bi_(1.5+x)Zn_1.0Nb_1.5 O_(7+1.5x)(x=0.075,0.15)陶瓷的结构和介电性能

Bi_(1.5+x)Zn_1.0Nb_1.5 O_(7+1.5x)(x=0.075,0.15)陶瓷的结构和介电性能
0 7 ,. )研究了不同 B 含量和烧结温度对 B N . 501 , 0 5 i Z
陶瓷的结构、 微观形貌 以及介电性能产生的影响。
1 实 验
采 用传统 的固相反应 工艺 制备 B ) 。 b i z. no N
度系数可 调整 、 电损耗小等优点 引起 了广泛的关 介
溆 陶瓷样 品, 其中 x 0 7 ,. 。 = . 5 0 5 将分析纯的原料 0 1 注, LC 、 在 T C 滤波 器等微 波领 域表 现 出优 异 的性 O ) i , O,b0 粉体 根据 配方计 算进行 称量 , 0 Z 配 能【1三元化合物系统 B2 Z O— b B N 存 B2。 n N 2 J。 书 i 一 n N 2 (Z ) 0 0 在 两种不 同结 构的化 合物 。 分 为 B Z 。 b5 组 no ) . ( N


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时, 呈立方焦绿石结构( 2 O0’Z AB 6 ,n同时 占据 A 位 和B位)称为 相 。 , 组分为 B2n i Z
料, 混合 。 反应 混合物 加无 水乙醇球 磨 4r 后 , hs 在 102 0 '下干燥 , 1 然后初步成型 , 再放入氧化铝坩埚中在
o ̄ c hs自然降温。将预料粉料粉碎 、 过 时, 呈单斜 8 o 进行预烧 2 r, 球磨 、 烘干 , 加入质量分数为 5 %的 P A溶液作 V 的钛锆钍矿结构 ,n完全 占据 B位 , z 称为 p 2 相[ 1 。两 筛 、 压制成型。 温度选为 102 , 5 ̄ 10 ℃ , 002 1 0 10 0 C, 种 结构 的 B N材料表现 出完全不 同的介 电性质 。 粘结剂 , Z h 烧结成瓷 , s 在 B n.b5 绿 石结 构 中 , i 。 焦 o 0 N 由共 角八 面体 在烧结温度下保温 2r,

BaCu(B2O5)陶瓷的合成和它们对Ba(Zn13Nb23)O3陶瓷的烧结温度及微波介电性能的影响(译文)

BaCu(B2O5)陶瓷的合成和它们对Ba(Zn13Nb23)O3陶瓷的烧结温度及微波介电性能的影响(译文)

BaCu(B2O5)陶瓷的合成和它们对Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷的烧结温度及微波介电性能的影响BaCu(B2O5)陶瓷的合成及微波介电性能的研究。

BaCu(B2O5)相在700℃形成,其熔点为850℃。

BaCu(B2O5)陶瓷经过810℃烧结后介电常数εr=7.4,品质因数Q·f=50000GHz,低谐振频率温度系数τf=-32ppm/℃。

由于BaCu(B2O5)陶瓷具有低熔点和良好的微波介电性能,可以作为微波介电材料的低温烧结助剂应用于低温陶瓷共烧。

当BaCu(B2O5)添加到Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN)陶瓷中,BZN陶瓷甚至能在850℃获得很好的烧结。

在烧结过程中,BaCu(B2O5)以液相存在,有利于BZN陶瓷的稠化。

BZN+6.0mol% BaCu(B2O5)陶瓷在875℃烧结2小时后获得良好的微波介电性能:Qхf=16000GHz,εr=35,τf=22.1ppm/℃Ⅰ.介绍在微波介电元件的微型化方面,由交流介电陶瓷和内部金属电极层组成的低温共烧陶瓷多层设备已经得到广泛的研究。

Ag作为金属电极,具有高导电率和低成本而得到广泛的使用。

Ag的熔点很低,大约为961℃。

因此,对于多层设备的制造来说,开发具有既有低烧结温度又能与Ag共烧的微波介质陶瓷是非常重要的。

玻璃具有很低的熔化温度,通常用来降低微波介电材料的烧结温度而应用于低温共烧陶瓷。

然而,由于它以气相存在于微波介电材料中,致使陶瓷的微波介电性能恶化。

研究以具有低熔点氧化物为基础的低温共烧陶瓷来克服添加玻璃而引起的问题。

而且,少量具有低熔点的的氧化物也用作添加剂来降低微波介电材料的烧结温度。

最近,少量B2O3和CuO的添加剂通常用来降低Ba ( Zn1/3Ta2/3)O3和Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷的烧结温度。

它们能在870℃获得很好的烧结而具有良好的微波介电性能。

BaCu(B2O5)的第二相能够在所添加的B2O5和CuO样品中观察到,假设BaCu(B2O5)以液相存在则有利于陶瓷在低温下稠化。

功能陶瓷复习题

功能陶瓷复习题

功能陶瓷复习题功能陶瓷复习题功能陶瓷是一种特殊的陶瓷材料,具有优异的物理、化学和机械性能,被广泛应用于各个领域。

本文将通过一系列复习题,帮助读者巩固对功能陶瓷的理解和知识。

一、选择题1. 功能陶瓷的特点不包括:A. 高温稳定性B. 低热导率C. 超导性D. 耐磨性2. 下列哪种功能陶瓷常用于制作航空发动机部件?A. 氧化铝陶瓷B. 碳化硅陶瓷C. 氮化硅陶瓷D. 钛酸锆陶瓷3. 以下哪种功能陶瓷常用于制作电子元件?A. 铝酸锶陶瓷B. 铝酸镁陶瓷C. 铝酸钛陶瓷D. 铝酸锌陶瓷4. 功能陶瓷的应用领域不包括:A. 医疗器械B. 电子设备C. 航空航天D. 建筑材料5. 下列哪种功能陶瓷常用于制作陶瓷刀具?A. 氧化锆陶瓷B. 氧化铝陶瓷C. 碳化硅陶瓷D. 氮化硅陶瓷二、判断题1. 功能陶瓷的热膨胀系数与金属相似。

