电力电子技术第五版第二章答案
电力电子技术答案第五版(全)
电子电力课后习题答案第一章电力电子器件1.1 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或者UAK >0且UGK>01.2 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
1.3 图1－43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im ，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。
解：a) Id1=Im2717.0)122(2Im)(sinIm214≈+=⎰πωπππtI1=Im4767.021432Im)()sin(Im2142≈+=⎰πϖπππwtdtb) Id2=Im5434.0)122(2Im)(sinIm14=+=⎰wtd tππϖπI 2=Im6741.021432Im2)()sin(Im142≈+=⎰πϖπππwtdtc) Id3=⎰=2Im41)(Im21πωπtdI3=Im21)(Im2122=⎰tdωππ1.4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时，相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少?解：额定电流IT(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) Im135.3294767.0≈≈IA, Id1≈0.2717Im1≈89.48Ab) I m2,90.2326741.0A I≈≈I d2A I m 56.1265434.02≈≈c) I m3=2I=314 I d3=5.78413=m I1.5.GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶阐管的分析可得，121=+αα是器件临界导通的条件。
电力电子技术答案第五版(全)
电子电力课后习题答案第一章电力电子器件1、1 使晶闸管导通得条件就是什么？答:使晶闸管导通得条件就是:晶闸管承受正相阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。
或者UAK >0且UGK>01、2 维持晶闸管导通得条件就是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答:维持晶闸管导通得条件就是使晶闸管得电流大于能保持晶闸管导通得最小电流,即维持电流。
1、3 图1－43中阴影部分为晶闸管处于通态区间得电流波形,各波形得电流最大值均为Im ,试计算各波形得电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。
解:a) Id1=I1=b) Id2=I2=c) Id3=I3=1、4、上题中如果不考虑安全裕量,问100A得晶阐管能送出得平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时,相应得电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少?解:额定电流IT(AV)=100A得晶闸管,允许得电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) Im1A, Id10、2717Im189、48Ab) Im2 Id2c) Im3=2I=314 Id3=1、5、GTO与普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?答:GTO与普通晶阐管同为PNPN结构,由P1N1P2与N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益与,由普通晶阐管得分析可得,就是器件临界导通得条件。
两个等效晶体管过饱与而导通;不能维持饱与导通而关断。
GTO之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,就是因为GTO与普通晶闸管在设计与工艺方面有以下几点不同:l)GTO在设计时较大,这样晶体管V2控制灵敏,易于GTO关断;2)GTO导通时得更接近于l,普通晶闸管,而GTO则为,GTO得饱与程度不深,接近于临界饱与,这样为门极控制关断提供了有利条件;3)多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小,门极与阴极间得距离大为缩短,使得P2极区所谓得横向电阻很小,从而使从门极抽出较大得电流成为可能。
电力电子技术(王兆安第五版)课后习题全部答案
简单，工作频率高，不存在二次击穿问题。
IGBT 驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻，ⅠGBT 是电压驱动型器件，IGBT
的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 电力 MOSFET 驱动电路的特点：要求驱动电路具有较
小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。
2-11 目前常用的全控型电力电子器件有哪些？
2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加 触发电流（脉冲）。 或：uAK>0 且 uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电 流。 要使晶闸由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近 于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4 图 2-27 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为 Im ， 试计算各波形的电流平均值 Id1、Id2、Id3 与电流有效值 I1、I2、I3。
①作出 ud、id、和 i2 的波形；②求整流输出平均电压 Ud、电流 Id，变压器二次电流有效值 I2；
