石油华东《电力电子技术》2018年秋学期在线作业(一)
《电力电子技术》第一次作业答案
首页- 我的作业列表- 《电力电子技术》第一次作业答案你的得分：100.0完成日期：2018年09月09日16点13分说明：每道小题选项旁的标识是标准答案。
一、单项选择题。
本大题共30个小题，每小题2.0 分，共60.0分。
在每小题给出的选项中，只有一项是符合题目要求的。
1.电力电子器件一般工作在（）状态。
A.导通B.开关C.截止2.通常情况下（器件开关频率不太高）时，电力电子器件的损耗主要是（）损耗。
A.导通B.关断C.开关3.把直流变换为交流的电路叫做（）电路。
A.整流B.逆变C.斩波D.交流电力控制4.二极管阳极有正向电压，其处于（）状态。
A.导通B.开关C.截止5.晶闸管阳极加正向电压，门极不加信号，其处于（）状态。
A.导通B.开关C.截止6.对已经触发导通的晶闸管，如果在阳极电流未达到擎住电流时门极触发信号消失，晶闸管是（）状态。
A.导通B.开关C.截止7.晶闸管的额定电压为（）。
A.正向重复峰值电压B.反向重复峰值电压C.正反向重复峰值电压中大者D.正反向重复峰值电压中小者8.电力MOSFET的通态电阻具有（）温度系数。
A.正B.负C.零9.晶闸管是（）驱动型器件。
A.电流B.电压C.电荷10.晶闸管的额定电流应按（）原则选取。
A.平均值相等B.有效值相等11.单相半波可控整流电路带阻性负载时，输出电流波形为（）。
A.与电源电压波形相同B.与输出电压波形相同C.为直线波形12.A. AB. BC. CD.D13.A. AB. BC.CD.D14.A. AB. BC. CD.D15.单相半波可控整流电路带阻性负载时，输出电压波形脉动频率为（）。
A.1/2电源频率B.电源频率C.两倍电源频率D.三倍电源频率16.单相桥式全控整流电路带反电动势阻性负载，与带纯阻性负载比较，输出电压（）。
A.增大B.减小C.不变17.三相半波可控整流电路带大电感负载，晶闸管的移相范围为（）。
A.900B.1200C.1500D.180018.单相可控整流电路中，α=00定义在（）。
中石油华东《电力系统分析》2018年秋季学期在线作业（一）满分答案
中石油华东《电力系统分析》2018年秋季学期在线作业（一）满分答案(单选题) 1:A: AB: BC: CD: D正确答案：(单选题) 2: 变压器等效模型参数中，反应变压器铁芯损耗的是（）。
A: 电阻B: 电抗C: 电导D: 电纳正确答案：(单选题) 3: 中性点经消弧线圈接地方式的补偿度多采用（）。
A: 过补偿B: 欠补偿C: 完全补偿D: 过补偿和欠补偿都可以正确答案：(单选题) 4: 运行经验表明，在各种类型的短路中，出现概率最大的故障类型是（）A: 三相短路故障B: 两相接地短路故障C: 两相相间短路故障D: 单相接地短路故障正确答案：(单选题) 5: 架空输电线路的等值参数中，反映载流导体产生磁场效应和电场效应的参数分别为（）。
A: 电阻、电感B: 电感、电容C: 电导、电容D: 电感、电导正确答案：(单选题) 6:A: AB: BC: CD: D正确答案：(单选题) 7: 关于变压器零序等值电路，下列说法错误的是（）A: 变压器零序等值电路与外电路的联接，取决于零序电流的流通路径B: 变压器中性点接地的星形接法绕组能与外电路接通C: 变压器三角形接法的绕组中，零序电势可以作用到外电路去D: 变压器三角形接法时，三相绕组中形成零序环流正确答案：(单选题) 8: 无阻尼绕组同步电机突然短路时，定子电流中不包含哪项分量（）A: 基频分量B: 励磁分量C: 倍频分量D: 直流分量正确答案：(单选题) 9: 关于网损率，下列说法错误的是（）A: 在同一时间内，电力网损耗电量占供电量的百分比即为网损率B: 提高用户的功率因数，可以降低网损率C: 线路能量损耗的计算方法主要有最大负荷损耗时间法和等值功率法D: 电力网损耗电量指的是输电线路损耗电量正确答案：(单选题) 10: 可以用来安排发电设备检修计划的是（）A: 日负荷曲线B: 年最大负荷曲线C: 年持续负荷曲线D: 月负荷曲线正确答案：(单选题) 11:A: AB: BC: CD: D正确答案：(单选题) 12: 发电机额定电压规定比同等级的额定电压（）。
电力电子技术试卷与答案
《电力电子技术》试卷一、填空题（每空格1分，共31分）1．晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的有螺栓式与＿＿＿＿＿＿＿。
2．晶闸管象二极管一样，具有可控＿＿＿＿＿＿＿特性。
3．为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后，加一段时间的＿＿＿＿电压。
4．选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大＿＿＿＿＿＿＿倍，使其有一定的电压裕量。
5．选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以＿＿＿＿＿＿。
6．在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是＿＿＿＿＿＿＿极。
7．单相半波可控整流电路，当电感性负载接续流二极管时，控制角的移相范围为＿＿＿＿＿＿＿。
8．在反电动势负载时，只有＿＿＿＿＿＿＿的瞬时值大于负载的反电动势，整流桥路中的晶闸管才能随受正压而触发导通。