( )2. 功能陶瓷具有良好的耐腐蚀性能。

( )3. 氧化锆陶瓷具有优异的断裂韧性。

( )4. 碳化硅陶瓷是一种透明陶瓷材料。

( )5. 功能陶瓷的制备工艺主要包括烧结和热处理。

( )三、简答题1. 功能陶瓷的定义是什么?它与传统陶瓷有何不同之处?2. 请简要介绍功能陶瓷的主要分类及其应用领域。

3. 功能陶瓷的制备工艺包括哪些步骤?请简要描述其中一个制备工艺。

4. 功能陶瓷的优点是什么?为什么它在各个领域得到广泛应用?5. 功能陶瓷的未来发展趋势是什么?请简要阐述。

四、综合题功能陶瓷具有广泛的应用前景,但也面临一些挑战。

请结合你对功能陶瓷的理解,从材料性能、制备工艺、应用领域等方面,分析功能陶瓷面临的挑战,并提出相应的解决方案。

总结:通过这些复习题,我们回顾了功能陶瓷的特点、分类、应用领域以及制备工艺等方面的知识。

功能陶瓷作为一种具有特殊功能和优异性能的材料,其应用前景广阔。

然而,功能陶瓷在材料性能的优化、制备工艺的改进以及应用领域的拓展等方面仍然面临一些挑战。

只有不断深化研究,解决这些挑战,才能更好地推动功能陶瓷的发展和应用。

K_(0.5)Na_(0.5)NbO_(3)陶瓷的冷烧及其介电与铁电性能

K_(0.5)Na_(0.5)NbO_(3)陶瓷的冷烧及其介电与铁电性能
犆狅犾犱狊犻狀狋犲狉犻狀犵犓0.5犖犪0.5犖犫犗3犮犲狉犪犿犻犮狊犪狀犱狋犺犲犻狉犱犻犲犾犲犮狋狉犻犮,犳犲狉狉狅犲犾犲犮狋狉犻犮狆狉狅狆犲狉狋犻犲狊
LIBingyu,LIU Meidan,LANJiajun,MAJiaping, HUANG Huishun,CHEN Xiaoming
(SchoolofPhysicsandInformationTechnology,ShaanxiNormalUniversity, Xi′an710119,Shaanxi,China)
犓0.5犖犪0.5犖犫犗3陶 瓷 的 冷 烧 及 其 介 电 与 铁 电 性 能
李 冰 玉 ,刘 美 丹 ,兰 佳 俊 ,马 家 平 ,黄 辉 顺 ,陈 晓 明
(陕西师范大学 物理学与信息技术学院,陕西 西安 710119)
摘 要:结合普通球磨与高能球磨法,制备了具有纯相、平均粒度约100nm 的 K0.5Na0.5NbO3前驱 粉体,前驱粉 体 加 入 一 定 量 的 去 离 子 水 作 为 液 相,采 用 冷 烧 并 退 火 工 艺 制 备 具 有 简 单 组 成 的 K0.5Na0.5NbO3陶瓷。研究了冷烧温度、冷烧时间、压力等对冷烧试样物相和致密 性 的 影 响,对 冷 烧 试样在不同温度进行退火,研 ℃ 冷烧并1100 ℃退火 陶 瓷 的 室 温 介 电 常 数 为 345,室 温 介 电 损 耗 为 0.03,剩 余 极 化 强 度 为 25.8 μC/cm2,最大极化强度为31.4μC/cm2,矫 顽 场 为 10.2kV/cm,其 介 电 和 铁 电 性 能 均 优 于 常 规 固 相法制备的 K0.5Na0.5NbO3陶瓷。 关 键 词 :K0.5Na0.5NbO3 陶 瓷 ;冷 烧 ;介 电 ;铁 电 中 图 分 类 号 :TB34 文 献 标 志 码 :A 文 章 编 号 :16724291(2021)04009610

直接反应烧结法制备(Bi0.5Na0.5)1-xBaxTiO3系无铅压电陶瓷的性能研究

直接反应烧结法制备(Bi0.5Na0.5)1-xBaxTiO3系无铅压电陶瓷的性能研究
钛酸 铋钠 ( i5 a.)一 B i ( NB 系无铅 B0 N 。 1 a T 0。B T) _ 5 压 电陶瓷 在 一0 0 ~ 0 0 . 6 . 7范 围 存 在一 准 同型 相 界 , 且相 界 附近材 料具 有 良好 的压 电 铁 电性 能[ , 一 种 1是 ] 具 有广泛 应用 前景 的无铅 压 电陶瓷材 料 。
3 结 果 分 析 及 讨 论
3 1 直 接反应 烧 结法 对 B T 陶瓷性能 的影响 . NB 选择 B _ T中 B NT B T含 量 为 0 O ~O 0 to 的配 . 6 .8 l o
料。
关键词 : 无铅压 电陶 瓷 ; NT B 直接 反应 烧 结法 B - T; 中 图分 类号 : TM2 2 8 文献标 识码 : A 文章 编号 :0 19 3 ( 0 7 0 —2 40 1 0 -7 1 2 0 ) 20 2 — 3
2 2 样 品制备 .
1 引 言
保温 3 h烧成 。所 得 的瓷坯 磨 片后烧 渗银 电极 , 然后在
3 ℃的硅 油 中施 加 4 7 V/ O ~ k mm 的 直 流 电 场极 化 , 极 化 时间 为 5 l mi, 化 后 的样 品 放 置 2 h ~ O n极 4 。我 们 也
为 了进一 步提 高 B T 陶瓷 压 电性 能 , 们 在 材 NB 人 料 改性及 工 艺改进 等方 面进 行 深入 研究 。电 子陶 瓷材
(. 1 湖北 大学 材 料科 学 与工 程学 院 暨铁 电压 电材 料与 器件 湖北 省重 点实验 室 , 湖北 武汉 4 0 6  ̄ 3 0 2
2 湖 北大 学 物理 学与 电子技 术学 院 ,湖北 武汉 4 0 6 ) . 3 0 2
摘 要 : 采 用 直 接 反 应 烧 结 法 制 备 了 ( is ) B o Na 卜 -

陶瓷制作中的模具设计与制造考核试卷

陶瓷制作中的模具设计与制造考核试卷
D.避免剧烈的温度变化
(以下为答案部分,请老师自行填写答案)
答案:
1. ______
2. ______
3. ______
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5. ______
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1.请简述在陶瓷模具设计中,如何考虑陶瓷件的收缩率对模具设计的影响,并说明为什么这很重要。(10分)
2.描述陶瓷模具制造过程中,精加工和表面处理的目的及其对陶瓷件成型质量的影响。(10分)
3.请阐述陶瓷模具材料选择的主要考虑因素,并举例说明不同材料对模具性能的影响。(10分)
4.分析在陶瓷模具设计和制造中,如何通过优化模具结构来减少陶瓷件的变形和缺陷。(10分)
1.陶瓷模具的设计过程中,以下哪些因素会影响模具的使用寿命?( )
A.模具材料的选择
B.模具的加工精度
C.模具的维护保养D.陶瓷件的 Nhomakorabea杂程度2.以下哪些材料常用于陶瓷模具的制造?( )
A.铝
B.钢
C.硅胶
D.木头
3.在陶瓷模具制造中,以下哪些加工技术可以用于提高模具的表面光洁度?( )
A.磨削
B.铣削
A.干燥环境
B.防尘
C.避免阳光直射
D.高湿度
20.在陶瓷模具的制造中,以下哪种情况会导致陶瓷件产生变形?( )
A.模具材料的热膨胀系数过大
B.模具加工精度过高
C.模具表面处理不当
D.模具设计过于简单
(以下为答案部分,请老师自行填写答案)
答案:

Na2xCa1-xBi4Ti4O15介电陶瓷的制备及其介电性能的研究

Na2xCa1-xBi4Ti4O15介电陶瓷的制备及其介电性能的研究

通式 为 : aC l h i lX 为 2 o%、m 1 6 N 2 a, T, 5 x _  ̄ B O, mi 4o %、%、
8 o 1m 1 m1 0 o %、 %。研 究了在此配方 的条件下不 同组
分、 烧结工艺对样品的介 电性能 、 微观结构的影响, 探
索了 N  ̄ a B4h 。 电陶瓷的最佳组分和烧结工 aC 。 i O - T  ̄ 介
烧, 保温 l 的烧结工艺, c l 4。 xS o ) h N aI _ B ( - m 1 的介电陶瓷致密性好、 )( % 结品性好, 具有良好的介电性能。
关键词 : 固相烧结法 , 介电性 能 , 掺杂 C T陶瓷 N B
中图法分类号 : Q1 47 文献标识码 : T 7 .5 A
位取代改性 比 B位取代改性效果要 明显 。在用固 相烧结法制备 N 红 aIi i 介 电陶瓷的工艺过 aC 。 4 4 _ T0 B
配料 烘干 一次球磨 过 筛 烘干 过筛 压片 预烧 烧结 二次球磨
程 中 ,掺 杂 量及 烧 结 工 艺 的确 定 对 获得 高质 量 N  ̄ a ̄i h 。 aC 。 4 O - T B 介电陶瓷至关重要。为了进一步改
C B 4i 。 ai 4 T o 进行 A位低价离子置换改性。 设计的配方
1 引 言
铋 层状 结 构化 合物 一 般化 学 通式 用( i + B2 ) 0 2
( B ( A 。m 产 表示, ) 它是由钙钛矿层( B ( ) 和 A 。m 。。 ) 2 (i 2 层有规则地交替排列而成 。 B2 ) 0 此处 , B为 T¨ i, A 为( i ) = M: , 4时 , m 就形成了化合物 MB4i 。 i 4 V0 ; 此 处 M 为 C 2 s2或 其 它 + a, + B r + 2价 复 合 离 子 ; MB4i 。 i 4 T 0 基压 电陶瓷是极为 重要 的铋层状结构无