③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
解：①ud、id、和 i2 的波形如下图：
u2
O
t
ud
O
t
id
O i2
Id t
Id
O
t
②输出平均电压 Ud、电流 Id，变压器二次电流有效值 I2 分别为
3
VT1、VT4 导通，输出电压均与电源电压 u2 相等；(π~π＋α)期间，均无晶闸管导通，输出电压为
电力电子技术(王兆安第五版)课后习题全部答案
电力电子技术2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显着提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。
低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：uAK>0且uGK>0。
2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。
解：a) I d1=Im2717.0)122(2Im)(sinIm214≈+=⎰πωπππtI1=Im4767.021432Im)()sin(Im2142≈+=⎰πϖπππwtdtb) I d2=Im5434.0)122(2Im)(sinIm14=+=⎰wtd tππϖπI2=Im6741.021432Im2)()sin(Im142≈+=⎰πϖπππwtdtc) I d3=⎰=2Im41)(Im21πωπtdI3=Im21)(Im2122=⎰tdωππ2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?解：额定电流I T(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) I m135.3294767.0≈≈IA, I d1≈0.2717I m1≈89.48Ab) I m2,90.2326741.0AI≈≈I d2AIm56.1265434.02≈≈c) I m3=2I=314 I d3=5.78 413=mI2-6 GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶阐管的分析可得，121=+αα是器件临界导通的条件。
电力电子技术 第五版(王兆安刘进军)课后详细答案
《电力电子技术》第五版 机械工业出版社课后习题答案第二章 电力电子器件1. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：u AK >0且u GK >0。
2. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
3. 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。
002π2π2ππππ4π4π25π4a)b)c)图1-430图1-43 晶闸管导电波形解：a) I d1=π21⎰ππωω4)(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1=⎰ππωωπ42)()sin (21t d t I m =2mI π2143+≈0.4767 I m b) I d2 =π1⎰ππωω4)(sin t td I m =πm I (122+)≈0.5434 I m I 2 =⎰ππωωπ42)()sin (1t d t I m =22m I π2143+≈0.6741I m c)I d3=π21⎰2)(πωt d I m =41I mI 3 =⎰202)(21πωπt d I m =21I m4. 上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少？这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?解：额定电流I T(AV) =100A 的晶闸管，允许的电流有效值I =157A ，由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48b)I m2≈6741.0I ≈232.90,I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314,I d3=41 I m3=78.55. GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，为什么GTO 能够自关断，而普通晶闸管不能？答：GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，由P 1N 1P 2和N 1P 2N 2构成两个晶体管V 1、V 2,分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶闸管的分析可得，1α+2α=1是器件临界导通的条件。
电力电子技术第五版答案
L d id � dt
2U 2 sin �t
考虑到初始条件�当�t�0 时 id�0 可解方程得�
id �
2U 2 (1 � cos �t ) �L
� I d � 1
2�
2� 0
2U 2 (1 � cos �t)d(�t) �L
= 2U 2 =22.51(A) �L
ud 与 id 的波形如下图�
u2
器铁心不会被直流磁化。
9�三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法�a、b 两相的自然换相点 是同一点吗�如果不是�它们在相位上差多少度�
答�三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法�a、b 两相之间换相的的自 然换相点不是同一点。它们在相位上相差 180°。
10�有两组三相半波可控整流电路�一组是共阴极接法�一组是共阳极接 法�如果它们的触发角都是��那末共阴极组的触发脉冲与共阳极组的触发脉冲 对同一相来说�例如都是 a 相�在相位上差多少度� 答�相差 180°。
O
�
�t
ud
�
O
�
�t
id
O i2
�
Id �t
Id
O
�t
②输出平均电压 Ud、电流 Id�变压器二次电流有效值 I2 分别为 Ud�0.9 U2 cosα�0.9×100×cos30°�77.97�V�
Id�Ud /R�77.97/2�38.99�A� I2�Id �38.99�A�
③晶闸管承受的最大反向电压为�
2 U2�100 2 �141.4�V� 考虑安全裕量�晶闸管的额定电压为�
UN��2~3�×141.4�283~424�V� 具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
流过晶闸管的电流有效值为�
电力电子技术(王兆安第五版)课后习题全部答案
3-5．单相桥式全控整流电路，U2=100V，负载中R=2Ω，L值极大，反电势E=60V，当=30时，要求：作出ud、id和i2的波形；
1求整流输出平均电压Ud、电流Id，变压器二次侧电流有效值I2；
2考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
解：①ud、id和i2的波形如下图：
因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中，正负半周内上下绕组内电流的方向相反，波形对称，其一个周期内的平均电流为零，故不会有直流磁化的问题。
以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。
1以晶闸管VT2为例。当VT1导通时，晶闸管VT2通过VT1与2个变压器二次绕组并联，所以VT2承受的最大电压为2 。
3-1.单相半波可控整流电路对电感负载供电，L＝20mH，U2＝100V，求当α＝0和60时的负载电流Id，并画出ud与id波形。
解：α＝0时，在电源电压u2的正半周期晶闸管导通时，负载电感L储能，在晶闸管开始导通时刻，负载电流为零。在电源电压u2的负半周期，负载电感L释放能量，晶闸管继续导通。因此，在电源电压u2的一个周期里，以下方程均成立：
解：假设 ，当负载为电阻时，ud的波形如下：
当负载为电感时，ud的波形如下：
3- 8．三相半波整流电路，可以将整流变压器的二次绕组分为两段成为曲折接法，每段的电动势相同，其分段布置及其矢量如图2-60所示，此时线圈的绕组增加了一些，铜的用料约增加10%，问变压器铁心是否被直流磁化，为什么？
图2-60变压器二次绕组的曲折接法及其矢量图
2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。
电力电子技术答案第五版(全)
电子电力课后习题答案第一章 电力电子器件1.1 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或者U AK >0且U GK >01.2 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
1.3 图1－43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。
解：a) I d1=Im 2717.0)122(2Im )(sin Im 214≈+=⎰πωπππtI 1=Im 4767.021432Im )()sin (Im 2142≈+=⎰πϖπππwt d tb) I d2=Im 5434.0)122(2Im )(sin Im 14=+=⎰wt d t ππϖπI 2=Im6741.021432Im 2)()sin (Im 142≈+=⎰πϖπππwt d tc) I d3=⎰=20Im 41)(Im 21πωπt dI 3=Im 21)(Im 21202=⎰t d ωππ1.4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) I m135.3294767.0≈≈IA, I d1≈0.2717I m1≈89.48A b) I m2,90.2326741.0A I≈≈I d2A I m 56.1265434.02≈≈c) I m3=2I=314 I d3=5.78413=m I和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能?答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶阐管的分析可得，121=+αα是器件临界导通的条件。
电力电子技术答案第五版(全)
电子电力课后习题答案第一章电力电子器件1.1 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲）。
或者ＵＡK ＞0且UＧK>0１.2 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
1．３图1－43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Ｉm ，试计算各波形的电流平均值Iｄ1、Id2、Iｄ3与电流有效值Ｉ1、I2、I３。
解：a）Ｉd1=Im2717.0)122(2Im)(sinIm214≈+=⎰πωπππtI1＝Im4767.021432Im)()sin(Im2142≈+=⎰πϖπππwtdtｂ） Id2=Im5434.0)122(2Im)(sinIm14=+=⎰wtd tππϖπＩ2＝Im6741.021432Im2)()sin(Im142≈+=⎰πϖπππwtdtc) Ｉd3=⎰=2Im41)(Im21πωπtdI3＝Im21)(Im2122=⎰tdωππ1．4．上题中如果不考虑安全裕量，问１00Ａ的晶阐管能送出的平均电流Id１、Ｉd2、Id３各为多少？这时,相应的电流最大值Ｉm1、Im2、Im3各为多少?解：额定电流ＩT(AV)=1０0A的晶闸管,允许的电流有效值Ｉ＝157Ａ,由上题计算结果知a） Iｍ135.3294767.0≈≈IA, Ｉｄ1≈０.2717Iｍ1≈89.４8Ab) I m2,90.2326741.0A I≈≈I d2A I m 56.1265434.02≈≈c) I m ３=2I ＝314 Ｉd ３=5.78413=m I1．5.GTO 和普通晶闸管同为PN ＰＮ结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答:GTO 和普通晶阐管同为ＰＮPN 结构，由Ｐ１N １P ２和N1P2N ２构成两个晶体管Ｖ1、Ｖ2,分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶阐管的分析可得,121=+αα是器件临界导通的条件。
电力电子技术答案第五版(全)
