第3章-放大电路基础PPT课件
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符号“ ” ：电路的参考零电位
图中符号“”表示接机壳或接底板，常称“接地”，必须指出，它并不
真正接到大地的地电位，而表示电路的参考零电位，它只是电路中各点电压 的公共端点。
为了分析方便，我们规定：电压的正方向是以共同端为负端，其他各点 为正端。图3-1中所标出的“＋”、“－”号分别表示各电压的假定正方向； 而电流的假定正方向如图中箭头所示，即以流入电极为正，则以流出电极为 正。
线。，直流负载线与晶体管某一输
3-3 静态工作点的图解
出特性曲线的交点即为静态工作点 Q，进而求得相应的静态值如图3-3 所示。 。
2021
9
第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
3.1.3 动态分析
放大电路加上交流输入信号后，电路中同时存在直 流量和交流量，电压和电流都在静态值的基础上产生与 输入信号相对应的变化，放大电路中晶体管的工作点也 将围绕静态工作点上下移动。这就是放大电路的动态(或 交流)工作状态。
A us
Uo Us
根据图3-13(b)所示的H参数等效电路可导出
A u s U U o s U U o i U U s i A uU U s i A uR sr i r i
A u s A uR sr i r i = 1 5 3 1 ＋ 1 0 .5= 5 1
由此可见，由于信号源存在内阻
R
s ，使输入信号在
图 3-9 晶体管的H参数等效电路
2021
17
第3章 放大电路基础
3.2 微变等效电路分析法
3.2.2 用H参数等效电路分析共发射极放大器
1．画出简化的H参数等效电路
图 3-10 共发射极放大器H参数等效电路
2021
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第3章 放大电路基础
3.2 微变等效电路分析法
2．求电压放大倍数 A u
放大电路输出电压 U o 与输入电压U
2．温度对发射结电压
U
的影响
BE
在同一 I B Q 值下，温度升高，对应的发射结正向电压 U B E 将减小。在固定偏流式的共射放大电路中， U B E 减小意味 着 I B Q 增大。
2021
26
第3章 放大电路基础
3.3 静态工作点稳定电路
3．温度对电流放大系数β的影响 温度每升高1℃,β要增加0.5%～1.0%。β值增大表现为输
如果放大电路的输入信号电压很小，就可以把晶体管 小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把晶 体管这个非线性元件所组成的电路当作线性电路来处理， 进而建立晶体管的微变等效电路，也称为晶体管的小信号 模型。
晶体管的输入电阻为rbe，结合PN结交流电阻的表达式， 可以利用下面的公式估算：
rbe
rbb
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20
第3章 放大电路基础
3.2 微变等效电路分析法
4．求输出电阻 r o 对于负载(或后级放大电路)，放大电路可以看成是一个
等示效，电这阻个为等效r o 电，源等的效内电阻动就势是为放U 大o 电的路电的压输源出，电如阻图3r o-1，1所即
从放大电路的输出端2-2往左看的等效电阻。
图3-11 放大电路的输出电阻
2021
21
第3章 放大电路基础
3.2 微变等效电路分析法
如图3-12所示，将输入端信号源 U s 短接(但保留其 内阻)，同时去掉输出端的负载电阻R L ，然后在输出端外
加电压U ，在U 的作用下，输出端将产生一电流 I ，在此 电路中，由于U s 0 ，则I b 0 ，相应 I b 和 I c 也为零，输 出电阻为：
在动态时，如果只研究电路中的交流量，则耦合电 容器相当于短接，而直流电源在内阻忽略不计时也相当 于对地短接。由此可得放大电路的“交流通路”，如图 3-4所示。
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第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
图 3-4 共射放大电路
2021
11
第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
出特性各条曲线间隔增大。
综上所述，对于固定偏流放大电路，晶体管的参ICBO、UBE 和β都随温度变化而变化。当温度升高时，它们变化的总结果 是静态电流ICQ增大，使静态工作点沿直流负载线上移，从而破 坏了静态工作点的稳定性。
VCCIBQRbUBEQ
IBQ
VCC
-UBEQ Rb
(3-1)
3-2 共射放大电路直流通路
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7
第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
上式中UBE为发射结正向压降，硅管约为0.7V，锗管约为0.2V(绝对值)，通 常，所以式(3-1)可近似为