尖晶石结构氧化物材料的制备及红外光谱研究_闫正

尖晶石结构氧化物材料的制备及红外光谱研究_闫正

尖晶石结构氧化物材料的制备及红外光谱研究闫 正1,刘保亭1*,赵庆勋1,杨景发1,徐景智1,赵喜梅2(1.河北大学物理科学与技术学院,河北保定 071002;2.邢台学院物理系,河北邢台 054000)摘 要:以铜、铁、锰的氧化物和Co(NO 3)2 6H 2O 为原料,在1150 的温度下采用固态反应法,制备了尖晶石结构为主相的氧化物材料,研究了处理温度、厚度、配比、颗粒度等对红外发射率的影响.材料的高温红外发射率可能归因于氧化物材料的尖晶石结构.关键词:氧化物红外材料;红外发射率;尖晶石结构氧化物中图分类号:O 434.13 文献标识码:A 文章编号:1000-1565(2005)04-0365-04图1 光谱发射率测量装置Fig.1 Measurement setup for spectrum emissivity 由于其良好的辐射性能,高性能红外材料已经被广泛应用于红外理疗、节能和传感器等的现实生活中.笔者已经报道:在通电电阻带一部分上喷Co(NO 3)2溶液,喷溶液电阻带部分的温度较不喷溶液部分低近100 [1],并认为这是由于CoO 和铁铬铝的不同发射率所引起的.对氧化物及其复合氧化物的研究,人们已经做了许多工作[2-3].在本文中,笔者拟通过氧化物材料的固相反应,制备尖晶石结构为主相的氧化物材料,并研究处理温度、厚度、配比、结晶程度、颗粒度对材料红外发射率的影响.1 实验内容应用WDF 型反射式单色仪等,可以实现样品发射率的测量,实验装置的原理图如图1所示.钽酸锂热释电探测器加选频放大,选择频率为12.5Hz;中温黑体炉(CGT_1风冷黑体)加控温系统.样品炉为本实验室自行设计,主要由电炉和不锈钢样品架构成,由样品炉的控温系统可以实现样品表面温度控制,样品表面的热电偶准确指示样品表面温度.实验时,可先测出样品在某温度下的法向光谱幅亮度曲线,然后在同位置用黑体取代样品炉,测定在该温度下的法向光谱幅亮度曲线.根据法向光谱发射率的定义式 (T )=L(T )/L bb (T ) (T ) 被测材料在温度T 时的法向光谱发射率;L (T ) 被测材料在温度T 时的法向光谱亮度;收稿日期:2005-01-30资金项目:河北大学人才引进博士基金项目(B0406030)作者简介:闫 正(1958-),男,河北保定人,高级工程师,主要从事机械设计和功能材料等方面的研究.*通讯联系人第25卷 第4期2005年 7月河北大学学报(自然科学版)Journal of H ebei University(Natural Science Edition)Vol.25No.4Jul.2005L bb (T ) 标准黑体在温度T 时的法向光谱亮度.可算出被测材料在各个波长位置的法向光谱发射率,并画出法向光谱发射率曲线.2 样品制备及实验结果取铜、铁、锰的氧化物分别过300目筛,然后按一定的比例与一定量的Co(NO 3)2 6H 2O 混合并放入球磨机中研磨(QM_1型球磨机,南京大学仪器厂)使这些物质充分混合均匀,在加入少量去离子水的情况下,用压片机把材料压成许多样品胚,在1150 的温度下烧结3h,待炉内温度自然冷却,然后把烧结后的材料再次放入球磨机内磨碎,过300目筛,即得到了多种氧化物烧结后的样品.借助于X 射线仪(YQ_2型粉末衍射仪)和能谱分析,发现最终氧化物组成为Fe 3O 4,Mn 3O 4,CuFeM nO 4,CoFe 2O 4,CuMn 2O 4等多种主相的结构,而这些物质都是属于尖晶石结构.图2给出了一个典型的尖晶石结构为主相氧化物X 射线粉末衍射的曲线,表明该样品结晶很好.图2 以尖晶石结构为主相的典型氧化物X 射线衍射曲线Fig.2 XRD curve f or a typical main_phase spinel structure oxide图3 样品烧结前后发射率曲线比较(350 )Fig.3 C omparison of emissivity curves for both annealedand unannealed samples measured at 350 2.1 材料烧结前后发射率的测量取材料A(原材料按一定比例混合后的材料)烧结前和烧结后过300目筛,分别涂于样品炉的不锈钢盘上,350 时的发射率曲线如图3所示.由此图可以看出,烧结前后,发射率的曲线是明显不同的.没有经过烧结的材料开始有一个小的下降后,然后几乎单调上升,对于烧结后的材料来讲,曲线的形状开始类似于余弦曲线,2条曲线有3个交叉点,每当经过一个交叉点时,发射率值的大小交替变化.混合物的发射光谱等于各单体发射光谱的叠加,即满足如下关系:(T )= n i =1 i (T )M i .(1)其中:(T ) 混合涂料在温度T 时法向光谱发射率; i(T ) 金属氧化单体在温度T 时的法向光谱发射率;M i 金属氧化物单体在混合涂料总质量中占的比例.对于烧结前的材料,发射率曲线应满足以上关系,而对于混合材料进行高温处理后,X 衍射已经表明有新物质产生,这样烧结后的材料的发射率应由烧结后混合物中材料的成分和含量来决定,而且同样应满足公式(1).366 河北大学学报(自然科学版)2005年图4 不同厚度样品的发射率曲线比较(350 ) Fig.4 Comparison of emissivity curves for samples with various thickness(350 )2.2 不同厚度发射率的测量取不同质量的涂料分别涂于样品架上,其350 时发射率曲线如图4所示.质量越小,涂层越薄,发射率曲线从整体上偏高一点.该结果可作如下分析:一方面涂层过薄时,可能会导致样品架对涂层的辐射起作用[4],因为对于非金属来讲相当于 体效应 ,不像金属那样红外线最多可以穿透几百埃的距离;而另一方面,由于高发射率红外辐射材料的吸收系数都很大,涂层过厚又会使涂层内部存在温度梯度[5].虽然通过热电偶测定的样品盘的温度相同,但由于涂层过厚,下表面和衬底直接接触温度较高,上表面和空气接触温度较低,结果使涂层表面的温度较薄涂层表面的温度低.对于实验结果,笔者认为因厚度不同而引起发射率的变化是由于涂层内部存在温度梯度所致.实际上可以把材料当作无限厚的样品的实际厚度X 依赖于材料的吸收系数:X 3.5/ , 为吸收系数[6],当吸收系数为中等强度值5 102cm -1时,对应的临界厚度为0.07mm.笔者采用的材料属于高吸收材料,涂层厚度大约0.2~0.4mm,可视为无限厚样品.图5 以尖晶石结构为主相的氧化物发射率与透射率曲线(500 ) Fig.5 Emissivity and transmission curves of main_phase spinel structure oxides (500 )2.3 不同配比涂料发射率的测量进行了不同配比涂料发射率的测定,发现不同配比涂料发射率曲线是有区别的.对于4种物质的混合,一种物质含量的变化似乎不如2种物质变化对发射率的影响明显.4种物质制成的涂料比2种氧化物制成的涂料从反应机理各方面来讲可能要复杂些,但是其发射率仍然应该由最终的成分和含量决定(如式(1)所示).2.4 不同颗粒度的发射率的测量取300目和120目2种不同颗粒度的涂料在500温度下进行测试,在实验误差范围内辐射性能基本相同,因为笔者的研究是多种氧化物的反应烧结,其选择性辐射不明显.粒度的大小对发射率几乎无影响,可能由于这类陶瓷材料的颗粒中含有许多微晶,构成基本的散射元[7],微晶的尺寸很小,颗粒尺寸远比微晶大,故颗粒尺寸效应不明显.2.5 发射率曲线的分析及结论通过对一系列红外陶瓷材料发射率的测试,发现发射率的曲线在整个测试波段内整体上是很高的,如图5所示.笔者认为在0.75~5 m 波段的高发射率可能主要是由于陶瓷涂料具有半反或全反尖晶石型结构所致[8].由于这种结构的特殊性,使得在高温下容易实现电子在能级之间的跃迁,电子跃迁所产生的辐射应该对应可见和短红外区.尽管杂质效应可能会对 产生影响,但这可能不是主要的,与文献[9]的观点恰恰相反,笔者认为生成物是影响发射率的决定因素.文献[9]的生成物恰好是以半反尖晶石氧化物作为主要成分,故氧化物陶瓷的短波高发射率主要是由半反或全反尖晶石结构所决定的.由辐射曲线和吸收曲线可以看出,辐射带并不是很好对应基本振动的强吸收带,这可能是由于剩余反射带对辐射的阻抑作用和极性振动的非谐性所致,所以在5~10 m 区域应归因于二声子或多声子的组合辐射[10].对于我们的曲线在10~15 m 区域发射率也是很高的,这可能归因于晶格的强振动辐射.在辐射曲线的末端,曲线有一个微小的下降,这可能对应于剩余反射带的增加所致[10].367 第4期闫 正等:尖晶石结构氧化物材料的制备及红外光谱研究3 结束语材料热处理以后发射率会发生改变,而且热处理温度不同,发射率不同,所以在烧结时应选择合适的热处理温度,有效控制生成物的组分和含量.涂层的厚度不同,发射率不同.涂层过薄时,基体对辐射来讲起作用;但是涂层过厚时,涂层内又会存在温度梯度,因此在使用涂料的过程中,应该粗略估计一下最佳涂层厚度.配比不同的材料,具有不同的发射率.通过优选材料,控制比例使材料的发射率达到预定的要求.全反或半反尖晶石结构氧化物材料短波区域的发射率较大.参 考 文 献:[1]刘保亭,李国英.红外涂料对通电电阻带工况的影响[J].红外技术,1996,18:33-35.[2]孙瑞卿,辜晓燕,张汉辉,等.M o_Fe_Bi 复合氧化物的制备和光谱研究[J].光谱学与光谱分析,2000,20:857-859.[3]孙瑞卿,张汉辉,辜晓燕,等.V_Bi 复合氧化物的合成和光谱研究[J].光谱学与光谱分析,2000,20:855-856.[4]T HA KU R A,RAM AN R.T hermal emi ssiv ities of films on substrates[J].A pplied Energy ,1983,15:1-13.[5]陈 衡.红外物理学[M ].北京:国防工业出版社,1985.[6]K ING ERY W O.Propert y M easurements at High T emper ature[M ].N ew York:John Wiley and Sons Inc,1959.[7]孙汉东,樊 震,常大定.提高高温红外辐射涂层发射率的途径[J].红外技术,1990,12:31-34.[8]T U LU I M ,AR EZZO F,PAW LO WSK I L.O ptical properties of plasma spr ayed ZnO+Al 2O 3coat ings[J].Surface and Co atingsT echnology,2004,179:47-49.[9]张长瑞,谢 凯,张伟明.MnO 2_CoO_CuO 高温红外辐射材料的研究[J].红外研究,1987,6:303-308.[10]王宝明,苏大昭,张广寅.红外高辐射材料的辐射特性及辐射机制[J].红外研究,1983,2:55-62.Preparation and Infrared SpectrumAnalysis of Spinel Oxide MaterialsYAN Zheng 1,LIU Bao_ting 1,ZH AO Qin g_xun 1,YANG Jin g_fa 1,XU Jing _zhi 1,ZH AO Xi_mei 2(1.College of Physics Science and T echnolog y,Hebei University ,Baoding 071002,China;2.Department of Physics,Xingtai College,Xing tai 054000,China)Abstract:Main_phase spinel oxides have been prepared by solid reaction method at 1150 using Cu,Fe,M n ox ides and Co(NO 3)2 6H 2O as raw materials.Dependence of infrared em issivity w ith processing tem pera ture,thickness,mixing ratio,grain size etc has been studied.T he hig h infrared em issivity is attributed to the spinel structure of ox ide materials.Key words:oxide infrared materials;IR em issivity;spinel strucutre ox ides(责任编辑:孟素兰) 368 河北大学学报(自然科学版)2005年。

