IC曲线测试实验流程
IC测试原理和设备教程
IC测试原理和设备教程IC测试是指对集成电路（Integrated Circuit，简称IC）进行功能和可靠性等方面的测试，以确保IC的质量和性能符合要求。
IC测试是IC制造流程中的最后一道工序，也是确保IC产品可出厂的最后一道关卡。
本篇文章将介绍IC测试的原理和设备教程。
一、IC测试原理功能测试是验证IC芯片的各个功能模块是否正常工作。
这一测试过程主要包括逻辑电平测试、时序测试和功能验证等步骤。
逻辑电平测试是对IC芯片的输入和输出端口的电平进行测试，确保其在标准电平范围内。
时序测试是验证IC芯片的时钟、数据和控制信号的时序关系是否正常。
功能验证是通过施加不同的输入信号，检查芯片的输出响应是否符合设计要求。
可靠性测试是验证IC芯片在不同环境和工作条件下是否能够稳定工作。
这一测试过程主要包括温度测试、电压测试和老化测试等步骤。
温度测试是对IC芯片在不同温度下进行测试，以验证其性能是否受温度变化的影响。
电压测试是对IC芯片在不同电压下进行测试，以验证其性能是否受电压变化的影响。
老化测试是对IC芯片长时间工作的可靠性进行验证，以评估其使用寿命和可靠性。
二、IC测试设备IC测试设备主要包括测试仪器和测试系统两个方面。
测试仪器是进行IC测试的基本工具，主要包括信号发生器、示波器、多路开关和逻辑分析仪等。
信号发生器可以产生各种输入信号，用于施加到IC芯片上进行测试。
示波器可以记录IC芯片的输出响应波形，以便分析和判断。
多路开关可以将不同的信号源和IC芯片的输入端口相连，在不同的测试条件下进行切换。
逻辑分析仪可以对IC芯片的时序进行分析和检测，以确保其工作正常。
测试系统是进行IC测试的综合设备，主要包括测试平台、测试程序和测试夹具等。
测试平台是对测试仪器的集成和控制，用于组织和执行IC测试的整个过程。
测试程序是进行IC测试的软件系统，用于编写和执行各种测试用例，并收集和分析测试结果。
测试夹具是用于将IC芯片与测试系统连接并进行测试的装置，通常是由接触器和引脚适配器组成。
IC 产品的质量与可靠性测试
IC 产品的质量与可靠性测试(IC Quality & Reliability Test )质量（Quality）和可靠性（Reliability）在一定程度上可以说是IC 产品的生命，好的品质，长久的耐力往往就是一颗优秀I C产品的竞争力所在。
在做产品验证时我们往往会遇到三个问题，验证什么，如何去验证，哪里去验证，这就是what, how , where 的问题了。
解决了这三个问题，质量和可靠性就有了保证，制造商才可以大量地将产品推向市场，客户才可以放心地使用产品。
现将目前较为流行的测试方法加以简单归类和阐述，力求达到抛砖引玉的作用。
质量（Quality）就是产品性能的测量，它回答了一个产品是否合乎规格（SPEC）的要求，是否符合各项性能指标的问题；可靠性（Reliability）则是对产品耐久力的测量，它回答了一个产品生命周期有多长，简单说，它能用多久的问题。
所以说质量（Quality）解决的是现阶段的问题，可靠性（Reliability）解决的是一段时间以后的问题。
知道了两者的区别，我们发现，Q uality 的问题解决方法往往比较直接，设计和制造单位在产品生产出来后，通过简单的测试，就可以知道产品的性能是否达到SPEC 的要求，这种测试在IC的设计和制造单位就可以进行。
相对而言，Reliability 的问题似乎就变的十分棘手，这个产品能用多久，who knows? 谁会能保证今天产品能用，明天就一定能用？为了解决这个问题，人们制定了各种各样的标准，如JESD22-A108-A EIAJED- 4701-D101.注：JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）电子设备工程联合委员会,，著名国际电子行业标准化组织之一。
EIAJED：日本电子工业协会，著名国际电子行业标准化组织之一。