I BQ
VCC Rb
(3-2)
上式中若选定V C C 和 R b 后，I B Q (偏流)即为固定值，所以图3-1所示电路又
26(mV) IBQ (mA)
(3-5)
r b b 是晶体管的基区体电阻，低频小功率管为几百欧(通常
取300Ω为估算值)
2021
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第3章 放大电路基础
3.2 微变等效电路分析法
当晶体管工作在输出特性曲线的线性区,其输出回路 可用受控电流源βib来代替输出回路的电压电流关系。晶 体管对应的H参数等效电路如图3-9所示。该受控电流源ib 是受控制，其大小和方向都由ib决定。
3 0 0 9 5 0 1 k 0 .0 4
画出H参数等效电路如图3-13(b)所示。
6.86.8
A uR rbL e Rcr/b /eRL456.8 16.8153
ri R b//rberbe1k
roRc 6.8k
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第3章 放大电路基础
3.2 微变等效电路分析法
(2)考虑信号源内阻时的电压放大倍数又称为源电压放大倍数，用 A u s 表示，其 定义式为
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1
第3章 放大电路基础
3.4 单管共集电极电路
3.4.1 电路的组成
3.4.2 静态分析 3.4.3 动态分析 3.4.4 射极输出器的应用 3.5 共基极放大电路简介
3.6 单管共发射极放大器的频率特性
3.6.1 RC电路的频响
3.6.2 单管共发射极放大器的频率特性
3.6.3 频率失真
2021
13
第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
2. 静态工作点对输出波形的影响 所谓失真，是指输出信号的波形与输入信号的波形
不再相似，这是放大电路应该尽量避免的现象。 (1) 截止失真
静态工作点的位置过低，晶体管工作在截止区，使 uo的正半周出现了平顶，如图3-5(a)所示。可以通过减小 Rb来加以克服。
R
上损失了部分，
s
从而使放大倍数下降了。
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第3章 放大电路基础
3.3 静态工作点稳定电路
3.3.1 温度影响静态工作点
1．温度对反向饱和电流 I C B O 的影响 温度每升高10℃，I C B O 约增加一倍。穿透电流 I C E O 随
温度的变化规律也大致相同，因为 ICEO(1)ICBO ，所以温 度升高时，输出特性曲线将向上移动。
3-1 单管共射放大电路
基极电阻Rb： 给基极提供了一个合适 的基极电流，其值通常为几十千欧至
几百千欧 。
2021
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第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
集电极负载电阻Rc：将集电极电流转换成集电极—发射极之间的电压， 其值通常为几千欧至几十千欧。
耦合电容C1 、 C2：称为耦合电容，也称隔直电容,对直流信号来说，容抗 为无穷大，相当于把电容支路断开(隔直);对于交流信号而言，容抗很小，其上 的交流压降可以忽略不计，于是交流信号便可无衰减地通过电容传送出去。因 此，电容的作用可概括为“隔离直流、传送交流”。
第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器 3.1.1 电路的组成 3.1.2 静态分析 3.1.3 动态分析
3.2 微变等效电路分析法 3.2.1 简化的晶体管共发射H参数 3.2.2 用H参数等效电路分析共发射极放大器
3.3 静态工作点稳定电路 3.3.1 温度影响静态工作点 3.3.2 分压式电流负反馈偏置电路
roΒιβλιοθήκη U Iro//Rc
Rc
（3-11）
通常用输出电阻 r o 来衡量 放大电路负载能力，r o 越小， 意味着放大电路的负载能力越 强。
2021
图3-12 求放大电路的输出电阻
22
第3章 放大电路基础
3.2 微变等效电路分析法
[例3-2] 如图3-13(a)所示电路中， 45 ，试用H参数等效电路分析 法求解下列问题。
1．交流负载线
交流负载线反映的是动态时电流ic和电压uce的变化关系，
其斜率应为 一些。
,( 1
R
L
RL R)L,/交/RC流负载线比直流负载线要陡
动态工作情况下，工作点围绕静态工作点Q在交流负 载线上上下移动，从而在放大电路各部分产生不同的信 号变化，由此可得出如下结论 :
(1)在适当的静态工作点和输入信号幅值足够小的条件 下，晶体管各极电流和各极间的电压都是由两个分量线 性叠加而成的，其中一个是由直流电源引起的直流分量， 另一个是随输入信号而变化的交流分量。
3.2 微变等效电路分析法
3．求输入电阻r i
由图3-11可得：
ri U Iii Ii(R I bi//rbe)R b//rbe rbe (3-8)