《陶瓷材料学》课程大纲

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《陶瓷材料学》课程大纲课程代码0801161课程名称中文名:陶瓷材料学英文名:ScienceofCeramicsmateria1s课程类别专业课修读类别必修学分 2.0 学时32开课学期第5学期开课单位材料科学系适用专业无机非金属材料工程专业先修课程材料概论、材料科学基础后续有关专业课无机非金属材料工艺学、专业技能训练程和教学环节主讲教师/职称于刚/副教授、吴红亚/副教授、杨治刚/讲师考核方式及各环作业成绩+课堂讨论+实验+期末考试节所占比例(10%)+(10%)+(30%)+(50%)教材及主要参考(1)《陶瓷材料学》周玉编,科学出版社,2004年+ζ(2)《陶瓷材料导论》关长斌、郭英奎、刘玉成编,哈尔滨工程大学出版社,2005(3)《陶瓷导论》(美)金格瑞、(美)鲍恩、(美)乌尔曼编,高等教育出版社,2010(4)《现代陶瓷材料及技术》,曲远方主编,华东理工大学出版社,2002一、课程性质和目标《陶瓷材料学》属于无机非金属材料工程专业科学方向的必修课程。

本课程主要介绍陶瓷材料的类型、结构、合成与制备方法、性能特点及其应用领域等。

注重介绍当前工程行业内广泛应用的典型陶瓷材料(电子陶瓷、多孔陶瓷、高温结构陶瓷等),并以此为基础阐述材料的结构-性能■合成与制备之间的相互关系,结合课程内实验强化基础性实践技能的培养,为解决工程关键问题奠定理论和技术基础。

通过本课程的理论和实验教学,使学生具备基本的知识和能力,课程的具体课程目标如下:知识目标:•解释典型陶瓷材料的构效关系,正确选择合理的陶瓷合成制备加工方法和测试手段。

能力目标:•具备阅读、理解和翻译有关的科技英文文献和资料的能力,认识工程行业内特定陶瓷材料的发展现状和趋势,解释生产工艺对材料结构-性能的影响,认识到解决方案的多样性。

•具备操作关键实验设备的能力,以及使用现代软件对实验数据处进行采集、处理与分析的能力,并通过信息综合得到合理有效的结论。

Ca1-xAxMnO3(A=La,Bi)陶瓷的制备和红外辐射性能

Ca1-xAxMnO3(A=La,Bi)陶瓷的制备和红外辐射性能

e mi s s i v i y t o f CL M O a n d CBMO c e r a mi c s g r a d u a l l y i n c r e a s e s wi t h i n c r e a s i n g t e mp e r a t u r e .T h e r e f o r e ,
t e mp e r a t u r e ,a n d t h e d r a s t i c c h a n g e o c c u r s a t t h e r a n g e o f 4 0 0 ℃ .I n t h e 3 - 5岬 wa v e b a n d ,t h e n o m a r l
A b s t r a c t :C a l L a x Mn O3 ( C L MO )a n d C a 1 . x B i x Mn O 3( C BMO ) ( x = = : 0 . 0 — 0 . 2 )c e r a mi c s we r e p r e p a r e d b y
s t a n d a r d s o l i d — s t a t e r e a c t i o n me t h o d . T h e s a mp l e s we r e c h a r a c t e r i z e d wi t h XRD a n d F T - I R. h e T r e l a t i o n s h i p o f t h e s t r u c t u r e .t e mp e r a t u r e a n d n o r ma l e mi s s i v i t y i n d i fe r e n t wa v e b a n d s wa s i n v e s t i g a t e d .T h e r e s u l t s s h o w t h a t t h e s a mp l e s h a v e s i n g l e p h a s e . Ne w i n f r a r e d a b s o r p t i o n o c c u r s d u e t o c r y s t a l d i s t o r t i o n . I n t h e

