5半导体存储器习题解答
阎石《数字电子技术基础》(第5版)笔记和课后习题(含考研真题)详解(7-11章)【圣才出品】
圣才电子书 十万种考研考证电子书、题库视频学习平台
存储矩阵中选出指定单元，并把其中数据送到输出缓冲器。 （3）输出缓冲器的作用是提高存储器带负载能力，实现对输出状态的三态控制，便与 系统的总线连接。
图 7-1 ROM 的电路结构框图
2．可编程只读存储器（PROM） PROM 初始时所有存储单元中都存入了 1，可通过将所需内容自行写入 PROM 而得到 要求的 ROM。PROM 的总体结构与掩模 ROM 一样，同样由存储矩阵、地址译码器和输出 电路组成。 PROM 的内容一经写入以后，就不可能修改了，所以它只能写入一次。因此，PROM 仍不能满足研制过程中经常修改存储内容的需要。
3 / 127
圣才电子书 十万种考研考证电子书、题库视频学习平台
分组成，如图 7-4 所示。 ①存储矩阵由许多存储单元排列而成，每个存储单元能存储 1 位二值数（1 或 0），既 可以写入 1 或 0，又可以将存储的数据读出； ②地址译码器一般都分成行地址译码器和列地址译码器。行地址译码器将输入地址代码 的若干位译成某一条字线的输出高、低电平信号，从存储矩阵中选中一行存储单元；列地址 译码器将输入地址代码的其余几位译成某一根输出线上的高、低电平信号，从字线选中的一 行存储单元中再选 1 位（或几位），使这些被选中的单元经读/写控制电路与输入/输出端接 通，以便对这些单元进行读、写操作；
圣才电子书 十万种考研考证电子书、题库视频学习平台
第 7 章 半导体存储器
7.1 复习笔记
一、概述 半导体存储器是一种能存储大量二值信息（或称为二值数据）的半导体器件。半导体存 储器的种类很多，从存、取功能上可以分为只读存储器（ROM）和随机存储器（RAM）。 只读存储器在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速地随时修改或重新写入数 据。ROM 的优点是电路结构简单，而且在断电以后数据不会丢失。它的缺点是只适用于存 储那些固定数据的场合。只读存储器中又有掩模 ROM、可编程 ROM（PROM）和可擦除 的可编程 ROM（EPROM）几种不同类型。 随机存储器与只读存储器的根本区别在于，正常工作状态下就可以随时快速地向存储器 里写入数据或从中读出数据。根据所采用的存储单元工作原理的不同，又将随机存储器分为 静态存储器（SRAM）和动态存储器（DRAM）。
第五章存储器习题(可编辑修改word版)
第五章存储器及其接口1.单项选择题（1）DRAM2164(64K╳1)外部引脚有（）A.16 条地址线、2 条数据线B.8 条地址线、1 条数据线C．16 条地址线、1 条数据线 D.8 条地址线、2 条数据线(2)8086 能寻址内存贮器的最大地址范围为()A.64KBB.512KBC.1MBD.16KB（3）若用1K╳4b的组成2K╳8b的RAM，需要（）。
A．2 片 B.16 片 C.4 片 D.8 片（4）某计算机的字长是否 2 位，它的存储容量是 64K 字节编址，它的寻址范围是（）。
A．16K B.16KB C.32K D.64K（5）采用虚拟存储器的目的是（）A．提高主存的速度 B.扩大外存的存储空间C．扩大存储器的寻址空间 D.提高外存的速度（6）RAM 存储器器中的信息是（）A．可以读/写的 B.不会变动的C.可永久保留的D.便于携带的（7）用2164DRAM 芯片构成8086 的存储系统至少要（）片A．16 B.32 C.64 D.8（8）8086 在进行存储器写操作时，引脚信号 M/IO 和 DT/R 应该是（）A．00 B。
01 C。
10 D。
11（9）某SRAM 芯片上，有地址引脚线12 根，它内部的编址单元数量为（）A．1024 B。
4096 C。
1200 D。
2K（11）Intel2167(16K╳1B)需要（）条地址线寻址。
A．10 B.12 C.14 D.16（12）6116（2K╳8B）片子组成一个 64KB 的存贮器，可用来产生片选信号的地址线是（）。
A．A0~A10B。
A~A15C。
A11~A15D。
A4~A19（13）计算一个存储器芯片容量的公式为（）A．编址单元数╳数据线位数B。
编址单元数╳字节C．编址单元数╳字长D。