电子电力课后习题答案第一章电力电子器件1.1 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或者UAK >0且UGK>01.2 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
1.3 图1－43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im ，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。
解：a) Id1=I1=b) Id2=I2=c) Id3=I3=1.4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时，相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少?解：额定电流IT(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) Im1A, Id10.2717Im189.48Ab) Im2 Id2c) Im3=2I=314 Id3=1.5.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?答：GTO和普通晶阐管同为PNPN结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益和，由普通晶阐管的分析可得，是器件临界导通的条件。
两个等效晶体管过饱和而导通；不能维持饱和导通而关断。
GTO之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：l)GTO在设计时较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断；2)GTO导通时的更接近于l，普通晶闸管，而GTO则为，GTO的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件；3)多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
电力电子技术(王兆安第五版)课后习题全部答案
精心整理电力电子技术2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显着提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。
低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
或：uAK>0I m，试I1=b)II2=c)II3=2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?解：额定电流I T(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a)I m135.3294767.0≈≈IA,I d1≈0.2717I m1≈89.48Ab)I m2,90.2326741.0AI≈≈I d2AIm56.1265434.02≈≈c)I m3=2I=314I d3=5.78413=m I2-6GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能?答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶阐管的分析可得，121=+αα是器件临界导通的条件。
121＞αα+两个等效晶体管过饱和而导通；121＜αα+不能维持饱和导通而关断。
GTO 之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：l)GTO 在设计时2α较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO 关断；2)GTO 导时刻，负载电流为零。
在电源电压u 2的负半周期，负载电感L 释放能量，晶闸管继续导通。
因此，在电源电压u 2的一个周期里，以下方程均成立：t U ti L ωsin 2d d 2d = 考虑到初始条件：当?t ＝0时i d ＝0可解方程得：)cos 1(22d t LU i ωω-= =LU ω22=22.51(A) u d 与i d 的波形如下图：当α＝60°时，在u 2正半周期60?~180?期间晶闸管导通使电感L 储能，电感L 储藏的能量在u 2负半周期180?~300?期间释放，因此在u 2一个周期中60?~300?期间以下微分方程成立：考虑初始条件：当?t ＝60?时i d ＝0可解方程得：)cos 21(22d t L U i ωω-=其平均值为)(d )cos 21(2213532d t t L U I ωωωπππ-=⎰=LU ω222=11.25(A) 此时u d 与i d 的波形如下图：3-2．图3-10为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，问该变压器还有直流磁化问题吗？试说明：①晶闸管承受的最大反向电压为222U ；②当负载是电阻或电感时，其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。
电力电子技术第五版第二章答案
电力电子技术第五版课后习题答案第二章 电力电子器件2. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：u AK >0且u GK >0。
3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
4. 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I 1、I 2、I 3。