输入电阻 r i 是衡量放大
电路对输入电压衰减程度的
重要指标。通常要设法提高
放大电路的输入电阻r i ,尤其
是当信号源内阻较高的场合
更应如此。
图3-11 求放大电路的输入电阻
之比，是衡量
i
放大电路电压放大能力的指标。即
Au
Uo Ui
(3-6)
由图3-7(b)可得：
Au
Uo Ui
IbRL
Ibrbe
RL
rbe
RL
(Rc//RL)
(3-7)
A u 为负值，表示输出电压与输入电压的相位相反。共射 放大电路的电压放大倍数是较大的，通常为几十倍到几百倍。
2021
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第3章 放大电路基础
称为固定偏流共射放大电路。
ICQ IBQ
(3-3)
UCEQVCC-ICQRC
(3-4)
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第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
2. 图解法确定静态工作点
在晶体管的输出特性曲线中可
找出对应的一条输出特性曲线。可
用截距法作出这条直线，分别在横、
纵轴上找出两个特殊点，即M(Vcc， 0)和N(0，Vcc/Rc)。直线MN的斜率 为1/Rc，是由集电极负载电阻确定 的，所以这条直线称为直流负载
【本章难点 】分压式电流负反馈偏置电路与射极输出器的分析 放大器的调整与调试
2021
4
第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
3.1.1 电路的组成
输入信号为 u i 输出交流电压为 u o
晶体管T：NPN型硅管，具有电流放
大作用 ,是整个电路的核心。Vcc是直
流电源，它的作用是使发射结满足正 向偏置、集电结满足反向偏置，使晶 体管具备放大的外部条件，它同时也 是信号放大的能源。
2021
12
第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
(2)当输入信号是正弦波时，电路中各交流分量都是与 输入信号同频率的正弦波，其中ib、ic、ube与ui同相，而uce、 uo与ui反相。输出电压与输入电压相位相反，这种现象称 为放大电路的倒相作用。
(3)输出电压的幅度比输入电压的幅度大得多，说明通 过电路输入电压被线性放大了。
(2) 饱和失真 静态工作点设置过高，晶体管工作在饱和区，使uo
的负半周出现平顶,如图3-5(b)所示。可以通过增大Rb的方 法加以克服。
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第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
图 3-5 静态工作点对输出波形的影响
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第3章 放大电路基础
3.2 微变等效电路分析法
3.2.1 简化的晶体管共发射H参数
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第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
3.1.2 静态分析
当放大电路没有输入信号(ui=0)时，电路中只有直流 电源作用，各处的电压和电流都是直流量，称为直流工 作状态或静止状态，简称静态。静态工作点Q IBQ、ICQ、 UCE
1. 估算法确定静态工作点
共射放大电路直流通路如图3-2所示
3.6.4 电路元器件参数的选择
2021
2
第3章 放大电路基础
3.7 多级放大器 3.7.1 四种级间耦合方式 3.7.2 多级放大器的频响 3.7.3 放大倍数(增益)的分贝表示法
3.8 放大器的噪声与抗干扰措施 3.9 放大器的调整与调试
2021
3
第3章 放大电路基础
【本章要点】基本放大器的组成及工作原理 静态工作关系判断与稳定 微变等效电路分析方法 三种放大电路(共射、共集、共基电路) 多级放大电路的四种耦合方式
(1) 电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。 (2)信号源内阻 Rs=500时的电压放大倍数。
图3-13 例3-2的电路图
2021
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第3章 放大电路基础
3.2 微变等效电路分析法
解 (1)由图3-13(a)可知
IBQV R C b C520000.04m A40μA
则
2 6 m V 2 6
r b e 3 0 0 IB
图中符号“”表示接机壳或接底板，常称“接地”，必须指出，它并不
真正接到大地的地电位，而表示电路的参考零电位，它只是电路中各点电压 的公共端点。
为了分析方便，我们规定：电压的正方向是以共同端为负端，其他各点 为正端。图3-1中所标出的“＋”、“－”号分别表示各电压的假定正方向； 而电流的假定正方向如图中箭头所示，即以流入电极为正，则以流出电极为 正。