数据线位数╳字长（14）与 SRAM 相比，DRAM（）A．存取速度快、容量大B。
存取速度慢、容量小C．存取速度快，容量小D。
存取速度慢，容量大（15）半导动态随机存储器大约需要每隔（）对其刷新一次。
第五章微机原理课后习题参考答案
习题五一. 思考题⒈半导体存储器主要分为哪几类？简述它们的用途和区别。
答：按照存取方式分，半导体存储器主要分为随机存取存储器RAM（包括静态RAM和动态RAM）和只读存储器ROM（包括掩膜只读存储器，可编程只读存储器，可擦除只读存储器和电可擦除只读存储器）。
RAM在程序执行过程中，能够通过指令随机地对其中每个存储单元进行读\写操作。
一般来说，RAM中存储的信息在断电后会丢失，是一种易失性存储器；但目前也有一些RAM 芯片，由于内部带有电池，断电后信息不会丢失，具有非易失性。
RAM的用途主要是用来存放原始数据，中间结果或程序，与CPU或外部设备交换信息。
而ROM在微机系统运行过程中，只能对其进行读操作，不能随机地进行写操作。
断电后ROM中的信息不会消失，具有非易失性。
ROM通常用来存放相对固定不变的程序、汉字字型库、字符及图形符号等。
根据制造工艺的不同，随机读写存储器RAM主要有双极型和MOS型两类。
双极型存储器具有存取速度快、集成度较低、功耗较大、成本较高等特点，适用于对速度要求较高的高速缓冲存储器；MOS型存储器具有集成度高、功耗低、价格便宜等特点，适用于内存储器。
⒉存储芯片结构由哪几部分组成？简述各部分的主要功能。
答：存储芯片通常由存储体、地址寄存器、地址译码器、数据寄存器、读\写驱动电路及控制电路等部分组成。
存储体是存储器芯片的核心，它由多个基本存储单元组成，每个基本存储单元可存储一位二进制信息，具有0和1两种状态。
每个存储单元有一个唯一的地址，供CPU访问。
地址寄存器用来存放CPU访问的存储单元地址，该地址经地址译码器译码后选中芯片内某个指定的存储单元。
通常在微机中，访问地址由地址锁存器提供，存储单元地址由地址锁存器输出后，经地址总线送到存储器芯片内直接进行译码。
地址译码器的作用就是用来接收CPU送来的地址信号并对它进行存储芯片内部的“译码”，选择与此地址相对应的存储单元，以便对该单元进行读\写操作。
半导体存储器题库
半导体存储器题库
1. 半导体存储器按照存取功能可以分为哪两类？
A. 只读存储器和随机存储器
B. 磁表面存储器和半导体存储器
C. 主存储器和外存储器
D. 硬盘和软盘
2. ROM代表什么类型的存储器？
A. 只读存储器
B. 随机存储器
C. 缓冲存储器
D. 高速缓存存储器
3. RAM代表什么类型的存储器？
A. 只读存储器
B. 随机存储器
C. 缓冲存储器
D. 高速缓存存储器
4. EEPROM是什么类型的存储器？
A. 只读存储器
B. 随机存储器
C. 可编程只读存储器
D. 可擦除可编程只读存储器
5. EPROM是什么类型的存储器？
A. 只读存储器
B. 随机存储器
C. 可编程只读存储器
D. 可擦除可编程只读存储器
6. 半导体存储器的优点是什么？
A. 容量大、速度快、功耗低、体积小、可靠性高
B. 容量小、速度快、功耗低、体积大、可靠性高
C. 容量大、速度快、功耗高、体积小、可靠性低
D. 容量小、速度快、功耗高、体积小、可靠性低
7. 下列哪个不是半导体存储器的缺点？
A. 需要定期刷新
B. 数据易丢失
C. 存取速度慢
D. 集成度低
8. 半导体存储器的刷新周期是由什么决定的？
A. 存储单元的个数
B. 存取周期的时间长度
C. 刷新电路的工作原理
D. 数据在内存中存放的时间长度。
计算机组成原理第五版 白中英(详细)第3章习题参考答案
第3章习题参考答案1、设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问 (1) 该存储器能存储多少字节的信息？(2) 如果存储器由512K ×8位SRAM 芯片组成，需要多少片？ (3) 需要多少位地址作芯片选择？ 解：(1) 该存储器能存储：字节4M 832220=⨯(2) 需要片8823228512322192020=⨯⨯=⨯⨯K (3) 用512K ⨯8位的芯片构成字长为32位的存储器，则需要每4片为一组进行字长的位数扩展，然后再由2组进行存储器容量的扩展。
所以只需一位最高位地址进行芯片选择。
