如何将程序烧写至FLASH
如何用jlink烧写uboot到nandflash
如何用jlink烧写uboot到nandflash1.通过Nor Flash下载a. speed 12000 //设置TCK为12M，下载程序时会很快b. loadbin d:\u-boot.bin 0x30000000注意：0x30000000是你想要下载u-boot.bin到开发板的内存地址，内存地址根据不同的开发板设定不同，因为本文中使用的是FL2440，片上系统是S3C2440，内存挂载的地址区域是0x30000000~0x33ffffff，我们只需要把u-boot.bin下载到这片区域即可然后我们在U-boot命令行模式输入NAND Flash擦除和写入命令即可：c.nand erase 0 40000// 擦除从0地址开始的大小为0x40000的Nnad Flash扇区，0x40000是待写入的U-boot.bin的大致长度，长度必须为NAND Flash页大小的整数倍，通常会需要比u-boot.bin实际长度长。
d.nand write 30000000 0 40000 // 把前面下载到0x30000000的u-boot.bin烧写到Nand去二、方法二，直接通过JLink假如你的开发板没有NOR Flash或者是你使用的NOR Flash还未被J-FLASH ARM所支持，这时上面的方法你就无法使用了，这时候你需要一个初始化内存SDRAM的程序，这个程序完成的功能也就是配置好SDRAM的寄存器，使它能正常工作，fl2440的内存初始化程序下载地址：“2440init.bin”。
你还需要准备一个特殊的u-boot_SDRAM.bin，它与你要烧写到NAND Flash的u-boot.bin有区别，u-boot_SDRAM.bin编译时需要在include/configs/开发板配置文件.h 文件中添加：#define CONFIG_SKIP_LOWLEVEL_INIT 1 //用来支持uboot在内存中直接运行添加这个宏定义之后，U-boot就跳过了内存初始化的部分，因为此时我们的内存已经先由“2440init.bin“初始化好了，再次初始化会出现内存数据的丢失。
uniflash烧写原理
uniflash烧写原理全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：Uniflash烧写原理是指使用Uniflash工具对嵌入式设备进行程序烧写的工作原理。
Uniflash是一款由德州仪器（TI）公司开发的专门用于烧写程序的软件工具，广泛应用于TI公司的各类微控制器和数字信号处理器产品。
Uniflash烧写原理涉及到软件工具、通信协议、算法等多个方面的知识。
首先，Uniflash烧写原理的基础是通信协议。
在烧写过程中，主机（通常是PC机）和目标设备之间需要进行通信，以便主机可以向目标设备发送程序代码和数据。
Uniflash使用的通信协议通常是通过JTAG接口或串行接口（如UART、SPI等）与目标设备进行通信。
这些通信协议通常是经过调试和验证的，以确保数据的正确传输和烧写的有效性。
其次，Uniflash烧写原理还涉及到烧写算法。
烧写算法是指在烧写过程中，主机如何将程序代码和数据写入目标设备的存储器中的逻辑操作。
通常，烧写算法会根据目标设备的存储器类型和结构进行优化设计，以确保烧写的速度和可靠性。
Uniflash提供了各种常用的烧写算法，并且支持用户自定义烧写算法，以满足不同设备和应用的需求。
此外，Uniflash还具有丰富的功能和友好的界面。
用户可以通过Uniflash软件工具对目标设备的程序进行烧写、擦除、验证等操作，实现对嵌入式设备的灵活控制。
同时，Uniflash还支持批量烧写、自动化脚本等功能，提高烧写效率和便利性。
总的来说，Uniflash烧写原理是一个复杂而全面的体系，涉及到软件工具、通信协议、烧写算法等多个方面的知识。
只有深入理解Uniflash烧写原理，才能更好地应用Uniflash工具进行程序烧写，实现对嵌入式设备的有效管理和维护。
Uniflash的不断优化和更新也将不断推动嵌入式设备开发的进步和发展。
第二篇示例：Uniflash是一款用于嵌入式系统烧写的工具软件，由德州仪器（TI）公司开发。
如何将自己的程序写到flash
1、linux-img.bat中（此文件的功能估计是利用BIN2TXT.EXE把程序转化成2进制的可执行机器码）rem down -d image main.ou1 -w 0x00001000 -o ultra.dwnrem bin2txtrem copy ultra.txt linux.txtdown -d image image.ou1 -w 0x00020000 -o ultra.dwnbin2txtcopy ultra.txt linux.txtpause2、bootloader.s中SDRAMsize: equ 0x01000000 ;16M bytesSRAMaddr: equ 0x04000000SRAMsize: equ (4 * 1024) ;;4K_VECTOR_TABLE equ 0x00000000DA TA_LENGTH equ 0x00150000;长度要足够放下自己的应用程序FLASH_CODE_ADDR equ 0xFF020000; start address of app. image DRAM_START equ 0x00020000;应用程序起始地址(start of crt0.s, defined in xxx.lnk)，应用程序用sds下载后，start直接指的地址，一定要和linux-img.bat 中的地址一样。
3、bootloader.lnk中MEMORY{/* PHYSICAL SETUP */rom:org = 0xFf010000, len = 0x000FF000;程序用sds下载下去后，start所在的地址，此处就是定义次地址。
/* start address and bootloader's size*/}4、flash14.c中//at 0xff000000unsigned char StartImg[]={0x00,0x00,0x05,0x00,0xff,0x01,0x00,0x00};//0xff000000,复位后自动从此执行程序。
F28335 DSP FLASH烧写的方法
张掌柜讲F28335DSP系列之把DSP程序从烧到RAM变成烧到FLASH中的方法一、前言1、首先跟大家强调一点，阅读这个文档的前提是，已经阅读过本店《张掌柜讲DSP系列之CCS4.2 XDS100在CCS4.2环境下仿真编程新手入门.pdf》这个文档，并且熟练掌握里面的操作步骤。
我后面讲解的话语里面，如果有你看不懂的，请回过头去看《张掌柜讲DSP系列之CCS4.2 XDS100在CCS4.2环境下仿真编程新手入门.pdf》。
这个文档我写的比较简练，希望大家看的时候仔细一些。
2、其次，说明一下我写这个文档的原因，很多买家朋友在本店购买TMS320F 28335DSP开发板套装，在RAM程序调试完毕后，将程序固化到FLASH的过程中遇到困难。
因为这些困难是很多朋友都会遇到的，所以我专门写这个文档讲解一下。
3、提醒一下，用仿真器烧写DSP的FLASH程序完成后，给开发板断电，然后拔掉仿真器和DSP开发板之间JTAG的连接，然后再给开发板上电，否则DSP开发板连着DSP 仿真器的时候，无法正常运行FLASH中的程序。
4、最后说明一下，在CCS4的Debug界面下，可以成功的Connect（连接），可以成功的Load program到DSP的片内RAM中，这个就说明DSP仿真器和DSP开发板没有硬件上的损坏或者问题，完全可以放心。
二、把烧写到RAM程序修改成烧写到FLASH的首先，希望大家明白一点，想把一个原来是烧写到DSP的片内RAM的程序修改成是烧写到DSP片内FLASH的程序，不仅仅是修改一个cmd文件就结束了，还需要做其他几个步骤，这里我重点强调一下。
第一步：把28335_RAM_lnk.cmd这个从project中移除，用右键选择28335_RAM_lnk.cmd然后选delate。
如下图1，然后出现对话框，点YES，如图2。