9．把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为＿＿＿＿＿＿＿。
10．＿＿＿＿＿＿＿可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。
11．三相半波可控整流电路，带大电感负载时的移相范围为＿＿＿＿＿＿＿。
12．采用晶闸管共阳极接法的缺点是：要求三个触发电路的输出线圈＿＿＿＿＿＿＿。
13．触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲冲触发两种方法，目前采用较多的是＿＿＿＿＿＿＿触发方法。
14．由于电路中共阴极与共阳极组换流点相隔60。
，所以每隔60。
有一次＿＿＿＿＿。
15．三相桥式整流电路控制角α的起算点，如α＝30。
，在对应的线电压波形上脉冲距波形原点为＿＿＿＿＿＿＿。
16．双窄脉冲触发是在触发某一号晶闸管时，触发电路同时给＿＿＿＿＿＿＿一号晶闸管补表一个脉冲。
17．在三相可控整流电路中，α＝0。
的地方（自然换相点）为相邻线电压的交点，它距对应线电压波形的原点为＿＿＿＿＿＿＿。
18．在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角＿＿＿＿＿＿时，电流连续。
19．在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角＿＿＿＿＿＿＿时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二级管。
大工18秋《电力电子技术》在线作业3(满分题)
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ (单选题) 1: 下列哪项不是基本斩波电路的控制方式?( )A: 脉冲宽度调制B: 频率调制C: 压降调制D: 混合型正确答案:(单选题) 2: 升降压斩波电路中当占空比取值在下列哪个范围内时是升压?( )A: 0-0.5B: 0.5-1C: 1-1.5D: 1.5-2正确答案:(单选题) 3: ( )是指在变压器一次绕组导通同时二次绕组感应出对应电压输出到负载,能量通过变压器直接传递。
A: 正激电路B: 反激电路C: 半桥电路D: 全桥电路正确答案:(单选题) 4: 带有电阻负载的单相交流调压电路中控制角移相范围为( )。
A: 0-π/2B: 0-πC: π/2-πD: π-2π?正确答案:(单选题) 5: 三相交流调压电路星形联结适用于( )。
A: 中小容量、可接有中性线的星形联结的各种负载B: 负载三角形联结C: 三相负载Y形联结且中性点能拆开的场合D: 以上都不正确正确答案:(单选题) 6: 当开关导通时,使电压先下降到零后,电流再缓慢上升到通态值,所以导通时不会产生损耗和噪声,这种方式称为( )。
A: 零电压开关B: 零电流开关C: 零电压关断D: 零电流关断正确答案:(多选题) 1: 直流变换电路适用于下列哪些选项?( )A: 直流电动机传动B: 开关电源C: 单相功率因数校正D: 软开关技术------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 正确答案:(多选题) 2: 全桥电路中,改变开关的占空比,就可以改变( )。
电力电子技术作业
1、什么是信息电子技术？什么是电力电子技术？1） 信息电子技术：信息电子技术： 信息电子技术应用计算机等现代化技术进行电子信息控制和信息处理，主要研究信息的获取与处理，电子设备与信息系统的设计、开发、获取与处理，电子设备与信息系统的设计、开发、应用和集成。
信息电子技术已经涵盖了社应用和集成。
信息电子技术已经涵盖了社会的诸多方面。
会的诸多方面。
信息电子技术集现代电子技术、信息技术、通信技术于一体。
它在信息的存信息电子技术集现代电子技术、信息技术、通信技术于一体。
它在信息的存储、传播和应用方面已经从根本上打破了长期以来由纸质载体储存和传播信息的一统天下，代表了信息业发展的方向。
代表了信息业发展的方向。
2）电力电子技术：）电力电子技术：电力电子技术是一门新兴的应用于电力领域的电子技术，就是使用电力电子器件（如晶闸管，闸管，GTO GTO GTO，，IGBT 等）对电能进行变换和控制的技术。
电力电子技术所变换的“电力”功率可大到数百MW 甚至GW GW，也可以小到数，也可以小到数W 甚至1W 以下，和以信息处理为主的信息电子技术不同电力电子技术主要用于电力变换。
电力电子技术分为电力电子器件制造技术和变流技术（整流，逆变，斩波，变频，变相等）两个分支。
（整流，逆变，斩波，变频，变相等）两个分支。
2、简单地介绍电力电子器件和几种常用的器件。
电力电子器件又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）。
功率器件几乎用于所有的电子制造业有的电子制造业,,包括计算机领域的笔记本、包括计算机领域的笔记本、PC PC PC、、服务器、显示器以及各种外设显示器以及各种外设;;网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备;;消费电子领域的传统黑白家电和各种数码产品;工业控制类中的工业PC PC、各类仪器仪表和各类控制设备等。
电力电子技术练习题及参考答案
