TrendForce：2014~2016年eMMC主流地位不变,UFS要到2016年才有一席之地
eMMC的发展历史及未来市场前景
eMMC的发展历史及未来市场前景导读: eMMC是针对智能型手机（Smartphone）所设计的内嵌式存储器规格，是外接式记忆卡MMC的延伸，eMMC之后也扩散至平板计算机（Tablet PC）应用领域。
•关键字•eMMC发展智能手机存储器记忆卡eMMC是针对智能型手机（Smartphone）所设计的内嵌式存储器规格，是外接式记忆卡MMC的延伸，eMMC之后也扩散至平板计算机（Tablet PC）应用领域。
eMMC设计概念是把NAND Flash芯片和控制芯片封装成BGA 封装芯片，可节省电路板的面积，客户设计新产品时，也不需考虑内建NAND Flash芯片的三星电子（Samsung Electron ic s）、美光（Micron）、东芝（Toshiba），或是35纳米、24纳米或19纳米制程，便利了手机客户设计的程序和新产品问世时间点。
快闪记忆卡协会SD协会也同样推出eSD规格，但目前eMMC在智能型手机内嵌式存储器领域的领导位置无可动摇，几乎是所有手机大厂储存接口的标准，除了苹果（Apple）必采用自家的设计规范外。
eMMC规格的标准这几年也快速演进，从eMMC4.3、eMMC4.4、eMMC4.5陆续问世，而预计接棒eMMC规格的会是三星电子（Samsung Electronics）主导的UFS（Universal Flash Storage），会把Mobile RAM等芯片功能都涵盖。
在智能型手机领域中，eMMC规格是主流，但在平板计算机或是轻薄型笔记本电脑（NB）上，仍要和SATA接口的固态硬盘（SSD）做竞争，毕竟SATA SSD有读写速度上的优势，不论是随机效能（Random Pe rf ormance）或是连续效能（Sequential Performance）等，内嵌式iSSD也都明显优于eMMC，较适合PC类的产品应用，例如新帝的iSSD产品就是SATA接口SSD的代表。
讨论到eMMC的发展历程，必须要从介绍Flash的历史开始Flash分为两种规格：NOR Flash和NAND Flash，两者均为非易失性闪存模块。
eMMC详细介绍
深度了解eMMCeMMC 结构由一个嵌入式存储解决方案组成，带有 MMC （多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器一一 所 有在一个小型的 BGA 封装。
接口速度高达每秒 52MB eMM （具有快速、可升级的性能。
同时其接口电压可以是 1.8v或者是3.3v 。
eMMC （ Embedded Multi Media Card ） 采用统一的 MM （标准接口，把高密度 NANDFIash 以及 MMCControlle圭寸装在一颗 BGA 芯片中。
针对 Flash 的特性，产品内部已经包含了 Flash 管理技术，包括错误探测和纠正， flash平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。
用户无需担心产品内部 flash 晶圆制程和工艺的变化。
同时 eMMC 单颗芯片为主板内部节省更多的空间。
vccMMC ControllereMMC Physical Specifications 主要有四种结构，pin 角定义及功能上基本一致，主要是看应用平台的需求:VCCQCLKCMD 呵"1十一►吉口五2-MemoryVDDiCone Logic BlockiOS 0/1。
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2分钟教你区分手机的UFS和EMMC，前者寿命长更流畅
2分钟教你区分手机的UFS和EMMC，前者寿命长更流畅购买一款手机需要了解的不仅仅是外观配置、品牌价格，有很多细节的方面也需要仔细考量，否则入手后会有很多不便之处。
例如手机的储存空间类型就值得注意，现在很多手机都有64GB、128GB甚至256GB的储存空间配置，但这些储存空间不仅仅是大小的区分，还有类型的区分。
目前安卓手机储存技术类型主要分为Emmc5.1和UFS2.1两种类型，就价格而言Emmc一般用于中低端手机，UFS2.1用于高端旗舰手机。
Emmc是一种手机储存技术，有点类似于电脑配置中的机械硬盘，可以读取和写入空间里储存的数据，从Emmc4.3每秒读写40M的速度到Emmc5.1每秒读写400M，技术不断的提升，读写的速度越来越快。
不过在UFS技术出来后Emmc的速度就显得乏力了，UFS也是一种储存技术，类似于电脑配置里的固态硬盘。
拥有更加极限的读写速度，最高可以达到1.4GB/s，并且拥有更低的功耗和更长的使用寿命，当然价格也直线上升，所以一般只有旗舰手机的高溢价能够支撑。
在手机实际的表现中，搭载Emmc技术的手机在图片加载、文件传输、本地文件载入等方面会比UFS技术的手机慢很多。
并且Emmc 技术的手机在使用时间长了以后会变得很卡，以前很多苹果用户认为安卓手机时间长了很卡的印象也是Emmc技术造成的。
