TS10B06G中文资料
TP0610K中文资料
0.4 ID = 250 mA
0.3
0.2
0.1
–0.0
–0.1
–0.2
–0.3 –50 –25 0
25 50 75 100 125 150
TJ – Junction Temperature (_C)
Power (W)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient 3 2.5
0.2 0.1 0.1 0.05 0.02
0.01 10–4
11-4
Single Pulse 10–3
10–2
10–1
1
Square Wave Pulse Duration (sec)
Notes:
PDM
t1
t2 1. Duty Cycle, D =
t1 t2
2. Per Unit Base = RthJA = 350_C/W
On-Resistance vs. Drain Current 20
16
VGS = 4.5 V
Capacitance 40
VGS = 0 V 32
C – Capacitance (pF)
12 VGS = 5 V
Ciss 24
8 VGS = 10 V
4
16 Coss
8
Crss
0
0
200
400
600
800
Unit
V
mA
mW _C/W
_C
11-1
元器件交易网
TP0610K
Vishay Siliconix
New Product
SPECIFICATIONS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
LG G910 说明书
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-L-G---G-
9-
-1-0-
用 --
户手册 ------
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LGG7-2G0901U0se用r 户Gu手id册e
5
目次
LG-G910 用户手册
视话机软件或服务提供商而定， 本手册中的部分内容可能与您的手机有所不同。
彩 信 ......................... 6 5 写彩信 ........................ 65 收信箱 ........................ 66 发信箱 ........................ 67 草稿箱 ........................ 68
照 相 和 视 频 点 播 .............. 7 3 任 意 拍 摄 .................... 7 3 拍摄静止图像 .................. 73 拍摄连续的静止图像 ............ 74
拍摄带相框的静止图像 .......... 75 录制视频剪辑 .................. 76
TS15P06G中文资料
TS15P01G THRU TS15P07G
Single Phase 15.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers
Voltage Range 50 to 1000 Volts Current 15.0 Amperes
01G 02G 03G 04G
TS15P TS15P TS15P 05G 06G 07G
Units V V V A A V uA uA ℃/W ℃ ℃
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Rectified Current See Fig. 1 Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method ) Maximum Instantaneous Forward Voltage @ 15A Maximum DC Reverse Current @ TA=25℃ at Rated DC Blocking Voltage @ TA=125℃ Typical Thermal Resistance (Note) Operating Temperature Range Storage Temperature Range
300 200 100
AVERAGE FORWARD CURRENT. (A)
16.0
12.0
8.0
4.0 0
0
50 CASE TEMPERATURE. ( C)
10BQ060中文资料
Characteristics
273
元器件交易网
10BQ060
155 150 145 140
DC
1.0 10BQ060 R thJC (DC) = 36°C/W
D = 0.08 D = 0.17 D = 0.25 0.8 D = 0.33 D = 0.50 0.6 DC 0.4
10BQ060
60
Absolute Maximum Ratings
Parameters
IF(AV) IFSM EAS IAR Max. Average Forward Current See Fig. 5 Max. Peak One Cycle Non - Repetitive Surge Current — see Fig. 7 Non - Repetitive Avalanche Energy Repetitive Avalanche Current 700 42 11 1.0 mJ A A 5µs Sine or 3µs Rect. pulse 10ms Sine 0r 6ms Rect. pulse Following any rated load condition and with rated VRRM applied.