《功能陶瓷讲义》课件

《功能陶瓷讲义》课件

2 进一步研究的重要性
发展功能陶瓷需要对其制备工艺和表征分析 等方面进行深入研究。
感谢观看!
2
介绍功能陶瓷在机械工程中的重要性,
如陶瓷轴承和切削工具。
3
未来发展趋势
4
展望功能陶瓷在可持续发展和新兴技术 中的潜力。
电子领域中的应用
详述功能陶瓷在电子器件中的应用,如 陶瓷电容器和传感器。
生物医学领域中的应用
探索功能陶瓷在医疗器械中的应用,如 人工骨骼和生物材料。
结论Leabharlann 1 广阔的应用前景功能陶瓷作为一种新型材料,有着广泛的应 用前景。
氧化铝陶瓷
深入探索氧化铝陶瓷的特性和应用,如高温绝缘 和耐腐蚀。
氧化锆陶瓷
解释氧化锆陶瓷在医学领域的应用,如人工关节 和牙科修复。
氮化硅陶瓷
详细介绍氮化硅陶瓷的用途,如高温结构材料和 切割工具。
氧化铈陶瓷
探索氧化铈陶瓷在环境保护中的作用,如催化剂 和汽车尾气净化。
功能陶瓷的应用与展望
1
机械领域中的应用
《功能陶瓷讲义》PPT课 件
功能陶瓷讲义 一、简介 功能陶瓷的概念、分类和应用领域。
材料与工艺
材料特点
探索功能陶瓷的特殊材料特性, 如高强度、耐磨损和耐腐蚀。
制备工艺
介绍功能陶瓷的制备过程,包 括成型、烧结以及后续的加工。
表征方法
讲解功能陶瓷的表征方法,如X 射线衍射和扫描电镜分析。
常见功能陶瓷

改性(Sr,Ca)TiO_(3)基储能陶瓷介电及MLCC性能研究

改性(Sr,Ca)TiO_(3)基储能陶瓷介电及MLCC性能研究

改性(Sr,Ca)TiO_(3)基储能陶瓷介电及MLCC性能研究陈永虹;林志盛;张子山;陈本夏;王根水【期刊名称】《无机材料学报》【年(卷),期】2022(37)9【摘要】工业级脉冲储能多层瓷介电容器(MLCC)是现阶段国内研制和生产电子启动装置的重要元器件,针对国内主要有机薄膜电容器尺寸大、寿命短、可靠性较低的不足,本研究采用传统固相反应法,制备了SrTiO_(3)和CaTiO_(3)基的脉冲储能介质陶瓷材料,研究了微量助烧剂掺杂,以及Sr^(2+)/Ca^(2+)相互掺杂对陶瓷材料的介电性能的影响,并进一步制备和研究了以(Sr,Ca)Ti O_(3)为基体MLCC性能。

实验结果表明:通过加入质量分数1.0%的助烧剂,引入微量Bi^(3+)可取代Sr^(2+),提高了SrTiO_(3)材料的介电常数,而Bi^(3+)对CaTiO_(3)基材料的介电性能无明显影响;Mn元素有效抑制高温烧结中Ti^(4+)的还原,降低介电损耗;加入助烧剂有效降低瓷粉的烧结温度,提高材料的致密性。

(Sr_(x)Ca_(1-x))TiO_(3)体系的MLCC 可保持较高的介电常数和较低的介电损耗,当x=0.4时,其介电损耗tanδ=1.8×10^(–4),击穿强度为59.38 V/μm,高低温放电电流变化率为±7%,放电稳定,在常温和高温(125℃)下经1000次循环充放电实验均未失效,是一种在不同电场强度下具有相对较优的容量稳定性以及较高可靠性的脉冲特性(Sr,Ca)TiO_(3)基电容器陶瓷介质材料。

【总页数】7页(P976-982)【作者】陈永虹;林志盛;张子山;陈本夏;王根水【作者单位】福建火炬电子科技股份有限公司;中国科学院上海硅酸盐研究所【正文语种】中文【中图分类】TQ174【相关文献】1.钴钇掺杂(Ba,Sr)TiO3基介电陶瓷的制备与性能研究2.B位(Mg1/3Ta2/3)4+置换对新型Sr基(Sr,Nd,Ca)TiO3微波陶瓷结构及介电性能的影响3.Bi2O3掺杂Sr0.92Ca0.08TiO3基陶瓷结构与介电性能的研究人工晶体中的“非主流”——有机晶体4.Sr^(2+)置换改性Ca_(0.25)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.75)TiO_3陶瓷的微波介电性能研究5.外延Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_(3)薄膜铁电介电性能的厚度依赖性研究因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