π4π4π25π4a)b)c)图1-43图2-27 晶闸管导电波形解：a) I d1=π21⎰ππωω4)(sin t td I m=π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1=⎰ππωωπ42)()sin (21t d t I m =2mI π2143+≈0.4767 I m b) I d2 =π1⎰ππωω4)(sin t td I m=πm I (122+)≈0.5434 I m I 2 =⎰ππωωπ42)()sin (1t d t I m =22mI π2143+≈0.6741I m c) I d3=π21⎰20)(πωt d I m=41I m I 3 =⎰202)(21πωπt d I m =21I m5. 上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少？这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?解：额定电流I T(AV) =100A 的晶闸管，允许的电流有效值I =157A ，由上题计算结果知a) I m1≈4767.0I≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48b) I m2≈6741.0I≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314,I d3=41 I m3=78.5第三章 整流电路1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电，L ＝20mH ，U 2＝100V ，求当α＝0︒和60︒时的负载电流I d ，并画出u d 与i d 波形。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
电力电子技术第五版课后习题答案第二章电力电子器件2. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电 流（脉冲）。
或：U AK >0且U GK >0。
3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电 流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管 的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶 闸管关断。
4. 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最解：a) I di =丄 jmsin ，td(，t)=5 (2 1) 0.27仃 I m2冗 42冗 25. 上题中如果不考虑安全裕量，问100A 的晶闸管能送出的平均电流I di 、I d2、 I d3各为多少？这时，相应的电流最大值Im1> Im2> Im3解：额定电流I T （AV ）=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I =157A,由上题计算结 果知a)Im10.4767329.35, I d1 0.27 仃 I m189.48b)c)"=J 舟 /(泾：n^t)2d(<ot)=导 I 2 =310.4767 I m42 二1 下 I ： 2I d2 = - -I m sin tdC t)=』(—— 1 ) 0.5434 I mn 4' n 2— <21 (3 1I m sin t)2d( t)=今■ ■0.6741I m2 ，4 2二〔二 1 I d3= 2 I m d C“t) = I m2冗04 I3=j =1Im大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值h 、12、I 3a ）b ）c ）图2-27晶闸3管导电波形b）I m2 -232.90,0.6741I d2 ：：O5434 I m2"26.56c）I m3=2 I =314,1I d3= I m3=78.54第三章整流电路1.单相半波可控整流电路对电感负载供电，和60时的负载电流I d，并画出U d与i d波形解：a = 0时，在电源电压U2的正半周期晶闸管导通时，负载电感L储能，在晶闸管开始导通时刻，负载电流为零。
在电源电压U2的负半周期，负载电感L释放能量，晶闸管继续导通。
因此，在电源电压U2的一个周期里，以下方程均成立：L= 20mH, U2 = 100V，求当a= 0L 3d二.2U 2sin t dt考虑到初始条件：当t= 0时i d= 0可解方程得：i d = 2U2（i _cos t）co L2 二 ' 2U 22（1 -cos，t）d（，t）0 L.2U22=22.51（A）U d与i d的波形如下图：L当口= 60°时，在U2正半周期60 ~180期间晶闸管导通使电感L储能，电感L储藏的能量在U2负半周期180 ~300期间释放，因此在U2一个周期中60 ~300 期间以下微分方程成立：考虑初始条件：当L% 二 2U 2sin tdtt = 60时i d= 0可解方程得:v；2U 2 z 1 -i d 2（cos t）L 2其平均值为I d5 ———2 行进e—CH）=證="25（A）此时U d与i d的波形如下图:2•图2-9为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，问该变压器还有直流磁化问题吗？试说明：①晶闸管承受的最大反向电压为 2 . 2U2;②当负载是电阻或电感时，其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。
答：具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，该变压器没有直流磁化的问题。
因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中，正负半周内上下绕组内电流的方向相反，波形对称，其一个周期内的平均电流为零，故不会有直流磁化的问题。
以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。
①以晶闸管VT2为例。
当VT i导通时，晶闸管VT2通过VT i与2个变压器二次绕组并联，所以VT2承受的最大电压为2.、2U2。
②当单相全波整流电路与单相全控桥式整流电路的触发角〉相同时，对于电阻负载：(0~a)期间无晶闸管导通，输出电压为0; (a ~n)期间，单相全波电路中VT i 导通，单相全控桥电路中VT i、VT4导通，输出电压均与电源电压U2相等；(n ~ n +a )期间，均无晶闸管导通，输出电压为0; (n + a ~ 2 n )期间，单相全波电路中VT2导通，单相全控桥电路中VT2、VT3导通，输出电压等于- U2。
