ZMM56稳压二极管原厂DCY品牌推荐

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MM5Z5V6T1G稳压二极管原厂DCY品牌推荐

MM5Z5V6T1G稳压二极管原厂DCY品牌推荐

Zener Voltage Regulators150mW SOD–523Surface MountWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.ORDERING INFORMATIONDevice Package Shipping MM5ZXXXT1GSOD-5233000/Tape&ReelThis series of Zener diodes is packaged in a SOD–523surface mount package that has a power dissipation of 100mW.They are designed to provide voltage regulation protection and are especially attractive in situations where space is at a premium.They are well suited for applications such as cellular phones,hand held portables,and high density PC boards.Specification Features:•Standard Zener Breakdown Voltage Range –2.4V to 75V •Steady State Power Rating of 200mW•Small Body Outline Dimensions:0.047"x 0.032"(1.20mm x 0.80mm)•Low Body Height:0.028"(0.7mm)•ESD Rating of Class 3(>16kV)per Human Body ModelMechanical Characteristics:CASE:Void-free,transfer-molded,thermosetting plastic Epoxy Meets UL 94V-0LEAD FINISH:100%Matte Sn (Tin)QUALIFIED MAX REFLOW TEMPERATURE:260°C Device Meets MSL 1Requirements MOUNTING POSITION:AnyMAXIMUM RATINGSRatingSymbol Max Unit Total Device Dissipation FR−5Board,P D150mW@T A =25︒C Junction and Storage T J,Tstg−65to ︒CTemperature Range+150Maximum ratings are those values beyond which devicedamage can occur.Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions)and are not valid simultaneously.If these limits are exceeded,device functional operation is not implied,damage may occur and reliability may be affected.MM5Z2V4T1G SERIES12CATHODE ANODEMARKING DIAGRAMxx dxx=Specific Device Code d =Date CodeSOD–523MM5Z2V4T1G SERIES ELECTRICAL CHARACTERISTICS I(T A=25︒C unless otherwise noted,I FV F=0.9V Max.@I F=10mA for all types)Symbol ParameterVZ Reverse Zener Voltage@I ZT IZT Reverse Current VZVRVZ ZT Maximum Zener Impedance@I I R VFZT IZTIZK Reverse CurrentZZK Maximum Zener Impedance@I ZKIR Reverse Leakage Current@V RV R Reverse VoltageI F Forward Current Zener Voltage Regulator V F Forward Voltage@I FQV Z Maximum Temperature Coefficient of V ZC Max.Capacitance@V R=0and f=1MHz100(%)80DISS IP ATI ON 60 40POWER20255075100125150TEMPERATURE(︒C)Figure1.Steady State Power Derating MM5Z2V4T1G SERIESELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A =25︒C unless otherwise noted,V F =0.9V Max.@I F =10mA for all types)Zener Voltage (Note 1)Zener Impedance Leakage CurrentQ V Z C ZZT(mV/k)@V =0V(Volts)@I@I ZT Z@II @VRZZKR@IZTf =1MHzDevice ZTZKRDevice Marking Min Nom Max mA W W mA m A Volts Min Max pF MM5Z2V4T1G 00 2.2 2.4 2.651001000 1.050 1.0−3.50450MM5Z2V7T1G 01 2.5 2.7 2.951001000 1.020 1.0−3.50450MM5Z3V0T1G 02 2.8 3.0 3.251001000 1.010 1.0−3.50450MM5Z3V3T1G 05 3.1 3.3 3.55951000 1.05 1.0−3.50450MM5Z3V6T1G 06 3.4 3.6 3.85901000 1.05 1.0−3.50450MM5Z3V9T1G 07 3.7 3.9 4.15901000 1.03 1.0−3.5−2.5450MM5Z4V3T1G 08 4.0 4.3 4.65901000 1.03 1.0−3.50450MM5Z4V7T1G 09 4.4 4.7 5.0580800 1.03 2.0−3.50.2260MM5Z5V1T1G 0A 4.8 5.1 5.4560500 1.02 2.0−2.7 1.2225MM5Z5V6T1G 0C 5.2 5.6 6.0540400 1.01 2.0−2.0 2.5200MM5Z6V2T1G 0E 5.8 6.2 6.6510100 1.03 4.00.4 3.7185MM5Z6V8T1G 0F 6.4 6.87.2515160 1.02 4.0 1.2 4.5155MM5Z7V5T1G 0G 7.07.57.9515160 1.01 5.0 2.5 5.3140MM5Z8V2T1G 0H 7.78.28.7515160 1.00.7 5.0 3.2 6.2135MM5Z9V1T1G 0K 8.59.19.6515160 1.00.27.0 3.87.0130MM5Z10VT1G 0L 9.41010.6520160 1.00.18.0 4.58.0130MM5Z11VT1G 0M 10.41111.6520160 1.00.18.0 5.49.0130MM5Z12VT1G 0N 11.41212.752580 1.00.18.0 6.010130MM5Z13VT1G 0P 12.413.2514.153080 1.00.18.07.011120MM5Z15VT1G 0T 14.31515.8530200 1.00.0510.59.213110MM5Z16VT1G 0U 15.316.217.1240200 1.00.0511.210.414105MM5Z18VT1G 0W 16.81819.1245225 1.00.0512.612.416100MM5Z20VT1G 0Z 18.82021.2255225 1.00.0514.014.41885MM5Z22VT1G 1020.82223.3255250 1.00.0515.416.42085MM5Z24VT1G 1122.824.225.6270120 1.00.0516.818.42280MM5Z27VT1G 1225.12728.9280300 1.00.0518.921.425.370MM5Z30VT1G 14283032280300 1.00.0521.024.429.470MM5Z33VT1G 18313335280300 1.00.0523.227.433.470MM5Z36VT1G 19343638290500 1.00.0525.230.437.470MM5Z39VT1G 203739412130500 1.00.0527.333.441.245MM5Z43VT1G 214043461150500 1.00.0530.137.646.640MM5Z47VT1G 1A 4447501170500 1.00.0532.942.051.840MM5Z51VT1G 1C 4851541180500 1.00.0535.746.657.240MM5Z56VT1G 1D 5256601200500 1.00.0539.252.263.840MM5Z62VT1G 1E 5862661215500 1.00.0543.458.871.635MM5Z68VT1G 1F 6468721240500 1.00.0547.665.679.835MM5Z75VT1G1G70757912555001.00.0552.573.488.6351.Zener voltage is measured with a pulse test current I Z at an ambient temperature of 25︒C.MM5Z2V4T1G SERIESSC-79/SOD-523DIMENSIONS (mm are the original dimensions)UNIT A b p c D E H E V m m0.70.350.2 1.30.9 1.70.150.50.250.11.10.71.5Note1.The marking bar indicates the cathode.OUTLINE REFERENCES EUROPEAN ISSUE DATEVERSION IECJEDECEIAJ PROJECTIONSOD523SC-7998-11-25。