Conditions
T10产品说明书
目录第一章 T10型GPS测量系统简介 (1)1.1 系统的特色、组成、性能指标及配置 (1)1.1.1 T10型GPS新特色 (1)1.1.2系统组成 (1)1.1.3 T10测量系统的主要技术参数 (1)1.1.4 测量系统的基本配置 (2)1.2 T10型GPS测量系统的硬件 (3)1.2.1 T10型GPS接收机 (3)1.2.2 电池及充电器 (4)1.3 T10型GPS测量系统软件组成 (5)1.4 T10型GPS接收机充电及电源装卸 (5)第二章 T10型GPS测量系统实测 (6)2.1 概述 (6)2.2系统作业模式 (7)2.2.1 静态相对定位模式 (7)2.2.2后差分动态相对定位模式 (7)2.3 GPS网的技术设计 (8)2.3.1 测量的精度标准 (8)2.3.2网的图形设计 (9)2.3.3基线长度 (11)2.3.4网的基准 (11)2.4 选点与埋石 (11)2.4.1选点 (11)2.4.2 埋石 (12)2.5 T10型GPS测量系统的野外作业 (12)2.5.1 制定观测计划 (12)2.5.2安置及启动仪器 (14)2.5.3如何量取天线高即仪器高 (14)2.5.4启动仪器 (15)2.6 T10型接收机使用注意事项 (15)第三章T10型GPS测量系统文件及操作 (16)3.1 T10型文件系统简介与文件界面 (16)3.1.1 初始界面 (16)3.1.2 系统界面 (17)3.2 T10型文件系统野外数据采集 (21)3.2.1智能模式采集 (21)3.2.2人工模式采集 (23)3.2.3节电模式采集 (24)第四章 T10内业数据传输 (26)4.1数据传输软件简介和界面 (26)4.1.1 菜单项 (26)4.1.2 工具栏 (29)4.1.3 状态栏 (30)4.1.4 程序视窗 (30)4.2如何进行数据传输 (31)4.3数据传输软件的扩展作用 (32)4.3.1如何输入注册码 (32)4.3.2检测注册码 (33)4.3.3设置功能 (34)第五章常见问题及解决方法 (35)第六章T10后处理差分系统实测 (36)6.1 初始界面 (36)6.2 后差分野外作业步骤 (36)第七章如何升级主机软件 (40)附录A 有关专业术语注释 (43)附录B 年积日计算表 (45)附录C 联系方式 (46)附录D 全国销售及服务网络列表 (47)第一章 T10型GPS测量系统简介1.1 系统的特色、组成、性能指标及配置1.1.1 T10型GPS新特色T10智能一体化GPS接收机现已问世。
稀土在纺织品功能整理中的应用
稀土在纺织品功能整理中的应用周谨【摘要】This article focused on the application of rare earth in textile functional finishing, mainly including antibacterial deodorization finishing, anti-uv finishing, luminescent finishing and so on.%本文主要讨论了稀土在纺织品功能整理中的应用及其前景，主要包括抗菌防臭整理、抗紫外线整理、变色发光整理等。
【期刊名称】《纺织导报》【年(卷),期】2014(000)006【总页数】4页(P126-129)【关键词】稀土;功能整理;抗菌剂;抗紫外线剂;荧光剂【作者】周谨【作者单位】苏州经贸职业技术学院轻纺系【正文语种】中文【中图分类】TS195.520世纪以来，稀土研究日益受到人们的关注。
在纺织服装领域，稀土被应用于纤维制造、织物前处理、染色、后整理等各个工序中，取得了众多成果。
纺织品功能整理的目的是赋予织物某些特殊性能，研究者则陆续发现，一些稀土化合物、稀土复配物及稀土配合物具有抗菌、防臭、抗紫外线、变色发光等功能。
稀土抗菌防臭技术按其发展时间大致为为孕育期（上世纪60年代后期开始）、形成期（上世纪80年代到90年代中后期）和发展期（上世纪90年代后期至现在），已经解决了稀土抗菌防臭整理织物的安全性及耐久性，成功地开发出各类稀土抗菌防臭剂。
稀土复配物、稀土配合物抗菌剂近年来发展很快，尤其是集稀土特性和纳米特性于一体的稀土纳米抗菌材料，其开发及应用已成为当前的一个热点。
目前稀土抗菌制剂以其原料丰富，国产化率高、耐高温（500 ℃以上）、成本低、杀菌效果好、长效抗菌、用途广、无毒副作用等特点得以较为广泛应用。
对于稀土的抑菌机理，目前尚没有较好的解释。
不过，人们已逐渐从分子水平上来研究稀土的生物活性，已有文献报道，稀土可与细胞壁、细胞膜、酶、蛋白质、DNA及RNA作用。
健伍TS-2000中文说明书
中恒盛大高清单机T10使用说明介绍模板之欧阳数创编
深圳市中恒盛大科技发展有限公司高清广告机解码驱动一体板T10使用说明书目录1.产品概述22.使用说明32.1遥控器说明32.2设置菜单42.2.1通用设定42.2.2播放设定52.2.3字幕设定72.2.4时钟设定82.2.5屏幕显示设置82.2.6存储器文件管理93.滚动字幕文件制作104. USB拷贝及文件名要求104.1文件拷贝104.2文件制作要求105. 工厂菜单116.软件升级127. 文件支持格式128. 播放列表与分屏工具使用说明：148.1播放列表使用说明148.2分屏使用说明148.3参数设置161.产品概述该主板可以直接驱动LVDS接口的液晶屏。
CPU为A9单核,主频1G, 内存：256M DDR3 1600M1支持完全无缝切换（目前市面上的同类产品两个视频切换时有一到两秒的黑屏或需做停顿处理）。
2通过USB拷贝播放内容，拷贝速度可达10M/S以上，内置8G （7.1G可用）内置存储空间。
3视频90度翻转无需通过工具作转码处理。
支持菜单以及播放内容（视频及图片）90、180、270度旋转。
4播放显示效果，包括色彩还原，清晰度等，比同类产品明显高一个档次。
2.使用说明2.1遥控器说明本产品使用的遥控器如下图：遥控器各按键功能：电源键:电源键，控制开关机静音:静音功能按一次往前跳3秒按一次往后跳3秒/播放功能向上移动光标向左移动光标MENU :进入设定菜单，进入菜单后是确认功能VOL+:音量加VOL-:音量减播放类型为图片或视频模式下一曲:图片或视频模式上一曲EXIT :退出菜单或退出播放DEL:光标停留在文件上时，按该键删除选中文件2.2设置菜单菜单主界面如下图：2.2.1通用设定1.菜单语言：中文：设定菜单语言为中文；英文：设定菜单语言为英文2.机器编号：设置本机的编号，为5位数字；在该项上面按遥控器中间的MENU键进入设置界面，设置每个数字。
该功能方便管理记录不同区域的机器；3.无文件自动关机：当内存或USB里没有可以播放的文件时，打开会提示30秒后自动关机。
STW10NB60中文资料