现在安卓旗舰手机基本都采用了UFS2.1技术，仅有很少的中端手机也采用了UFS2.1技术，大部分中低端手机都采用的Emmc储存技术，所以有时候过气的旗舰手机也可以在考虑范围内，价格和中端手机一样，却有旗舰处理器和UFS。
近日有消息称一加7手机上将采用最新的UFS3.0技术，安装APP 只需要7秒，顺序读取速度相比UFS2.1提升了两倍，在2019年的下半部这一技术将可能普及到各个品牌旗舰手机中，手机的流畅速度再提高一个档次。
eMMC和UFS闪存有什么区别
eMMC和UFS闪存有什么区别eMMC和UFS闪存有什么区别eMMCeMMC (EmbeddedMulti Media Card) 为MMC协会所订立的、主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。
eMMC 目前是最当红的便携移动产品解决方案，目的在于简化终端产品存储器的设计。
由于NAND Flash芯片的不同厂牌包括三星、东芝或海力士、镁光等，当设计厂商在导入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有1个技术能够通用所有厂牌的NAND Flash芯片。
eMMC的设计概念，就是为了简化内存储器的使用，将NAND Flash芯片和控制芯片设计成1颗MCP芯片，手机客户只需要采购eMMC芯片，放进新手机中，不需处理其它繁复的NAND Flash兼容性和管理问题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速度现在，eMMC 4.5已经问世，eMMC 4.4的读取速度大约为104MB/s、eMMC 4.5则为200MB/s，性能在当时也是十分优秀的;而在2013年7月29日三星开始量产行业首款eMMC 5.0存储产品，其读取速度为400MB/s，但是因为使用的是8位并行界面，因此性能潜力已经基本到达瓶颈，以最新的eMMC 5.1规范来说，其理论带宽为600MB/s左右，性能的.大提升基本是不可能的了。
UFS2011年电子设备工程联合委员会(Joint Electron Device En gineering Council，简称JEDEC)发布了第一代通用闪存存储(Universal Flash Storage，简称UFS)标准，希望能够替代eMMC。
然而，第一代的UFS并不受欢迎，因为相对于不断更新换代的eMMC 它似乎没有提供足够的优势。
为此，JEDEC在2013年9月发布了新一代的通用闪存存储标准UFS 2.0，该标准下的闪存读写速度可以高达每秒1 400MB，这相当于在两秒钟内读写两个CD光盘的数据，不仅相比eMMC它有巨大的优势，它甚至能够让电脑上使用的闪存存储介质固态硬盘也相形见绌。
eMMC详细介绍
eMMC 结构由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC （多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器——所有在一个小型的BGA 封装。
接口速度高达每秒52MB，eMMC具有快速、可升级的性能。
同时其接口电压可以是1.8v 或者是3.3v。
eMMC （ Embedded Multi Media Card）采用统一的MMC标准接口，把高密度NAND Flash以及MMC Controlle 封装在一颗BGA芯片中。
针对Flash的特性，产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，flash 平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。
用户无需担心产品内部flash晶圆制程和工艺的变化。
同时eMMC单颗芯片为主板内部节省更多的空间。
eMMC Physical Specifications主要有四种结构，pin角定义及功能上基本一致，主要是看应用平台的需求：AA：12mm*16mm 169PinAB：12mm*18mm 169PinAC：14mm*18mm 169PinBA：11.5mm*13mm 153Pin结合现有eMMC主流厂商（SAMSUNG，TOSHIBA，Sandisk）的成熟eMMC产品来看（moviNAND,eMMC，iNAND），主要是AA，AC，BA三种。
结构的不同，主要是与应用平台需求而定，不同结构的pin角定义及功能上基本一致。
153pin与169pin interface balls array的对比153 balls - Ball Array (Top View) 169 balls - Ball Array (Top View)Ball assignment五．eMMC的发展趋势eMMC规格的标准快速演进，从eMMC V4.3发展到V4.4，V4.41，eMMC V4.5陆续问世，eMMC下一个时代将会由三星电子(Samsung Electronics)主导的UFS(Universal Flash Storage)规格接棒，会把Mobile RAM等芯片功能都涵盖。
你好，UFS4.0！再见了，UFS3.1！