图1图2第二步：右键选择project名称，然后选add file to project，如下图3，然后出现浏览框，在\Code of TMS320F28335 CCS4\v120\DSP2833x_common\cmd这个子文件夹下，选择F28335.cmd，点OK，至此可以在project的文件列表内看到F28335.cmd被添加到project中。
【STM32】如何将资源烧写至外部flash，如spi-flash
【STM32】如何将资源烧写⾄外部flash，如spi-flashSTM32将资源烧写⾄外部flash⽅式⼤致分为通过IDE与应⽤程序⼀起和通过CubeProgranmmer单独烧写两种：⽅式⼀、使⽤IDE加载烧写算法，烧录应⽤程序时⼀并写⼊，具体就是修改分散加载链接脚本将部分常量数据移⾄外部flash，烧写算法制作⼯程如下主要实现两个⽂件，接⼝实现⽂件 <FLashPrg.c> 和设备描述⽂件 <FLashPrg.c>FLashPrg.c1/**************************************************************************//**2 * @file FlashDev.c3 * @brief Flash Device Description for New Device Flash4 * @version V1.0.05 * @date 10. January 20186 ******************************************************************************/7/*8 * Copyright (c) 2010-2018 Arm Limited. All rights reserved.9 *10 * SPDX-License-Identifier: Apache-2.011 *12 * Licensed under the Apache License, Version 2.0 (the License); you may13 * not use this file except in compliance with the License.14 * You may obtain a copy of the License at15 *16 * /licenses/LICENSE-2.017 *18 * Unless required by applicable law or agreed to in writing, software19 * distributed under the License is distributed on an AS IS BASIS, WITHOUT20 * WARRANTIES OR CONDITIONS OF ANY KIND, either express or implied.21 * See the License for the specific language governing permissions and22 * limitations under the License.23*/2425 #include "..\FlashOS.H"// FlashOS Structures262728struct FlashDevice const FlashDevice = {29 FLASH_DRV_VERS, // Driver Version, do not modify!30"STM32F429_W25Q128", // Device Name31 EXTSPI, // Device Type320x90000000, // Device Start Address330x01000000, // Device Size in Bytes (256kB)34256, // Programming Page Size350, // Reserved, must be 0360xFF, // Initial Content of Erased Memory37100, // Program Page Timeout 100 mSec383000, // Erase Sector Timeout 3000 mSec3940// Specify Size and Address of Sectors410x001000, 0x000000, // Sector Size 8kB (8 Sectors)42// 0x010000, 0x010000, // Sector Size 64kB (2 Sectors)43// 0x002000, 0x030000, // Sector Size 8kB (8 Sectors)44 SECTOR_END45 };FLashPrg.c1/**************************************************************************//**2 * @file FlashPrg.c3 * @brief Flash Programming Functions adapted for New Device Flash4 * @version V1.0.05 * @date 10. January 20186 ******************************************************************************/7/*8 * Copyright (c) 2010-2018 Arm Limited. All rights reserved.9 *10 * SPDX-License-Identifier: Apache-2.011 *12 * Licensed under the Apache License, Version 2.0 (the License); you may13 * not use this file except in compliance with the License.14 * You may obtain a copy of the License at15 *16 * /licenses/LICENSE-2.017 *18 * Unless required by applicable law or agreed to in writing, software19 * distributed under the License is distributed on an AS IS BASIS, WITHOUT20 * WARRANTIES OR CONDITIONS OF ANY KIND, either express or implied.21 * See the License for the specific language governing permissions and22 * limitations under the License.23*/2425 #include "..\FlashOS.H"// FlashOS Structures26 #include ".