2、已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用4M ×8位的DRAM 芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用内存条结构形式，问； (1) 若每个内存条为16M ×64位，共需几个内存条? (2) 每个内存条内共有多少DRAM 芯片?(3) 主存共需多少DRAM 芯片? CPU 如何选择各内存条? 解：(1) 共需条4641664226=⨯⨯M 内存条 (2) 每个内存条内共有32846416=⨯⨯M M 个芯片(3) 主存共需多少1288464648464226=⨯⨯=⨯⨯M M M 个RAM 芯片， 共有4个内存条，故CPU 选择内存条用最高两位地址A 24和A 25通过2：4译码器实现；其余的24根地址线用于内存条内部单元的选择。
3、用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，要求： (1) 画出该存储器的组成逻辑框图。
(2) 设存储器读/写周期为0.5μS ，CPU 在1μS 内至少要访问一次。
试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少? 解：(1) 用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，需要用16448163264=⨯=⨯⨯K K 个芯片，其中每4片为一组构成16K ×32位——进行字长位数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连——分别接D 0~D 7、D 8~D 15、D 16~D 23和D 24~D 31，其余同名引脚互连)，需要低14位地址(A 0~A 13)作为模块内各个芯片的内部单元地址——分成行、列地址两次由A 0~A 6引脚输入；然后再由4组进行存储器容量扩展，用高两位地址A 14、A 15通过2：4译码器实现4组中选择一组。
半导体集成电路考试题目与参考答案
第一部分考试试题第0章绪论1.什么叫半导体集成电路？2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？第1章集成电路的基本制造工艺1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。
3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。
7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。
8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。
第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。
2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响?5. 消除“Latch-up”效应的方法？6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？第3章集成电路中的无源元件1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？2.集成电路中常用的电容有哪些。
3. 为什么基区薄层电阻需要修正。
4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。
5. 运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。
第4章TTL电路1.名词解释电压传输特性 开门/关门电平 逻辑摆幅 过渡区宽度 输入短路电流 输入漏电流静态功耗 瞬态延迟时间 瞬态存储时间 瞬态上升时间 瞬态下降时间瞬时导通时间2. 分析四管标准TTL 与非门（稳态时）各管的工作状态？3. 在四管标准与非门中，那个管子会对瞬态特性影响最大，并分析原因以及带来那些困难。
微机接口与汇编语言复习题(五)
第5 章存储器系统6-1半导体存储器分为哪两大类?随机存取存储器由哪几个部分组成?答:分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两大类。