等等，这些标准林林总总，方方面面，都是建立在长久以来IC设计，制造和使用的经验的基础上，规定了IC测试的条件，如温度，湿度，电压，偏压，测试方法等，获得标准的测试结果。
ic芯片检测流程
ic芯片检测流程
ic芯片的检测流程主要包括前工序检测、后工序检测和出货前检测三个环节。
1.前工序检测：是在芯片制造过程中的各个工序中，对芯片的各项参数进行检测。
包括晶圆制备、掩模光刻、腐蚀刻蚀、扩散、退火、化学机械抛光等多个工序。
每个工序都需要对芯片进行相应的参数检测，以确保芯片的质量和性能符合要求。
主要检测项目包括晶圆表面形貌、晶体管的电学参数、MOS栅极的质量等。
2.后工序检测：是在芯片制造过程的最后几个工序中，对芯片进行的各项参数检测。
包括胶合、切割、打磨、薄膜沉积、金属化等多个工序。
每个工序都需要对芯片进行相应的参数检测，以确保芯片的质量和性能符合要求。
主要检测项目包括金属线宽度、金属线间隔、金属线层的均匀性等。
3.出货前检测：是在芯片封装成成品之后进行的测试。
由于芯片已经封装，所以不再需要无尘室环境，
测试要求的条件大大降低。
通常包含测试各种电子或光学参数的传感器，但通常不使用探针探入芯片内部（多数芯片封装后也无法探入），而是直接从管脚连线进行测试。
由于packagetest无法使用探针测试芯片内部，因此其测试范围受到限制，有很多指标无法在这一环节进行测试。
此外，还有一些专门针对芯片的测试方法，如晶圆测试、芯片测试和封装测试等。
这些测试方法在芯片制造的不同阶段进行，用于检测芯片的性能和质量。
在熟悉芯片规格后，提取验证功能点，撰写验证方案，搭建验证平台，执行验证测试，最后撰写验证报告。
如需了解更多关于IC芯片检测流程的问题，建议咨询专业技术人员获取帮助。
如何测量半导体器件的伏安特性曲线
i
正向特性:
U (t )
i(t ) I S
o
i (t ) ISe
UT
u
反向击穿特性
二、实验原理
3、三极管的伏安特性曲线 共射输入特性曲线： iB
iB f (uBE ) |uCE C
UCE=1V
UCE=10V
以输出口电压uCE为参变量， 反映iB和uBE的函数关系。 o
uBE
二、实验原理
三、图示仪基本原理
如何得到半导体器件的伏安特性曲线？ 图示法（又称动态法）：
用集电极扫描电压代替 可调直流电源Ec，再配 合显示处理系统。
三、图示仪基本原理
如何得到半导体器件的伏安特性曲线？
图示法（又称动态法）： 三极管输出特性的动态测量
阶梯信号部分
原理框图
三、图示仪基本原理
原理框图
测试台部分
2、三极管的伏安特性曲线 共射输出特性曲线: iC
放
iC f (uCE ) |iB C
以输入口电压iB 为 参变量，反映iC和uCE 的函数关系。
大
区
I B5 I B4 I B3 I B2
I B1 IB 0
o
uCE
三、图示仪基本原理
如何得到半导体器件的伏安特性曲线？
点测法： i
o
u
点测法又称静态测试法
PowerPoint
电子科技大学
半导体器件的图测方法
半导体器件的图测方法
内
容
1
2 3 4
目的 实验原理 实验内容 下次课预习要求
半导体器件的图测方法
一、实验目的
1. 了解晶体管图示仪的原理框图。 2. 熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。 3. 掌握二端元器件电压电流关系的图测方法。 4. 掌握晶体管输入输出特性的图测方法。 5. 掌握用晶体管特性曲线求参数的方法。
芯片 工程试验流程
芯片工程试验流程芯片工程试验流程是指在芯片设计与制造过程中，为了验证芯片的性能和可靠性，根据设计需求制定的一系列实验步骤。
下面将以典型的芯片工程试验流程为例，详细介绍其中的内容。
1. 芯片设计验证：首先，需要进行芯片设计，包括电路设计、逻辑设计、布局设计等，然后使用EDA工具完成原理图与布局图的绘制。
之后，进行功能仿真验证，使用模拟仿真工具对电路设计进行验证，分析设计的逻辑功能和时序关系是否满足需求。