\flash\bsp_spi_flash.h"272829#define PAGE_SIZE SPI_FLASH_PageSize303132 uint8_t auxBuf[PAGE_SIZE];33 uint32_t baseAddr;3435/*36 Mandatory Flash Programming Functions (Called by FlashOS):37 int Init (unsigned long adr, // Initialize Flash38 unsigned long clk,39 unsigned long fnc);40 int UnInit (unsigned long fnc); // De-initialize Flash41 int EraseSector (unsigned long adr); // Erase Sector Function42 int ProgramPage (unsigned long adr, // Program Page Function43 unsigned long sz,44 unsigned char *buf);4546 Optional Flash Programming Functions (Called by FlashOS):47 int BlankCheck (unsigned long adr, // Blank Check48 unsigned long sz,49 unsigned char pat);50 int EraseChip (void); // Erase complete Device51 unsigned long Verify (unsigned long adr, // Verify Function52 unsigned long sz,53 unsigned char *buf);5455 - BlanckCheck is necessary if Flash space is not mapped into CPU memory space56 - Verify is necessary if Flash space is not mapped into CPU memory space57 - if EraseChip is not provided than EraseSector for all sectors is called58*/596061/*62 * Initialize Flash Programming Functions63 * Parameter: adr: Device Base Address64 * clk: Clock Frequency (Hz)65 * fnc: Function Code (1 - Erase, 2 - Program, 3 - Verify)66 * Return Value: 0 - OK, 1 - Failed67*/6869int Init (unsigned long adr, unsigned long clk, unsigned long fnc)70 {71/* Add your Code */72 baseAddr = adr;73 SPI_FLASH_Init();74return (0); // Finished without Errors75 }767778/*79 * De-Initialize Flash Programming Functions80 * Parameter: fnc: Function Code (1 - Erase, 2 - Program, 3 - Verify)81 * Return Value: 0 - OK, 1 - Failed82*/8384int UnInit (unsigned long fnc)85 {86/* Add your Code */87return (0); // Finished without Errors88 }899091/*92 * Erase complete Flash Memory93 * Return Value: 0 - OK, 1 - Failed94*/9596int EraseChip (void)97 {98/* Add your Code */99 SPI_FLASH_BulkErase();100return (0); // Finished without Errors101 }102103104/*105 * Erase Sector in Flash Memory106 * Parameter: adr: Sector Address107 * Return Value: 0 - OK, 1 - Failed108*/109110int EraseSector (unsigned long adr)111 {112/* Add your Code */113 SPI_FLASH_SectorErase(adr - baseAddr);114return (0); // Finished without Errors115 }116117118/*119 * Program Page in Flash Memory120 * Parameter: adr: Page Start Address121 * sz: Page Size122 * buf: Page Data123 * Return Value: 0 - OK, 1 - Failed124*/125126int ProgramPage (unsigned long adr, unsigned long sz, unsigned char *buf)127 {128/* Add your Code */129 SPI_FLASH_PageWrite(buf, adr - baseAddr, sz);130return (0); // Finished without Errors131 }132133/*134 * Verify Flash Contents135 * Parameter: adr: Start Address136 * sz: Size (in bytes)137 * buf: Data138 * Return Value: (adr+sz) - OK, Failed Address139*/140141/*142 Verify function is obsolete because all other function leave143 the SPIFI in memory mode so a memory compare could be used.144*/145 unsigned long Verify (unsigned long adr, unsigned long sz, unsigned char *buf)146 {147int i;148 SPI_FLASH_BufferRead(auxBuf, adr - baseAddr, sz);149for (i = 0; i < PAGE_SIZE; i++) {150if (auxBuf[i] != buf[i]) {151return (adr + i); // Verification Failed (return address)152 }153 }154return (adr + sz); // Done successfully155 }修改好适配⾃⼰的硬件接⼝，编译会⽣成 .FLM格式的烧写算法⽂件，实际是通过如下命令⽣成的⽤法：烧写程序时选择刚才⽣成的算法⽂件即可⽅式⼆、使⽤编程⼯具STM32CubeProgrammer，将数据直接烧写⾄外部flash，烧写算法制作⼯程如下主要实现两个⽂件，接⼝实现⽂件 <Loader_Src.c> 和设备描述⽂件 <Dev_Inf.c>Dev_Inf.c1 #include "Dev_Inf.h"23/* This structure containes information used by ST-LINK Utility to program and erase the device */4#if defined (__ICCARM__)5 __root struct StorageInfo const StorageInfo = {6#else7struct StorageInfo const StorageInfo = {8#endif9"M25P64_STM3210E-EVAL", // Device Name + version number10 SPI_FLASH, // Device Type110x00000000, // Device Start Address120x00800000, // Device Size in Bytes (8MBytes/64Mbits)130x00000100, // Programming Page Size 16Bytes140xFF, // Initial Content of Erased Memory15// Specify Size and Address of Sectors (view example below)160x00000080, 0x00010000, // Sector Num : 128 ,Sector Size: 64KBytes170x00000000, 0x00000000,18 };1920/* Sector coding example21 A device with