RAM由地址寄存器、译码驱动电路、存储体、读/写驱动电路、数据寄存器和控制逻辑6部分组成。
6-2简述RO M、PRO M、EPR O M、EE PROM在功能上各有何特点。
答:①ROM是只读存储器，使用时只能读出，不能写入，适用于保存不需要更改而经常读取的数据，通常使用的光盘就是这类存储器。
②P ROM属于一次可编程的ROM，通常使用时也只能读出，不能写入，通常使用的刻录光盘就属于此类存储器。
最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是产生了错误，己写入的芯片只能报废。
③E P ROM属于可擦除R O M，但是用户需要使用专用的紫外线擦除器对其进行数据擦除，并使用专用的编程器对其重新写入数据。
④EEPROM是电可擦写R O M，也可以用专用的编程器对其进行擦写。
6-3存储器的地址译码有几种方式?各自的特点是什么?答:地址译码有3种方式:线选法、全译码法和部分译码法。
①线选法:使用地址总线的高位地址作为片选信号，低位地址实现片内寻址。
优点是结构简单，需要的硬件电路少，缺点是地址不连续，使用不方便，而且同一存储区的地址不唯一，造成地址空间浪费。
②全译码法:将地址总线中除片内地址以外的全部高位地址都接到译码器的输入端参与译码。
特点是每个存储单元的地址是唯一的，地址利用充分，缺点是译码电路复杂。
③部分译码法:将高位地址的部分地址线接到译码器参与译码，产生存储器的片选信号。
特点是各芯片的地址是连续的，但是地址不唯一，仍然存在地址的堆叠区。
6-4某RAM芯片的存储容量为1024x8位，其中几条地址线?几条数据线?若己知某RAM芯片引脚中有13条地址线，8条数据线，那么该芯片的存储容量是多少?答:其中有10条地址线，8条数据线。
(完整版)存储器习题及参考答案
习题四参考答案1．某机主存储器有16位地址，字长为8位。
（1）如果用1k×4位的RAM芯片构成该存储器，需要多少片芯片？（2）该存储器能存放多少字节的信息？（3）片选逻辑需要多少位地址？解：需要存储器总容量为：16K×8位，故，（1）需要1k×4位的RAM芯片位32片。
（2）该存储器存放16K字节的信息。
（3）片选逻辑需要4位地址。
2. 用8k×8位的静态RAM芯片构成64kB的存储器，要求：（1）计算所需芯片数。
（2）画出该存储器组成逻辑框图。
解：（1）所需芯片8片。
（2）逻辑图为：3. 用64k×1位的DRAM芯片构成256k×8位存储器，要求：（1）画出该存储器的逻辑框图。
（2）计算所需芯片数。
（3）采用分散刷新方式，如每单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？如采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少读/写周期？解：（1）（2）所需芯片为32片。
（3）设读写周期为0.5微妙，则采用分散式刷新方式的刷新信号周期为1微妙。
因为64K ×1的存储矩阵是由四个128×128的矩阵构成，刷新时4个存储矩阵同时对128个元素操作，一次刷新就可完成512个元素，整个芯片只有128次刷新操作就可全部完成。
所以存储器刷新一遍最少用128个读/写周期。
4. 用8k×8位的EPROM芯片组成32k×16位的只读存储器，试问：（1）数据寄存器多少位？（2）地址寄存器多少位？（3）共需多少个EPROM芯片？（4）画出该只读存储器的逻辑框图？解：因为只读存储器的容量为：32k×16，所以：（1）数据寄存器16位。
（2）地址寄存器15位。
（3）共需8个EPROM芯片？（4）逻辑框图为：5. 某机器中，已经配有0000H～3FFFH的ROM区域，现在再用8k×8位的RAM芯片形成32k ×8位的存储区域，CPU地址总线为A0～A15，数据总线为D0～D7，控制信号为R/W（读/写）、MREQ（访存），要求：（1）画出地址译码方案。
《微机原理与接口技术》习题4解答
《微机原理与接⼝技术》习题4解答习题44.1 半导体存储器有哪些优点？SRAM、DRAM各⾃有何特点？【解答】特点是容量⼤、存取速度快、体积⼩、功耗低、集成度⾼、价格便宜。
SRAM存放的信息在不停电的情况下能长时间保留不变，只要不掉电所保存的信息就不会丢失。
⽽DRAM保存的内容即使在不掉电的情况下隔⼀定时间后也会⾃动消失，因此要定时对其进⾏刷新。
