半导体存储器和可编程逻辑器件
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第八章半导体存储器和可编程逻辑器件
8-1.ROM由主要由哪几部分组成?
8-2.试比较ROM、PROM和EPROM及E2PROM有哪些异同?
8-3.PROM、EPROM和E2PROM在使用上有哪些优缺点?
8-4.RAM由主要由哪几部分组成?各有什么作用?
8-5.静态RAM和动态RAM有哪些区别?
8-6.RAM和ROM有什么区别,它们各适用于什么场合?
8-7.试用ROM实现下列组合逻辑函数。
8-8 比较GAL和PAL器件在电路结构形式上有什么不同?
8-9 试分析由PAL编程的组合逻辑电路如图题8-9所示,写出Y1、Y2、Y3与A、B、C、D的逻辑关系表达式。
图题8-9
8-10试分析由PAL编程的时序逻辑电路电路如图题8-10所示,写出电路的驱动方程、状态方程、输出方程、画出电路的状态转换图。
8-11可编程逻辑器件有哪些种类?有什么共同特点?
8-12在下列应用场合,选用哪类PLD最为适合。
(1)小批量定型的产品中的中小规模逻辑电路。
(2)产品研制过程中需要不断修改的中小规模逻辑电路。
(3)要求能以遥控方式改变其逻辑功能的逻辑电路。
图题8-10
8-13选择题
1.一个容量为1K×8的存储器有个存储单元。
A.8
B.8K
C.8000
D.8192
2.要构成容量为4K×8的RAM,需要片容量为256×4的RAM。
A.2
B.4
C.8
D.32
3.寻址容量为16K×8的RAM需要根地址线。
A.4
B.8
C.14
D.16
E.16K
4.若R A M的地址码有8位,行、列地址译码器的输入端都为4个,则它们的输出线(即字线加位线)共有条。
A.8
B.16
C.32
D.256
5.某存储器具有8根地址线和8根双向数据线,则该存储器的容量为。
A.8×3
B.8K×8
C.256×8
D.256×256
6.采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有。
A.10行10列
B.5行5列
C.32行32列
D.1024行1024列7.随机存取存储器具有功能。
A.读/写
B.无读/写
C.只读
D.只写
8.欲将容量为128×1的R A M扩展为1024×8,则需要控制各片选端的辅助译码器的输出端数为。
A.1
B.2
C.3
D.8
9.欲将容量为256×1的R A M扩展为1024×8,则需要控制各片选端的辅助译码器的输入端数为。
A.4
B.2
C.3
D.8
10.只读存储器R O M在运行时具有功能。
A.读/无写
B.无读/写
C.读/写
D.无读/无写
11.只读存储器R O M中的内容,当电源断掉后又接通,存储器中的内容。
A.全部改变
B.全部为0
C.不可预料
D.保持不变
12.随机存取存储器R A M中的内容,当电源断掉后又接通,存储器中的内容。
A.全部改变
B.全部为1
C.不确定
D.保持不变
13.一个容量为512×1的静态RAM具有。
A.地址线9根,数据线1根
B.地址线1根,数据线9根
C.地址线512根,数据线9根
D.地址线9根,数据线512根
14.用若干R A M实现位扩展时,其方法是将相应地并联在一起。
A.地址线
B.数据线
C.片选信号线
D.读/写线
15.P R O M的与陈列(地址译码器)是。
A.全译码可编程阵列
B.全译码不可编程阵列
C.非全译码可编程阵列
D.非全译码不可编程阵列
第八章半导体存储器和可编程逻辑器件
8-1ROM主要由地址译码器、存储距阵、输出缓冲器
8-2相同点:半导体存储器是由许多存储单元组成,每个存储单元可存储一位二进制数0
或1。
不同点:只读存储器ROM用于存放固定不变的数据,存储内容不能随便更改。
PROM是可编程只读存储器。EPROM是可擦除的可编程只读存储器
EEPROM是电擦除的可编程只读存储器。
8-3 PROM是可编程只读存储器。EPROM是可擦除的可编程只读存储器EEPROM是电擦除的可编程只读存储器,使用最方便。
8-4RAM通常由存储器距阵、地址译码器和读/写控制电路组成。存储距阵由许多个存储单
元排列而成。在给定地址码后,经地址译码,这些被选中的存储单元由读、写控制电路控制,实现对这些单元的读写操作。
8-5静态RAM的存储单元为触发器,工作时不需刷新,但存储容量较小。
动态RAM的存
储单元是利用MOS管具有极高的输入电阻,在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的,由于栅极电容存在漏电,因此,工作时需要周期性地对存储数据进行刷新
8-6只读存储器ROM用于存放固定不变的数据,存储内容不能随意改写。
随时读出数据或
改写存储的数据,并且读/写数据的速度很快,因此,RAM多用于需要经常更换数据的场合,最典型的应用就是计算机中的内存。但RAM