succives 16 Sectors of 1KBytes, 128 Sectors of 16 KBytes,22 8 Sectors of 2KBytes and 16384 Sectors of 8KBytes2324 0x00000010, 0x00000400, // 16 Sectors of 1KBytes25 0x00000080, 0x00004000, // 128 Sectors of 16 KBytes26 0x00000008, 0x00000800, // 8 Sectors of 2KBytes27 0x00004000, 0x00002000, // 16384 Sectors of 8KBytes28 0x00000000, 0x00000000, // end29*/Loader_Src.c1 #include "stm32f10x.h"2 #include "stm32_eval_spi_flash.h"3 #include "stm3210e_eval.h"456/**7 * Description :8 * Initilize the MCU Clock, the GPIO Pins corresponding to the9 * device and initilize the FSMC with the chosen configuration10 * Inputs :11 * None12 * outputs :13 * R0 : "1" : Operation succeeded14 * "0" : Operation failure15 * Note: Mandatory for all types of device16*/17int Init (void)18 {19 SystemInit();20 sFLASH_Init();21return1;22 }232425/**26 * Description :27 * Read data from the device28 * Inputs :29 * Address : Write location30 * Size : Length in bytes31 * buffer : Address where to get the data to write32 * outputs :33 * R0 : "1" : Operation succeeded34 * "0" : Operation failure35 * Note: Mandatory for all types except SRAM and PSRAM36*/37int Read (uint32_t Address, uint32_t Size, uint8_t* buffer)38 {39 sFLASH_ReadBuffer(buffer, Address, Size);40return1;41 }424344/**45 * Description :46 * Write data from the device47 * Inputs :48 * Address : Write location49 * Size : Length in bytes50 * buffer : Address where to get the data to write51 * outputs :52 * R0 : "1" : Operation succeeded53 * "0" : Operation failure54 * Note: Mandatory for all types except SRAM and PSRAM55*/56int Write (uint32_t Address, uint32_t Size, uint8_t* buffer)57 {58 sFLASH_WriteBuffer(buffer, Address, Size);59return1;60 }616263/**64 * Description :65 * Erase a full sector in the device66 * Inputs :67 * None68 * outputs :69 * R0 : "1" : Operation succeeded70 * "0" : Operation failure71 * Note: Not Mandatory for SRAM PSRAM and NOR_FLASH72*/73int MassErase (void)74 {75 sFLASH_EraseBulk();76return1;77 }7879/**80 * Description :81 * Erase a full sector in the device82 * Inputs :83 * SectrorAddress : Start of sector84 * Size : Size (in WORD)85 * InitVal : Initial CRC value86 * outputs :87 * R0 : "1" : Operation succeeded88 * "0" : Operation failure89 * Note: Not Mandatory for SRAM PSRAM and NOR_FLASH90*/91int SectorErase (uint32_t EraseStartAddress, uint32_t EraseEndAddress)92 {93 EraseStartAddress = EraseStartAddress - EraseStartAddress % 0x10000; 9495while (EraseEndAddress >= EraseStartAddress) {96 sFLASH_EraseSector(EraseStartAddress);97 EraseStartAddress += 0x10000;98 }99100return1;101 }102103/**104 * Description :105 * Calculates checksum value of the memory zone106 * Inputs :107 * StartAddress : Flash start address108 * Size : Size (in WORD)109 * InitVal : Initial CRC value110 * outputs :111 * R0 : Checksum value112 * Note: Optional for all types of device113*/114 uint32_t CheckSum(uint32_t StartAddress, uint32_t Size, uint32_t InitVal)115 {116 uint8_t missalignementAddress = StartAddress % 4;117 uint8_t missalignementSize = Size ;118int cnt;119 uint32_t Val;120 uint8_t value;121122 StartAddress -= StartAddress % 4;123 Size += (Size % 4 == 0) ? 