STW10NB60N -CHANNEL 600V -0.69Ω-10A -TO-247PowerMESH ™MOSFETs TYPICAL R DS(on)=0.69Ωs EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY s 100%AVALANCHE TESTEDs VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES sGATE CHARGE MINIMIZEDDESCRIPTIONUsing the latest high voltage MESH OVERLAY ™process,STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances.The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure,gives the lowest R DS(on)per area,exceptional avalanche and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and switching characteristics.APPLICATIONSs SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)s DC-AC CONVERTERS FOR WELDING EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE s HIGH CURRENT,HIGH SPEED SWITCHING®INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMOctober 1998123TO-247ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol ParameterValue Unit V DS Drain-source Voltage (V GS =0)600V V DGR Drain-gate Voltage (R GS =20k Ω)600V V GS Gate-source Voltage±30V I D Drain Current (continuous)at T c =25o C 10A I D Drain Current (continuous)at T c =100oC 6.2A I DM (•)Drain Current (pulsed)40A P tot Total Dissipation at T c =25o C 160W Derating Factor1.28W/o C dv/dt(1)Peak Diode Recovery voltage slope 4.5V/nsT s tg Storage Temperature-65to 150o C T jMax.Operating Junction Temperature150oC (•)Pulse width limited by safe operating area(1)I SD ≤10A,di/dt ≤200A/µs,V DD ≤V (BR)DSS ,Tj ≤T JMAXTYPE V DSS R DS(on)I D STW10NB60600V<0.8Ω10A1/8THERMAL DATAR thj-case Rthj-amb R thc-sinkT l Thermal Resistance Junction-case MaxThermal Resistance Junction-ambient MaxThermal Resistance Case-sink TypMaximum Lead Temperature For Soldering Purpose0.78300.1300o C/WoC/Wo C/Wo CAVALANCHE CHARACTERISTICSSymbol Parameter Max Value UnitI AR Avalanche Current,Repetitive or Not-Repetitive(pulse width limited by T j max,δ <1%)10AE AS Single Pulse Avalanche Energy(starting T j=25o C,I D=I AR,V DD=50V)850mJELECTRICAL CHARACTERISTICS(T case=25o C unless otherwise specified)OFFSymbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.Unit V(BR)DSS Drain-sourceBreakdown VoltageI D=250µA V GS=0600VI DSS Zero Gate VoltageDrain Current(V GS=0)V DS=Max RatingV DS=Max Rating T c=100o C150µAµAI GSS Gate-body LeakageCurrent(V DS=0)V GS=±30V±100nA ON(∗)Symbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.Unit V GS(th)Gate Threshold Voltage V DS=V GS I D=250µA345V R DS(on)Static Drain-source OnResistanceV GS=10V I D=4A0.690.8ΩI D(o n)On State Drain Current V DS>I D(o n)x R DS(on)ma xV GS=10V10A DYNAMICSymbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.Unitg f s(∗)ForwardTransconductanceV DS>I D(o n)x R DS(on)ma x I D=17A3 6.5SC iss C os s C rss Input CapacitanceOutput CapacitanceReverse TransferCapacitanceV DS=25V f=1MHz V GS=0148021025192427333pFpFpFSTW10NB60 2/8ELECTRICAL CHARACTERISTICS(continued)SWITCHING ONSymbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.Unitt d(on) t r Turn-on TimeRise TimeV DD=300V I D=4.5AR G=4.7 ΩV GS=10V(see test circuit,figure3)25113515nsnsQ g Q gs Q gd Total Gate ChargeGate-Source ChargeGate-Drain ChargeV DD=480V I D=9A V GS=10VR G=4.7 ΩV GS=10V4010.517.556nCnCnCSWITCHING OFFSymbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.Unitt r(Voff) t f t c Off-voltage Rise TimeFall TimeCross-over TimeV DD=480V I D=9AR G=4.7 ΩV GS=10V(see test circuit,figure5)121021171429nsnsnsSOURCE DRAIN DIODESymbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.UnitI SD I SDM(•)Source-drain CurrentSource-drain Current(pulsed)1040AAV SD(∗)Forward On Voltage I SD=10A V GS=0 1.6Vt rr Q rr I RRM Reverse RecoveryTimeReverse RecoveryChargeReverse RecoveryCurrentI SD=9A di/dt=100A/µsV DD=100V T j=150o C(see test