MM1Z5V6稳压管系列原厂DCY推荐

MM1Z5V6稳压管系列原厂DCY推荐
Surface Mount Zener Diodes
Features: *500mw Power Dissipation *Ideal for Surface Mountted Application *Zener Breakdown Voltage Range 2.4V to 51V *Pb-Free package is available Mechanical Data: *Case : SOD-123 Molded plastic *Terminals: Solderabl8 *Polarity: Cathode Indicated by Polarity Band *Marking: Marking Code (See Table on Page 2) *Weigh: 0.01grams(approx)
Note: 1. Tested with pulses, period = 5ms, pulse width = 300us. 2. When provided, otherwise, parts are provided with date code only, and type number identifications appears on reel only. 3. f=1KHz.
O
-
-
75
100
125
150
Rev.O 1/3
MM1Z2V4T1G Series
Electrical Characteristics ( TA =25 C unless otherwise noted, VF =0.9V Max@ IF =10mA)
Zener Voltage R ange
(1)
Maximum Zener Impedance(3) ZZT @ I ZT 100 100 95 95 90 90 90 80 60 40 10 15 15 15 15 20 20 25 30 30 40 45 55 55 70 80 80 80 90 130 100 100 100

常用二三极管品牌

常用二三极管品牌

常用二三极管品牌二三极管是一种常见的电子元器件,广泛应用于电子设备中的电路设计和电流控制。

在市场上,存在着许多不同品牌的二三极管供应商,每个品牌都有其自身的特点和优势。

以下是一些常用的二三极管品牌的介绍。

1. 三极管品牌:1.1 ABC SemiconductorABC Semiconductor是一家知名的半导体公司,专注于三极管的研发和生产。

他们提供了多种型号的三极管,包括NPN型和PNP型。

ABC Semiconductor的产品以其高性能、可靠性和稳定性而闻名。

1.2 XYZ ElectronicsXYZ Electronics是一家全球领先的电子元器件制造商,其产品范围包括各种类型的三极管。

他们的三极管具有低噪声、高频率和高电流处理能力等特点,适用于各种应用场景。

1.3 DEF SemiconductorsDEF Semiconductors是一家专注于高性能三极管的公司。

他们的产品具有低电压损耗、高温度耐受能力和快速开关特性,适用于高频率和功率放大等应用。

2. 二极管品牌:2.1 GHI ElectronicsGHI Electronics是一家专注于二极管制造的公司,他们提供了多种不同类型的二极管,包括整流二极管、肖特基二极管和发光二极管等。

他们的产品具有高效能、低功耗和长寿命的特点。

2.2 JKL SemiconductorsJKL Semiconductors是一家知名的半导体公司,其二极管产品广泛应用于各种电子设备中。

他们的二极管具有高速开关、低反向漏电流和高温度耐受能力等特点,适用于各种电路设计需求。

2.3 MNO ElectronicsMNO Electronics是一家提供各种二极管解决方案的公司。

他们的产品包括普通二极管、快恢复二极管和肖特基二极管等,适用于不同的应用场景。

MNO Electronics的二极管具有高可靠性、低功耗和快速开关特性。

以上仅是常见的二三极管品牌的介绍,市场上还有许多其他品牌可供选择。

常用二三极管品牌

常用二三极管品牌

常用二三极管品牌一、引言二三极管是电子元器件中常见的一种器件,广泛应用于电子电路中的开关、放大、整流、稳压等功能。

在市场上,有许多常用的二三极管品牌供选择,本文将详细介绍几个常用的二三极管品牌及其特点。

二、常用二三极管品牌及特点1. 三极管品牌A品牌A是一家知名的电子元器件创造商,其生产的三极管具有以下特点:a) 高性能:品牌A的三极管具有优异的性能指标,如低噪声系数、高电流放大倍数等,能满足各种应用需求。

b) 可靠性:品牌A的三极管经过严格的质量控制,具有稳定可靠的性能,长期工作不易浮现故障。

c) 多样性:品牌A提供多种型号的三极管,包括PNP型和NPN型,以满足不同电路设计的需求。

d) 广泛应用:品牌A的三极管广泛应用于通信、计算机、汽车电子等领域,得到了市场的广泛认可。

2. 二极管品牌B品牌B是一家专注于二极管生产的公司,其二极管具有以下特点:a) 高速开关:品牌B的二极管具有快速的开关速度,适合于高频电路和开关电源等应用。

b) 低反向漏电流:品牌B的二极管具有低的反向漏电流,能够提供良好的反向封锁特性。

c) 低电压降:品牌B的二极管的正向电压降较低,有助于减少电路功耗。

d) 封装多样性:品牌B提供多种封装形式的二极管,如SOT-23、SOT-89等,以适应不同的应用场景。

3. 二三极管品牌C品牌C是一家国内知名的二三极管创造商,其产品具有以下特点:a) 价格优势:品牌C的二三极管价格相对较低,适合大规模生产和成本敏感型项目。

b) 稳定性:品牌C的产品经过严格的质量控制,具有稳定的性能和可靠性。

c) 宽温度范围:品牌C的二三极管能够在较宽的温度范围内正常工作,适应各种环境要求。

d) 定征服务:品牌C提供定制化的二三极管解决方案,根据客户需求进行产品设计和生产。

4. 二三极管品牌D品牌D是一家国际知名的电子元器件创造商,其二三极管具有以下特点:a) 高集成度:品牌D的二三极管具有高度集成的特点,能够满足复杂电路设计的需求。

常用二三极管品牌

常用二三极管品牌

常用二三极管品牌一、引言二三极管是电子元器件中常用的一种器件,广泛应用于电子电路中的开关、放大、整流等功能。

本文将介绍几个常用的二三极管品牌及其特点,以帮助读者在选择合适的二三极管时做出明智的决策。

二、品牌一:ABC电子ABC电子是一家知名的电子元器件制造商,其二三极管产品系列多样且质量可靠。

以下是ABC电子的几款常用二三极管产品:1. 二极管型号:ABC123- 优点:高可靠性、低功耗、快速开关速度- 应用:常用于电源管理、信号放大等领域2. 三极管型号:ABC456- 优点:高电流放大倍数、低噪声、高频特性好- 应用:常用于音频放大、射频放大等领域3. 三极管型号:ABC789- 优点:高电压承受能力、低饱和压降、高温度工作能力- 应用:常用于开关电源、高压电路等领域三、品牌二:XYZ科技XYZ科技是一家专注于半导体器件生产的公司,其二三极管产品在市场上享有很高的声誉。

以下是XYZ科技的几款常用二三极管产品:1. 二极管型号:XYZ123- 优点:超高速开关、低反向漏电流、高耐压能力- 应用:常用于高频开关电路、光电子器件等领域2. 三极管型号:XYZ456- 优点:高电流放大倍数、低噪声、高频特性好- 应用:常用于音频放大、射频放大等领域3. 三极管型号:XYZ789- 优点:高电压承受能力、低饱和压降、高温度工作能力- 应用:常用于开关电源、高压电路等领域四、品牌三:123电子123电子是一家专业从事电子元器件研发和制造的公司,其二三极管产品在市场上备受认可。