线。，直流负载线与晶体管某一输
3-3 静态工作点的图解
出特性曲线的交点即为静态工作点 Q，进而求得相应的静态值如图3-3 所示。 。
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第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
3.1.3 动态分析
放大电路加上交流输入信号后，电路中同时存在直 流量和交流量，电压和电流都在静态值的基础上产生与 输入信号相对应的变化，放大电路中晶体管的工作点也 将围绕静态工作点上下移动。这就是放大电路的动态(或 交流)工作状态。
A us
Uo Us
根据图3-13(b)所示的H参数等效电路可导出
A u s U U o s U U o i U U s i A uU U s i A uR sr i r i
A u s A uR sr i r i = 1 5 3 1 ＋ 1 0 .5= 5 1
由此可见，由于信号源存在内阻
R
s ，使输入信号在
图 3-9 晶体管的H参数等效电路
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第3章 放大电路基础
3.2 微变等效电路分析法
3.2.2 用H参数等效电路分析共发射极放大器
1．画出简化的H参数等效电路
图 3-10 共发射极放大器H参数等效电路
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第3章 放大电路基础
3.2 微变等效电路分析法
2．求电压放大倍数 A u
放大电路输出电压 U o 与输入电压U
2．温度对发射结电压
U
的影响
BE
在同一 I B Q 值下，温度升高，对应的发射结正向电压 U B E 将减小。在固定偏流式的共射放大电路中， U B E 减小意味 着 I B Q 增大。
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3.3 静态工作点稳定电路
3．温度对电流放大系数β的影响 温度每升高1℃,β要增加0.5%～1.0%。β值增大表现为输
如果放大电路的输入信号电压很小，就可以把晶体管 小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把晶 体管这个非线性元件所组成的电路当作线性电路来处理， 进而建立晶体管的微变等效电路，也称为晶体管的小信号 模型。
晶体管的输入电阻为rbe，结合PN结交流电阻的表达式， 可以利用下面的公式估算：
rbe
rbb
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第3章 放大电路基础
3.2 微变等效电路分析法
4．求输出电阻 r o 对于负载(或后级放大电路)，放大电路可以看成是一个
等示效，电这阻个为等效r o 电，源等的效内电阻动就势是为放U 大o 电的路电的压输源出，电如阻图3r o-1，1所即
从放大电路的输出端2-2往左看的等效电阻。
图3-11 放大电路的输出电阻
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第3章 放大电路基础
3.2 微变等效电路分析法
如图3-12所示，将输入端信号源 U s 短接(但保留其 内阻)，同时去掉输出端的负载电阻R L ，然后在输出端外
加电压U ，在U 的作用下，输出端将产生一电流 I ，在此 电路中，由于U s 0 ，则I b 0 ，相应 I b 和 I c 也为零，输 出电阻为：
在动态时，如果只研究电路中的交流量，则耦合电 容器相当于短接，而直流电源在内阻忽略不计时也相当 于对地短接。由此可得放大电路的“交流通路”，如图 3-4所示。
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第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
图 3-4 共射放大电路
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第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
出特性各条曲线间隔增大。
综上所述，对于固定偏流放大电路，晶体管的参ICBO、UBE 和β都随温度变化而变化。当温度升高时，它们变化的总结果 是静态电流ICQ增大，使静态工作点沿直流负载线上移，从而破 坏了静态工作点的稳定性。
VCCIBQRbUBEQ
IBQ
VCC
-UBEQ Rb
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3-2 共射放大电路直流通路
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3.1 单管共发射极放大器
上式中UBE为发射结正向压降，硅管约为0.7V，锗管约为0.2V(绝对值)，通 常，所以式(3-1)可近似为
I BQ
VCC Rb
(3-2)