你好，UFS4.0！再见了，UFS3.1！UFS其实是一种读取规格，它的速度直接影响到了手机安装应用的速度以及读取相关文件的速度。
有的小伙伴会说闪存规格不重要，这种说法是非常不靠谱的。
如果你有使用过eMMc5.1的闪存规格，就不会这么说了，前几年的事手机普遍使用的是eMMc5.1，连打开相册都花都需要花费许多的时间，甚至有时候都有冲动想要砸手机了，遇到这种情况，你能说UFS不重要吗？按照目前的主流市场来看，上乘规格分别有UFS3.1、UFS3.0、UFS 2.2、UFS 2.1以及低端机中的eMMc5.1。
大家在选购手机的过程当中，当然是选择闪存规格更好的UFS3.1的手机会更加合适一些。
不过最近三星正式对外官宣了UFS4.0的存储解决方案，一看到这个情况，很多小伙伴纷纷表示自己连UFS3.1都没有用上，没想到U F S 4.0就来了。
UFS4.0相比较UFS3.1有哪些提升呢？UFS4.0能够提供每通道带宽速度增至23.2Gbps，是UFS 3.1的两倍。
其基于三星的第七代V-NAND闪存和自研主控，实测连续读速可达4200MB/s、连续写速可达2800MB/s。
这个存取速度可谓是非常的惊人了，以后大家再打开手机的某些文件或者是安装某些应用的时候完全是可以做到秒开或者是秒下载的。
这对于提高用户的实际启用机体验确实是有着很大的改变的。
除此之外UFS4.0在能效方面也有了质的提升相比较于上一代产品UFS3.1而言，有了46%的提升空间，并且为手机厂商们提供了最高可达1TB的容量选择。
我们什么时候能够用上搭配了UFS4.0的手机？根据可靠消息称，UFS4.0已经完成了相关的试产工作。
该闪存规格将于2022年的第三季度正式量产，相信在2022年双十一之前的各路手机厂商发布的高端旗舰手机或均会采用UFS4.0，大家可以期待一下。
写在最后总的来说，这几年来手机行业发展的速度是非常快的，可以说各种手机元件的综合素质都得到了质的提升。
eMMCUFS傻傻分不清？教你认识手机闪存
eMMCUFS傻傻分不清？教你认识手机闪存从不同角度来说，假期延长既是好事也是麻烦事，好的一面就是不用每天早起挤地铁，心安理得当个死宅，麻烦的一面嘛，可想而知相当长的一段时间内没有新产品，所以每日一更的内容选题……哎，好难。
思来想去，还是说一下标题上这点事吧，尽管转头一想应该早就写过一次，权当温习一下。
首先说点基础中的基础。
闪存，英文叫 flash memory 简称 flash，是电子式的永久性存储器，区别于磁性存储的磁盘和激光刻录的光盘。
它以芯片为存在形式，因此最大的优点就是体积极小，对于手机、U 盘等便携式设备和存储器来说，闪存是不二选择，同时性能好的话，读写速度远超其他永久存储器，进而消费级最快的存储器 SSD 也基于闪存技术。
而对于手机而言，闪存有时会被称作 ROM，中文学名只读存储器。
很明显这种叫法是有问题的，因为手机闪存都是可读写的，这其实和PC 那边管所有永久性存储器都叫磁盘一样，因为历史而约定俗成的叫法，无需太过在意。
手机上的闪存都是集成主控和存储颗粒的嵌入式芯片，我们一般按照协议和接口类型不同，分为两大类，一是嵌入式多媒体卡，缩写是eMMC，另外一种是嵌入式通用闪存，缩写eUFS，通常简称为UFS。
这二位通常都还有数字尾缀，代表实际产品对应的协议版本号，严格来说对应比较复杂的内容，而对于普通消费者来说，只需要记住两点，市面上的UFS 比所有eMMC 都快，而同样类型的闪存，后面的数字越大就是越快。
此外，你们还能看到另一个缩写，MCP，学名是多制层封装芯片，它并不是第三类闪存，而是代表闪存内存二合一封装芯片的意思，我们通常用 eMCP 和 uMCP 来对应区分采用 eMMC 和 UFS 的产品。
噢对了，稍早的时候，因为 uMCP 的 UFS2.1 产品普遍都只配备了一个lane，导致读写速度只有独立UFS2.1 的一半，所以这段时间uMCP 是半速UFS 的代名词，不过随着三星新品KM8V8001JM-B813 搭配骁龙 765G 平台上市，这一规律从此作古。
买内存不看后悔!什么内存最稳定、质量最好、 怎么选购内存条。
买内存不看后悔！什么内存最稳定？质量最好？怎么选购内存条？此文原发在中关村论坛内存大讨论板块，可能是曝光了内幕，触动了某些内存厂的利益。
发后不久就遭到大量水军马甲挖坟帖，把帖子压下去了。
在此鄙视下那些垃圾，君子爱财，取之有道！昧着良心做事迟早要倒霉的！首先说下啊，内存的稳定、质量和超频无关。
哥认为品质最好的是原厂内存。
生产内存芯片的厂自己做的内存条就是原厂内存了。
全球只有几个能生产芯片的厂，屈指可数：三星、现代、镁光、尔必达、南亚（易胜）。
其他广告满天飞的都是组装厂内存。
原厂内存很少做广告，酒香不怕巷子深！原厂条子都选用通过严格完整检测的芯片生产，换你是老板你也会这样，不可能用次品搞砸自己的招牌吧！组装厂爱用便宜的ett芯片组装内存条出来卖。
ett就是通过有效测试、未完全检测的意思，俗称“白片”，没有资格打上原厂商标。
下图就是某厂的ett芯片：看图就知道了，未经过完整检测，所以原厂不可能打上商标！芯片级测试费时费力，白片省略了一些检测步骤，价格就便宜点了。
