2~20GHz GaAs超宽带杂谱抑制单片低噪声放大器

2~20GHz GaAs超宽带杂谱抑制单片低噪声放大器
彭龙新;牛超;凌显宝;凌志健
【期刊名称】《固体电子学研究与进展》
【年(卷),期】2016(0)1
【摘要】基于0.15μm GaAs PHEMT低噪声工艺,采用二种不同的电路结构——分布式和负反馈,研制了两种超宽带低噪声放大器芯片,两种芯片都达到了
2~20GHz的超宽带要求。

两款芯片均使用单电源+5V自偏置供电。

分布式低噪声放大器芯片的典型增益为17dB,典型噪声系数为2.5dB,输入驻波≤1.6,输出驻波≤1.9,1dB增益压缩输出功率≥14dBm,电流≤75mA;负反馈低噪声放大器芯片的典型增益≥20dB,典型噪声系数≤3.0dB,输入输出驻波≤2.1,1dB增益压缩输出功率≥14dBm,电流≤60mA。

用探索到的杂谱抑制理念,设计的两种放大器在全频带、全温(-55^+125℃)、大小信号输入下均未见到杂波,成功解决了国外同类产品HMC462在低温(-55℃)下存在杂散的严重问题。

【总页数】6页(P12-16 20)
【关键词】微波单片集成电路;超宽带;低噪声放大器;赝配高电子迁移率晶体管;分布式结构;负反馈;杂波抑制
【作者】彭龙新;牛超;凌显宝;凌志健
【作者单位】南京电子器件研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TN722.3
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