【高中物理】优质课件：非平衡载流子

1 Nt rn
p
n
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扩散运动可以忽略
△p △po
△po/e
0
Lp(E)
x
Lp(E) 牵引长度
● 电场很弱
ppE 很低，Lp(E)<<Lp
2
1 Lp
x
p(x) p0e Lp
漂移运动可以忽略
光激发载流子的衰减
均匀掺杂的N型半导体，光均匀照在半 导体上，其内部均匀地产生非子，没有电 场，内部也没有其它产生，求光照停止后 的衰减方程。
高中物理
非平衡载流子
非平衡载流子 一、非平衡载流子的产生、平均寿命、 平均扩散长度及浓度的计算
二、非平衡载流子的复合
1.直接复合：小注入时，非子寿命决定于多子浓度 大注入时，非子寿命决定于注入。
2.间接复合：小注入时非子寿命决定于少子寿命
A=0， p(x) Be2x
x 0, p(0） p0
p(x) poe2x
● 电场很强
p E p Lp (E) Lp
L2p (E) 4L2p
1/ 2
1
2Lp Lp (E)
2
1/ 2
ห้องสมุดไป่ตู้
Lp (E)
Lp
( E ) 1
2L2p L2p (E)
2
Lp(E)
Lp (E)1
2L2p
2 L2p
L2p (E
)
1
Lp (E)
x
p(x) p0e Lp (E)
E =0，gp =0， 稳态
dp 0 dt
均匀掺杂：
d 2 p d 2p
dx2 dx2
(p =p0+p)
Dp
d 2p dx2
p
p
0
x
x
p(x) Ae Lp BeLp
稳定扩散情况下非平衡少子所遵循的扩散方程
小注入的N 型材料
1
rp Nt
小注入的P型材料
1
rn Nt
大注入时：
1 Nt rp
●均匀掺杂，均匀光照：
dp d ( p0 p) 0
dx
dx
●无电场：E = 0
●内部无其它产生：gp=0
dp p
dt
t
p(t) Ae p
t=0，停止光照，p(0)=p0，A=p0
t
p(t) p0e p
非平衡载流子衰减时遵守的规律
(3) 扩散方程
光照均匀掺杂的N型半导体，无电场，无 其它产生时的稳态方程。