circuit,figure5)6005.418nsµCA(∗)Pulsed:Pulse duration=300µs,duty cycle1.5%(•)Pulse width limited by safe operating areaSafe Operating Area Thermal ImpedanceSTW10NB603/8Output Characteristics TransconductanceGate Charge vs Gate-source Voltage Transfer CharacteristicsStatic Drain-source On Resistance Capacitance VariationsSTW10NB60 4/8Normalized Gate Threshold Voltage vs TemperatureSource-drain Diode Forward Characteristics Normalized On Resistance vs TemperatureSTW10NB605/8Fig.1:Unclamped Inductive Load Test Circuit Fig.3:Switching Times Test Circuits For Resistive Load Fig.2:Unclamped Inductive Waveform Fig.4:Gate Charge test CircuitFig.5:Test Circuit For Inductive Load Switching And Diode Recovery TimesSTW10NB606/8DIM.mm inch MIN.TYP.MAX.MIN.TYP.MAX.A 4.7 5.30.1850.209D 2.2 2.60.0870.102E 0.40.80.0160.031F 1 1.40.0390.055F32 2.40.0790.094F433.40.1180.134G 10.90.429H 15.315.90.6020.626L 19.720.30.7760.779L314.214.80.5590.4130.582L434.6 1.362L5 5.50.217M 230.0790.118Dia3.55 3.650.1400.144P025PTO-247MECHANICAL DATASTW10NB607/8STW10NB60Information furnished is believed to be accurate and reliable.However,STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequence s of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use.No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics.Specification mentioned in this publication are subject to change without notice.This publication supersedes and replaces all information previously supplied.STMicroelectronics products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without express written approval of STMicroelectronics.The ST logo is a trademark of STMicroelectronics©1998STMicroelectronics–Printed in Italy–All Rights ReservedSTMicroelectronics GROUP OF COMPANIESAustralia-Brazil-Canada-China-France-Germany-Italy-Japan-Korea-Malaysia-Malta-Mexico-Morocco-The Netherlands-Singapore-Spain-Sweden-Switzerland-Taiwan-Thailand-United Kingdom-U.S.A..8/8。
B10K 中文说明书
目录一、简介 (1)二、外型结构与功能说明 (2)三、安装注意事项 (5)四、安装方法 (8)五、操作程序 (15)六、状况处理 (17)七、工作原理 (27)八、通讯介面说明 (29)九、特性表 (32)一、简介:(一)前言:本产品系针对MINI及MICRO级电脑网络机房之需求，以精致品质优异功能及容易操作为目标而设计。
是网络机房最佳的供电伙伴，使获得纯净电源品质，不再是一大负担，因为它高贵不贵。
(二)五大设计考虑:1.体积小，不占空间。
2.重量最轻,搬运方便。
3.美观大方,安装容易。
4.维护便利,操作简单。
5.环保包装材料,环境零污染。
(三)注意事项:本说明书能让你很轻易的操作及维护本系统.为使本系统能正常发挥既有之功能,请注意下列事项：1.在使用前务必详阅此说明书。
2.遵照指示步骤,依法操作。
3.机器搬运时应小心轻放。
4.电源请依照说明施工。
5.为避免触电造成人员伤害及机器损坏,请勿打开机盖。
6.若长期不使用时，请每隔一段时间对电池充电一次。
7.避免超负载使用,以免造成UPS故障。
8.妥存说明书,作为日后参考。
9.机器若有异常现象,请依据『异常处理程序』处理。
10.请保持UPS 之干净与清洁。
133二、外型结构与功能说明1. 输入指示灯：市电供电输入指示。
2. 旁路指示灯：市电供电输出指示。
3. 输出指示灯：变流器供电输出指示。
4. 电池能量指示灯：电池能量指示。
5. 负载超载灯使用指示灯：用户用电量超载指示。
6. 故障指示：UPS 故障指示。
7. LCD 液晶显示器：数位讯号显示。
1） AC:IN （LOSS ） BAT:OK(LOW)BYPASS OUTPUT(NO OUTPUT,INVERTER OUTPUT) 2） INPUT VOLTAGE ：输入电压值显示。
220 Vac # 13） OUTPUT VOLTAGE ：输出电压值显示。
220Vac #2图一：前面板指示灯符号说明24）INPUT FREQUENCY：输入频率值显示。
TS10
ST04-
PU
02
F
ET04ST04-
PU 02 05 10 F
G
详述
M12四芯 附线接插件
自接线式M12 附线接插件
PUR材质
2米长
5米长
10米长
母插头
G
直型
W
弯型
上海百纳控制工程技术有限公司 E-mail:sales@
TS10.2/2 2
应用
气液两用型，可用于供水系统，液压、气动系统，冷却系统，加热系统， 空调系统，自动化工程等。
技术参数
△测量范围: △设定范围 :
△准确度:
△分辩率:
△耐压:
△温度影响: △响应时间: △工作电压: △电压降: △空载电流: △开关负载电流: △模拟负载电阻 :
△电气保护: △显示: △传感器: △环境温度: △防护等级: △外壳材料: △触液部分材料: △电气连接:
TS10.1/2 1
温度
带显示型温度传感器 TS10系列
特色功能——可调迟滞
TS10系列产品中的迟滞值可通过菜单设定，右图为迟滞功能示 意，灰色带为迟滞值,即SP-rP.当压力上升时 ，只有压力值大 于SP，开关点才断开; 而当压力值下降时，只有压力值小rP， 开关点才闭合。 可调迟滞功能可满足多种工业现场的要求,
注：SP值值必须比 rP值至少大 0.5.