陶瓷电影实验室电压放大器(第一版)说明书

陶瓷电影实验室电压放大器(第一版)说明书

FEATURESWide Dynamic RangeCharge and Voltage Modes Response to 0.1HzActive HP and LP FiltersAPPLICATIONSLow Frequency Dynamic Strain Pyroelectric SignalsAudio-band and Acoustic Signals Machine VibrationPiezo Cable and Traffic Sensor InterfacePIEZO FILM LAB AMPLIFIERSPECIFICATIONSCharge or Voltage Mode Operation BNC Input and Output0.01 to 1000 mV/pC Sensitivity Range in ChargeMode1M to 1G Input Resistance, -40 to 40dB Gain inVoltage ModeMulti-Pole, Low-Pass and High-Pass Filtering with-3dB Frequencies Ranging from 0.1Hz to 100kHz Internal Battery (2 x 9V) or external 24VDC PowerSupply OperationThe Piezo Film Lab Amplifier is a versatilepreamplifier for use with piezoelectric sensors. The electric signal from the piezo film is generated within the electrodes of a capacitor. It is important to arrange an input that controls the rate of charge leakage appropriately for the application. Simply connecting a piezo film element to the input of an oscilloscope will usually create a high-pass filter that removes any low frequency content of the original piezo signal, and this can lead to disappointment or incorrect evaluation of the material's true potential. This has led MEAS to develop a new low-cost Piezo Film Lab Amp, specifically aimed at developers and engineers exploring the material. Both first-time users and seasoned professionals will benefit from the wide range of sensitivity adjustment in either voltage or charge modes, and the functionality of the high- and low-pass filters.PERFORMANCE SPECIFICATIONSELECTRICALSupply Voltage Internal 2 x 9 V Battery or External 24 VDC (using the supplied 100-240 VAC50/60 Hz power supply unit)Max Input Voltage 30 VMax Linear Output Swing ±4 V (battery), ±5 V (ext)Voltage Mode:Input Resistor Values 1M, 10M, 100M, 1G ΩGain 0 to +40 dB in 10 dB Increments with -40 dB SwitchNoise 30 mV rms (0.20 V pp) typ, 1 Hz to 100 kHz, 1 GΩ Input, +40dB (lower on batterypower)Charge Mode:Feedback Capacitor Values 100pF, 1nF, 10nF, 100nFSensitivity Range 0.01 to 1000 mV/pCNoise 20 mV rms (0.13 V pp) typ, 1 Hz to 100 kHz, 100pF, +40 dB Gain (lower onbattery power)ENVIRONMENTALOperating Temperature 0 to 50°COperating Humidity 5 to 95% RH Non-CondensingSurvival Temperature -20°C to +60°C, Power OffLinearity <1%DESCRIPTION OF CONTROLSMode Selector SwitchThe setting of this switch determines whether the amplifier is functioning in “charge mode” or “voltage mode.” In charge mode, the input appears like a short-circuit sensor and all charge that is generated by the sensor goes into the input and appears on a feedback capacitor within an op-amp circuit. In “voltage mode,” the input appears like an open circuit and no charge flows. The settings of the various input and filter controls then modify the actual performance in either setting.Feedback Capacitance Selector (charge mode)When the amplifier is operating in charge mode, this control changes the sensitivity of the initial amplifier stage. In typical use, it will be set to the value closest to the sensor under test. Selecting a feedback capacitance lower than that of the sensor will create further apparent gain, while selecting a higher feedback capacitance will reduce overall gain. A quantity of charge applied to the input numerically equal to the feedback capacitance value (for example, 100 pC of charge, with 100 pF setting of feedback capacitance) will generate one volt from the initial stage, before further modification by the filters and gain control.Input Impedance Selector (voltage mode)When the amplifier is operating in voltage mode, this control changes the electrical resistance seen at the input of the amplifier. For a given value of sensor capacitance (C), different values of input resistance (R) create different low-frequency response characteristics. The simple RC filter network forms a high-pass filter, which operates independently from the low frequency selector switch. The influence of this impedance selector must therefore beconsidered separately from the low frequency selector (see Appendix B).Input Attenuator Switch (voltage mode)This switch allows the input signal to be attenuated by 40 dB (linear factor of 100), when the amplifier is operating in voltage mode. This can be useful in cases where the open-circuit voltage being monitored is very high, and would cause the output voltage to clip. The setting of this switch does not affect the input impedance seen by the sensor.Low Frequency SelectorThe function of this control is to apply a multi-pole high-pass filter to the signal. Frequencies below the selected limit will be progressively attenuated. In charge mode operation, the signal will be -3 dB down (or approximately 0.7 X) at the selected frequency. In voltage mode, the influence of the RC filter must also be considered (see Input Impedance Selector). Reducing the low-frequency content of a signal may be useful when the signals of interest are relatively high in frequency and low in amplitude.High Frequency SelectorThis control applies a multi-pole low-pass filter to the signal. It can be used in conjunction with the Low Frequency selector to form a band-pass filter, where noise outside a selected band of frequency can be strongly attenuated.Gain SelectorThe purpose of this control is to allow selection of a final gain to be applied to the output of the filter stages. Selecting "0 dB" in voltage mode means that the overall gain of the amplifier is zero dB (linear 1X), when the Input Attenuator is also set to "0 dB". The gain is adjustable in 10 dB steps up to 40 dB (linear 100 X).APPENDIXPower IndicatorThe green power indicator LED lights when the power switch is switched to "1" (ON position), using either the internal batteries or when the external 24 V power supply is connected.Batt LowThe red low battery LED lights when the voltage of the internal batteries falls below approximetly 8 V. When the battery power is no longer sufficient for correct operation, neither "Power" nor "Batt Low" will be illuminated when power switch is switched to "I".Battery CompartmentsThe battery compartments are accessible from the rear panel. To open a compartment, the battery tray should be lifted up slightly, then pulled outwards. Batteries can be left in the amplifier while it is being operated on external power.External Power InputJust below the battery compartments lies the input connector for 24 VDC (center pin +). Use only the power supply provided with the amplifier.Power SwitchThis switches power (from internal batteries or from external 24 VDC supply) to the amplifier on or off. To conserve battery life, power should be switched off when unit is not in use.Input BNCSignal input (for either voltage mode or charge mode operation) should be connected to the Input BNC. Input voltage should not exceed 30 V, and this voltage should not appear across a sensor capacitance in excess of 100 nF. The input adds approx 50 pF shunt capacitance, which must be borne in mind when calculating RC filter frequencies for low-value sensor capacitance in voltage mode.Output BNCImpedance of 50 Ω max. The output of the amplifier is intended to drive theinput of an oscilloscope, signal analyzer, or data acquisition system.Appendix A: Filter response plotsUpper Limiting Frequency Control-60-50-40-30-20-1010110100100010000100000Frequency (Hz)M a g n i t u d e (d B )Lower Limiting Frequency Control-60-50-40-30-20-10100.010.1110100100010000Frequency (Hz)M a g n i t u d e (d B )Appendix B: Influence of Input Impedance selectionon low frequency response (voltage mode)The table below shows the theoretical -3 dB frequency (in Hz) of the high-pass filter that is formed when a sensor of capacitance listed in first column is connected to the specified input impedance.1 M 10 M 100 M 1 G100 p 1592 159 16 1.6220 p 723 72 7.2 0.72470 p 339 34 3.4 0.341 n 159 16 1.6 0.162.2 n 72 7.2 0.72 0.0724.7 n 34 3.4 0.34 0.03410 n 16 1.6 0.16 0.01622 n 7.2 0.72 0.072 0.007247 n 3.4 0.34 0.034 0.0034100 n 1.6 0.16 0.016 0.0016Note: the shaded cells have a -3 dB frequency that is below the range of the Low Frequency Selector, and in this case, the Low frequency Selector will determine the performance. In the case of the unshaded cells, the low frequency limit will be determined either by the Low Frequency selector, or by the data above, whichever is the higher.INCLUDED IN PACKAGE2) Power Supply:Input: 100-240VAC, 50/60Hz, 1.8AOutput: 24VDC 1AConnector: IEC 60320 C14 (inlet)3) Power Supply Cable/PlugMUST BE ORDERED SEPARATLYConnector: IEC 60320 C13Regional Versions Available:1007232-1 - Power Supply Plug, EU1007232-2 - Power Supply Plug, UK1007232-3 - Power Supply Plug, USA1007232-4 - Power Supply Plug, Japan4) Accessoriesa) 2 x 9V Batteries, Type 1604A(6LF22/6LR61/MN1604), Mercury andCadmium Freeb) Piezo Sensor (modified SDT1-028K),p/n 1-1000288-1, 1m Shielded Cable, BNC Connectorc) BNC “Tee” adapterd) 2 x BNC Cable, 0.58m Nominal, Bare End/sensorsolutionsMeasurement Specialties, Inc., a TE Connectivity company.Measurement Specialties, TE Connectivity, TE Connectivity (logo) and EVERY CONNECTION COUNTS are trademarks. All other logos, products and/or company names referred to herein might be trademarks of their respective owners.The information given herein, including drawings, illustrations and schematics which are intended for illustration purposes only, is believed to be reliable. However, TE Connectivity makes no warranties as to its accuracy or completeness and disclaims any liability in connection with its use. TE Connectivity‘s obligations shall only be as set forth in TE Connectivity‘s Standard Terms and Conditions of Sale for this product and in no case will TE Connectivity be liable for any incidental, indirect or consequential damages arising out of the sale, resale, use or misuse of the product. Users of TE Connectivity products should make their own evaluation to determine the suitability of each such product for the specific application. © 2015 TE Connectivity Ltd. family of companies All Rights Reserved.NORTH AMERICAMeasurement Specialties, Inc., a TE Connectivity Company Tel: +1-800-522-6752Email: ************************EUROPEMEAS Deutschland GmbH a TE Connectivity Company Tel: +49-800-440-5100Email: ************************ASIAMeasurement Specialties (China), Ltd., a TE Connectivity Company Tel: +86 0400-820-6015Email: ************************。

大功率金属陶瓷x射线管工艺设计

大功率金属陶瓷x射线管工艺设计

大功率金属陶瓷x射线管工艺设计
大功率金属陶瓷X射线管的工艺设计主要包括以下几个方面:
1. 选择材料:金属陶瓷是一种特殊的陶瓷材料,具有良好的绝缘、导热和机械强度特性。