4.2 ROM、PROM、EPROM、E2PROM、Flash Memory各有何特点？⽤于何种场合？【解答】掩膜式ROM中的信息是在⽣产⼚家制造时写⼊的。
制成后，信息只能读出不能改写。
PROM中晶体管的集电极接V CC，基极连接⾏线，发射极通过⼀个熔丝与列线相连。
出⼚时，晶体管阵列的熔丝完好。
写⼊信息时，选中某个晶体管，输⼊⾼低电平保留或烧断熔丝对应1和0。
烧断熔丝不能再复原，因此只能进⾏⼀次编程。
EPROM芯⽚的顶部开有⼀⽯英窗⼝，通过紫外线的照射可擦除⽚内原有信息，⼀块芯⽚可多次使⽤，缺点是只能进⾏整⽚写。
E2PROM是可⽤电擦除和编程的只读存储器，能在线读写，断电情况信息不丢失，能随机改写；其擦写次数可达1万次以上，数据可保存10年以上。
可作为系统中可靠保存数据的存储器。
Flash Memory是新型的半导体存储器，可实现⼤规模电擦除，擦除功能可迅速清除整个存储器的所有内容；可⾼速编程；闪速存储器可重复使⽤，适⽤于⽂件需要经常更新的可重复编程应⽤中。
对于需要实施代码或数据更新的嵌⼊性应⽤是⼀种理想的存储器。
4.3 动态RAM为什么需要经常刷新？微机系统如何进⾏动态RAM的刷新？【解答】动态RAM是利⽤电容存储电荷的原理来保存信息的，由于电容会泄漏放电，所以，为保持电容中的电荷不丢失，必须对动态RAM不断进⾏刷新。
DRAM的刷新常采⽤两种⽅法：⼀是利⽤专门的DRAM控制器实现刷新控制，如Intel 8203控制器；⼆是在每个DRAM芯⽚上集成刷新控制电路，使存储器件⾃⾝完成刷新，如Intel 2186/2187。
半导体存储器和可编程逻辑器件习题解答
复习思考题6-1ROM一共分为几种，它们都有哪些特性？答：只读存储器(ROM)实际上是一个具有n个输入和m个输出的组合逻辑电路,分为掩模ROM、PROM和EPROM三种。
掩模只读存储器是最早出现的只读存储器，在存储器出厂的时候，存储器中的数据就已经被固化在它的内部了；掩模只读存储器之能够读取数据，而不能写入数据。
PROM的总体结构和掩模ROM相同，都是由地址译码器、存储矩阵和输出电路构成。
PROM和掩模ROM不同的地方则在于，它们的存储单元具有不同的结构；PROM既可以读也可以写，但是只能写入一次。
可擦除的可编程存储器(EPROM)中存储的数据可以被反复擦除和重新编程，所以，它的应用范围比PROM更加广泛。
6-2为什么说ROM实际上一种组合逻辑电路？答：因为ROM中没有时钟信号，地址输入端和数据输出端构成了组合逻辑的一一对应关系。
6-3掩模ROM和PROM有什么区别？答：PROM和掩模ROM不同的地方则在于，它们的存储单元具有不同的结构；掩模只读存储器只能够读取数据，而不能写入数据，PROM既可以读也可以写，但是只能写入一次。
6-4PROM和EPROM的最大区别是什么？答：PROM存储单元和EPROM不同。
前者主要是熔丝和反熔丝结构，而后者则采用各种可擦除半导体结构。
PROM只能写一次，而EPROM能反复地擦和写。
6-5SRAM和DRAM的区别是什么？在实际中，它们各自有什么用途？答：它们的存储单元结构不同。
SRAM不需要刷新，而DRAM需要不断地周期性地刷新。
6-6当字数不够用，位数也不够用时，应该怎样扩展存储器的存储容量？答：可以进行字扩展和位扩展。
6-7可编程逻辑器件主要有哪几种？答：有PAL、GAL、CPLD和FPGA等6-8PAL器件和ROM的区别是什么？答：ROM只有或阵列都可以编程，而与阵列不能编程；PAL只有与阵列能编程，或阵列是固定的。
6-9怎样用PAL实现任意组合逻辑函数？用PAL实现任意组合逻辑函数有什么限制？答：先将逻辑函数式化简，再按照乘积和的方式在PAL中进行编程。
数字电子技术 第九章：半导体存储器和可编程逻辑器件-习题答案
习 题9题9-1 储容量是1024M×16位的RAM 模块，最低位地址码是零，分析采用地址码分时输入和不采用分时输入两种形式时，最高位地址码是多少？解：1024M×16位的RAM 模块，若采用地址码（存储单元1024M ，即230个）分时输入，地址线为15根，将行地址码和列地址码分开，地址码一共有15位，则最高位地址码7FFF （H ）。
若不采用地址码分时输入，地址线为30根，将行地址和列地址合为一个地址码，地址码为30位，则最高位地址码3FFF,FFFF （H ）。