上式中若选定V C C 和 R b 后，I B Q (偏流)即为固定值，所以图3-1所示电路又
26(mV) IBQ (mA)
(3-5)
r b b 是晶体管的基区体电阻，低频小功率管为几百欧(通常
取300Ω为估算值)
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第3章 放大电路基础
3.2 微变等效电路分析法
当晶体管工作在输出特性曲线的线性区,其输出回路 可用受控电流源βib来代替输出回路的电压电流关系。晶 体管对应的H参数等效电路如图3-9所示。该受控电流源ib 是受控制，其大小和方向都由ib决定。
3 0 0 9 5 0 1 k 0 .0 4
画出H参数等效电路如图3-13(b)所示。
6.86.8
A uR rbL e Rcr/b /eRL456.8 16.8153
ri R b//rberbe1k
roRc 6.8k
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第3章 放大电路基础
3.2 微变等效电路分析法
(2)考虑信号源内阻时的电压放大倍数又称为源电压放大倍数，用 A u s 表示，其 定义式为
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第3章 放大电路基础
3.4 单管共集电极电路
3.4.1 电路的组成
3.4.2 静态分析 3.4.3 动态分析 3.4.4 射极输出器的应用 3.5 共基极放大电路简介
3.6 单管共发射极放大器的频率特性
3.6.1 RC电路的频响
3.6.2 单管共发射极放大器的频率特性
3.6.3 频率失真
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第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
2. 静态工作点对输出波形的影响 所谓失真，是指输出信号的波形与输入信号的波形
不再相似，这是放大电路应该尽量避免的现象。 (1) 截止失真
静态工作点的位置过低，晶体管工作在截止区，使 uo的正半周出现了平顶，如图3-5(a)所示。可以通过减小 Rb来加以克服。
R
上损失了部分，
s
从而使放大倍数下降了。
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第3章 放大电路基础
3.3 静态工作点稳定电路
3.3.1 温度影响静态工作点
1．温度对反向饱和电流 I C B O 的影响 温度每升高10℃，I C B O 约增加一倍。穿透电流 I C E O 随
温度的变化规律也大致相同，因为 ICEO(1)ICBO ，所以温 度升高时，输出特性曲线将向上移动。
3-1 单管共射放大电路
基极电阻Rb： 给基极提供了一个合适 的基极电流，其值通常为几十千欧至
几百千欧 。
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第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
集电极负载电阻Rc：将集电极电流转换成集电极—发射极之间的电压， 其值通常为几千欧至几十千欧。
耦合电容C1 、 C2：称为耦合电容，也称隔直电容,对直流信号来说，容抗 为无穷大，相当于把电容支路断开(隔直);对于交流信号而言，容抗很小，其上 的交流压降可以忽略不计，于是交流信号便可无衰减地通过电容传送出去。因 此，电容的作用可概括为“隔离直流、传送交流”。
第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器 3.1.1 电路的组成 3.1.2 静态分析 3.1.3 动态分析
3.2 微变等效电路分析法 3.2.1 简化的晶体管共发射H参数 3.2.2 用H参数等效电路分析共发射极放大器
3.3 静态工作点稳定电路 3.3.1 温度影响静态工作点 3.3.2 分压式电流负反馈偏置电路
roΒιβλιοθήκη U Iro//Rc
Rc
（3-11）
通常用输出电阻 r o 来衡量 放大电路负载能力，r o 越小， 意味着放大电路的负载能力越 强。
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图3-12 求放大电路的输出电阻
22
第3章 放大电路基础
3.2 微变等效电路分析法
[例3-2] 如图3-13(a)所示电路中， 45 ，试用H参数等效电路分析 法求解下列问题。
1．交流负载线
交流负载线反映的是动态时电流ic和电压uce的变化关系，
其斜率应为 一些。
,( 1
R
L
RL R)L,/交/RC流负载线比直流负载线要陡
动态工作情况下，工作点围绕静态工作点Q在交流负 载线上上下移动，从而在放大电路各部分产生不同的信 号变化，由此可得出如下结论 :
(1)在适当的静态工作点和输入信号幅值足够小的条件 下，晶体管各极电流和各极间的电压都是由两个分量线 性叠加而成的，其中一个是由直流电源引起的直流分量， 另一个是随输入信号而变化的交流分量。
3.2 微变等效电路分析法
3．求输入电阻r i
由图3-11可得：