0 : 4 - (Size % 4);124125for(cnt = 0; cnt < Size ; cnt += 4) {126 sFLASH_ReadBuffer(&value, StartAddress, 1);127 Val = value;128 sFLASH_ReadBuffer(&value, StartAddress + 1, 1);129 Val += value << 8;130 sFLASH_ReadBuffer(&value, StartAddress + 2, 1);131 Val += value << 16;132 sFLASH_ReadBuffer(&value, StartAddress + 3, 1);133 Val += value << 24;134135if(missalignementAddress) {136switch (missalignementAddress) {137case1:138 InitVal += (uint8_t) (Val >> 8 & 0xff);139 InitVal += (uint8_t) (Val >> 16 & 0xff);140 InitVal += (uint8_t) (Val >> 24 & 0xff);141 missalignementAddress -= 1;142break;143144case2:145 InitVal += (uint8_t) (Val >> 16 & 0xff);146 InitVal += (uint8_t) (Val >> 24 & 0xff);147 missalignementAddress -= 2;148break;149150case3:151 InitVal += (uint8_t) (Val >> 24 & 0xff);152 missalignementAddress -= 3;153break;154 }155 } else if((Size - missalignementSize) % 4 && (Size - cnt) <= 4) {156switch (Size - missalignementSize) {157case1:158 InitVal += (uint8_t) Val;159 InitVal += (uint8_t) (Val >> 8 & 0xff);160 InitVal += (uint8_t) (Val >> 16 & 0xff);161 missalignementSize -= 1;162break;163164case2:165 InitVal += (uint8_t) Val;166 InitVal += (uint8_t) (Val >> 8 & 0xff);167 missalignementSize -= 2;168break;169170case3:171 InitVal += (uint8_t) Val;172 missalignementSize -= 3;173break;174 }175 } else {176 InitVal += (uint8_t) Val;177 InitVal += (uint8_t) (Val >> 8 & 0xff);178 InitVal += (uint8_t) (Val >> 16 & 0xff);179 InitVal += (uint8_t) (Val >> 24 & 0xff);180 }181182 StartAddress += 4;183 }184185return (InitVal);186 }187188189/**190 * Description :191 * Verify flash memory with RAM buffer and calculates checksum value of192 * the programmed memory193 * Inputs :194 * FlashAddr : Flash address195 * RAMBufferAddr : RAM buffer address196 * Size : Size (in WORD)197 * InitVal : Initial CRC value198 * outputs :199 * R0 : Operation failed (address of failure)200 * R1 : Checksum value201 * Note: Optional for all types of device202*/203 uint64_t Verify (uint32_t MemoryAddr, uint32_t RAMBufferAddr, uint32_t Size, uint32_t missalignement) 204 {205 uint32_t InitVal = 0;206 uint32_t VerifiedData = 0;207 uint8_t TmpBuffer = 0x00;208 uint64_t checksum;209 Size *= 4;210211 checksum = CheckSum((uint32_t)MemoryAddr + (missalignement & 0xf), Size - ((missalignement >> 16) & 0xF), InitVal);212213while (Size > VerifiedData) {214 sFLASH_ReadBuffer(&TmpBuffer, MemoryAddr + VerifiedData, 1);215216if (TmpBuffer != *((uint8_t*)RAMBufferAddr + VerifiedData))217return ((checksum << 32) + MemoryAddr + VerifiedData);218219 VerifiedData++;220 }221222return (checksum << 32);223 }修改好适配⾃⼰的硬件接⼝，编译会⽣成 .stldr格式的烧写算法⽂件，实际是通过如下命令⽣成的⽤法：烧写程序时选择刚才⽣成的算法⽂件即可。
jtag烧写flash原理
jtag烧写flash原理JTAG烧写Flash原理一、JTAG简介JTAG（Joint Test Action Group）是一种标准的芯片测试和编程接口，它可以在不需要物理插头的情况下测试和编程芯片。
它是由IEEE （Institute of Electrical and Electronics Engineers）制定的标准，目前已经成为了一个广泛应用于数字电路测试和调试的标准接口。
二、JTAG烧写Flash原理Flash存储器是一种非易失性存储器，它可以在断电后保持数据。
因此，Flash存储器被广泛应用于各种嵌入式系统中。
在设计和开发过程中，需要对Flash存储器进行烧写操作以更新或修改程序代码。
JTAG接口可以用于烧写Flash存储器。
其原理如下：1. JTAG接口连接首先，将目标设备的JTAG接口与烧写设备的JTAG接口相连。
这个连接通常包括四个信号线：TCK、TMS、TDI和TDO。
2. 进入ISP模式通过向目标设备发送特定的命令序列，在目标设备中进入ISP（In-System Programming）模式。
在ISP模式下，目标设备将会响应来自烧写设备的命令，并将Flash存储器暴露给烧写设备。
3. 读取Flash存储器状态烧写设备通过JTAG接口向目标设备发送命令，以读取Flash存储器的状态。
这些状态包括Flash存储器的大小、页大小、块大小以及是否需要擦除等信息。
4. 擦除Flash存储器在烧写新程序代码之前，必须先将Flash存储器擦除。
为了提高效率，通常只需要擦除需要烧写的代码所在的块。
5. 写入新程序代码在完成Flash存储器的擦除后，可以开始写入新程序代码。
烧写设备通过JTAG接口向目标设备发送命令和数据来完成这个过程。
通常，数据是按页或块大小分批次写入的。
6. 验证新程序代码在完成新程序代码的烧写后，需要进行验证以确保数据正确性。
烧写设备通过JTAG接口向目标设备发送命令和数据来读取已经烧写到Flash存储器中的数据，并将其与原始数据进行比较。
jtag烧写flash原理
JTAG烧写Flash原理一、什么是JTAG？JTAG（Joint Test Action Group）是一种用于芯片测试和调试的标准接口。
它定义了一组用于访问目标设备内部结构、获取芯片状态以及进行调试和编程的信号和协议。
JTAG具有广泛的应用，其中之一是在软件开发过程中用于烧写Flash存储器。
二、Flash存储器简介Flash是一种非易失性存储器，它可以电擦除和编程。
Flash存储器通常用于存储程序代码和数据，它在数字设备中起到了至关重要的作用。
在许多嵌入式系统中，Flash存储器被作为主存储器使用，因此在研发过程中烧写程序代码和数据到Flash存储器是非常常见的任务。
三、JTAG烧写Flash的基本原理JTAG烧写Flash的基本原理是通过JTAG接口读取目标设备的内部状态、控制信号以及访问存储器地址，然后将要烧写的数据写入Flash存储器。
下面将详细介绍JTAG烧写Flash的过程。