以下是123电子的几款常用二三极管产品:1. 二极管型号:123ABC- 优点:快速恢复速度、低反向漏电流、高温度工作能力- 应用:常用于电源管理、光电子器件等领域2. 三极管型号:123XYZ- 优点:高电流放大倍数、低饱和压降、高频特性好- 应用:常用于音频放大、射频放大等领域3. 三极管型号:123DEF- 优点:高电压承受能力、低噪声、高可靠性- 应用:常用于开关电源、高压电路等领域五、总结本文介绍了几个常用的二三极管品牌及其特点。

常用二三极管品牌

常用二三极管品牌

常用二三极管品牌二三极管是一种常见的电子元件,广泛应用于电子电路中的放大、开关和整流等功能。

在市场上,有许多知名的二三极管品牌提供各种类型和规格的产品。

以下是几个常用的二三极管品牌及其特点和产品系列介绍。

1. 三星(Samsung)三星是全球知名的电子产品创造商,也是二三极管领域的重要品牌之一。

三星的二三极管产品具有高品质和可靠性,广泛应用于各种电子设备中。

其产品系列包括小功率二极管、高压二极管、小功率三极管和高压三极管等。

三星的二三极管在性能、稳定性和可靠性方面都表现出色。

2. 东芝(Toshiba)东芝是一家日本知名的电子公司,其二三极管产品在市场上享有很高的声誉。

东芝的二三极管以其高性能和可靠性而闻名,被广泛应用于各种电子设备中。

其产品系列包括低噪声二极管、功率二极管、高频三极管和功率三极管等。

东芝的二三极管在各种应用场景下都能提供出色的性能和稳定性。

3. 恩智浦(NXP)恩智浦是一家全球率先的半导体解决方案供应商,也是二三极管领域的重要参预者之一。

恩智浦的二三极管产品以其高集成度、低功耗和稳定性而受到广泛关注。

其产品系列包括低噪声二极管、功率二极管、高频三极管和功率三极管等。

恩智浦的二三极管在各个行业的应用中都能满足不同的需求。

4. 美国微米(Microsemi)美国微米是一家专注于半导体和系统解决方案的公司,其二三极管产品在高可靠性和高性能方面具有显著优势。

美国微米的二三极管产品广泛应用于航空航天、国防和工业等领域,以满足严苛的环境要求。

其产品系列包括高温二极管、高压二极管、高功率三极管和高频三极管等。

美国微米的二三极管可靠性高,适合于各种苛刻的工作环境。

5. 中国电子(CETC)中国电子是中国最大的电子信息产品创造商之一,也是二三极管领域的重要参预者之一。

中国电子的二三极管产品以其高性价比和可靠性而受到广泛认可。

其产品系列包括低噪声二极管、功率二极管、高频三极管和功率三极管等。

中国电子的二三极管在国内外市场上都有较大的市场份额,为各种电子设备提供了可靠的解决方案。

电器元件品牌

电器元件品牌

电器元件品牌一、引言电器元件是指用于电气设备中的各种零部件,包括电阻器、电容器、电感器、二极管、三极管等。

在电子设备的设计和创造过程中,选择合适的电器元件品牌至关重要。

本文将介绍几个知名的电器元件品牌,包括其品牌背景、产品特点以及市场影响力。

二、知名电器元件品牌1. ABC电子公司ABC电子公司成立于1980年,总部位于美国。

该公司是全球率先的电器元件创造商之一,产品覆盖了电阻器、电容器、电感器等多个领域。

其产品以质量稳定、性能可靠而闻名,广泛应用于消费电子、通信设备、汽车电子等领域。

ABC电子公司拥有先进的生产设备和严格的质量控制体系,为客户提供高质量的电器元件产品。

2. XYZ半导体有限公司XYZ半导体有限公司是一家全球知名的半导体元件创造商,成立于1995年,总部位于日本。

该公司专注于二极管、三极管、集成电路等产品的研发和生产。

XYZ半导体有限公司以技术创新和产品质量为核心竞争力,其产品在能效、稳定性和可靠性方面表现出色。

公司产品广泛应用于电力电子、工业自动化、航空航天等领域,深受客户信赖。

3. EFG电容器集团EFG电容器集团是一家专业从事电容器研发、生产和销售的企业,总部位于中国。

该集团成立于2000年,拥有先进的生产工艺和设备,并通过ISO质量管理体系认证。

EFG电容器集团产品种类丰富,包括铝电解电容器、陶瓷电容器、聚酯薄膜电容器等。

其产品在电源、电子通信、新能源等领域具有广泛的应用,以高性能、长寿命和稳定性能而受到市场认可。

4. LMN磁性元件公司LMN磁性元件公司是一家专业从事磁性元件研发和创造的企业,总部位于德国。

该公司成立于1990年,拥有强大的研发团队和先进的生产设备。

LMN磁性元件公司的产品包括电感器、变压器、磁珠等,广泛应用于电力电子、通信设备、汽车电子等领域。

公司产品以高效、节能和可靠性能而著称,深受客户青睐。

三、市场影响力和竞争优势以上介绍的电器元件品牌在市场上具有较大的影响力和竞争优势。

DMZ0615E厂家MOS管推荐DCY品牌

DMZ0615E厂家MOS管推荐DCY品牌

DMZ0615EUltrahigh Threshold Voltage Depletion-Mode Power MOSFETGeneral FeaturesESD improved CapabilityDepletion Mode (Normally On)Proprietary Advanced Planar TechnologyProprietary Advanced Ultrahigh Vth Technology RoHS CompliantHalogen-free availableApplicationsQuick Charger Current Source Voltage SourceNormally-on SwitchesGeneral DescriptionThis novel depletion mode MOSFET, developed and manufactured by ARK proprietary ultrahigh threshold voltage technology. By using the sub threshold characteristics, the depletion mode MOSFET can provide stably power to the load, and the voltage can be clamped to protect the load without Zener diode, and the circuit consumption is reduced.DrainGateSourceSOT-23NOTE:[1] T J=+25℃to +150℃[2] Repetitive rating, pulse width limited by maximum junction temperature.[3] Pulse width≤380µs; duty cycle≤2%.Rev. 1.2 Feb. 2017Rev. 1.2 Feb. 2017Depletion mode MOSFET has the function of providing power for IC in circuit, as shown in Figure 3.Figure 3The parameters of the depletion mode MOSFET and the resistance (R L) of the IC are jointly determined the voltage(V out) and current(I D) supplied to the IC.I D = I DSS(1+I D R L/V GS(OFF))2V out = -V GS = I D R LFigure 4By this way, the depletion mode MOSFET operate in sub-threshold region, the gate voltage(V GS) is always at or below threshold voltage(V GS(OFF)), even when the input voltage(V in) is increased or the peak voltage occurs also so. Therefore, in addition to provide power for IC, the device can clamp voltage, the IC is protected. The V out and V in have the following formula:If V in <∣V GS(OFF)∣, then V out ≈V inIf V in ≥∣V GS(OFF)∣, then V out ≤V GS(OFF)The Ultrahigh Threshold Voltage Depletion-Mode Power MOSFET--DMZ0615E, was developed by ARK Microelectronics using proprietary technology. The threshold voltage of DMZ0615E exceeds -16V, can provide sufficient voltage for IC.Rev. 1.2 Feb. 2017In the QC2.0/3.0 and Type-C charger circuits, using the depletion mode MOSFET can make the PWM IC power supply circuit more simplified, as shown below:In Figure 5, the transistor Q3 is used to provide power, and the zener diode ZD is used to clamp voltage, the power supply circuit of IC is composed of several components.PWM ICFigure 5In figure 6, providing power and clamp voltage use only one device-DMZ0615E, the circuit is simplified.PWM ICFigure 6Rev. 1.2 Feb. 2017Rev. 1.2 Feb. 2017。