选型表
TS10-
-
M4
P
6
H
详述
TS10-
带显示型温度传感器
M4
模拟量输出为：4…20mA
V0
模拟量输出为：0…10mA
P
开关量输出为：PNP
N
开关量输出为：NPN
TS10P06G中文资料
.031(0.7) .024(0.6)
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20% Symbol TS10P TS10P TS10P TS10P Type Number
01G 02G 03G 04G
TS10P TS10P TS10P 05G 06G 07G
Units V V V A A V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Rectified Current See Fig. 2 Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method ) Maximum Instantaneous Forward Voltage @ 10.0A Maximum DC Reverse Current @ TA=25℃ at Rated DC Blocking Voltage @ TA=125℃
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TS10P01G THRU TS10P07G
STGP10NB60SFP;中文规格书,Datasheet资料
- O 1. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%
20
V
±100 nA
10 µA 100 µA
2.5
5V
1.15 1.35 1.75
V
1.25
5
S
ct(s) Table 5. du Symbol
Dynamic Parameter
Pro Cies teCoes le Cres
Figure 3. Transfer characteristics
Product(s) Figure 4. Transconductance
Figure 5. Collector-emitter on voltage vs temperature
lete Product(s) - Obsolete Figure 6. Collector-emitter on voltage vs Obso collector current
0.6
µJ
-
5
- µJ
5.6
µJ
-
8
- µJ
t(s 1. Eon is the turn-on losses when a typical diode is used in the test circuit. If the IGBT is offered in a package c with a co-pack diode, the co-pack diode is used as external diode. IGBTs and diode are at the same u temperature (25°C and 125°C). Obsolete Prod 2. Turn-off losses include also the tail of the collector current.
北京落木源 IGBT驱动器TX-KA106产品手册
BEIJING LMY ELECTRONICS CO.,LTDTX-KA106高频、特大功率 MOSFET 驱动芯片TX-KA106 产品手册BEIJING LMY ELECTRONICS CO.,LTDTX-KA106目录一．概述 .......................................................................................................................................... 4 二、原理框图 .................................................................................................................................. 4 三、电气参数 . (4)3.1 极限参数 ........................................................................................................................ 4 3.2 驱动特性 ........................................................................................................................ 5 3.3 工作条件 ........................................................................................................................ 5 3.4 短路保护性能 ................................................................................................................ 6 3.5 对驱动电源的要求 ........................................................................................................ 6 四、波形图 .. (6)4.1 软关断曲线 .................................................................................................................... 6 4.2 曲线说明 ........................................................................................................................ 6 五、尺寸结构 . (7)5.1 外形尺寸 ........................................................................................................................ 7 5.2 引脚说明 ........................................................................................................................ 7 六、应用电路说明 (8)6.1 驱动器低压信号侧的连接说明 (8)6.1.1 输入信号Vs........................................................................................................ 