《电力电子技术》练习题一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L________I H。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。
3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM________U BO。
4、电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于________，设U2为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差________。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值________。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有________二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在________的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为______。
16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较______的规化值。
17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用_____标定。
18、晶闸管的导通条件是：晶闸管______和阴极间施加正向电压，并在______和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
电力电子技术作业解答(精编文档).doc
【最新整理，下载后即可编辑】电力电子技术作业解答教材：《电力电子技术》，尹常永田卫华主编第一章 电力电子器件1-1晶闸管导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由哪些因素决定？答：晶闸管的导通条件是：（1）要有适当的正向阳极电压；（2）还有有适当的正向门极电压。
导通后流过晶闸管的电流由阳极所接电源和负载决定。
1-2维持晶闸管导通的条件是什么？怎样使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是：流过晶闸管的电流大于维持电流。
利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到维持电流以下，可使导通的晶闸管关断。
1-5某元件测得VU DRM840=，VU RRM980=，试确定此元件的额定电压是多少，属于哪个电压等级？答：根据将DRM U 和RRM U 中的较小值按百位取整后作为该晶闸管的额定值，确定此元件的额定电压为800V ，属于8级。
1-11双向晶闸管有哪几种触发方式？常用的是哪几种？答：双向晶闸管有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+和Ⅲ-四种触发方式。
常用的是：（Ⅰ+、Ⅲ-）或（Ⅰ-、Ⅲ-）。
1-13 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，为什么GTO 能够自关断，而普通晶闸管不能？答：因为 GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：（1）GTO 在设计时2α较大，这样晶体管 V2控制灵敏，易于 GTO 关断；（2）GTO 导通时的21αα+更接近于 1，普通晶闸管15.121≥+αα，而 GTO 则为05.121≈+αα，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件；（3） 多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
第二章 电力电子器件的辅助电路2-5说明电力电子器件缓冲电路的作用是什么？比较晶闸管与其它全控型器件缓冲电路的区别，说明原因。
答：缓冲电路的主要作用是：⑴ 减少开关过程应力，即抑制d u /d t ，d i /d t ；⑵ 改变器件的开关轨迹，使器件工作于安全工作区内，避免过电压、过电流损坏；⑶ 减少器件的开关损耗。
石油华东《电力系统继电保护》2018年秋学期在线作业(一)
【奥鹏】[中国石油大学(华东)]《电力系统继电保护》2018年秋学期在线作业（一）试卷总分:100 得分:100第1题,电力系统继电保护包括（）。
A、继电保护技术B、继电保护装置C、电力系统自动化D、高电压技术,B第2题,防止励磁涌流引起误动的主要方法有（）。
A、采用速饱和中间变流器B、二次谐波制动C、五次谐波制动D、间断角识别制动,B,C,D第3题,高频保护组成环节主要包括（）。
A、收信机和发信机B、阻波器C、耦合变压器D、滤波器E、连接电缆,B,C,D,E第4题,电力系统继电保护四个基本要求（）。
A、选择性B、速动性C、灵敏性D、可靠性,B,C,D第5题,距离保护的振荡闭锁措施（）。