SS55 SMC(DO-214AB)肖特基二极管原厂DCY品牌推荐

SS55 SMC(DO-214AB)肖特基二极管原厂DCY品牌推荐

SS52 THRU SS520SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERReverse Voltage - 20 to 200 Volts Forward Current - 5.0AmperesFEATURESMECHANICAL DATAMAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICSPlastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0Metal silicon junction ,majority carrier conduction For surface mount applications Low power loss ,high efficiencyHigh current capability ,Low forward voltage drop Low profile packageBuilt-in strain relief ,ideal for automated placement For use in low voltage ,high frequency inverters,free wheeling ,and polarity protection applicationsHigh temperature soldering guaranteed:260 C/10 seconds at terminalsCase : JEDEC SMC(DO-214AB) molded plastic bodyT erminals : solder plated ,solderable per MIL-STD-750,method 2026Polarity : color band denotes cathode end Weight : 0.007ounce,0.21 gram(Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified ,Single phase ,half wave ,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.)Dimensions in inches and (millimeters)SMC(DO-214AB)0.260(6.60)0.305(7.75)Notes : 1.Pulse test: 300 s pulse width,1% duty cycle2. P .C.B. mounted 0.55X0.55"(14X14mm) copper pad areas3.Measured at 1MHz and reverse voltage of4.0 volts10.010.0010.0110.110200.11030609012050101101000.20.40.60.81.01.61.41.2FIG.1-FORWARD CURRENT DERATING CURVEFIG.2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD SURGE CURRENTFIG.3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISTICSFIG.4-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICSI N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T ( A M P E R E S )I N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T (m A )P E A K F O R W A R D S U R G EC U R R E N T (A MP E R E S )INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)REVERSE VOLTAGE. VOLTS T , PULSE DURATION ,sec.PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE%NUMBER OF CYCLES AT 60Hz101100.10.10.011101001001000100FIG.5-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCEFIG.6-TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCEJ U N C T I O N C A P A C I T A N C E (p F )T R A N S I E N T T H E R M A L I M P E D A N C E , C / W204060801001201502.03.04.05.01.0A V E R A G E F O R W A R D C U R R E N T A M P E R E SLEAD TEMPERATURE ( C)2SS52 THRU SS520SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERReverse Voltage - 20 to 200 Volts Forward Current - 5.0Amperes。

电器元件品牌

电器元件品牌

电器元件品牌一、概述电器元件是指用于电子设备中的各种电气、电子元器件,包括电阻、电容、电感、二极管、三极管、集成电路等。

在市场上存在着众多的电器元件品牌,每一个品牌都有其独特的特点和优势。

本文将介绍几个知名的电器元件品牌及其产品系列和应用领域。

二、知名品牌介绍1. ABC电子ABC电子是一家全球率先的电器元件创造商,成立于1990年。

该公司专注于研发、生产和销售各种电子元器件,产品涵盖电阻、电容、电感、二极管等。

ABC电子以其高品质、可靠性和创新性而闻名,产品广泛应用于通信、汽车、工业控制等领域。

2. XYZ半导体XYZ半导体是一家专注于半导体器件生产的知名品牌,成立于2005年。

该公司的产品线包括二极管、三极管、集成电路等,广泛应用于电源管理、射频通信、工业自动化等领域。

XYZ半导体以其稳定性、高性能和低功耗而备受市场青睐。

3. DEF电容器DEF电容器是一家专业生产电容器的公司,成立于1988年。

该公司的产品种类繁多,包括陶瓷电容器、铝电解电容器、钽电解电容器等。

DEF电容器以其高质量、长寿命和稳定性能而享有盛誉,产品广泛应用于电源、通信、电子设备等领域。

4. MNO电感器MNO电感器是一家专注于电感器生产的品牌,成立于1995年。

该公司的产品包括线圈电感器、片式电感器、高频电感器等。

MNO电感器以其高感应性、低损耗和可靠性而受到市场认可,广泛应用于电源、通信、医疗设备等领域。

三、产品系列和应用领域1. ABC电子- 电阻系列:包括普通电阻、高精度电阻、功率电阻等。

应用于电路调节、信号处理、传感器等领域。

- 电容系列:包括陶瓷电容器、铝电解电容器、有机电容器等。

应用于电源滤波、信号耦合、存储电路等领域。

- 电感系列:包括线圈电感器、高频电感器、电源电感器等。

应用于功率转换、滤波器、无线通信等领域。

2. XYZ半导体- 二极管系列:包括整流二极管、肖特基二极管、发光二极管等。

应用于电源管理、光电传感、通信设备等领域。

常用稳压二极管型号

常用稳压二极管型号
1N7471N7481N749HZ4 RD3.9E3.9-4.52CW52
1N750 1N751HZ5 05Z5.1 RD5A RD5.1E4-5.8 2CW53
1N752 1N753HZ6HZ6.2E05Z5.6E RD6A 5.5-6.52CW54
1N754 HZ6.8E02Z6。8ARD6.8E RD7A 6.2-7.5 2CW55
ﻫ1N47273V0
1N47283V3
1N47293V6
1N47303V9
1N47314V3
1N4732 4V7
1N47335V1
1N47345V6
1N4735 6V2
1N47366V8
1N47377V5ﻫ1N4738 8V2ﻫ1N47399V1
1N474010V
1N474111Vﻫ1N4742 12V
1N7551N756HZ7HZ7.5E05Z7.5 RD7.57-8.5 2CW56
1N757HZ9 RD9A 8.5-9.5 2CW57
1N758HZ10A RD10E9.2-10.5 2CW58
1N7141N962 1S335HZ11 HZ11ERD11E 10-11.8 2CW59
1N963HZ12E 05Z12BZX79C12 RD12E 11.5-12.52CW60
DZ是稳压管的电器编号,是和1N4148和相近的,其实1N4148就是一个0.6V的稳压管,下面是稳压管上的编号对应的稳压值,有些小的稳压管也会在管体上直接标稳压电压,如5V6就是5.6V的稳压管。ﻫ1N4728A3.3
1N4729A3.6ﻫ1N4730A 3.9
1N4731A 4.3ﻫ1N4732A4.7
常用稳压二极管型号
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SS56A肖特基二极管DCY品牌厂家推荐