8 6.1.2 报警信号连接 .................................................................................................... 8 6.2 驱动器高压侧与驱动电源的连接 ................................................................................. 8 6.3 驱动器高压侧的输出连接 (9)6.3.1 驱动输出功率的计算 ........................................................................................ 9 6.3.2 与IGBT 的连接 ................................................................................................... 9 6.4 保护参数的设置 (9)6.4.1 盲区时间Tblind 的设置 .................................................................................... 9 6.4.2 短路保护阈值Vn 的设置 .................................................................................. 9 6.4.3 保护关断时间的调整 ...................................................................................... 10 6.5 驱动芯片的测试方法................................................................................................... 10 6.6 应用连接图 .................................................................................................................. 10 七、相关产品信息. (10)7.1 TX ‐PD107 DC ‐DC 模块电源 ....................................................................................... 10 7.2 TX ‐DA105D2 特大功率IGBT 驱动板 .......................................................................... 11 7.3 TX ‐QP102 死区电路 .................................................................................................... 11 八、常见问题 .. (11)BEIJING LMY ELECTRONICS CO.,LTDTX-KA106九、其它说明： (11)BEIJING LMY ELECTRONICS CO.,LTDTX-KA106TX-KA106 高频、特大功率MOSFET 驱动器一．概述∙ 高频MOSFET 单管驱动器，最高工作频率300KHz ∙ 特大功率输出，最大达12W ∙ 峰值电流电流40A ，最大输出电荷40uC ∙ 保护时快速关断，也可设置软关断 ∙ 用户需要设置栅极电阻和短路保护阈值 ∙ 使用单一20V 电源∙ MOSFET 的栅极充电和放电速度可分别调节 ∙也可用于高频IGBT 的驱动二、原理框图三、电气参数 3.1 极限参数符号 名称极限参数单位Vp 驱动电路供电电压 22 V Vs 直接加到信号输入端的电压 2.5 V Io驱动器输出瞬态峰值电流±40ABEIJING LMY ELECTRONICS CO.,LTDTX-KA106Po 驱动器最大输出功率12 W Viso 输入输出绝缘电压（50Hz/1min） 3.5 KV Rg 最小栅极电阻 0.5 Ω Fop最大开关频率300KHz3.2 驱动特性除另有指定外,均为在以下条件时测得:Ta=25,Vp=2℃0V,Fop=100KHz参数符号 测试条件最小值典型值 最大值单位 输入脉冲信号压降和电流幅值Vs Is ＝10mA 2 V Is9 10 12 mA输出电压Vo+14.5VVo--4.5输出电流Io+电容负载Ton=1μS,δ=0.0140AIo--40 栅极电阻 Rg 0.5 Ω 输出总电荷 Qout 40 μC 工作频率 Fop 0 300 KH 占空比 δ 0 100 ％ 最大驱动功率 Po 12 W上升延迟 Trd 0.5μS下降延迟 Tfd0.5 绝缘电压 VISO 50Hz/1 min 3500 Vrms 共模瞬态抑制CMR30KV/μS3.3 工作条件符号测 试 条 件最小值 典型值最大值 单位环境温度 Top ‐40 85 ℃ 存储温度Tst‐60140℃BEIJING LMY ELECTRONICS CO.,LTDTX-KA1063.4 短路保护性能除另有指定外,均为在以下条件时测得:Ta=25℃,Vp=24V,Fop=50KHz,模拟负载电容CL=220nF参数符号 测试条件最小值典型值最大值 单位 保护动作阈值 Vn用户设置，最大值为缺省值12 V 保护盲区 Tblind 用户设置，最小值为缺省值 0.2 μS 保护关断时间 Tsoft 用户设置，最小值为缺省值 μS 复位时间 Trst 11 mS 故障信号延迟 Tflt 3 μS 故障信号输出电流Iflt5mA3.5 对驱动电源的要求参 数 符号 测 试 条 件最小值 典型值 最大值 单位 输入电压Vp18 20 22 V输入电源电流IdCL=020mA 输出最大功率15W 时700四、波形图 4.1 软关断曲线4.2 曲线说明图中第一个短路信号时间很短，小于盲区时间Tblind ，也可能是个干扰信号，驱动输出不响应。
TS10P05G中文资料
VRRM VRMS VDC I(AV) IFSM VF IR
50 35 50
100 70 100
200 140 200
400 280 400 10.0 200 1.1
600 420 600
800 560 800
1000 700 1000
5.0 uA 500 uA ℃/W Typical Thermal Resistance (Note) RθJC 1.4 ℃ Operating Temperature Range TJ -55 to +150 ℃ Storage Temperature Range TSTG -55 to + 150 Note: Thermal Resistance from Junction to Case with Device Mounted on 4” x 6” x 0.25” Al-Plate Heatsink.