A、利用负序（和零序）分量或者电流突变，短时开放保护，实现振荡闭锁B、利用阻抗变化率的不同来构成振荡闭锁C、利用动作的延时实现振荡闭锁D、利用电压突变量实现振荡闭锁,B,C,D第6题,在变压器纵差保护中，为有效消除变压器接线方式引起的不平衡电流，往往采取的方法为（）。
A、变压器Y侧互感器采用Y接B、变压器△侧互感器采用Y接C、变压器△侧互感器采用△接D、变压器Y侧互感器采用△接,D第7题,题目和答案如下图所示：A、AB、BC、CD、D,B,C,D第8题,区分电力系统运行状态的电气量变化特征主要有（）。
A、电流增加B、电压降低C、相位变化D、测量阻抗降低E、序分量变化,B,C,D,E第9题,属于变压器油箱内部故障的有（）。
A、各相绕组之间的相间短路B、部分线匝之间的匝间短路C、单相绕组或引出线通过外壳发生的单相接地故障D、绝缘套管闪烁或破坏引出线通过外壳发生的单相接地短路,B,C第10题,单侧电源线路重合闸动作时间整定时考虑以下几点因素（）。
A、故障点电弧熄灭、绝缘恢复B、断路器触头周围绝缘强度的恢复及消弧室重新充满油，准备好重合于永久性故障时能再次跳闸，否则可能发生DL爆炸C、如果采用保护装置起动方式，还应加上DL跳闸时间,B,C第11题,电力系统继电保护的作用包括（）。
电力电子技术试题及答案(精编文档).doc
系别_________________ 班级____________________________ 考试号__________________ 姓名______________……………………………密……………………………封…………………………………线……………………………【最新整理，下载后即可编辑】德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题 《电力电子技术》试卷题 号 一二 三 四 合 计分 数阅卷人 得分1.5分，共60分） 1、 晶闸管内部有（ ）个PN 结。
A 、1 B 、2 C 、3 D 、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。
A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。
A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。
A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路符号的是（ ）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ）A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ） A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（ ） A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET 适于在（ ）条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（ ）A 、在栅极加正电压B 、在集电极加正电压C 、在栅极加负电压D 、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（ ）电力场效应管 A 、稍高于 B 、低于 C 、远高于 D 、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V ，反向重复峰值电压为825V ，则该晶闸管的额定电压为（ ） A 、700V B 、750V C 、800V D 、850V 16、下列电力电子器件中，（ ）的驱动功率小，驱动电路简单 A 、普通晶闸管 B 、可关断晶闸管 C 、电力晶体管 D 、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（ ） A 、一定导通 B 、超过死区电压才导通 C 、超过0.3V 才导通 D 、系别_________________ 班级____________________________ 考试号__________________ 姓名______________……………………………密……………………………封…………………………………线……………………………超过0.7V 才导通 18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO 器件电路符号的是（ ）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR 器件电路符号的是（ ）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET 器件电路符号的是（ ） 21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（ ）工作特性设计的A 、截止区B 、负阻区C 、饱和区D 、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（ ）就能改变直流电动机的转速。
《电力电子技术》习题集
电力电子技术习题集习题一1. 试说明什么是电导调制效应及其作用。