SS56A肖特基二极管DCY品牌厂家推荐

bcdefgb 0012 001 001 0011 001 001 00180011 00128 740
o<p>FKFJHIH=>=>VHIH<qJHVHJAHVML=<@H o<p>FKF;oTVML=<@H o<p>FKFrEGLMPq>?@VML=<@H o<p>FKF<VHJ<@HQMJO<JRJHP=>Q>HRPKJJH?= <=a:sAHHQ>@Smt
¼½¾¿Á

特性曲线 Characteristic Curves
SS52 ...... SS520
1 015 &!0,11*08 00 9623&3 89 00 42
346291 402104 4!2 16*&! 00 ,6108
&35%1(&!0,1089 00 428 0123459 0

YTZV

3333QQ3333 0 06 ! 215 ! 26
201463 422
90b*,1 3* 8149
346214214 *!3 6310* 00 66 9 00 42
2 10 &!0,11*08 60 065 9 00 42
hFIA
XSvDXSm C
XSX ^ML=A Fh
a\I>P<LnK?P=>M?P<I<P>=<?PHs{_aymt _a\IIH>PJ<<=L>?=N@HnJKF?<P=L>MJH?A=>AH=F<?IPHHJ<s={KJ_HaJy<?C@tH T=MJ<@H=HFIHJ<=KJHJ<?@H

ZMM4V7稳压二极管原厂DCY品牌推荐

ZMM4V7稳压二极管原厂DCY品牌推荐

<10
1
-0.05...+0.02
ZMM 5V1
5.1
5
4.8...5.4
<35
<550
1
<0.1
<2
1
-0.02...+0.02
ZMM 5V6
5.6
5
5.2...6.0
<25
<450
1
<0.1
<2
1
-0.05...+0.05
ZMM 6V2
6.2
5
5.8...6.6
<10
<200
1
<0.1
<2
2
0.03...0.06
<10
<50
1
<0.1
<2
6.8
0.03...0.09
ZMM 10
10
5
9.4...10.6
<15
<70
1
<0.1
<2
7.5
0.03...0.1
ZMM 11
11
5
10.4...11.6
<20
<70
1
<0.1
<2
8.2
0.03...0.11
ZMM 12
12
5
11.4...12.7
<20
<90
1
<0.1
2.0
5
1.80...2.15
<85
<600
1
<100
<200
1
-0.09...-0.06

稳压二极管系列

稳压二极管系列

北京市半导体器件六厂稳压二极管系列稳压二极管系列符号说明VZ 工作电压IZ 测试电流IR 反向电流VR 反向电压VF 正向压降IF 正向电流RZ 动态电阻IZM 最大直流工作电流αVZ 工作电压温度系数Ptot 最大耗散功率1/2W 2CW (ZW 、RLS )50~78系 列 稳 压 管用途:在电子设备中用于对电压进行调整及稳定电压的作用。

结构:硅外延平面工艺 机械性能:封装形式: DO-35型玻璃轴向外引线封装 结构,引出端材料为杜美丝。

LL-34表面贴装极性:色环表示阴极 贮存温度:-55℃~150℃ 环境温度:-55℃~125℃ 最高结温:+150℃最大额定功率:500 mW (当TA>25℃时,ZW50~78按4mW/℃的速度线性地降额)质量等级:军品:J 、GS 、G 、G+、CASTC 民品:Ⅱ类(工业级)DO-35执行标准:军品:GJB33A-1997《半导体分立器件总规范》QZJ840611《半导体二、三极管“七专”技术条件》民品:GB4589.1-2006《半导体器件分立器件和集成电路总规范》参 数 表TA =25℃参 数型 号VZ (V )条件 IZ (mA )RZ (Ω)条件 IZ (mA )IR (µA )条件 VR (V )VF (V )条件 IF (mA )IzM (mA )2CW50(ZW50、RLS50) 1.0~2.8 10 ≤50 10 ≤10 0.5 83 2CW51(ZW51、RLS51) 2.5~3.5 10 ≤60 10 ≤5 0.5 71 2CW52(ZW52、RLS52) 3.2~4.5 10 ≤70 10 ≤2 0.5 55 2CW53(ZW53、RLS53) 4.0~5.8 10 ≤57 10 ≤1 1 41 2CW54(ZW54、RLS54) 5.5~6.5 10 ≤30 10 ≤0.5 1 38 2CW55(ZW55、RLS55) 6.2~7.5 10 ≤15 10 ≤0.5 1 33 2CW56(ZW56、RLS56) 7.0~8.8 5 ≤15 5 ≤0.5 1 27 2CW57(ZW57、RLS57) 8.5~9.5 5 ≤20 5 ≤0.5 1 26 2CW58(ZW58、RLS58) 9.2~10.5 5 ≤25 5 ≤0.5 1 23 2CW59(ZW59、RLS59) 10~11.8 5 ≤30 5 ≤0.5 1 20 2CW60(ZW60、RLS60) 11.5~12.5 5 ≤40 5 ≤0.5 1 19 2CW61(ZW61、RLS61) 12.2~14 3 ≤50 3 ≤0.5 1 16 2CW62(ZW62、RLS62) 13.5~17 3 ≤60 3 ≤0.5 1 14 2CW63(ZW63、RLS63) 16~19 3 ≤70 3 ≤0.5 1 13 2CW64(ZW64、RLS64) 18~21 3 ≤75 3 ≤0.5 1 11 2CW65(ZW65、RLS65) 20~24 3 ≤80 3 ≤0.5 1 10 2CW66 (ZW66、RLS66) 23~26 3 ≤85 3 ≤0.5 1 9 2CW67(ZW67、RLS67) 25~28 3 ≤90 3 ≤0.5 1 9 2CW68 (ZW68、RLS68) 27~30 3 ≤95 3 ≤0.5 1 8 2CW69 (ZW69、RLS69) 29~33 3 ≤95 3 ≤0.5 1 7 2CW70 (ZW70、RLS70) 32~36 3 ≤100 3 ≤0.5 1 7 2CW71 (ZW71、RLS71) 35~40 3 ≤100 3 ≤0.5 1≤1 1006备 注 可根据用户具体要求,选定稳压范围封装型式及逻辑图尺寸见附图DO-35: LL-34参 数 表TA =25℃参 数 型 号VZ (V )条件 IZ (mA )RZ (Ω)条件 IZ (mA )IR (µA )条件 VR (V )VF (V )条件 IF (mA )IzM (mA )2CW72(ZW72、RLS72) 7~8.8 5 ≤6 5 ≤0.1 1 29 2CW73(ZW73、RLS73) 8.5~9.5 5 ≤10 5 ≤0.1 1 25 2CW74(ZW74、RLS74) 9.2~10.5 5 ≤12 5 ≤0.1 1 23 2CW75(ZW75、RLS75) 10~11.8 5 ≤15 5 ≤0.1 1 21 2CW76(ZW76、RLS76) 11.5~12.5 5 ≤18 5 ≤0.1 1 20 2CW77(ZW77、RLS77) 12.2~14 5 ≤18 5 ≤0.1 1 18 2CW78(ZW78、RLS78) 13.5~17 5 ≤21 5 ≤0.1 1≤1 1014备 注 可根据用户具体要求,选定稳压范围封装型式及逻辑图尺寸见附图DO-35: LL-34互 换 型 号本厂型号 互换型号 本厂型号 互换型号ZW50 1N4370 ZW64 1N968ZW51 1N4371、1N4372、1N746、 ZW65 1N969 ZW52 1N747、1N748、1N749 ZW66 1N970 ZW53 1N750、1N751 ZW67 1N971 ZW54 1N752、1N753 ZW68 1N972 ZW55 1N754 ZW69 1N973 ZW56 1N755、1N756 ZW70 1N974 ZW57 1N757 ZW71 1N975 ZW58 1N758 ZW59 1N962 ZW60 1N963 ZW61 1N964 ZW62 1N965、1N966 ZW63 1N9671W 2CW (ZW 、RLS )100~121系 列 稳 压 管用途:在电子设备中用于对电压进行调整及稳定电压的作用。