内存条的关键零件就是芯片，未完全检测的芯片就悬了，其中可能有个别有缺陷的，使用日久蓝屏死机就不奇怪了。
组装厂贪便宜就采购这些白片、在空白处打上自己的商标、组装成条子出来了，有些干脆用马甲散热片一挡了事，商标都不打了(上图就是）。
专业芯片封装检测厂投资巨大，组装厂有价格昂贵的芯片级专业检测设备吗？会怎么“严格检测”这些芯片？是不是直接组装、上机简单测一下就拿出来卖了？能长期稳定使用吗？一大串的问号就出来了，你不知道、我也不知道……内存条组装并非高精尖，山寨都可以生产。
所以，买内存看原厂芯片就放心、简单多了：三星、现代、镁光、尔必达、南亚（易胜）。
其他的商标都是组装厂使用ett白片打上自己的商标。
别看广告，巨额广告费最终是要转嫁到买家头上的！首选使用原厂芯片的条子。
下面这些才是原厂通过完整严格检测的芯片，才有资格打上原厂商标，原厂质量保证：三星：现代：南亚（oem专供）：南亚易胜（零售）：镁光：尔必达：买内存先看看芯片是否使用的是上述5大厂的原厂芯片，然后看价格，只管找便宜的买。
选eMMC、UFS还是NVMe？手机ROM存储传输协议解析
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ＨＳ— Ｇ３ 对应 的版本 ， ＵＦ Ｓ ２ ． １ 选 用更低的 ｅ ＭＭＣ是 一个 起源 较早的技 术 ， 全 称１ ］ ｑ ｅ ｍｂ ｅ ｄ ｄ ｅ ｄ Ｍｕ ｌ ｔ ｉ Ｍｅ ｄ ｉ ａ Ｃａ ｒ ｄ。 资 深的 标准不 再有太多的意 义。 因此市 面上Ｕ Ｆ Ｓ
手机 玩 家或许 还记得过去 部分手 机上使 用过的 ＭＭＣ存储 卡 ， 跟ＳＤ卡很类 似 。 没锚 ，
储 市场的主流 ， 如今广泛用于ＰＣ 上Ａ ｇ ＳＳＤ Ｓ Ｅ Ｉ 手机Ａ ｇ Ｒ ＯＭ， 本质上都是 ＮＡＮＤ闪存。 目前最快 的 ｅ ＭＭＣ ５ ． １ Ａ ３ ， ２ ． ５ 倍。 ＵＦ Ｓ采
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虽然 手机 Ｒ ＯＭ均是由ＮＡＮＤ闪存 颗粒构成 ， 但由于颗粒类 型和传输协议 的不同，
我们 评测 中常常提 到的 ＲＯＭ， 也 就是 闪存 （ Ｆ ｌ ａ ｓ ｈ Ｍｅ ｍｏ ｒ ｙ ） ， 手 机上安 装Ａｐ ｐ Ｊ ＥＤＥＣ 发 布了全 新的 ＵＳＦ ２ ． ０ 标准， 并 的 数据和 缓存 都会 保存 在ＲＯＭ里 ， ＲＯＭ速 度越 快 ， Ａｐ ｐ ￣ Ｊ １ ］ 载 和运行 的速 度自然也 就 出现了两个 版本 ， 其 中ＵＦ Ｓ ２ ． ０ ＨＳ— ＿ Ｉ ｌ ｊ Ｇ２
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片、 接 口标； 佳以及更 底层 的Ｆ ｌ ａ ｓ ｈ 芯片标 准 。 如果 将传 输协议 比作高 速公路上限 速不 同 Ｇ２， 可选标 准 ＨＳ— Ｇ３ 。改进 主要 分为三
的车道 ， 那颗粒类型 就是不同马力的车 辆， 由此产生 的组合自然也就 跑出了不同速度 。
ｅＭ Ｍ Ｃ
部分 ： 设备健康 、 性能优化和安 全保护。 对 于 闪存制造商 而言 ， 由于ＵＦ Ｓ ２ ． ０ 已推 出
eMMC与UFS闪存的使用体验真的一致吗?
eMMC与UFS闪存的使用体验真的一致吗？佚名【期刊名称】《个人电脑》【年(卷),期】2017(023)005【总页数】5页(P76-80)【正文语种】中文UFS闪存无论在结构还是性能表现上均要领先于eMMC闪存，两者之间的差距在UFS 2.0/2.1以及eMMC 5.0/5.1级别产品上有着更为明显的体现。
最近华为P10手机混用UFS闪存和eMMC闪存的事情闹得沸沸扬扬，虽然华为一再强调更换闪存对用户在P10手机上的使用体验不会产生影响，但毕竟UFS闪存与eMMC闪存之间存在着巨大的性能差异，这个理由显然无法说服众多愤怒的华为粉丝。
不过，对于UFS闪存和eMMC闪存之间究竟存在着什么不同，到底在哪些方面会影响用户的使用体验？这些问题恐怕不是每一个玩家都可以轻松答出，这次我们就顺藤摸瓜，给大家理一理UFS闪存与eMMC闪存之间的那些事。
eMMC的全称是embedded Multi Media Card，即“嵌入式多媒体存储卡”，这是一种针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。
与我们常说的NAND闪存相比，eMMC闪存并不是单纯的存储芯片，它是在前者的基础额外集成主控芯片的产品，并对外提供自有标准接口，作用相当于PC上的SSD固态硬盘，而且由于自身体积很小，因此很适合移动设备使用。
UFS的全称则是Universal Flash Storage，即“通用闪存存储”，同样是一种内嵌式存储器的标准规格，同样是整合有主控芯片的闪存，不过其使用的是PC平台上常见的SCSI结构模型并支持对应的SCSI指令集。
因此eMMC闪存与UFS闪存都是作为嵌入式存储器使用，从作用上来说并无明显区别。
只是两者所用的标准规范不同，因此移动设备无论是使用eMMC闪存还是UFS闪存，都必须支持相应的eMMC规范或者是UFS规范。