JTAG接口的连接首先，需要将烧写设备（如JTAG调试器）与目标设备上的JTAG接口连接。
JTAG 接口通常包括TCK（时钟信号）、TMS（状态信号）、TDI（数据输入信号）和TDO （数据输出信号），通过连接这些信号，烧写设备可以与目标设备进行通信。
进入和退出JTAG模式在JTAG烧写Flash之前，需要将目标设备进入JTAG模式。
这可以通过在JTAG接口上发送一系列特定的JTAG命令来实现。
进入JTAG模式后，目标设备的内部状态机会切换到与JTAG相关的状态，以便进行后续的烧写操作。
完成烧写后需要退出JTAG模式，将目标设备恢复到正常的运行模式。
读取目标设备状态在进行烧写操作之前，需要读取目标设备的当前状态。
这可以通过发送特定的JTAG命令，并从目标设备的TDO信号上读取返回的状态信息。
目标设备的状态包括Flash存储器是否就绪、是否处于保护状态等。
根据不同的状态，可以确定是否可以进行烧写操作。
编程Flash存储器一旦目标设备进入了JTAG模式并且处于可编程状态，就可以开始进行烧写操作了。
STM32F407通过SD卡进行程序升级(把bin文件烧写到FLASH的方式)
STM32F407通过SD卡进行程序升级（把bin文件烧写到FLASH的方式）以下STM32F407通过SD卡进行升级的bootloader程序已经修改好并通过验证。
该bootloader是直接把bin文件烧写到flash里面去，不是原子哥的跳转哦，理论上可以烧写960k的bin程序。
程序流程是把一个需要烧写的bin文件放到SD 卡里面，然后在bootloader程序里读出来并把bin文件烧写到指定的FLASH区域，并且让该程序运行。
说说辛酸史~~~~刚开始的时候走了很多弯路，第一个思路是像原子哥那样，通过把bin文件的内容复制到SRAM然后进行跳转运行，但后来仔细看了资料和他的程序，发现他的程序有限制，要在100k左右，太大了无法放得下，而且这个不是烧写到FLASH去运行，于是放弃这个思路。
第二思路是把bin文件的内容复制到外部SRAM里面去，然后在外部SRAM里面运行时候，再把外部SRAM里面的bin内容给烧写到FLASH，相当于一开始从FLASH运行的程序跳转到外部SRAM去运行，然后通过外部SRAM运行的这个程序去把FLASH的内容给修改了，就是烧写新的程序。
按照思路，在外部SRAM运行的程序是能够“独立”运行了，已经和FLASH没有关系，那时也能够对FLASH进行烧写，烧写地址是从0x8000000开始的，但烧写到16K以后就死掉了，就是整个程序都崩溃了。
以为是在外部SRAM运行的程序不能把它自身的内容给复制出去，外部SRAM的程序存放地址是0x6800000，然后我又把0x6800000这个地址开始的数据复制出来烧写到FLASH 去，有点像是一个人在跑步的时候把腿提起来给别人看一样，想想都觉得问题会出现在这里，使劲折腾验证了半天，发现不是这个问题，跑步的时候提起腿来给别人看居然没有“摔倒”~~~后来又去看了资料，发现所有运行的程序中断时都需要跑到FLASH的复位中断向量那里，但我都烧写到16K了，才跑出来折腾，这有点说不过去~~~反正到现在我也不知道是什么鬼在影响。
如何将程序烧写至FLASH
6.cmd 中以下代码如何解释？ ramfuncs : LOAD = FLASHD, RUN = RAML0, LOAD_START(_RamfuncsLoadStart), LOAD_END(_RamfuncsLoadEnd), RUN_START(_RamfuncsRunStart), PAGE = 0
MemCopy(&RamfuncsLoadStart, &RamfuncsLoadEnd, &RamfuncsRunStart);将一些在内存中运行的代码从 flash 复制到内存中，然后程序才能正常运行。
5.写好的代码再 ram 中能正常运行但是烧写到 flash 中后，函数 DSP28x_usDelay()不能正常运行为什么？ 因为在 DSP2833x_usDelay.asm 中有.sect "ramfuncs"，即把该函数定义在段"ramfuncs"中， 而此段需要 在内存中运行，故需要使用函数
行可以看出段ramfuncs中的函数dsp28xusdelay的装载地址和运行地址是不同的本程序中装载在flash的块flashd中而在saraml0中运行这只是目标实际运行时dsp并不会自动将flash中的代码拷贝到saram中因此需要手动添加代码来完成
F28335 如何烧写代码到 flash 中并运行
第 1 行表示该段的装载在 PAGA0 的 FLASHD 中 第 2 行表示该段的运行地址在 PAGE0 的 RAML0 中 LOAD_ START(_RamfuncsLoadStart)令编译器创建了一个变量 RamfuncsLoadStart，该变量指向段 ramfuncs 的装载地址的首地址（LOAD_ START 为编译伪指令，请见 CCS 的帮助文档）； LOAD_ START(_RamfuncsLoadEnd)令编译器创建了一个变量 RamfuncsLoadEnd，该变量指向段 ramfuncs 的 装载地址的末地址（LOAD_ END 为编译伪指令，请见 CCS 的帮助文档）； LOAD_ START(_RamfuncsRunStart)令编译器创建了一个变量 RamfuncsRunStart，该变量指向段 ramfuncs 的运行地址的首地址（LOAD_ START 为编译伪指令，请见 CCS 的帮助文档）； 从第 1 和 2 行可以看出，段 ramfuncs 中的函数 DSP28x_usDelay()的装载地址和运行地址是不同的，本程 序中装载在 Flash 的块 FLASHD 中，而在 SARAM L0 中运行，这只是目标，实际运行时 DSP 并不会自动将 Flash 中的代码拷贝到 SARAM 中，因此需要手动添加代码来完成。 在 C 函数中，为了使用变量 RamfuncsLoadStart、RamfuncsLoadEnd 和 RamfuncsRunStart，必须先声明， 本工程在文件 DSP2833x_GlobalPrototypes.h 中做了如下声明： extern Uint16 RamfuncsLoadStart; extern Uint16 RamfuncsLoadEnd; extern Uint16 RamfuncsRunStart; 然后就可以使用了。在 Main.c 中，使用 MemCopy()函数将段 ramfuncs 中的函数 DSP28x_usDelay()的代码 从装载地址 RamfuncsLoadStart—RamfuncsLoadEnd 拷贝到 RamfuncsRunStart 开始的 SARAM 空间中。之后 在程序运行时，只要调用 DSP28x_usDelay()函数，都会自动地指向 SARAM 中相应的函数入口地址，这一点 是自动完成的。MemCopy()函数原型在 MemCopy.c 中，DSP2833x_GlobalPrototypes.h 声明。
1-通过usb将u-boot.bin烧写到nand-flash
一、PC机到TPAD的连接方式PC机（开发主机）下载到TPAD（目标机，开发板）USB口RS232串口网口 JTAG口二、设置TPAD的启动方式：启动方式的设定是通过拨码开关来进行设置的。
设置从USB启动。
1.4->ON三、连接开发板：B线，大口接PC，小口接TPAD上的OTG口2.串口线，一端接PC，一端接TPAD的COM1口3.电源线，一端接插线板，一端接电源孔（5V/3A）四、在PC端的Windows下运行DNW软件1. 通过USB口从主机端下载启动程序到TPAD的内存中运行2. 要求通信双方都要运行软件主机端———— USB ————TPADDNWs5pv210处理器 IROM（只读存储器）说明：s5pv210处理器里面有一段三星固化好的代码（出厂自带），代码在处理器里面IROM只读存储器中，板子一上电，执行IROM中代码，就会判断拨码开关，通过判断拨码开关的设置方式，就知道从哪里去获得启动程序，由于拨码开关设置从USB启动，因此，IROM代码将从USB接口获取启动程序。
3.串口的配置configuration->oprtion配置串口的波特率：115200配置使用的串口为：COM14.点击serial port ->connect->标题栏出现com1,115200bps，说明串口已生效。