常用二三极管品牌

常用二三极管品牌

常用二三极管品牌引言概述:二三极管是电子元器件中常用的一种,广泛应用于电子电路中。

在市场上,有许多知名的二三极管品牌,每个品牌都有其特点和优势。

本文将介绍一些常用的二三极管品牌及其特点。

一、国产品牌1.1 三安电子:作为国内知名的半导体元器件制造商,三安电子生产的二三极管质量稳定,性能可靠。

其产品广泛应用于通信、电源、汽车电子等领域。

1.2 东方电子:东方电子是中国最大的半导体器件制造商之一,其二三极管产品种类丰富,适用于各种不同的电子应用场景。

1.3 长电科技:长电科技是中国领先的半导体元器件制造商,其二三极管产品具有优良的性能和稳定的质量,广受市场认可。

二、国际品牌2.1 三菱电机:三菱电机是日本知名的电子元器件制造商,其二三极管产品质量可靠,性能稳定,广泛应用于工业控制、电力电子等领域。

2.2 恩智浦:恩智浦是荷兰知名的半导体公司,其二三极管产品技术领先,具有优秀的性能和稳定性,被广泛应用于消费电子、通信等领域。

2.3 美国安森美半导体:安森美是美国知名的半导体公司,其二三极管产品质量优秀,具有高性能和稳定性,适用于各种高端电子应用场景。

三、高性价比品牌3.1 NXP半导体:NXP半导体是一家国际知名的半导体公司,其二三极管产品性价比高,质量可靠,适用于中高端电子产品。

3.2 台湾积体电路制造公司(TSMC):TSMC是台湾知名的半导体公司,其二三极管产品性能稳定,价格合理,深受消费者喜爱。

3.3 欧司朗:欧司朗是德国知名的半导体公司,其二三极管产品质量可靠,性能优秀,价格适中,是性价比较高的选择。

四、高性能品牌4.1 英飞凌:英飞凌是德国知名的半导体公司,其二三极管产品性能优秀,具有高速、低功耗等特点,适用于高性能电子产品。

4.2 德州仪器:德州仪器是美国知名的半导体公司,其二三极管产品具有优秀的性能和稳定性,广泛应用于工业控制、通信等领域。

4.3 瑞萨电子:瑞萨电子是日本知名的半导体公司,其二三极管产品技术领先,性能稳定,适用于各种高性能电子产品。

常用二三极管品牌

常用二三极管品牌

常用二三极管品牌二三极管是一种常见的电子元件,广泛应用于电子电路中的放大、开关和稳压等功能。

在市场上,有许多不同的二三极管品牌可供选择。

本文将介绍几个常用的二三极管品牌,并对其特点和性能进行详细描述。

1. 三极管品牌1.1 三极管品牌A品牌A是一家知名的电子元器件制造商,其生产的三极管被广泛应用于各种电子设备中。

该品牌的三极管具有高可靠性、低噪声和高频率特性,适用于高要求的放大和开关应用。

其产品质量稳定,性能可靠,被许多电子制造商所信赖。

1.2 三极管品牌B品牌B是一家专注于高性能电子元件生产的公司。

其三极管具有低功耗、高速度和高电流特性,适用于高频率开关和放大应用。

该品牌的三极管在电子行业中享有很高的声誉,被广泛应用于通信设备、计算机和消费电子产品等领域。

1.3 三极管品牌C品牌C是一家国际知名的电子元件制造商,其三极管产品在市场上备受青睐。

该品牌的三极管具有低噪声、高灵敏度和高可靠性特点,适用于精密测量和放大应用。

其产品性能稳定,质量可靠,被广泛应用于医疗设备、工业控制和科学研究等领域。

2. 二极管品牌2.1 二极管品牌D品牌D是一家专业生产二极管的公司,其产品种类繁多,适用于各种不同的电子应用。

该品牌的二极管具有低反向漏电流、高温度耐受和快速开关特性,广泛应用于电源管理、光电子和汽车电子等领域。

其产品质量稳定,性能优越,深受客户好评。

2.2 二极管品牌E品牌E是一家专注于高性能二极管生产的公司。

其产品具有低反向漏电流、高温度耐受和高速开关特性,适用于高频率开关和电源管理应用。

该品牌的二极管在通信设备、工业自动化和航空航天等领域得到广泛应用,被认为是高品质二极管的代表品牌之一。

2.3 二极管品牌F品牌F是一家国际知名的电子元件制造商,其二极管产品在市场上享有很高的声誉。

该品牌的二极管具有低漏电流、高稳定性和快速开关特性,适用于精密测量和电源管理等应用。

其产品质量一直以来都得到客户的认可和信赖。

MMBT2222A原厂DCY品牌推荐

MMBT2222A原厂DCY品牌推荐

=1B;DM DMDM DMBT2222(销售型號MMBT2222)BT2222A(销售型號MMBT2222A)■FEATURES 特點NPN Switching Transistor ■MAX MAXIMUM IMUM RATINGS 最大額定值Characteristic特性參數Symbol 符號GMBT2222GMBT2222AUnit 單位Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓V CEO 3040Vdc Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓V CBO 6075Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓V EBO 5.0 6.0Vdc Collector Current-Continuous 集電極電流-連續Ic600600mAdc■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性Characteristic 特性參數Symbol 符號Max 最大值Unit 單位Total Device Dissipation 總耗散功率FR-5Board(1)T A =25℃溫度爲25℃Derate above25℃超過25℃遞減P D2251.8mW mW/℃Total Device Dissipation 總耗散功率Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2)T A =25℃Derate above25℃超過25℃遞減P D 3002.4mW mW/℃Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻R ΘJA 417℃/W Solder Temperature/Solder Time 焊接溫度/焊接時間T/t 260/10℃/SJunction &Storage Temperature 結溫和儲存溫度T J ,T stg-55to+150℃■DEVICEMARKING 打標BT22222222(销售型號MMBT2222)BT 2222A A (销售型號MMBT2222A)=1PDMDM DM DM DM DM DM DM DM DM DM DM DM DM DM DMBT2222(销售型號MMBT2222)BT2222A(销售型號MMBT2222A)■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性(T A =25℃unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲25℃)Characteristic 特性參數Symbol 符號Min 最小值Max 最大值Unit 單位Collector-Emitter Breakdown Vo ltage(3)集電極-發射極擊穿電壓(Ic=10mAdc,I B =0)V (BR)CEO BT2222BT2222A 3040——VdcCollector-Base Breakdown V oltage 集電極-基極擊穿電壓(Ic=10μAdc,I E =0)V (BR)CBO 6075—__VdcEmitter-Base Breakdown V oltage發射極-基極擊穿電壓(I E =10μAdc,Ic=0)V (BR)EBO 5.06.0—VdcCollector Cutoff Current 集電極截止電流(V CE =60Vdc,V EB (Off)=3.0Vdc)I CEX BT2222A—10nAdc Collector Cutoff Current 集電極截止電流(V CB =50Vdc,I E =0)(V CB =60Vdc,I E =0)(V CB =50Vdc,I E =0,T A =125℃)(V CB =60Vdc,I E =0,T A =125℃)I CBO BT2222BT2222A BT2222BT2222A ————0.010.0110.010.0μAdc Emitter Cutoff Current 發射極截止電流(V EB =3.0Vdc,I C =0)I EBO BT2222A —100nAdc Base Cutoff Current 基極截止電流(V CE =60Vdc,V EB (Off)=3.0Vdc)I BL BT2222A —20nAdc DC Current Gain 直流電流增益H FE —(I c =0.1mAdc,V CE =10.0Vdc)35—(I c =1.0mAdc,V CE =10.0Vdc)50—(I c =10mAdc,V CE =10.0Vdc)75—(I c =10mAdc,V CE =10.0Vdc,T A =-55℃)BT2222A 35—(I c =150mAdc,V CE =10.0Vdc)(3)100300(I c =150mAdc,V CE =1.0Vdc)(3)50—(I c =500mAdc,V CE =10.0Vdc)(3)BT2222BT2222A3040——Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極發射極飽和壓降(I c =150mAdc,I B =15mAdc)(I c =500mAdc,I B =50mAdc)V CE(sat)BT2222BT2222A ————0.40.31.61.0VdcBase-Emitter Saturation V oltage 基極發射極飽和壓降(I c =150mAdc,I B =15mAdc)(I c =500mAdc,I B =50mAdc)V BE(sat)—0.6—— 1.31.22.62.0Vdc DM DMBT2222BT2222ADM DMBT2222BT2222A DM DMBT2222BT2222A DM DMBT2222BT2222ADM DMBT2222BT2222ADM DM DM DM DM DM DM DM f 22222222ADM DM DM DM DM DM ■SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS 小信號特性Characteristic 特性參數Symbol 符號Min 最小值Max 最大值Unit 單位Current-Gain-Bandwidth Product 電流增益-帶寬乘積(I c =20mAdc,V CE =20Vdc,f=100MHz)TBT BT 250300——MHz Output Capacitance 輸出電容(V CB =10.0Vdc,I E =0,f=1.0MHz)C obo—80pF Intput Capacitance 輸入電容(V EB =0.5Vdc,I C =0,f=1.0MHz)C ibo BT2222BT2222A——3025pFIntput Impedance 輸入阻抗(I c =1.0mAdc,V CE =10Vdc,f=1.0kHz)(I c =10mAdc,V CE =10Vdc,f=1.0kHz)hieBT2222A BT2222A2.00.258.01.25kQVoltageFeedbackRadio 電壓反饋係數(I c =1.0mAdc,V CE =10Vdc,f=1.0kHz)(I c =10mAdc,V CE =10Vdc,f=1.0kHz)hreBT2222A BT2222A——8.04.0-4×10Small-Signal Current Gain 小信號電流增益(I c =1.0mAdc,V CE =10Vdc,f=1.0kHz)(I c =10mAdc,V CE =10Vdc,f=1.0kHz)hfeBT2222A BT2222A5075300375—Output Admittance 輸出導納(I c =1.0mAdc,V CE =10Vdc,f=1.0kHz)(I c =10mAdc,V CE =10Vdc,f=1.0kHz)hoeBT2222A BT2222A5.02535200μmhos Collector-Base Time Constant 集電極基極時間(I E =20mAdc,V CB =20Vdc,f=31.8MHz)rb,CcBT2222A—150ps Noise Figure 雜訊係數(I c =100u Adc,V CE =10Vdc,Rs=1.0kQ,f=1.0kHz)NFBT2222A—4.0dB■SWITCHING CHARACTERISTICS 開關特性Characteristic 特性參數Symbol 符號Min 最小值Max 最大值Unit 單位Delay Time 延遲時間(Vcc=30Vdc,V BE(off)=-0.5Vdc Ic=150mAdc,I B1=15mAdc)t d —10ns Rise Time 上升時間t r —25Storage Time 儲存時間(Vcc=30Vdc,Ic=150mAdc,I B1=I B2=15mAdc)t s —225nsFall Time 下降時間t f—601.FR-5=1.0×0.75×0.062in.2.Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.3.Pulse Width<300us;Duty Cycle<2.0%.4.f T is defined as the frequency at which (h fe )extrapolates to unity.DM DMBT2222(號MMBT2222)BT2222A 销售型號MMBT2222A)销售型销售型销售型■DIMENSION 外形封裝尺寸單位(UNIT):mmDM DMBT2222(號MMBT2222)BT2222A 號MMBT2222A)。

ZMM24稳压二极管原厂DCY品牌推荐

ZMM24稳压二极管原厂DCY品牌推荐

Typ. -
LL-34
Max. 0.31)
1
Unit K/mW
V

ZMM 1...ZMM200
Type
Zener Voltage Range1)
Vznom V
lZT for VZT 2)
mA
V
Dynamic Resistance
rZJT
rZJK at IZK

Ω mA
2.0
5
1.80...2.15
<85
<600
1
<100
<200
1
-0.09...-0.06
ZMM 2V2
2.2
5
2.08...2.33
<85
<600
1
<75
<160
1
-0.09...-0.06
ZMM 2V4
2.4
5
2.28...2.56
<85
<600
1
<50
<100
1
-0.09...-0.06
ZMM 2V7
ZMM 150
150
1
138...156
<1250 <6500
0.1
<0.1
<10
110
0.05...0.12
ZMM 160
160
1
153...171
<1400 <7000
0.1
<0.1
<10
120
0.05...0.12
ZMM 180
180
1
168...191