虽然说eMMC闪存和UFS闪存在外观和作用上都没明显区别，但是实际上两者的内部结构却有着本质上的差异。
eMMC的前世今生
《http:.html》讨论到eMMC的发展历程，必须要从介绍Flash的历史开始Flash分为两种规格：NOR Flash和NAND Flash，两者均为非易失性闪存模块。
1988年，Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
NOR类似于DRAM,以存储程序代码为主，可以让微处理器直接读取。
因为读取速度较快，但晶片容量较低，所以多应用在通讯产品中，如手机。
1989年，东芝公司发表NAND flash结构，强调降低每比特的成本,更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
因为NAND flash的晶片容量相对于NOR大，更像硬盘，写入与清除资料的速度远快于NOR，所以当时多应用在小型机以储存资料为主。
目前已广泛应用在各种存储设备上,可存储代码和资料。
NAND Flash的存储单元发展:从SLC, MLC到TLC，超越摩尔定律SLC=Single-Level Cell,即1bit/cell，读写速度快，寿命长，价格是MLC三倍以上，约10万次读写寿命。
MLC=Multi-Level Cell,即2bit/cell ,速度一般，寿命一般，价格一般，月3000-100次读写寿命。
TLC=Triple-Level Cell,即3bit/cell，速度慢，寿命短，价格便宜，约500次读写寿命，技术在逐渐成长中。
摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。
其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。
而NAND Flash行业的摩尔定律周期则只有12个月。
NAND Flash的存储单元从最初的SLC（Single Layer Cell）,到2003年开始兴起MLC (Multi-Layer Cell),发展至今，SLC已经淡出主流市场，主流存储单元正在从MLC向TLC（Triple Layer Cell）迈进。
2024年MLCC产品市场发展现状
2024年MLCC产品市场发展现状引言多层陶瓷电容器（Multi-Layer Ceramic Capacitors，简称MLCC）是一种重要的电子元器件，广泛应用于电子设备中。
本文将对MLCC产品市场的发展现状进行详细分析，并探讨未来的趋势和挑战。
市场概述MLCC作为电子设备的重要组成部分，其市场需求受到电子设备市场的影响。
过去几年中，电子设备市场保持了稳定增长的态势，推动了MLCC市场的发展。
尤其是智能手机、平板电脑和电子游戏设备等消费类电子产品的普及，对MLCC市场需求的增长起到了重要的推动作用。
市场规模根据市场调研机构的报告，目前MLCC市场规模巨大，全球市场价值超过50亿美元。
其中，亚太地区是MLCC产品的最大市场，占据了总市场份额的三分之二。
北美和欧洲市场也有相当规模的需求。
随着电子设备市场的扩大，MLCC市场有望在未来几年继续保持增长。
市场驱动因素1.电子设备的普及和升级：随着可穿戴设备、物联网和人工智能等新兴技术的快速发展，人们对电子设备功能和性能的要求越来越高，这促使了MLCC产品的广泛应用。
2.电子设备的小型化和轻量化：MLCC具有体积小、重量轻的特点，适用于各种小型电子设备，如智能手表、无人机等。
这种趋势进一步推动了MLCC市场的发展。
3.新兴产业的崛起：新兴产业如5G通信、人工智能和新能源汽车等，对MLCC产品有巨大需求。
随着这些产业的发展，MLCC市场有望迎来更大的增长空间。
市场竞争格局MLCC市场竞争激烈，主要由日本、韩国、中国等亚洲国家的企业主导。
这些企业在技术研发和生产能力上具有明显优势，在全球市场上占据主导地位。
然而，近年来中国企业在MLCC市场上的崛起引起了全球企业的关注。
中国企业凭借低成本优势和技术突破，逐渐在市场中占据一席之地。
挑战与机遇1.供应链风险：MLCC市场供应链长且复杂，主要原材料供应不稳定、价格波动等问题可能对供应链造成影响。
这给市场参与者带来了一定的风险挑战。
eMMC在智能终端即将大放异彩知识讲解
e M M C在智能终端即将大放异彩eMMC在智能终端即将大放异彩引言：随着智能手机、平板电脑等智能终端性能的快速提升，以及音视频等应用的普及，设备对存储器件的要求也越来越高。
另外Apple watch发布带来的智能穿戴市场即将兴起，对存储器件亦提出了新的要求。
借助智能化的东风，eMMC得到快速发展，根据中国闪存市场网的最新报告，《智慧产品圈》总结提炼出eMMC需求背后的隐情。
2015年eMMC 更全面渗入智能终端在整体市场份额上，如下图所示，2014年三星凭借其独立的 eMMC 和 LPDDR 产线，占据了全球eMMC市场份额大约35%左右，SK海力士和SanDisk各占20%左右，东芝和美光合计约20%，剩下的5%被江波龙等厂商分食。