对于电感负载：(a ~ n + a )期间，单相全波电路中VT i导通，单相全控桥电路中VT i、VT4导通，输出电压均与电源电压U2相等；(n + a ~ 2n + a ) 期间，单相全波电路中VT2导通，单相全控桥电路中VT2、VT s导通，输出波形等于- U2。
可见，两者的输出电压相同，加到同样的负载上时，贝U输出电流也相同。
3•单相桥式全控整流电路，U2= 100V，负载中R= 2Q，L值极大，当a = 30°寸，要求：①作出U d、i d、和i2的波形；②求整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次电流有效值12；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
解：①U d、i d、和i2的波形如下图:U2」②输出平均电压U d、电流I d,变压器二次电流有效值12分别为U d= 0.9 U2 cosx = 0.9 X 100 X cos30 = 77.97 (V)I d= U d/ R= 77.97/ 2= 38.99 (A)I2= I d = 38.99 (A)③晶闸管承受的最大反向电压为：2 U2= 100 2 = 141.4 (V)考虑安全裕量，晶闸管的额定电压为：U N=(2~3)X 141.4= 283~424 (V)具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
流过晶闸管的电流有效值为：I VT= I d/ 2 = 27.57 (A)晶闸管的额定电流为：I N=( 1.5~2)X 27.57/ 1.57 = 26~35 (A)具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
4•单相桥式半控整流电路，电阻性负载，画出整流二极管在一周内承受的电压波形。
解：注意到二极管的特点：承受电压为正即导通。
因此，二极管承受的电压不会出现正的部分。
在电路中器件均不导通的阶段，交流电源电压由晶闸管平衡。
整流二极管在一周内承受的电压波形如下：5.单相桥式全控整流电路，U2=100V,负载中R=2Q,L值极大，反电势E=60V, 当：=30时，要求：①作出U d、i d和i2的波形；②求整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次侧电流有效值12；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
解：①U d、i d和i2的波形如下图：②整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次侧电流有效值I2分别为U d= 0.9 U2 cosa = 0.9X 100X cos30= 77.97(A)I d = (U d- E)/R= (77.97- 60)/2 = 9(A)I d = 9(A)③晶闸管承受的最大反向电压为：U2= 100 2 = 141.4 (V)、2流过每个晶闸管的电流的有效值为：I VT= I d / ■■- 2 = 6.36 (A)故晶闸管的额定电压为：U N = (2~3)X 141.4= 283~424 (V)晶闸管的额定电流为：I N = (1.5~2)X 6.36 / 1.57= 6~8 (A)晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
6.晶闸管串联的单相半控桥(桥中VT1、VT2为晶闸管)，电路如图2-11所示，U2=100V，电阻电感负载，R=2Q，L值很大，当=60时求流过器件电流的有效值，并作出U d、i d、i vT、i D的波形。
解：U d、i d、i vT、i D的波形如下图：O67.5(V )试绘出在电阻性负OOud-1Ou2udidi vTi 。
iVD2Oa b cI d —t—以口3Id =19.49（A ）流过二极管VD 3、VD 4的电流有效值为：.—1 cos(二 /3)2： . 2U 2 sin ，td( ，t) =0.9U 2-■3 2负载电流的平均值为： l d = U d / R = 67.52/ 2 = 33.75 (A )流过晶闸管VT i 、VT 2的电流有效值为：I VD = ｛彳 l d = 27.56 (A )负载电压的平均值为U d =丄 7.在三相半波整流电路中，如果 a 相的触发脉冲消失 载和电感性负载下整流电压 u d 的波形。
当负载为电感时，U d 的波形如下：UaUbUc71 £r \<h*4一□X曷IIdud解：假设:=0，当负载为电阻时，U d 的波形如下： u u u'' a b cUdl k a心bcO屮8 •三相半波整流电路，可以将整流变压器的二次绕组分为两段成为曲折接 法，每段的电动势相同，其分段布置及其矢量如图 2-60所示，此时线圈的绕组增加了一些，铜的用料约增加10%，问变压器铁心是否被直流磁化，为什么?图2-60变压器二次绕组白图曲折接法及其矢量图答：变压器铁心不会被直流磁化。
原因如下：变压器二次绕组在一个周期内：当a i c 2对应的晶闸管导通时，a i 的电流向下 流，c 的电流向上流；当C i b 2对应的晶闸管导通时，c i 的电流向下流，b 2的电流 向上流；当b i a 2对应的晶闸管导通时，b i 的电流向下流，a 2的电流向上流；就 变压器的一次绕组而言，每一周期中有两段时间（各为 i20 ）由电流流过，流过的电流大小相等而方向相反，故一周期内流过的电流平均值为零，所以变压 器铁心不会被直流磁化。
9•三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法，a 、b 两相的自然换相点 是同一点吗？如果不是，它们在相位上差多少度？ 答：三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法， a 、b 两相之间换相的的自然换相点不是同一点。
它们在相位上相差 i80°10. 有两组三相半波可控整流电路，一组是共阴极接法，一组是共阳极接 法，如果它们的触发角都是：•，那末共阴极组的触发脉冲与共阳极组的触发脉冲 对同一相来说，例如都是a 相，在相位上差多少度？ 答：相差i80°o11. 三相半波可控整流电路，U 2=i00V,带电阻电感负载，R=5Q ，L 值极大, 当=60时，要求：① 画出U d 、i d 和i vTi 的波形；②计算 U d 、I d 、I dT 和 I vT 。