ri U Iii Ii(R I bi//rbe)R b//rbe rbe (3-8)
输入电阻 r i 是衡量放大
电路对输入电压衰减程度的
重要指标。通常要设法提高
放大电路的输入电阻r i ,尤其
是当信号源内阻较高的场合
更应如此。
图3-11 求放大电路的输入电阻
之比，是衡量
i
放大电路电压放大能力的指标。即
Au
Uo Ui
(3-6)
由图3-7(b)可得：
Au
Uo Ui
IbRL
Ibrbe
RL
rbe
RL
(Rc//RL)
(3-7)
A u 为负值，表示输出电压与输入电压的相位相反。共射 放大电路的电压放大倍数是较大的，通常为几十倍到几百倍。
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第3章 放大电路基础
称为固定偏流共射放大电路。
ICQ IBQ
(3-3)
UCEQVCC-ICQRC
(3-4)
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第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
2. 图解法确定静态工作点
在晶体管的输出特性曲线中可
找出对应的一条输出特性曲线。可
用截距法作出这条直线，分别在横、
纵轴上找出两个特殊点，即M(Vcc， 0)和N(0，Vcc/Rc)。直线MN的斜率 为1/Rc，是由集电极负载电阻确定 的，所以这条直线称为直流负载
【本章难点 】分压式电流负反馈偏置电路与射极输出器的分析 放大器的调整与调试
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第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
3.1.1 电路的组成
输入信号为 u i 输出交流电压为 u o
晶体管T：NPN型硅管，具有电流放
大作用 ,是整个电路的核心。Vcc是直
流电源，它的作用是使发射结满足正 向偏置、集电结满足反向偏置，使晶 体管具备放大的外部条件，它同时也 是信号放大的能源。
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第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
(2)当输入信号是正弦波时，电路中各交流分量都是与 输入信号同频率的正弦波，其中ib、ic、ube与ui同相，而uce、 uo与ui反相。输出电压与输入电压相位相反，这种现象称 为放大电路的倒相作用。
(3)输出电压的幅度比输入电压的幅度大得多，说明通 过电路输入电压被线性放大了。
(2) 饱和失真 静态工作点设置过高，晶体管工作在饱和区，使uo
的负半周出现平顶,如图3-5(b)所示。可以通过增大Rb的方 法加以克服。
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第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
图 3-5 静态工作点对输出波形的影响
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第3章 放大电路基础
3.2 微变等效电路分析法
3.2.1 简化的晶体管共发射H参数
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第3章 放大电路基础
3.1 单管共发射极放大器
3.1.2 静态分析
当放大电路没有输入信号(ui=0)时，电路中只有直流 电源作用，各处的电压和电流都是直流量，称为直流工 作状态或静止状态，简称静态。静态工作点Q IBQ、ICQ、 UCE
1. 估算法确定静态工作点
共射放大电路直流通路如图3-2所示
3.6.4 电路元器件参数的选择
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第3章 放大电路基础
3.7 多级放大器 3.7.1 四种级间耦合方式 3.7.2 多级放大器的频响 3.7.3 放大倍数(增益)的分贝表示法
3.8 放大器的噪声与抗干扰措施 3.9 放大器的调整与调试
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第3章 放大电路基础
【本章要点】基本放大器的组成及工作原理 静态工作关系判断与稳定 微变等效电路分析方法 三种放大电路(共射、共集、共基电路) 多级放大电路的四种耦合方式
(1) 电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。 (2)信号源内阻 Rs=500时的电压放大倍数。
图3-13 例3-2的电路图
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第3章 放大电路基础
3.2 微变等效电路分析法
解 (1)由图3-13(a)可知
IBQV R C b C520000.04m A40μA
则
2 6 m V 2 6
r b e 3 0 0 IB