电器元件品牌

电器元件品牌

电器元件品牌一、引言电器元件是指用于电子设备中的各种电子元器件,如电阻、电容、电感、二极管、三极管等。

电器元件的品牌选择对于电子设备的性能和可靠性具有重要影响。

本文将介绍几个知名的电器元件品牌,包括其品牌背景、产品特点以及市场竞争力。

二、知名电器元件品牌介绍1. ABC电子ABC电子是一家全球率先的电器元件创造商,成立于1990年。

该公司专注于研发和生产高品质的电子元器件,并提供广泛的解决方案。

其产品包括电阻、电容、电感等多种元件,广泛应用于通信、汽车、工业控制等领域。

ABC电子以其卓越的品质、可靠性和创新能力在市场上享有良好的声誉。

2. XYZ科技XYZ科技是一家知名的电子元件品牌,成立于2005年。

该公司专注于研发和生产高性能的电子元器件,以满足不同行业的需求。

XYZ科技的产品涵盖了电阻、电容、电感、二极管、三极管等多种元件,具有高精度、高可靠性和长寿命的特点。

该品牌在全球范围内拥有广泛的市场份额,并与许多知名电子设备创造商建立了长期合作关系。

3. EFG元件EFG元件是一家专业的电器元件创造商,成立于1998年。

该公司致力于提供高品质的电子元器件,并不断推出创新产品。

EFG元件的产品包括电阻、电容、电感等多种元件,广泛应用于电子通信、工业自动化、航空航天等领域。

该品牌以其稳定的性能、可靠的质量和优质的服务而获得了客户的一致好评。

三、电器元件品牌的市场竞争力1. 产品质量电器元件品牌的市场竞争力首先取决于产品的质量。

知名品牌在研发和创造过程中严格控制产品的质量,确保其性能稳定可靠。

高品质的产品能够满足客户的需求,并提供长期的使用寿命,因此在市场上具有竞争优势。

2. 技术创新电子行业发展迅速,对于电器元件的要求也在不断提高。

知名品牌不断进行技术创新,推出符合市场需求的新产品。

技术创新不仅可以提升产品的性能和功能,还可以降低成本,提高生产效率,从而在市场上获得竞争优势。

3. 市场口碑知名电器元件品牌在市场上积累了良好的口碑。

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22.8...25.6
<80
<220
1
<0.1
<2
18
0.04...0.12
ZMM 27
27
5
25.1...28.9
<80
<220
1
<0.1
<2
20
0.04...0.12
ZMM 30
30
5
28...32
<80
<220
1
<0.1
<2
22
0.04...0.12
ZMM 33
33
5
31...35
<80
<220
0
ZMM...
Tj=100 oC Tj=25 oC
0.2
0.4
0.6
0.8
1V
VF
Admissible power dissipation versus ambient temperature
Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.
mW
ZMM...
500
P tot
400
300
200
100
0 0
100 Tamb
200o C

Pulse thermal resistance versus pulse duration
Valid provided that the electrodes are kept at ambient temperature.
ZMM... ZMM 8.2
20
Test current Iz 5mA 10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
Vz
8
9
10 V
Breakdown characteristics
Tj = constant (pulsed)
mA 30 Iz 20
10
ZMM 10 ZMM 12 ZMM 15
Test current Iz 5mA
ZMM 18
18
5
16.8...19.1
<50
<170
1
<0.1
<2
13
0.03...0.11
ZMM 20
20
5
18.8...21.2
<55
<220
1
<0.1
<2
15
0.03...0.11
ZMM 22
22
5
20.8...23.3
<55
<220
1
<0.1
<2
16
0.04...0.12
ZMM 24
24
5
2.7
5
2.5...2.9
<85
<600
1
<10
<50
1
-0.09...-0.06
ZMM 3V0
3.0
5
2.8...3.2
<85
<600
1
<4
<40
1
-0.08...-0.05
ZMM 3V3
3.3
5
3.1...3.5
<85
<600
1
<2
<40
1
-0.08...-0.05
ZMM 3V6
3.6
5
3.4...3.8
5 4
r zj
3
2
ZMM... Tj=25o C
100
5 4 3
2
10
2.7
ZMM1
5
3.6
4
4.7
3
5.1
2
1
ZMM5.6
0.1 2
5
1
2
5 10 2
5 100mA
110
1
104...116
<600
<5000
0.1
<0.1
<10
82
0.05...0.12
ZMM 120
120
1
114...127
<800
<5500
0.1
<0.1
<10
91
0.05...0.12
ZMM 130
130
1
124...141
<950
<6000
0.1
<0.1
<10
100
0.05...0.12
These diodes are also available in DO-35 case with the type designation BZX55C...
ZMM 1...ZMM200
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25oC)
Symbol
Value
Unit
Power Dissipation
ZMM 150
150
1
138...156
<1250 <6500
0.1
<0.1
<10
110
0.05...0.12
ZMM 160
160
1
153...171
<1400 <7000
0.1
<0.1
<10
120
0.05...0.12
ZMM 180
180
1
168...191
<1700 <8500
0.1
<0.1
<10
ZMM 18 ZMM 22 ZMM 27
ZMM... Tj=25o C
ZMM 33 ZMM 36
0
0
10
20
30
40 V
Vz

ZMM 1...ZMM200
Breakdown characteristics
Tj = constant (pulsed)
mA 10
Iz 8
Typ. -
LL-34
Max. 0.31)
1
Unit K/mW
V

ZMM 1...ZMM200
Type
Zener Voltage Range1)
Vznom V
lZT for VZT 2)
mA
V
Dynamic Resistance
rZJT
rZJK at IZK

Ω mA
<10
<50
1
<0.1
<2
6.8
0.03...0.09
ZMM 10
10
5
9.4...10.6
<15
<70
1
<0.1
<2
7.5
0.03...0.1
ZMM 11
11
5
10.4...11.6
<20
<70
1
<0.1
<2
8.2
0.03...0.11
ZMM 12
12
5
11.4...12.7
<20
<90
1
<0.1
1
<0.1
<2
24
0.04...0.12
ZMM 36
36
5
34...38
<80
<220
1
<0.1
<2
27
0.04...0.12
ZMM 39
39
2.5
37...41
<90
<500
0.5
<0.1
<5
30
0.04...0.12
ZMM 43
43
2.5
40...46
<90
<500
0.5
<0.1
<5
33
0.04...0.12
5
Ctot
4
3
2
VR=1V VR=2V
ZMM... Tj=25o C
100
7
VR=1V
5
VR=2V
4 3
2
10 1
2 3 4 5 10
2 3 4 5 100V Vz at Iz=5 mA
ZMM 1...ZMM200
Dynamic resistance versus Zener current
1000
Symbol
Min.
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
RthA
-
Forward Voltage at IF = 100mA
VF
-
1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
ZMM 47
47
2.5
44...50
<110
<600
0.5
<0.1
<5
36
0.04...0.12
ZMM 51
51
2.5
48...54
<125
<700
0.5
<0.1
<10
39
0.04...0.12
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