l智能手机中eMMC嵌入式存储成为主流应用方案随着音视频和拍照图像等应用的普及，智能手机向更高更强处理性能发展的同时，内存的空间和访问速度也面临挑战。
配合POP 处理器解决方案，eMMC的应用正在迅速崛起。
智能手机行业常见的存储方案有两种。
一种是eMMC和DRAM分立的形式，通常是CPU和DRAM在一起组成POP，搭配eMMC做固态存储；另一种是集成了eMMC和DRAM的eMCP。
前者的特点是容易实现大容量存储（例如32~128GB）、信号完整性较好；后者的特点是集成了易失性和非易失性存储，体积小而无法实现大容量存储，另外也要特别注意DRAM部分的PCB Layout以保证CPU和DRAM之间的通讯质量。
来自2014年的数据显示，智能手机处理器主流规格向四核、64bit、16GB以上容量方向发展。
伴随着高效、高容量这一趋势，这两种存储方案会精细分化——eMMC和DRAM 分立的形式逐渐增加，面向更主流的市场；eMCP则将集中于低端、低容量的市场。
2014年全球智能手机出货量超过12亿台，较 2013 年成长 20%左右。
市场上主力品牌旗舰机大多采用eMMC方案，根据闪存市场拆解市场主力品牌旗舰机得到的报告，不仅仅是旗舰机中三星Galaxy S5 / Note 4、苹果iPhone 6 / 6 plus、华为Ascend P7 /荣耀畅玩4X、小米4、魅族 MX4 Pro采用的是eMMC方案，在千元价位小米的红米Note、中兴红牛V5等机型也搭载的是eMMC方案，其中16GB eMMC +2GB LPDDR2/3 POP 封装的方案成为主流，预计 2015 年将有更多的智能手机采用 eMMC 方案，加速成为市场主流。
emmc的manufacturing date -回复
emmc的manufacturing date -回复EMMC的制造日期是指eMMC闪存芯片的生产日期。
eMMC是一种集成了闪存和闪存控制器的存储设备，广泛应用于移动设备、平板电脑和其他嵌入式系统中。
了解eMMC的制造日期对于消费者了解产品的货龄以及可能对性能和可靠性产生的影响非常重要。
本文将逐步回答关于eMMC 制造日期的问题。
第一步，了解eMMC制造日期的重要性。
eMMC闪存芯片的制造日期对于消费者有几个重要的方面：货龄、可靠性和性能。
首先，货龄是指存储设备自生产之日起所经历的时间。
例如，如果一个设备已经在生产线上生产了两年，但消费者购买的时候并不知道，那么它的实际使用年限可能已经大大减少了。
其次，可靠性与eMMC芯片的年龄和使用时间有关。
根据一些研究，闪存芯片的寿命受到了写入和擦除操作的限制，长时间使用的芯片容易出现故障。
最后，性能也可能受到制造日期的影响。
由于技术的不断进步，更早的eMMC芯片可能无法与新一代设备的运行速度和数据传输速度保持一致。
第二步，寻找eMMC制造日期的方法。
要找到eMMC芯片的制造日期，有几个方法可以尝试。
首先，可以通过查看设备的物理标签或文档来寻找制造日期的信息。
有些制造商在设备上放置了标签，上面显示了制造日期和其他相关信息。
如果找不到标签，则可以查找设备的用户手册或产品规格手册。
这些手册通常会提供关于芯片制造日期的详细信息。
此外，还可以尝试通过访问eMMC芯片制造商的网站来获取更多信息。
一些制造商在其网站上提供了芯片制造日期的查询工具或数据库。
第三步，识别eMMC制造日期的格式。
一旦找到芯片的制造日期信息，需要了解如何解读日期格式。
不同的制造商可能使用不同的日期格式和编码方法。
通常，制造日期会以年、月、日的形式显示。
有些制造商可能还会使用特定的编码来表示制造批次或其他相关信息。
在获取日期信息后，可以通过与制造商提供的说明书或数据库进行对比，来解读和理解制造日期的含义。
DRAM存储器市场现状和竞争格局分析
DRAM存储器市场现状和竞争格局分析
一、DRAM存储器市场现状
DRAM存储器（Dynamic Random Access Memory）是一种常用的内存
存储器，也是计算机运行最重要的基础设备之一、近年来，随着大数据、
云计算、人工智能、物联网等新技术的迅速发展，服务器市场的需求一直
在增长，DRAM存储器市场也随之受益。
根据市场研究公司IDC最新发布的报告显示，2024年全球DRAM存储
器市场规模达到872.6亿美元，较去年增长8.6%，但2024年全球DRAM
存储器市场规模仅增长3.3%至900.9亿美元。
在2024年，全球市场中耐克（Samsung）和微软（Micron）是行业的
最大晶圆厂，控制着全球DRAM市场的大部分份额，分别为31.7％和
24.3％。
随着近期多家公司投入晶圆厂投资建设，全球晶圆厂规模不断扩大，未来DRAM市场竞争越发激烈。
二、DRAM存储器市场竞争格局
DRAM市场晶圆厂相对较少，主要厂商产能占比大，行业竞争格局主
要由耐克、微软、海力士等三大芯片厂商主导，占据全球主流晶圆厂的95.3%市场份额，为全球DRAM市场提供了稳定的供应能力。
此外，随着新的技术的应用，在DRAM市场中还出现了一大批新兴厂商，如特锐德（TSMC）、中国联合技术（United）、中兴通讯（ZTE）等，他们将建设更多的晶圆厂，甚至拥有更高的制程技术，以获取更多的市场
份额。
emmc推力标准