2. 晶闸管正常导通的条件是什么，导通后流过的电流由什么决定？晶闸管由导通变为关断的条件是什么，如何实现？3. 有时晶闸管触发导通后，触发脉冲结束后它又关断了，是何原因？4. 图1-30中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值、有效值。
如不考虑安全裕量，额定电流100A 的晶闸管，流过上述电流波形时，允许流过的电流平均值I d 各位多少？(f)图1-30 习题1-4附图5. 在图1-31所示电路中，若使用一次脉冲触发，试问为保证晶闸管充分导通，触发脉冲宽度至少要多宽？图中，E =50V ；L =0.5H ；R =0.5Ω; I L =50mA （擎住电流）。
图1-31习题1-5附图 图1-32习题1-9附图6. 为什么晶闸管不能用门极负脉冲信号关断阳极电流，而GTO 却可以？7. GTO 与GTR 同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同？8. 试比较GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 之间的差异和各自的优缺点及主要应用领域。
9. 请将VDMOS （或IGBT ）管栅极电流波形画于图1-32中，并说明电流峰值和栅极电阻有何关系以及栅极电阻的作用。
10. 全控型器件的缓冲吸收电路的主要作用是什么？试分析RCD 缓冲电路中各元件的作用。
11. 限制功率MOSFET 应用的主要原因是什么？实际使用时如何提高MOSFET 的功率容量？习题二1．具有续流二极管的单相半波可控整流电路，带阻感性负载，电阻为5Ω，电感为0.2H，电源电压的有效值为220V，直流平均电流为10A，试计算晶闸管和续流二极管的电流有效值，并指出晶闸管的电压定额（考虑电压2-3倍裕度）。
2．单相桥式全控整流电路接电阻性负载，要求输出电压在0～100V连续可调，输出电压平均值为30 V时，负载电流平均值达到20A。
18秋西交《电工电子技术》在线作业
(单选题) 1: 在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为 2.8V、3.5V、6V，则这只三极管属于（）、A: 硅PNP型B: 硅NPN型C: 锗PNP型D: 锗NPN型正确答案:(单选题) 2: 多级放大电路总的电压放大倍数是各分级电压放大倍数( )。
A: 之和B: 之和的对数C: 之积D: 之积的对数正确答案:(单选题) 3: 要用n 位二进制数为N 个对象编码，必须满足（）。
A: N = 2的n次方B: N ≥2的n次方C: N ≤2的n次方D: N = n正确答案:(单选题) 4: 要使放大电路输入电阻和输出电阻都减小（含其余情况），应引入的负反馈是（）A: 电压串联B: 电压并联C: 电流串联D: 电流并联正确答案:(单选题) 5: 关于一阶动态电路的零输入响应，以下叙述中正确的是（）A: RL电路的零输入响应与初始磁场能量成正比B: 零输入响应随着时间增长衰减至零C: 零输入响应的时间常数一般为5tD: 零输入响应中的电磁能量始终不变正确答案:(单选题) 6:A: AB: BC: CD: D正确答案:(单选题) 7: 图示电路中，当R1增加时，电压U将( )。
A: 变大B: 变小C: 不变D: 无法确定正确答案:(单选题) 8: 某放大电路要求Ri大，输出电流稳定，应选（）负反馈。
A: 电压串联B: 电压并联C: 电流串联D: 电流并联正确答案:(单选题) 9: 已知两个单管放大电路的电压放大倍数分别为20和30，若将它们连接起来组成两级阻容耦合C: 600D: 无法确定正确答案:(单选题) 10: 在放大电路中引入电压串联负反馈时（）A: 输入电阻增大、输出电阻增大B: 输入电阻减小、输出电阻增大C: 输入电阻增大、输出电阻减小D: 输入电阻减小、输出电阻减小正确答案:(单选题) 11: 为了提高放大电路的效率和带负载能力，多级放大电路的输出级常采用（）。
A: 互补对称功率放大电路B: 三极管差动放大电路C: 共发射极放大电路D: 共集电极放大电路正确答案:(单选题) 12: 8. 关于一阶动态电路的零输入响应，以下叙述中正确的是（）、A: RL电路的零输入响应与初始磁场能量成正比B: 零输入响应随着时间增长衰减至零C: 零输入响应的时间常数一般为5tD: 零输入响应中的电磁能量始终不变正确答案:(单选题) 13: 放大电路中，引入并联电压负反馈后可以稳定( )。
中石油华东《电工电子学》2018年春季学期在线作业(二)
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ (单选题) 1: 单管放大电路中，当电源EC和集电极电阻RC确定后，若基极电流IB太大会引起（），IB太小会引起（）。
A: 饱和失真，截止失真B: 截止失真，饱和失真C: 截止失真，截止失真D: 饱和失真，饱和失真正确答案：(单选题) 2: 题目和答案如下图所示：A: AB: BC: CD: D正确答案：(单选题) 3: 题目和答案如下图所示：A: AB: BC: CD: D正确答案：(单选题) 4: 已知某正弦电流的频率 f = 50 Hz，初相角j=30°，在 t = 0 时其值为 i (0) =10 A，则该正弦电流表达式可写作（）。
A: i = 10 sin( 50t+30° ) AB: i = 14.14 sin( 50pt+30° ) AC: i = 20 sin( 100pt+30° ) A正确答案：(单选题) 5: 题目和答案如下图所示：A: AB: BC: CD: D正确答案：(单选题) 6: 理想电压源和理想电流源间（）。