在工艺设计中需要选择适合的金属陶瓷材料,如铝氧化物陶瓷(Al2O3)、硅氮氧化物陶瓷
(Si3N4)等,以保证X射线管的性能和可靠性。

2. 制备陶瓷管体:制备金属陶瓷管体是金属陶瓷X射线管工
艺设计的关键步骤。

通常采用注浆成型、手工塑型、压制成型等方法制备陶瓷管体,并通过高温烧结使其具有一定的密度和机械强度。

3. 制备阳极和阴极:在金属陶瓷X射线管的工艺设计中,还
需要制备阳极和阴极。

阳极通常选择高纯度金属(如钨),通过机械加工和精密抛光得到所需形状和表面平整度。

阴极则通常采用直接化学还原(DCR)或电子束熔化(EB)等方法,
制备出合适的形状和尺寸。

4. 真空封装:金属陶瓷X射线管在工艺设计中需要进行真空
封装。

通常使用玻璃、金属封接材料或金属陶瓷封接材料将陶瓷管体、阳极和阴极进行密封,以确保管内真空度足够高,避免电子束与气体相互作用。

5. 辅助结构设计:金属陶瓷X射线管的工艺设计还需要考虑
辅助结构的设计,例如热端散热结构、电极引线、电源接口等。

这些结构的设计需要考虑到材料的热导性、机械强度和与其他
部件的配合等因素。

总体来说,大功率金属陶瓷X射线管的工艺设计需要综合考虑材料选择、制备工艺、真空封装和辅助结构等方面的因素,以实现高性能和可靠性的X射线管产品。

陶瓷材料的电磁屏蔽效能考核试卷

陶瓷材料的电磁屏蔽效能考核试卷
()
7.以下哪些陶瓷材料适用于高频电磁波屏蔽?
A.氧化铝
B.碳化硅
C.氮化硅
D.铁氧体
()
8.陶瓷材料的电磁屏蔽效能与以下哪些因素有关?
A.材料的电导率
B.材料的磁导率
C.材料的折射率
D.材料的透光性
()
9.以下哪些方法可以用来改善陶瓷材料的电磁屏蔽效能?
A.优化材料配方
B.改变材料烧结工艺
C.表面涂层处理
D.降低材料电导率
()
13.陶瓷材料在电磁屏蔽应用中的优点包括:
A.耐高温
B.耐腐蚀
C.高硬度
D.良好的电绝缘性
()
14.以下哪些陶瓷材料适合用作高频电磁屏蔽材料?
A.钛酸钡
B.钛酸锶
C.铁电陶瓷
D.碳化硅
()
15.提高陶瓷材料电磁屏蔽效能的物理机制包括:
A.电损耗
B.磁损耗
C.热损耗
D.光损耗
()
1.陶瓷材料在电磁屏蔽效能方面主要利用的是其__________性。
()
2.电磁屏蔽效能测试中,常用__________参数来表示屏蔽效果。
()
3.陶瓷材料的电磁屏蔽效能与其__________和__________等因素有关。
()
4.提高陶瓷材料电磁屏蔽效能的方法之一是进行__________处理。
A.氧化铝
B.碳化硅
C.氮化硅
D.氧化锆
()
11.影响陶瓷材料电磁屏蔽效能的因素中,以下哪个是主要因素?
A.材料种类
B.厚度
C.温度
D.湿度
()
12.陶瓷材料的电磁屏蔽效能与以下哪个因素成反比?
A.介电常数

陶瓷生产自动化与信息化技术考核试卷

陶瓷生产自动化与信息化技术考核试卷
10.陶瓷生产信息化系统可以完全替代人工进行生产管理。()
五、主观题(本题共4小题,每题5分,共20分)
1.请简述陶瓷生产自动化中,PLC的主要功能及其在陶瓷生产中的应用。
2.描述陶瓷生产信息化中,MES系统的作用,以及它如何帮助提高生产效率和产品质量。
3.论述机器人在陶瓷生产自动化中的应用场景,并说明机器人相比于传统人工操作的优点。
A. ERP
B. SCADA
C. MES
D. CAD/CAM
9.以下哪些传感器在陶瓷生产中具有广泛应用?()
A.温度传感器
B.湿度传感器
C.压力传感器
D.光电传感器
10.陶瓷生产自动化中,以下哪些技术可以用于减少人工操作?()
A.机器人
B. PLC
C. CAD/CAM
D.自动包装
11.以下哪些设备在陶瓷生产中用于实现产品包装自动化?()
B.云计算
C.大数据分析
D.人工智能
6.在陶瓷生产自动化中,以下哪些设备可以用于搬运和装卸工作?()
A.机器人
B.输送带
C.振动盘
D.液压缸
7.以下哪些技术可以用于提高陶瓷生产自动化设备的安全性能?()
A.传感器
B.安全继电器
C.防护装置
D.视频监控
8.陶瓷生产信息化中,以下哪些系统能够帮助企业实现资源优化配置?()
四、判断题(本题共10小题,每题1分,共10分,正确的请在答题括号中画√,错误的画×)
1.在陶瓷生产自动化中,所有的设备都可以通过PLC进行控制。()
2.陶瓷生产信息化中的SCADA系统主要用于生产数据分析。()
3.机器视觉技术在陶瓷生产中可以用于产品的质量检测。()
4.陶瓷生产自动化中,所有的传感器都可以直接与PLC连接。()

光电子器件的太赫兹应用考核试卷

光电子器件的太赫兹应用考核试卷
()
4.针对太赫兹光电子器件的设计与制造,阐述影响其性能的关键因素,并提出可能的改进措施。
()
标准答案
一、单项选择题
1. A
2. C
3. B
4. B
5. D
6. D
7. B
8. A
9. B
10. D
11. D
12. D
13. D
14. A
15. A
16. A
17. B
18. A
19. D
20. D
二、多选题
A.微电子加工技术
B.超导技术
C.光子晶体技术
D.纳米加工技术
()
14.太赫兹波在通信系统中的应用潜在优势包括以下哪些?()
A.大带宽
B.高速度
C.抗干扰
D.低能耗
()
15.以下哪些材料可以用于制造太赫兹波的光电器件?()
A.半导体
B.超导体
C.纳米材料
D.有机材料
()
16.以下哪些因素会影响太赫兹波在天线中的辐射效果?()
4.太赫兹波在天线设计中不需要考虑阻抗匹配问题。()
5.太赫兹光电子器件的制造可以完全采用传统的微电子加工技术。()
6.太赫兹波在通பைடு நூலகம்领域的潜在应用包括提供更高的数据传输速率。()
7.在所有环境下,太赫兹波的传播都不会受到任何干扰。()
8.太赫兹波的光电器件可以很容易地与其他电子系统集成。()
9.太赫兹波在生物医学领域的应用仅限于表面成像。()
10.太赫兹技术目前已经被广泛应用于日常生活中的各种设备中。()
五、主观题(本题共4小题,每题10分,共40分)
1.请描述太赫兹波在光电子器件中的产生原理,并列举至少两种常见的产生太赫兹波的方法。

陶瓷产品质量评价与控制考核试卷

陶瓷产品质量评价与控制考核试卷
1.陶瓷产品质量控制过程中,以下哪些属于物理性能检测指标?( )
A.抗折强度
B.耐磨性
C.吸水率
D.颜色一致性
2.影响陶瓷砖烧结质量的因素包括:( )
A.烧结温度
B.烧结时间
C.冷却速度
D.原料种类
3.陶瓷产品的化学性能测试主要包括:( )
A.耐酸碱性
B.耐磨性
C.铅、镉溶出量
D.材料密度
4.以下哪些方法可以用来改善陶瓷产品的外观质量?( )
1.陶瓷产品的吸水率是指其孔隙中吸收水的重量占干燥重量的百分比,通常用______表示。
()
2.陶瓷砖的耐磨性测试中,常用的测试方法有______法和______法。
()()
3.陶瓷产品的烧结过程中,烧结温度应控制在______之间,以确保产品质量。
()
4.陶瓷砖的耐污染性是指其抵抗污染物质附着和渗透的能力,通常用______来衡量。
A.摩擦测试
B.落球测试
C.压痕测试
D.酸碱测试
8.下列哪种方法不适用于陶瓷砖的耐酸碱性测试?( )
A.酸浸泡测试
B.碱浸泡测试
C.蒸汽测试
D.酸碱循环测试
9.陶瓷产品中铅、镉溶出量的检测是为了:( )
A.评价产品的耐久性
B.评价产品的环保性
C.评价产品的机械强度
D.评价产品的热稳定性
10.下列哪种检测方法用于评价陶瓷砖的尺寸稳定性?( )
2.原料质量控制措施包括:严格筛选原料供应商,确保原料质量稳定;对原料进行化学成分分析和粒度分布测试;控制原料的含水量,防止成型过程中出现变形。
3.烧结工艺对产品质量的影响主要体现在产品的密度、强度和孔隙率上。通过精确控制烧结温度、时间和冷却速度,可以优化产品的物理性能。
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Vol.35 No.1 Jan. 2013
并且 掺杂样品在 800 cm 1 左右出现了较强的吸收带, 随着掺杂量的增加而明显增强,这可能是由于晶格畸 变形成的极化子与红外辐射相互作用引起的振动,而 该振动吸收带位于 8~14 μm 波段内,根据基尔霍夫 定律可以推测在 8~14 μm 波段内样品的红外发射率 随着掺杂量的增加而增加,这与下面的实验结果是一 致的。 2.3 红外辐射分析 图 4 为 CLMO 和 CBMO 陶瓷样品在 8~14 m 波 段的红外发射率随温度变化的曲线图。从图中可以看 出,样品在 8~14 μm 波段的红外发射率随着温度的 升高而升高, 并且在 400℃左右红外发射率显著上升, + + 其原因解释如下:当温度较低时,相邻 Mn4 和 Mn3 局域自旋方向趋于一致,双交换作用增强,样品表现 为类金属性,红外辐射性能较低;当温度较高时, + + Mn4 和 Mn3 局域自旋无序,阻碍了 eg 电子转移,此 时样品表现为半导体性,红外辐射性能显著提高,其 转变温度 T 接近于 Michitaka Ohtaki 等人[17]的研究结 果。
收稿日期:2012-11-20. 作者简介:管浩(1980-) ,男,江苏省人,讲师,主要研究方向为功能材料及器件。E-mail:guanhao@。 基金项目:江苏省高校自然科学基金重大项目(09KJA430004),校人才引进资助项目(XKR2011070)。
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第 35 卷 第 1 期 2013 年 1 月
图 2 Ca1-xAxMnO3 样品的(a)〈A〉 ,(b) 2 随掺杂量 x 的变化关系 Fig.2 Variation of (a)〈A〉and (b) 2 with x of Ca1-xAxMn5 卷 第 1 期 2013 年 1 月