题9-2试用的四片256M×16位的SRAM 芯片，并选用合适的译码器组成最大存储容量为1024M×16位的RAM 存储器。
解：将四片256M×16位的SRAM 芯片（地址线28根，数据线16根）进行存储容量的扩展，选用2-4线集成译码器74LS139作为地址线的扩展就可以组成最大存储容量为1024M×16位的RAM 存储器，电路图如图9.2所示。
题9-3 有一块RAM ，其存储容量是1024M×16位，分析采用地址码分时输入和不采用分时输入两种形式时各需要使用几根地址线和数据线连接。
解：1024M×16位的RAM 模块，若采用地址码（存储字单元1024M ，即230个）分时输入，地址线为15根，将行地址码和列地址码分开，地址码一共有15位。
数字线16根。
若不采用地址码分时输入，地址线为30根，将行地址和列地址合为一个地址码，地址码为30位。
数字线16根。
题9-4 有一个16×1的RAM ，其存储单元存储的数据从d 15~ d 0依次为1001，0110，1110，0110，若地址输入为四变量逻辑函数的输入变量（A, B, C, D,A 从高位地址输入，依次至D图9.2D 0 A A为最低位），RAM 的数据输出为四变量函数的输出量L 。
当该RAM 进行正常读出时，试写出输出L 与ABCD 的函数关系。
微机原理 第5章6章习题
；送基和当前地址高８位
； 210=1024送基本和当前字节计数初
；送基本和当前字节计数初值高８位
写入方式字：数据块传送，地址增量，禁止自动预置，写传 送，选择通道0
MOV OUT MOV OUT AL，10000100B 0BH，AL AL，00H 0AH，AL
写入屏蔽字：通道0屏蔽位清0
写入命令字： DACK 和DREQ为高电平，固定优先级，非存储 器间传送
A） 中断指令 B） 串操作指令 C） 输入/输 出指令 D） MOV指令 中断指令，串操作指令，MOV指令处理CPU内部寄 存器信息的．
• 3.如果认为CPU等待设备的状态信号是处于非工作状态(即踏 步等待),那么,在下面几种主机与设备数据传送方式中, Ａ 主 机与设备是串行工作的, Ｂ 主机与设备是并行工作 的, Ｃ 主程序与外围设备是并行运行的。 A) 程序查询方式; B) 中断方式; C) DMA方式 串行工作：按照时间顺序依次工作． 并行工作：同一时间处理多个工作． 并行运行：两个设备在同一时间一起运行的． 查询方式只要查询到一个外设空闲，就立即运行，不会在乎其 他外设的情况．运行完成后才查询另一个外设． 中断方式：同时有多个外设在运行．中断中还有中断． 和我们的边听歌，边看网页是一样的． DMA方式：由DMA和外设打交道，CPU处理另外的事情．因此， CPU的主程序和外设是并行工作的。
第5章习题
Байду номын сангаас
第五章
• 1、内存储器是计算机系统中的 存储 装置，用 来存放 程序 和 数据 。 • 2、半导体存储器分为 只读存储器ROM 和 随机存取存储器RAM 。 • 3、半导体存储器的性能指标 包括 存储容量 、 存取时间 、 功耗 、 可靠性 。 • 4 、将存储器与系统相连的译码片选方式有 线选 法和 地址译码选择 法。 • 5、 对2817A进行读操作，其引脚 = 0 ， = 1 ， = 0 。
半导体存储器习题参考答案
第八章半导体存储器习题参考答案
8-1 ROM主要由地址译码器、存储距阵、输出缓冲器
8-2 相同点：半导体存储器是由许多存储单元组成，每个存储单元可存储一位二进制数0
或1。
不同点：只读存储器ROM用于存放固定不变的数据，存储内容不能随便更改。
PROM是可编程只读存储器。
EPROM是可擦除的可编程只读存储器
EEPROM是电擦除的可编程只读存储器。
8-3 PROM是可编程只读存储器。
EPROM是可擦除的可编程只读存储器
EEPROM是电擦除的可编程只读存储器，使用最方便。
8-4 RAM通常由存储器距阵、地址译码器和读/写控制电路组成。
存储距阵由许多个存储单元排列而成。
在给定地址码后，经地址译码，这些被选中的存储单元由读、写控制电路控制，实现对这些单元的读写操作。
8-5 静态RAM的存储单元为触发器，工作时不需刷新，但存储容量较小。
动态RAM的存
储单元是利用MOS管具有极高的输入电阻，在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的，由于栅极电容存在漏电，因此，工作时需要周期性地对存储数据进行刷新