.031(0.7) .024(0.6)
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20% Symbol TS10P TS10P TS10P TS10P Type Number
250
10
FIG.2- MAXIMUM FORWARD CURRENT DERATING CURVE
7106中文资料
版本：1.0 2001-04-25 第 1 页 共 4 页概述CS7106AGP 是一种具有直接驱动LCD 功能的3位半A/D 转换电路。
电路具有很强的抗干扰能力。
CS7106AGP 的用途十分广泛，它可以组装成各种体积小、重量轻、便于携带的数字仪表，也可用于数控系统。
CS7106AGP 可与国外同类型号的电路互换使用。
功能特点! 采用单电源供电，电压范围7～15V ，可使用9V 叠层电池。
! 温度漂移低。
! 输出形式为异或门输出，能直接驱动LCD 。
! 采用CMOS 差动输入，输入阻抗高，对输入信号无衰减作用。
! 内部噪声低，显示稳定。
! 能通过内部模拟开关实现自动调零和自动极性显示。
! 内部有时钟电路，可接阻容元件构成多谐振荡器。
! 在芯片内部V +与COM 端之间，有一个稳定性很高的3.0V （典型值）基准电压源。
! 具有显示保持、电源低电压显示、A/D 正积分显示和A/D 反积分显示（注：DIP40封装无此四种功能）。
! 整机组装方便，所需外围元件少。
! 典型封装形式为DIP40（也可采用软封）。
管脚说明1. V +和V -分别接电源的正极和负极。
2. A1～G1、A2～G2、A3～G3分别为个位、十位、百位笔划的驱动信号，依次接LCD 的个位、十位、百位的相应笔划电极，LCD 显示器笔划见下图。
3. AB4：千位笔划驱动信号，接千位液晶显示器的b 、c 两个笔划电极。
当计数值大于1999时，发生溢出，千位数显示“1”，表示超量程显示。
4. POL ：负极性指示，接千位数码g 端，当BCL 端输出的方波与背电极方波的相位相反时，显示负号“-”。
5. BP ：LCD 背面公共电极的驱动端。
6. OSC1～OSC3：时钟振荡器的引出端，外接阻容元件组成多谐振荡器。
7. COM ：模拟信号公共端，简称“模拟地 ”。
8. TEST ：逻辑电路的公共地，简称“逻辑地”，可接负电源供外部驱动器使用，例如组成小数点显示电路。
T3108.25
微处理机控制I G B T推动交流电机驱动器使用手册T310系列380V级11~55kW(15-75HP)地址:江苏省无锡国家高新技术产业开发区65-C号电话**************传真**************为持续改善产品，本公司保留变更设计规格的权利。
目录前言 ........................................................................................................................... 0-1 第1章安全注意事项 ................................................................................................ 1-11.1 送电前 ......................................................................................................... 1-11.2 接线 ............................................................................................................. 1-21.3 运转前.......................................................................................................... 1-21.4 参数设定 ..................................................................................................... 1-31.5 运转 ............................................................................................................. 1-31.6 检查保养和更换............................................................................................ 1-4第2章型号说明 ....................................................................................................... 2-12.1 变频器铭牌................................................................................................... 2-12.2 型号 ............................................................................................................. 2-1第3章周围环境及安装............................................................................................. 3-13.1 环境 ............................................................................................................. 3-13.2 安装 ............................................................................................................. 3-33.2.1 安装空间 ........................................................................................... 3-33.2.2 外视图与警告标识.............................................................................. 3-33.2.3 产品之拆装......................................................................................... 3-63.3 变频器外围设备配线及注意事项................................................................... 3-93.4 端子功能说明 ............................................................................................. 3-133.5 主回路内部配线图 ...................................................................................... 3-173.6 主回路配线注意事项 .................................................................................. 3-173.7 变频器规格................................................................................................. 3-203.8 外形尺寸图................................................................................................. 3-25 第4章软件索引 ....................................................................................................... 4-14.1 面板使用 ...................................................................................................... 4-14.1.1 面板功能说明 ..................................................................................... 4-14.1.2 显示说明 ............................................................................................ 4-24.1.3 LED显示功能 .................................................................................... 4-44.1.4 按键面板操作范例.............................................................................. 4-64.1.5 运转状态说明 ..................................................................................... 4-84.2 参数一览表................................................................................................... 4-94.3 参数功能说明 ............................................................................................. 4-484.4 Modbus 通讯协议说明 .............................................................................. 4-1804.4.1 通信硬件及数据结构 ...................................................................... 4-1804.4.2 缓存器及数据格式.......................................................................... 4-184第5章异常诊断及排除............................................................................................. 5-15.1 总则 .............................................................................................................. 5-15.2 故障检测功能 ................................................................................................. 