A: 有等效变换关系B: 没有等效变换关系C: 有条件下的等效关系正确答案：(单选题) 7: 稳压管的稳压性能是利用PN结的（）。
A: 单向导电特性B: 正向导电特性C: 反向截止特性D: 反向击穿特性正确答案：(单选题) 8: 图示电路，原已达稳定状态。
t=0时闭合开关s，则从t=0-到t=0+，有（）。
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ A: u1(0+)=u1(0-)B: u2(0+)=u2(0-)C: u3(0+)=u3(0-)D: u4(0+)=u4(0-)正确答案：(单选题) 9: 实验测得某有源二端线性网络开路电压UOC＝8V短路电流ISC=2A，则该网络的戴维南等效电压源的参数为（）。
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【奥鹏】[中国石油大学(华东)]《电力电子技术》2018年秋学期在线作业（一）
试卷总分:100 得分:100
第1题,普通晶闸管是一种单向导电器件，它在电压阻断能力方面的特点是（）。
A、仅具有正向电压阻断能力
B、仅具有反向电压阻断能力
C、正、反向电压阻断能力都具备
D、接入反并联二极管时，正、反向电压阻断能力才都具备
第2题,SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中，按开关频率从低到高依次排列的顺序为（）。
A、SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBT
B、SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBT
C、GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFE
D、SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
第3题,三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，逆变角的变化范围为（）。
A、0°～120°
B、0°～90°
C、90°～180°
D、0°～150°
第4题,对于可控整流电路，其换流重叠角大小的影响因素，主要包括（）。
A、变压器等效漏感LB
B、直流侧电流Id
C、A、B两个方面都有影响
D、Ud代表的平均值电压的增加量
第5题,通常电压型PWM逆变器是通过改变（）来改变输出基波电压有效值大小的。
A、直流侧电压Ud
B、调制比
C、载频三角波频率
D、正弦调制波频率
第6题,直流斩波电路是一种（）变换电路。
A、AC/AC
B、DC/AC
C、DC/DC
D、AC/DC
第7题,晶闸管的三个引出电极分别是（）。
A、阳极、阴极、门极
B、阳极、阴极、栅极
C、栅极、漏极、源极
D、发射极、基极、集电极
第8题,单相桥式可控整流电路输出直流电压的平均值应该等于整流前交流电压的（）倍。
A、1
B、0.5
C、0.45
D、0.9
第9题,驱动电路是电力电子器件主电路与哪种电路之间的接口（）。
A、缓冲电路
B、保护电路
C、控制电路
D、滤波电路
第10题,单相半控桥，带电感性负载，晶闸管的导通角为（）。
A、90°
B、180°
C、120°
D、150°
第11题,全控器件在开关频率较高时，使器件损耗增加的主要因素是（）。
A、通态损耗
B、断态损耗
C、开关损耗
第12题,下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）。
A、GTR
B、MOSFET
C、IGBT
第13题,比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTO
B、GTR
C、MOSFET
第14题,下列那种器件属于全控器件（）。
A、IGBT
B、SR
C、SCR
D、双向晶闸管
第15题,将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是（）。
A、有源逆变器
B、A/D变换器
C、D/A变换器
D、无源逆变器
第16题,若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是（）。
A、增大三角波幅度
B、增大三角波频率
C、增大正弦调制波频率
D、增大正弦调制波幅度
第17题,三相全控桥式整流器的换流方式（）。
A、器件换流
B、负载换流
C、电网换流
D、强迫换流
第18题,为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入（）。
A、三极管
B、续流二极管
C、保险丝
D、电力场效应晶体管
第19题,在大电感负载三相全控桥中，当α=90°时，整流电路的输出是（）。
A、U
B、0
C、1.414U2
D、1.732U2
第20题,按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可知分类，由电子和空穴两种载流子参与导电的器件称为（）。
A、单极型器件
B、双极型器件
C、复合型器件。