emmc推力标准eMMC推力标准一、接口规范eMMC接口规范是推力标准的重要组成部分。
它规定了eMMC设备与主机之间的物理和电气接口特性，包括引脚定义、信号类型和时序等。
eMMC接口规范保证了设备之间的兼容性和互操作性。
二、存储容量eMMC的存储容量是衡量其性能的重要指标之一。
不同的eMMC芯片型号可能具有不同的存储容量，如1GB、2GB、4GB、8GB等。
在选择eMMC 芯片时，应根据应用需求选择合适的存储容量。
三、性能指标eMMC的性能指标主要包括读写速度、随机读写性能、功耗等。
读写速度通常以读取和写入数据的速度来衡量，随机读写性能则反映了设备对随机数据访问的响应能力。
此外，功耗也是需要考虑的性能指标之一，它直接影响到设备的续航能力和发热情况。
四、可靠性和稳定性eMMC设备的可靠性和稳定性对于保证数据安全和设备长期稳定运行至关重要。
推力标准应考虑设备的故障率、寿命、自检和恢复机制等方面，以确保设备在各种工作条件下都能保持稳定运行。
五、兼容性eMMC设备的兼容性是保证不同设备之间以及设备与主机之间能够相互协作的关键。
推力标准应规定设备应具备的兼容性指标，如对主流操作系统的支持、对不同主机的适配等。
六、环境适应性eMMC设备可能需要在不同的环境下工作，因此推力标准应规定设备应具备的环境适应性指标，如工作温度范围、湿度范围、耐压能力等。
这些指标可以确保设备在不同环境下都能保持正常运行。
七、安全性eMMC设备的安全性是至关重要的，它涉及到设备对数据的保护、防止非法访问等方面。
推力标准应规定设备应具备的安全性指标，如加密能力、访问控制机制等。
这些指标可以保护数据的安全性和完整性，防止未经授权的访问和篡改。
同时还应考虑设备在遭受攻击或异常情况下的自我保护能力，以确保设备能够及时采取措施防止数据泄露和损坏。
为了保障安全性，推力标准还应规定设备在生产和供应链方面的要求，以确保设备的组件和材料来源合法可靠。
综上所述，eMMC推力标准应涵盖接口规范、存储容量、性能指标、可靠性稳定性、兼容性、环境适应性和安全性等方面，以确保设备能够满足市场需求并具备竞争力。
UFS和EMMC的区别
UFS和EMMC的区别UFS PK EMMCUFS作为目前安卓智能手机最先进的非易失存储器（NVM）已经广泛应用在很多手机OEM的旗舰机型上，并会逐渐取代eMMC的地位。
它不仅给智能手机带来更高的读写速度更可靠的稳定性，同时M-PHY，UniPro和对SCSI命令集的支持，也大大简化了设计的复杂度，从而缩短了手机上市的时间。
UFS不仅具有SSD同级别的读写速度、异步IO接口和可靠的SCSI 架构，同时还具有eMMC的低功耗的特点。
读者可以通过下面这个表格来理解UFS对比eMMC和SATA3的到底有哪些优势。
其中需要强调的是虽然eMMC5.1已经支持Command Queue，但是由于eMMC硬件接口的局限性，无论是全双工还是并发性方面上，都无法和UFS2.0媲美，笔者会在后面的文章里详细介绍。
到此为止，上面都是UFS自己吹的，那么我们就来看看所谓的UFS到底有多快，看下图。
目前市场上主流的UFS2.0，单lane能够支持到最高600MB/S，如果是双lane设计那么可以跑到1200MB/S，对比eMMC HS400模式只能跑到400MB/S(这还是eMMC可以支持的最大理论值)确实有了显著的提高。
后续更高级的UFS3.0版本还会跑到更快的双通道2400MB/S。
让笔者觉得惊讶的是，如果按照M-PHY的标准，UFS完全可以支持到4个Lane，那岂不是会跑到4800MB/S，copy个电影只需要半秒钟，哈哈。
但实际情况，UFS也不会每时每刻都玩命跑的，总得让人歇歇不是，所以UFS在实际运行过程中速度是变化的（话说变速跑更TM累，有一次变速跑累成狗，心里那叫一个万马奔腾，后来被国足女将口头鼓励了一下，心气儿才平复许多）。
至于速度是多少，大家看下图就一目了然了，需要稍微解释的是PWM就是脉宽调制，HS-G3就是High Speed Gear 3的意思。
UFS这么英明神武，为啥eMMC就不行泥？？因为eMMC是并口，一是快速并行接口同步就是一个瓶颈了，再就是即便同步问题解决了，信号之间的串扰也是无法避免的。
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TrendForce：2014~2016年eMMC主流地位不变，UFS要到2016年才有一席之地
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，自2013年下半年开始eMMC 4.5已开始大幅度地取代eMMC 4.41接口，成为智能型手机和平板计算机内建储存内存的主要规格。
目前从各eMMC供货商和AP芯片厂商产品的规画进度来看，预计自2014年下半年起，eMMC 5.0产品会开始放量，成为新一代的接班人。
至于市场原先所预期的UFS接口，最快也要等到2016年才有机会占有一席之地。
eMMC 4.5与eMMC 4.41接口的最大差别在于，最大传输速度从104MB/s倍增至200MB/s 水平。