8-6 只读存储器ROM用于存放固定不变的数据，存储内容不能随意改写。
随时读出数据或
改写存储的数据，并且读/写数据的速度很快，因此，RAM多用于需要经常更换数据的场合，最典型的应用就是计算机中的内存。
但RAM 在断电后，数据将全部丢失。
8-7 电路如图所示：。
半导体器件基础习题答案(完美版)
半导体器件习题答案
片的电阻率较大？说明理由。 A:
1 , n型半导体 q n N D 1 , p型半导体 q p N A
两片晶片的掺杂浓度相同，而电子的迁移率大于空穴的迁移率，因此 p 型半导体即晶片 2 的电阻率较大。 Q: (e) 在室温下硅样品中测得电子的迁移率 cm2/V .s 。求电子的扩散系数。 A:
第二章 2.2 使用价键模型，形象而简要地说明半导体 (a) 失去原子 (b) 电子 (c) 空穴 (d) 施主 (e) 受主
2.3 Q: 使用能带模型，形象而简要地说明半导体： (a) 电子 (b) 空穴 (c) 施主
(d) 受主
(e) 温度趋向于 0 K 时，施主对多数载流子电子的冻结
(f) 温度趋向于 0 K 时，受主对多数载流子空穴的冻结 (g) 在不同能带上载流子的能量分布 (h) 本征半导体
说明：当材料内存在电场时，能带能量变成位置的函数，称为“能带弯曲” Q: (b) 电子的动能为零，即 K.E.=0 A: 说明：
Q: (c) 空穴的动能 K.E.=EG/4 A: 说明：
Q: (d) 光产生 A:
说明：从外部输入的光被吸收，电子被激发后，直接从价带进入导带 Q: (e) 直接热产生
1062109053 杨旭一整理 （仅供参考）
* m* p 2 m p ( Ev E )
g v ( E )[1 f ( E )] ( Ev E ) e
1/ 2
2
3
e ( E EF ) / kT
( E E F ) / kT
...
* m* p 2m p
d g c ( E ) f ( E ) dE e ( E EF ) / kT ( Ev E )1/ 2 e ( E EF ) / kT 1/ 2 2( Ev E ) kT 0 EE
半导体存储器计复习题
二、选择题
1．以下存储器件，若存有数据，当掉电时，（ A）磁芯存储器 B）RAM C）ROM
）存储器件能保留原有数据？
2、下列按块擦除的是（
）存储器。
A）EPROM B）EEPROM C）PROM D）FLASH
第五章 半导体存储器
复习题
一、填空题
1、半导体存存储器按使用功能分为__ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 和_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 两种。
2、MOS RAM可分为______和 ______。 3、地址译码方式有__ _ _ _ _ 和_ _ _ _ _ _ _ 两种。
_ 4、存储器扩充有 _____、 ______ 和______三种扩 展法。
D7-D0
A13 . . . SRAM A0
-OE
-具有13位地址和8位字长的存储器，问： （1）存储器能存储多少字节信息？ （2）如果存储器由1K*4bRAM芯片组成，共需要多少片？ （3）需要哪几个高位地址做片选译码来产生片选信号？
2、下列RAM芯片各需多少条地址线进行寻址？多少条数据线？ （1）512*4b （2）2K*1b （3）1K*8b （4）256K*4b
3、何谓静态存储器？何谓动态存储器？比较两者的不同点？
4、若要扩充1KB RAM（用2114芯片），规定地址为8000H—83FFH，地址线应如何连接？ 5、若要用2114芯片扩充2KB RAM，规定地址为4000H-47FFH，地址线应该如何连接？
6、已知某SRAM芯片的部分引脚如下图所示, 要求用该芯片构成A0000H—ABFFFH寻址空间的内存. (1)应选几片芯片 (2)给出各芯片的地址分配表
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
5 大规模数字集成电路习题解答99
自我检测题
1．一个ROM 共有10根地址线，8根位线（数据输出线），则其存储容量为。
A．10×8 B．102×8 C．10×82D．210×8