2. 特性测量与参数提取：在芯片设计验证的基础上，需要进行特性测量与参数提取。
通过使用测试仪器测量芯片的电流、电压、功率等特性参数，并提取芯片模型的参数，为进一步的仿真验证提供依据。
3. 片上测试与验证：接下来，进行芯片的片上测试与验证，主要包括逻辑测量、功耗测量、时序测量、模拟测量等，通过测试仪器对芯片进行功能验证和特性测试，以保证芯片设计满足技术规范要求。
同时，也需要进行布线规则检查和仿真验证，确保芯片布局正确并满足电气规范。
4. 产线测试与成品测试：经过片上测试与验证后，芯片进入产线测试。
在芯片制造过程中，通过测试仪器对芯片进行全面测试，以确保芯片的性能和可靠性。
包括电气测试、功能测试、封装测试等，确保芯片在整个制造流程中的质量。
5. 温度与环境测试：在芯片制造后，还需要进行温度与环境测试。
通过加热、冷却等处理，测试器件在不同温度和环境下的性能表现，以验证芯片在各种工作环境下的可靠性和稳定性。
6. 可靠性测试：芯片在设计完成后，还需要进行可靠性测试。
通过进行高温老化、湿度老化、振动测试等，模拟芯片在长期使用中可能遇到的各种环境和应力，验证芯片的可靠性和寿命。
7. 故障分析与改进：在测试过程中，如果发现芯片存在故障或不满足规格要求的情况，需要进行故障分析，并针对性地进行改进。
通过故障分析，确定芯片存在的问题，并针对性地进行工艺、设计或制造工作的改进，提高芯片的性能和可靠性。
8. 数据分析与报告撰写：最后，在完成试验流程后，需要对试验数据进行严格的分析和统计，并撰写试验报告。
晶体管特性曲线测试电路
近代电子学实验之晶体管特性曲线测试电路实验设计项目名称：晶体管特性曲线测试电路实验设计摘要：该电路可以实现NPN型晶体管输出特性曲线（Ic—Vce）的测试。
在晶体管的基极通入恒定的电流，在集电极加载一定的电压，集电极就会产生放大后的电流输出。
此时，便得到了晶体管的一条Ic—Vce曲线，即是晶体管的特性曲线的一条。
若往基极通阶梯波，集电极加载锯齿波，那么输出特性曲线就是一簇曲线。
该曲线可以得到晶体管的工作状态，对于研究晶体管特性静态特性有很大的用处。
搭好电路后，最终的波形将在数字示波器上显示。
实验设计目的：1、应用运算放大器产生一些基本脉冲波：矩形波、锯齿波、阶梯波。
2、熟悉掌握运算放大器运用与设计。
3、应用这些脉冲波形构成简单的晶体三极管特性曲线测试电路。
实验设计内容及要求：1、矩形波：频率为500Hz，幅度-10V—+10V。
2、锯齿波：幅度0—10V连线可调，输出极性可变。
3、阶梯波：3—10阶连线可调。
4、电压—电流变换器：0.001<=I1<=0.2(mA)，输出电流方向可变（每阶0.001<=Ib<=0.02(mA)）。
实验设计的基本原理：三极管特性曲线测量电路的基本原理：晶体三极管为电流控制器件，他们特性曲线的每一根表示当Ib一定时Vc与Ic的关系曲线，一簇表示不同Ib时Vc与Ic的关系曲线的不同关系曲线，就称为单晶体三极管的输出特性曲线，所以在晶体三极管的基级加上阶梯电流源表示不同 Ib。
在每级阶梯内测量集射极电压 Vc和集电极定值负载电阻上的电压 Vr,通过电压变换电路将 Vr换算成集电极电流 Ic, 以 Ic作为纵轴, Vc 为横轴, 在数字示波器上即可显示一条晶体管输出特性曲线。
示波器的地线与测量电路地不可相通。
即测量电路的稳压电源不能接大地。
（因为示波器外壳已接大地）晶体三极管特性曲线测量电路原理框图如下:框图在本测量电路中，两种波形的准确性直接影响到了输出曲线的好坏。
曲线测试实验流程
IC50曲线的测定IC50即半抑制率，标准曲线是一个 S型曲线。
IC50为50%抑制浓度即细胞存活量为对照样本一半时所对应的浓度，半数抑制越低，说明药物对细胞的毒性越高。
实验操作步骤如下：1.细胞准备：A.细胞状态检测：从培养箱中取岀细胞，显微镜下观察。