连接前的状态：连接后的状态：5. 5. USB驱动的安装，使用DNW软件通过USB向TPAD发送程序x210_usb.bin1）配置下载地址：0xd0020010configuration->oprtion送：x210_usb.binTPAD中IROM负责接收：接收x210_usb.bin，运行x210_usb.bin，但并DNW中没有任何显示信息。
6. 使用DNW软件通过USB向TPAD发送程序u-boot.bin1）配置下载地址：0x23e00000configuration->oprtion2）PC机通过DNW软件向TPAD发送：u-boot.binTPAD中IROM负责接收：接收u-boot.bin，运行u-boot.bin，显示信息通过串口发送给DNW软件进行显示。
使用TFTP烧写系统到flash
使用TFTP烧写系统到flashTftp 烧写系统到flash首先需要虚拟机下搭建tftp服务，如何搭建参考相关资料即可，单间后步骤如下1用网线连接主机和开发板的网口并将编译好的内核镜像uImage 复制到tftpboot目录下。
2进入到开发板uboot阶段，修改环境变量并保存。
setenv serverip 192.168.1.19(192.168.1.19为tftp服务器的ip) setenv ipaddr 192.168.1.215(192.168.1.215为开发板ip和服务器的ip应该在一个网段中) saveenv //保存环境变量TFTP操作实例tftp 0x30008000 uImage //把uImage 写到内存的0x3000 8000开始的单元里掉电后就没有的啦bootm 80000000Nandflash操作nand erase 60000 500000 //擦除nandflash中以0x6000单元开始的大小为0x50 0000（即5M 存储空间）nand write 0x30008000 0x60000 0x50 0000//把内存中0x3000 8000单元开始的大小为0x50 0000内容写到nandflash中以0x 6 0000单元开始的存储空间中（掉电后，还是有的）实际烧写系统烧写u-boottftp 80a00000 u-boot.imgnand erase 800000 a00000nand write.i 80a00000 800000//烧写内核tftp 80a00000 uImagenand erase c00000 1400000nand write.i 80a00000 c00000 ${filesize}//更新文件系统tftp 80a00000 ubi.imgnand erase 1400000 ec00000 (256M NandFlash X=ec00000 ,1G NandFlash X=3ec00000 )nand write.i 80a00000 1400000 ${filesize}。
用H-Flasher烧写FLASH ,不需要再等待10秒了
用H-FLASHER烧写FLASH程序H-Flasher是H-JTAG下的一个烧写FLASH程序的插件，在H-JTAG V0.40版本出来前，H-Flasher是不支持对ATMEL 的ARM处理器FLASH编程的。
国内主流的FLASH写入的方法要么是用ATMEL提供的SAM-BA或ISP软件通过串口或USB把程序写入FLASH 中，但是每次操作都要短路TST 引脚，还要等待10秒，操作比较烦琐；另外的方法是用ULINK或JLINK 之类的专用仿真器把程序写入，特点是速度块，操作简单，并可以KEIL无缝结合进行在FLASH中调试。
是值得推崇的写入手段；缺点是需要另外硬件投资；还有是用FLASHPGM的软件，用简单的wiggler仿真器烧写，通过电脑的并口，把程序写入FLASH中，H-Flasher插件就是属于这一类。
由/的twentyone开发，完全免费；V0.40的版本最新支持了ATMEL内部集成FLASH的ARM 处理器操作步骤：1．到/2714578.html 下载V0.40版本的HJTAG软件2．把旧的V0.30的软件删除，安装V0.40版本的软件，安装方法参考S64评估板使用手册关于H-JTAG安装部分。
3．修改KEIL中工程的程序编译地址：a.选择编译调试模式为FLASHb.把地址修改为0，其他不变c.从新编译该工程，生成新的HEX文件4．把S64的评估板连接好电源、WIGGLER、并口电缆，打开电源开关5．运行H-JTAG软件，检查H-JTAG软件是否能检测出ARM内核，出现异常时，应该检查硬件、连线、电源是否打开。
，用 H-Flasher软件写入FLASH必须保证H-JTAG软件能检测出内核，并且在用H-Flasher软件写入FLASH的全过程中，H-JTAG的软件不能关闭！6．运行H-Flasher软件,在1.Flash Selectin中选择 ATEML AT91SAM7S647．选择4 Programing ,点击 check 检测FLASH8.正常的话，回出现下列的界面由于，V0.40的版本还不是十分稳定，所以有的时候会出现检测不到FLASH的时候，并出现下列的提示：这时候，用重新上电，或者按复位按钮，再从新点击H-Flasher软件的的 check按钮，就可以解决。
ADS下编译程序烧写到FLASH运行
ADS下编译程序烧写到FLASH运行
一、首先用ADS打开一个程序（这里用830实验箱ARM9的第一个程序为例）。
图1
二、在View/Debug Setting…
图2
图3
三、在弹出窗口中设置如下：注意打红圈的地方，不要设错！！！设好后点OK！！
图4
图5
图6
图7
图8
图9
图10
四、然后再重新编译
图11
五、在实验程序的工程目录的。
/Debug下就会生成一个。
Bin文件
图12
五、启动超级终端，设置好波特率等参数。
ARM板上电，在终端下快速的按空格键
进入VIVI，如图14。
（注意：在此步之前必须先烧好VIVI，烧写VIVI的方法请参照说明书）
图13
图14
六、在终端下输入命令：load flash kernel x 然后回车如图15，然后在点终端中的传送/发送文件,弹出一个窗口，协议选择Ｘmodem，然后选择我们编译生成的BIN文件．如图17、18，等到烧写完成后ＡＲＭ９复位或重新上电，就可以看到程序一上电就运行了。
如图就是本实验的运行结果，在终端打印字符如图21。
图15
图16
图17
图18
图19
图20
图21。
F2812烧写个人总结----增加程序知识分享
F2812烧写个人总结----增加程序F2812烧写个人总结----增加程序在仿真器中将程序调试好，将程序烧入flash之前，需要做以下工作：一、硬件上确保DSP的XMP/MC管教接地，且SCIATXDA脚接高电平；XMP/MC接地为低电平：表示微机算计模式，那么0x3F FFC0指向的是2812的片内FLASH的地址。
上电复位后，复位向量是指向片内Flash的0x3F FFC0。
2812有一块flash地址从0x3F F000-0x3F FFFF在出厂时已经固化好了引导程序。
在0x3F FFC0处是一条跳转指令，跳到iniboot（地址0x3FFB50）函数处执行iniboot代码，该iniboot代码就是ti在dsp出厂时固化在flash中的。
Iniboot函数判断几个GPIO引脚来判断使用哪一种引导模式，比如flash boot模式，检测SPICLKA，SCITXA，GPIO34的电平，当都为高电平时表明是片内flash boot模式，那么initboot执行完后跳转到0x3F 7FF6处，此位置刚好在128位（CSM）密码位置之前，你要在0x3F 7FF6处放置跳转指令(codestart:>BEGIN,PAGE=0 )，以跳转到你要去的地方。
BEGIN : origin = 0x3F7FF6, length = 0x000002/* Part of FLASHA. Used for "boot to Flash" bootloader mode. */codestart : > BEGIN PAGE = 0SCIATXDA脚接高电平：是为那选择2812以FLASH作为引导模式我们在这里可以看到Flash启动模式，需要将GPIOF4，设置为高电平，其他三个引脚状态任意。