2．为了构成4096×8的RAM，需要片1024×2的RAM。
A．8片B．16片C．2片D．4片
3．哪种器件中存储的信息在掉电以后即丢失？
A．SRAM B．UVEPROM C．E2PROM D．PAL
4．关于半导体存储器的描述，下列哪种说法是错误的。
A．RAM读写方便，但一旦掉电，所存储的内容就会全部丢失
B．ROM掉电以后数据不会丢失
C．RAM可分为静态RAM和动态RAM
D．动态RAM不必定时刷新
5．有一存储系统，容量为256K×32。
设存储器的起始地址全为0，则最高地址的十六进制地址码为3FFFFH 。
6．真值表如表T5.6所示，如从存储器的角度去理解，AB应看为地址，F0F1F2F3应看为数据。
表T5.6
习题
1．在存储器结构中，什么是“字”？什么是“字长”，如何表示存储器的容量？
解：采用同一个地址存放的一组二进制数，称为字。
字的位数称为字长。
习惯上用总的位数来表示存储器的容量，一个具有n字、每字m位的存储器，其容量一般可表示为n ×m位。
2．试述RAM和ROM的区别。
解：RAM称为随机存储器，在工作中既允许随时从指定单元内读出信息，也可以随时将信息写入指定单元，最大的优点是读写方便。
但是掉电后数据丢失。
ROM在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速、随时地修改或重新写入数据，内部信息通常在制造过程或使用前写入，
3．试述SRAM和DRAM的区别。
解：SRAM通常采用锁存器构成存储单元，利用锁存器的双稳态结构，数据一旦被写
5 大规模数字集成电路习题解答 100
入就能够稳定地保持下去。
动态存储器则是以电容为存储单元，利用对电容器的充放电来存储信息，例如电容器含有电荷表示状态1，无电荷表示状态0。
根据DRAM 的机理，电容内部的电荷需要维持在一定的水平才能保证内部信息的正确性。
因此，DRAM 在使用时需要定时地进行信息刷新，不允许由于电容漏电导致数据信息逐渐减弱或消失。
4．与SRAM 相比，闪烁存储器有何主要优点？ 解：容量大，掉电后数据不会丢失。
5．用ROM 实现两个4位二进制数相乘，试问：该ROM 需要有多少根地址线？多少根数据线？其存储容量为多少？
解：8根地址线，8根数据线。
其容量为256×8。
6．现有如图P5.6所示的4×4位RAM 若干片，现要把它们扩展成8×8位RAM 。
（1）试问需要几片4×4位RAM ？
（2）画出扩展后电路图（可用少量门电路）。
图P5.6
解：（1）用4×4位RAM 扩展成8×8位RAM 时，需进行字数和位数扩展，故需要4片4×4的RAM
（2）扩展后电路如图：
D D 6D D 4A 0A 1D D 2D D 0
A 2
7．在微机中，CPU 要对存储器进行读写操作，首先要由地址总线给出地址信息，然后发出相应读或写的控制信号，最后才能在数据总线上进行信息交流。
现有256×4位的RAM 二片，组成一个页面，现需4个页面的存储容量，画出用256×4位组成1K ×8位的RAM 框图，并指出各个页面的地址分配。
解：电路连接图如图所示。
从左到右四个页面的地址为： 000H~0FFH ，100H~1FFH ，200H~2FFH ，300H~3FFH 。
5 大规模数字集成电路习题解答 101
D 7D 6D 5D 4D 3D 2D 1
D 0
A 8A 9
A 0~A 8．试用4×2位容量的ROM 实现半加器的逻辑功能，并直接在图P5.8中画出用ROM 点阵图实现的半加法器电路。
A
B
S i C i
图P5.3
A
B
i S i
C A
B
i S i
C
5 大规模数字集成电路习题解答102 解：由于半加器的输出B
S i+
=
B
A
A
C i=
AB
所以ROM点阵图如图所示。
9．用EPROM实现二进制码与格雷码的相互转换电路，待转换的代码由I3I2I1I0输入，转换后的代码由O3O2O1O0输出。
X为转换方向控制位，当X=0时，实现二进制码到格雷码的转换；当X=1时，实现格雷码到二进制码的转换。
试求：
（1）列出EPROM的地址与内容对应关系真值表；
（2）确定输入变量和输出变量与ROM地址线和数据线对应关系。
解：真值表为：
5 大规模数字集成电路习题解答 103
32×4 RAM D 3D 2D 1D 0
A 0
A 1A 3A 2X A 4I 3I 2I 1I 0
O 3O 2O 1O 0。