一种偏置电流可调节的高效率2.4GHz锗硅功率放大器

一种偏置电流可调节的高效率2.4GHz锗硅功率放大器
彭艳军;王志功;宋家友
【期刊名称】《固体电子学研究与进展》
【年(卷),期】2009(29)3
【摘要】基于IBM0.35μm SiGe BiCMOS工艺BiCMOS5PAe实现了一种偏置电流可调节的高效率2.4GHz锗硅功率放大器。

该功率放大器采用两级单端结构和一种新型偏置电路,除射频扼流电感外,其它元件均片内集成。

采用的新型偏置电路用于调节功率放大器的静态偏置电流,使功率放大器工作在高功率模式状态或低功率模式状态。

在3.5V电源条件下,功率放大器在低功率模式下工作时,与工作在高功率模式下相比,其功率附加效率在输出0dBm时提高了56.7%,在输出20dBm时提高了19.2%。

芯片的尺寸为1.32mm×1.37mm。

【总页数】5页(P364-368)
【关键词】功率放大器;锗硅;偏置电路;异质结双极型晶体管
【作者】彭艳军;王志功;宋家友
【作者单位】东南大学射频与光电集成电路研究所;郑州大学信息工程学院
【正文语种】中文
【中图分类】TN433;TN722.7
【相关文献】
1.偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响 [J], 刘默寒;陆妩;马武英;王信;郭旗;何承发;姜柯
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