其配置如下：二、向工程中添加F2812_EzDSP_FLASH_lnk.cmd文件，它是用于flash烧写的CMD文件，用于替换原有的用于RAM中调试的F2812_EzDSP_RAM_lnk.cmd文件。
FLASH烧录原理
FLASH烧录原理烧录是在生产制造过程中将系统固定化的一个重要步骤。
下面是FLASH烧录的基本原理和操作过程。
首先，需要准备好烧录工具和相应的烧录文件，烧录工具一般是通过连接电脑与目标设备的接口来进行数据传输。
烧录文件是待烧录的数据文件，一般是经过编译处理后生成的二进制文件，包含了需要烧录到FLASH中的数据和指令。
烧录的第一步是对目标设备进行初始化。
这个过程主要是对目标设备的外设进行一系列的初始化设置，以确保正常的数据传输和烧录操作。
通常需要包括设置引脚方向、电源供应、时钟源等初始化操作。
接下来是进行数据传输。
数据传输是指将烧录文件中的数据和指令通过烧录工具传输给目标设备。
烧录工具一般会通过特定的通信协议与目标设备进行通信，将数据和指令传输到目标设备的内存中。
数据传输完成后，就可以开始对FLASH进行编程操作了。
编程操作是将数据和指令写入到FLASH存储器中的过程。
编程操作一般包括扇区擦除、编程和校验三个步骤。
扇区擦除是指将FLASH存储器中的一些扇区的数据擦除，以便后续的数据编程。
FLASH存储器一般会被划分为若干个扇区，每个扇区的大小可以根据需要设定。
擦除操作一般是通过发送特定的指令给FLASH存储器来实现的。
编程是将数据和指令写入到已经擦除的扇区中。
编程操作包括将数据和指令逐个字节地写入到扇区中，并更新FLASH存储器中的相关控制信息。
编程操作完成后，就可以保证FLASH存储器中的数据和指令是最新的。
校验是在编程完成后对已编程的数据和指令进行一次校验，确保数据和指令的正确性。
校验一般是通过比较烧录文件中的数据和指令与FLASH 存储器中的数据和指令是否一致来实现的。
最后，烧录完成后需要进行一些收尾工作。
收尾工作主要包括关闭烧录工具和重启目标设备等操作。
关闭烧录工具是为了释放与目标设备的连接，以便后续的操作。
重启目标设备是为了确保烧录的数据和指令能够正常运行。
总结起来，FLASH烧录是将数据写入FLASH存储器中的过程，通过对目标设备的初始化和数据传输，再经过扇区擦除、编程和校验等步骤，最终将数据写入到FLASH存储器中。
arm烧写Flash过程
⏹程序调试结束，要将其可执行文件烧写（或称固化）到目标机中Flash运行，这个过程要通过一个转门的下载软件来进行，以Embest OnLine Flash Programmer for ARM为例，来说明该软件的安装和使用。
⏹ 1. 安装Flash Programmer⏹Flash Programmer安装过程比较简单，运行Flash Programmer安装包中的Setup.exe，按照提示一步步执行即可。
⏹Flash Programmer安装程序将自动区分电脑是否已安装Embest IDE软件的情况：⏹①电脑已安装Embest IDE软件，安装程序将会把Flash Programmer缺省安装到“Embest IDE安装目录\Tools\FlashProgrammer”目录，见图2-24。
同时安装程序将自动探测是否安装与IDE软件共享的设备模块和驱动程序，安装完毕后电脑无需重新启动。
如果IDE已注册，软件可直接运行。
⏹②电脑未安装Embest IDE软件，安装程序将会把Flash Programmer缺省安装到“Program Files\Embest\FlashProgrammer”目录，安装完毕后需要重新启动。
软件正常运行时需要注册。
软件安装完成后将缺省建立Embest Tools 程序文件夹，包含执行程序和帮助的快捷方式。
2. Flash Programmer的功能⏹点击Flash Programmer图标，出现图2-25对话框，在第一行有四个一级菜单，下面分别介绍。
⏹①文件菜单⏹文件菜单用于保存、打开用户设置的编程配置数据文件，该文件一般以*.cfg形式存在。
通过文件菜单，用户还可以将已打开的编程配置数据文件里另存为其他文件，以及打开最近打开过的四个编程配置文件。
文件菜单各子菜单命令如表2-1所示。
⏹表2-1 文件菜单⏹图2-25 Flash Programmer对话框⏹②设置菜单⏹设置菜单仅包含Configure子菜单。
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7.如何将一个函数放到 ram 中运行?
参考 TI 公司头文件中自带 InitFlash 函数，这些函数会以 C ODE_SEC TION 申明。如：#pragma C ODE_SEC TION(InitFlash, "ramfuncs");
MemCopy(&RamfuncsLoadStart, &RamfuncsLoadEnd, &RamfuncsRunStart);将一些在内存中运行的代码从 flash 复制到内存中，然后程序才能正常运行。
5.写好的代码再 ram 中能正常运行但是烧写到 flash 中后，函数 DSP28x_usDelay()不能正常运行为什么？ 因为在 DSP2833x_usDelay.asm 中有.sect "ramfuncs"，即把该函数定义在段"ramfuncs"中， 而此段需要 在内存中运行，故需要使用函数
MemCopy(&RamfuncsLoadStart, &RamfuncsLoadEnd, &RamfuncsRunStart);将 ramfuncs 段复制到内存中然 后运行。只算以这样设计是因为函数 DSP28x_usDelay()精准运行对运行速度有要求故必须放在段 ramfuncs"中.
6.cmd 中以下代码如何解释？ ramfuncs : LOAD = FLASHD, RUN = RAML0, LOAD_START(_RamfuncsLoadStart), LOAD_END(_RamfuncsLoadEnd), RUN_START(_RamfuncsRunStart), PAGE = 0
F28335 如何烧写代码到 flash 中并运行
1.DSP reset 后运行的起始地址是多少？
0x3FFFC0
2 . 仿 真器烧写程序的 步骤是？
根据 cmd 文件把程序烧到指定位置，然后执行。 3.DSP 的 Flash 启动过程是什么？
首先硬件配置 GPIO84~87 上拉为 1，即处于 Flash 启动过程。当 DSP 复位后，会从复位向量 0x3FFFC0 处取 得复位向量，并跳转到 InitBoot 处开始执行，InitBoot 会读 GPIO84~87 的值发现全为 1 判断为 Flash 启 动方式。然后会跳到 0x33FFF6 处执行。在 CCS5.2 工程的 cmd 文件中有如下代码：
4.F28335 如何烧写代码到 flash 中并运行？
首先使用添加 C:\ti\controlSUITE\device_support\f2833x\v133\DSP2833x_common\cmd\F28335.cmd。此 文件即为配置代码到 flash 中的 TI 官方配置文件。
然后参考 C:\ti\controlSUITE\device_support\f2833x\v133\DSP2833x_examples_ccsv4\flash_f28335。 添加以下代码：
MEMORY { PAGE 0 :
BEGIN here
: origin = 0x33FFF6, length = 0x000002 */
/* Boot to M0 will go
... }ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
SECTIONS {...
codestart
: > BEGIN
PAGE = 0
...}
即表示把 codestart 段放到 0x33FFF6 位置处，文件“DSP2833x_CodeStartBranch.asm”中有 codestart 段 的定义，实际上 codestart 段只是包含了一个跳转指令，是程序跳转到_c_int00 处，_c_int00 在 boot.asm in RTS library 中有定义，_c_int00 的代码最终会调用 c 的 main 函数，之后就是 main 函数的执行。