除了能更加充分发挥ONFI/Toggle等同步NAND Flash芯片的效能外，另一方面也更能满足智能型手机与平板计算机对于更高读写速度的需求。
大多数NAND Flash原厂的eMMC 4.5产品，都是从2013年第一季起才陆续Design-in各家新一代智能型手机与平板计算机的产品。
因此，随着各手机/平板计算机OEM厂商在2013年下半年开始推出相关新产品后，eMMC 4.5的出货量才开始大幅度地取代eMMC 4.41成为市场的主流。
目前主要的eMMC供货商，从2013年下半年开始就已经陆续将1Xnm等级eMMC 5.0产品交给客户端进行测试，再加上从手机/平板计算机AP芯片厂商的新产品规画来看，eMMC 5.0已经确定是eMMC 4.5的下一代接班人。
至于市场原先看好在2014~2015年间有机会与eMMC 并驾齐驱的UFS界面，TrendForce认为最快也要等到2016年才有机会在「高阶的」智能型手机、平板计算机上与eMMC接口抗衡。
背后考虑点如下：
一、效能考虑：
eMMC 5.0接口的最高传输速度为400MB/s，大约是eMMC 4.5的两倍水平。
另一方面，市场所说的UFS接口，其实又可细分成UFS 1.1以及升级后的UFS 2.0两种版本。
前者最高传输速度300MB/s，后者1200MB/s。
从上述数据可知，eMMC 5.0的效能刚好介于UFS 1.1与UFS 2.0之间。
JEDEC完成UFS 2.0规格制定的时间点较eMMC 5.0来得晚，而UFS 1.1的速度又不及eMMC 5.0，所以才会让eMMC 5.0取得先机。
值得注意的是，为了不让UFS 2.0的超高速专美于前，JEDEC已经开始着手制定eMMC 5.X版本的规格，TrendForce推估最高传输速度至少会挑战600MB/s以上的水平。
换句话说，未来将由UFS 2.0与eMMC 5.X延续先前的激烈竞争。
二、AP芯片考虑：
Qualcomm、nVidia、MTK、Samsung等AP芯片厂商的支持意愿，也是影响未来智能型手机与平板计算机厂商倾向采用eMMC或是UFS接口的重要关键之一。
据了解，目前除Samsung 5420以及Qualcomm 8084芯片有机会率先在2014年同时支持eMMC 5.0与UFS 1.1接口外，其他芯片厂商们则倾向仅支持eMMC 5.0接口。
根据TrendForce调查指出，全球eMMC供货商中，Samsung可能是2014年唯一会推出UFS 1.1产品的厂商，至于其他供货商则会选择跳过UFS 1.1，然后直接推出UFS 2.0版本的产品。
此外，UFS接口为一完全不同于eMMC的全新设计架构，因此不论对于AP芯片还是Flash控制芯片来说，势必得花费更多的时间进行产品开发。
总而言之，UFS 1.1产品的供货商有限、效能不及eMMC 5.0接口以及设计难度较高，是大多数AP芯片厂商选择仅支持eMMC 5.0的主要原因。
TrendForce认为大多数AP芯片厂商最快可以支持UFS 2.0接口也要等到2015年。
三、性价比考虑：
TrendForce认为UFS 2.0接口虽然最高传输速度可突破1000MB/s水平，但是高效能背后的代价就是控制芯片成本的上升。
换句话说，相同储存容量的UFS 2.0与eMMC 5.X产品，后者的生产成本会比前者来得低。
在高阶智能型手持装置创新趋缓，以及追求低价的中低阶
市场将快速成长的趋势下，UFS 2.0产品的性价比，只有在高阶市场才有与eMMC 5.X一搏的机会，至于中低阶市场的主流接口预料将是eMMC 5.X。
因此，TrendForce推测UFS受限于本身性价比，最多只能先在高阶市场占有一席之地，而难以在短时间内成为市场主流产品。
总而言之，在考虑效能、AP芯片支持时间点以及产品性价比后，TrendForce认为UFS 接口要等到2.0版本产品出现后，才有机会在高阶智能型手机与平板计算机市场与eMMC接口一争高下，形成共存的局面。
然而，在着重价格的中低阶市场，相信eMMC仍会是市场主流。
TrendForce预估UFS接口占整体市场的出货比重在2016年时有机会挑战10%水平(见下图)。
目前eMMC产品的主要供货商，包括Samsung、SK Hynix、Sandisk、Toshiba、Micron 和KSI，市占率合计高达95%以上。
值得注意的是，各家对于eMMC控制芯片的生产策略则有所不同。
以未来eMMC 5.0产品为例，Samsung、Toshiba和Sandisk目前都是规画完全采用In-house控制芯片，而Micron和SK Hynix则采外包方式为主，但是仍有建立In-house控制芯片的打算。
eMMC供货商除上述采用In-house控制芯片的厂商外，选择外包策略的都是采用SMI与Phison的解决方案为主。
除上述两家外，Alcor、Marvell、Solid State System、Skymedi、StorArt等竞争者也紧追在后，希望也能抢食这块商机庞大的市场，而获得另一波公司成长动能。
另外，TrendForce也预期在Samsung TLC eMMC的竞争压力下，上述控制芯片厂商在2014年透过提供TLC eMMC控制芯片解决方案，打入上述主要eMMC供货商的机会将会大幅增加。