CVD制程介绍

CVD制程介绍
一、CVD制程原理
CVD stands for Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积
CVD镀膜主要是用来进行介电质层镀膜以及钝化保护介电层镀膜。

它是利用气态的源材料在晶圆表面产生化学反应的制程。

Plasma：带电的正离子、电子和中性粒子的集合体。

整个集合体呈现电中性。

二、制程参数：
Pressure：在非run货情况下，chamber压力维持在3~5mtorr
run货时的压力为1450~2600 mtorr
Spacing：是susceptor和diffuser之间的距离
（450mil<spacing<elevator home status）
Gas flow: 不同膜层所用到的气体及气体流量是不同的
G：SiH4 NH3 N2
I：SiH4 H2
N：SiH4 PH31%/H2 H2
PV：SiH4 NH3 N2
RF：主要提供一定功率以形成plasma
Tempertaure：镀膜时susceptor的温度，以利于化学反应的进行。

GIN镀膜（340℃/360 ℃），PV镀膜（275 ℃/285 ℃）。

因susceptor heater 有两层线圈，温度的冷却有梯度，中间的温度高，设定内外两个温度，是为了使整块susceptor温度均匀。

三、CVD 镀膜机台简介
主机台由一个DDSL、Transfer Chamber、六个Process chamber 组成
1.DDSL由上下两个Upper 和Lower Load lock / Un load lock 构成，一组Load lock又分两
层，上进下出，由input plate 、cooling plate 、base plate，Substrate alignment mechanism （基片校准装置）组成
2.T/C有14个substrate sensor、vacuum robot arm、end effector、end effector pad，作用是在DDSL与P/C之间传送基片
3.P/C制程完成的地方，
Process Chamber的构造
pump Shadow frame。