5-15.3 警告/自诊断检测功能 ...................................................................................... 5-45.4 自动调校错误 ................................................................................................. 5-9 第6章外围装置及选购............................................................................................. 6-16.1 刹车电阻和刹车单元一览表.......................................................................... 6-16.2 交直流电抗器 ............................................................................................... 6-26.3 杂讯滤波器................................................................................................... 6-36.4 输入电源端保险丝规格................................................................................. 6-46.5 其他 ............................................................................................................. 6-56.6 通讯界面模块 ............................................................................................... 6-7附录A ........................................................................................................................ A-1 附录B ........................................................................................................................ B-1前言为了充分地发挥本变频器的功能及确保用户的安全，请详阅本操作手册。
系列场效应管型号技术参数
GDS
功放开关
500V8A125W35/33nS0.85
IRF9530
PMOS
GDS
功放开关
100V12A75W140/140nS0.4
IRF9531
PMOS
GDS
功放开关
60V12A75W140/140S0.3
IRF9541
PMOS
GDS
功放开关
60V19A125W140/141nS0.2
2SK1118
NMOS
GDS
电源开关
-600V6A45W65/105nSD1.25
2SK1119
NMOS
GDS
电源开关
-1000V4A100W3.8
2SK1120
NMOS
GDS
电源开关
-1000V8A150W1.8
2SK1161
NMOS
GDS
电源开关
450V10A100W75/135nS0.8
2SK1170
IRF9610
PMOS
GDS
功放开关
200V1A20W25/15nS2.3
IRF9630
PMOS
GDS
功放开关
200V6.5A75W100/80nS0.8
2SK791
NMOS
GDS
电源功放开关
850V3A100W4.5可驱电机
2SK794
NMOS
GDS
电源开关
900V5A150W2.5可驱电机
2SK832
NMOS
GDS
高速开关
900V4A85W55/100nS4.0
2SK899
NMOS
GDS
功放开关
500V18A125W130/440nS0.33
FPGA可编程逻辑器件芯片10AX066H2F34I2SG中文规格书
DC Characteristics
Supply Current and Power Consumption
Intel offers two ways to estimate power for your design—the Excel-based Early Power Estimator (EPE) and the Intel Quartus Prime Power Analyzer feature.
TJ TSTG
Operating junction temperature Storage temperature (no bias)
Condition — —
— —
Minimum –0.50
–25 (2)(3)(4)(5)
(6)
–55 –65
Maximum 2.46 25
125 150
Unit V mA
Use the Excel-based EPE before you start your design to estimate the supply current for your design. The EPE provides a magnitude estimate of the device power because these currents vary greatly with the usage of the resources.
Intel® Arria® 10 Device Datasheet A10-DATASHEET | 2020.06.26
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Dimensions in inches and (millimeters)
Version: B07
TS10B01G - TS10B07G
Single Phase 10.0 Amps.
Glass Passivated Bridge Rectifiers
TS4B
Features
UL Recognized File # E-96005 Glass passivated junction Ideal for printed circuit board Reliable low cost construction
Plastic material has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Surge overload rating to 150 amperes peak High case dielectric strength of 2000V RMS Isolated voltage from case to lead over 2500
volts.
High temperature soldering guaranteed:
260o C / 10 seconds / 0.375”(9.5mm) lead length at 5 lbs (2.3Kg) tension
Mechanical Data
Case: Molded plastic
Terminals: Leads solderable per MIL- STD-750 Method 2026
Weight: 0.15 ounce, 4 grams Mounting torque: 5 in. lbs. max.
M aximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25 o C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Symbol TS10B 01G
TS10B 02G
TS10B 03G
TS10B 04G
TS10B 05G
TS10B 06G
TS10B 07G
Units Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
V RRM 50100200400 600 800 1000 V Maximum RMS Voltage
V RMS 3570 140280 420 560 700 V Maximum DC Blocking Voltage
V DC 50
100200400 600 800 1000 V
Maximum Average Forward Rectified Current See Fig. 2
I (AV) 10 A Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method )
I FSM
200 A
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 5.0A @ 10A
V F
1.0 1.1 V
Maximum DC Reverse Current @ T A =25 o C at Rated DC Blocking Voltage @ T A =125 o C I R
5.0 500 uA
uA
Typical Thermal Resistance (Note) R θJC 1.4 o
C/W
Operating Temperature Range
T J -55 to +150 o
C
Storage Temperature Range T STG -55 to + 150 o
C Note: Thermal Resistance from Junction to Case with Device Mounted on 75mm x 75mm x 1.6mm Cu Plate Heatsink.
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES (TS10B01G THRU TS10B07G)
FIG.3- MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD SURGE CURRENT PER BRIDGE ELEMENT
P E A K F O R W A R D S U R G E C U R R E N T . (A )
102461
406020100
300250
200
150
100
50
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
FIG.1- MAXIMUM FORWARD CURRENT DERAT ING
CURVE
A V E R A G E F O R W A R D C U R R E N
T . (A )
20
4060
80
100120140150
107.5
52.5
0o
CASE TEMPERATURE. (C)
Version: B07
FIG.4- TYPICAL JUNCTION CAPACIT
ANCE
REVERSE VOLTAGE. (V)
J U N C T I O N C A P A C I T A N C E .(p F )
FIG.2- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS 100
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLT
AGE. (%)
I N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T . A )
FIG.5- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T . (A )
0.6
0.8
1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
2.0
100
10
FORWARD VOLT AGE. (V)。