红 外 技 术 Infrared Technology
Preparation and Infrared Radiation Properties of Ca1-xAxMnO3 (A=La, Bi)
GUAN Hao,CHENG Jun-hua,JIAO Bao-xiang,WANG Xu
(School of Mterials Engineering,Yanchen Institute of Technology,Yancheng 224051,China)
Fig.3
图 3 样品的 IR 光谱(a) Ca1-xLaxMnO3(CLMO),(b) Ca1-xBixMnO3(CBMO) IR spectrum of the samples (a) Ca1-xLaxMnO3(CLMO),(b) Ca1-xBixMnO3(CBMO)
2.1 XRD 分析 图 1 所示为不同掺杂量的 CLMO 和 CBMO 陶瓷 样品的 XRD 图谱。从图中可以看出:所有的陶瓷样 品均为正交单相结构,没有其他杂峰,空间群为 + + Pnma,表明 La3 、Bi3 已经进入 CaMnO3 主晶格中; 随着掺杂量的增加,主要衍射峰向小角度方向移动, 使得畸变性增加,必将影响样品的红外辐射性能。 图 2 为不同掺杂系列平均 A 位离子半径〈A〉和 失配因子2 随掺杂量 x 的变化关系曲线。从图中可以 看出,随着掺杂量的增加,平均 A 位离子半径〈A〉 和失配因子 2 都随之增加;我们观察到 CLMO 比 CBMO 具有更大的平均 A 位离子半径〈A〉和失配因 子2,而〈A〉和2 的变化同样会改变 eg 电子的转化 几率和双交换作用[14-15],从而表现出不同的红外辐射 性能。 2.2 FT-IR 分析 图 3 为 CLMO 和 CBMO 陶瓷样品的 IR 光谱。 根 - [16] 据前人 对钙钛矿结构红外光谱研究可知,620 cm 1 左右出现的吸收带对应于 Mn-O 键的伸缩振动;随着 + + + La3 ,Bi3 掺杂量的增加,出于平衡价态的需要,Mn3 离子浓度增加,Mn-O 的键强增强,使得 Mn-O 吸收 带的中心频率向长波方向移动;同时我们观察到掺杂 样品所对应的 Mn-O 吸收带附近还出现了一些振动,
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引言
近年来,随着科学技术的发展,红外辐射材料引 起了材料研究学者的广泛关注,而热控制材料更是成 为研究的热点。热控制材料是一种在光热转换条件下 具有温度调节功能的材料,在节能、环保、军事等领 域得到不同程度的应用。众所周知,金属的红外辐射 性能要明显低于绝缘体, 前人[1-6]研究结果表明: 具有 金属-绝缘态(MI)转变特性的 La1-xAxMnO3 氧化物的 红外辐射性能在相转变温度前后呈现显著的变化,这 种变化与样品的电导率密切相关。因此,La1-xAxMnO3 氧化物作为热控制材料具有良好的应用前景,具有相 同结构的 Ca1-xAxMnO3 体系的研究作者还暂未见报
Abstract : Ca1-xLaxMnO3(CLMO) and Ca1-xBixMnO3 (CBMO)(x = 0.0-0.2) ceramics were prepared by standard solid-state reaction method. The samples were characterized with XRD and FT-IR. The relationship of the structure, temperature and normal emissivity in different wavebands was investigated. The results show that the samples have single phase. New infrared absorption occurs due to crystal distortion. In the 8-14 μm waveband, the normal emissivity of CLMO and CBMO ceramics increases with increasing temperature, and the drastic change occurs at the range of 400℃. In the 3-5 μm waveband, the normal emissivity of CLMO and CBMO ceramics gradually increases with increasing temperature. Therefore, CLMO and CBMO ceramics may have the potential application as thermal control materials. Key words:Ca1-xLaxMnO3 ceramics,Ca1-xBixMnO3 ceramics,materials preparation,infrared radiation properties 道。 Ca1-xAxMnO3 复合氧化物属于正交晶系。具有 3d54s2 电子结构的锰元素可以表现为多种价态,当采 用不同价态元素取代 Ca 位时, 晶格失配和 Jahn-Teller + + 效应引起晶格畸变,同时电子在 Mn3 和 Mn4 之间发 生跃迁而产生大量的载流子,这些因素都促使 Ca1-xAxMnO3 成为具有潜在应用价值的热控制红外辐 射材料。因此,对于在电性能[7-9]、强磁阻效应[10]、 热电性能[11-13]方面受到广泛关注的 Ca1-xAxMnO3 复合 氧化物进行红外辐射性能的研究具有重要的意义。 本文采用传统高温固相合成法制备得到 Ca1-xAxMnO3(A=La,Bi)陶瓷样品,测试了样品在 不同温度下的红外发射率,研究晶体结构,温度和红
图 5 为 CLMO 和 CBMO 陶瓷样品在 3~5 μm 波 段的红外发射率随温度变化的曲线图。从图中可以看 出,样品在 3~5 μm 波段的红外发射率随着温度的升 高而缓慢升高;与 8~14 μm 波段的红外发射率变化 不同的是,在整个测试温区内没有出现明显上升的现 象,说明具有较低红外发射率的样品的类金属态没有 发生变化,其相关机理需做进一步研究。 为了研究不同元素掺杂对红外辐射性能的影响, 室温条件下 CLMO 和 CBMO 陶瓷样品不同波段的红 外发射率随掺杂量变化的曲线如图 6 所示。从图中可 以看出,样品在 8~14 μm 波段的红外发射率要明显 高于 3~5 μm 波段的红外发射率,根据普朗克定律 (E=hν) 和维恩位移定律 (mT=b) 可知, 光子在 8~ 14 μm 波段辐射所需克服的能量要小于 3~5 μm 波段 的能量,同时在 8~14 μm 波段辐射出的高能量光子 数量较多,因此常温下样品在 8~14 μm 波段的红外 发射率要大于 3~5 μm 波段的红外发射率。

浩等: Ca1-xAxMnO( Bi) 陶瓷的制备和红外辐射性能 3 A=La,
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外发射率之间的关系,为进一步研制温控可变发射率 器件提供理论依据。
这是由于晶格不对称振动引起的吸收带;此外,所有
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1.1
实验
样品制备 以分析纯 CaCO3、MnO2、Bi2O3、La2O3 为原料, 按照一定化学计量比分别为 Ca1-xLaxMnO3(CLMO) , Ca1-xBixMnO3(CBMO) (x=0.0,0.05,0.1,0.15, 0.2)配料。配合料湿法球磨 6 h,烘干后置于刚玉坩 埚中在 1000℃下焙烧 12 h,烧结后的产物经过粉碎, 研磨得到黑色粉末。然后将黑色粉末压成圆片状在 1200℃下煅烧 24 h 得到所需陶瓷样品。 1.2 样品表征 在 DX-2000 型转靶 X 射线衍射仪上进行圆片状 陶瓷的物相分析,采用 CuKα 靶,电压 40 kV,电流 30 mA,扫描速度 0.09/min,起始角度 20°,终止角 度 80°。采用 NEXUS-670 型 Fourier 红外光谱仪测试 样品粉末的红外性能。采用 IRE-2 型红外辐射测量仪 在不同温度下测量圆片状陶瓷的红外辐射性能,测试 波段范围为 3~5 μm 和 8~14 μm。
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