状态描述：观察结果，细胞汇合度：B.细胞处理：将细胞培养基吸岀后，加入 2ml PBS缓冲液洗一次，加入 1ml % Trypsin-EDTA，放入培养箱中静置数分钟，直至细胞完全离壁悬浮，加入5ml含10%FBS的培养基（无抗生素）终止酶活，混匀后液体转移至 15ml离心管，1000rpm离心3min，弃去液体。
C.细胞计数：于15ml离心管中加入1ml含10%FBS的培养基（无抗生素），充分混匀。
取 40ul计数，公式如下：细胞浓度（数/ml ） = （4大方格细胞数之和/4 ）x 102 3 4 5X稀释倍数最终得到的细胞密度填入下表，根据最终需要细胞浓度及体积进行稀释。
D.2 将稀释好的细胞用排枪加至96 / 384 孔板：置于培养箱37C 5%CO2条件下培养24小时，待细胞贴壁后加药。
3 药物稀释：将药物进行3倍倍比稀释。
4 将稀释好的药物加入前一天铺好细胞的细胞板上，37 C 5%CO2培养箱培养72h。
5 荧光素酶检测：将 Celltiter-Glo 与 ddH20 以 1:1 混合，加入细胞板（96 板：20ul/well; 384 板：10ul/well ），静置10min后，TECAN infinite F200 酶标仪读值。
6.分析数据，绘制IC50曲线，寻找IC30,IC 50等值。
7.验证 IC5o：根据IC50曲线找岀IC50理论值，分别取 1/2倍、1倍及2倍的理论值进行药物浓度验证附录：Materials for Experime ntName Corporati on96-well plate Corni ng384-well plate Grei nerCe ntrifugeTube (15ml) BD Falco nPipets(10ml) Grei nerT-25 Flask Corni ngTips,EP Tube Axyge n. MatrixReage nts for Experime ntName Corporati onFBS ExcellDPBS Hyclone%Trypsi n-EDTA GIBCOMedium HycloneCell-Titer Gio? PromegaIn strume nts for Experime ntName Model Corporati onIn verted Microscope TS100 Niko nCOI ncubator BB16UV HeraeusBechtop ZHJH-1109 ZHCHENGCen trifuge 5200 KUBOTAMicroplate Reader infinite F200 TECANDispe nser 卩Fill Bio-Tek。
IC测试原理和设备教程
IC测试原理和设备教程IC测试是指对集成电路芯片进行功能测试、电气测试和可靠性测试等各种测试操作，目的是验证芯片设计的正确性、可靠性以及生产质量的管控。
IC测试主要用于验证芯片的各项功能和性能指标是否达到设计要求，保证芯片的质量和可靠性。
本文将介绍IC测试的原理和设备教程，以此帮助读者更好地了解和理解IC测试。
一、IC测试原理1.功能测试：功能测试是对集成电路芯片进行正常操作的测试，目的是验证芯片是否按照设计要求实现了各个功能模块。
在功能测试中，测试设备将会发送各种输入信号给被测试芯片，然后检查输出信号是否符合预期结果。
功能测试可以通过仿真、原型实验和实际产品测试来完成。
2.电气测试：电气测试用于检查芯片的电气参数是否在设计范围内，主要包括电压、电流、功率和时序等方面的测试。
电气测试通过测试设备对被测芯片的电气参数进行测量，然后与设计要求进行比较，以便判断芯片是否符合规格。
3.可靠性测试：可靠性测试是指在特定条件下对芯片进行长时间的加速老化、高温老化、低温老化等测试，以模拟芯片在实际使用中可能遇到的各种环境和工作条件。
可靠性测试可以有效地检测和评估芯片的寿命和可靠性，从而对芯片的质量进行客观评价。
二、IC测试设备IC测试设备是实现IC测试的重要工具，其中包括测试机、测试夹具、测试头和测试程序等组成部分。
以下将对这些设备进行介绍。
1.测试机：测试机是进行IC测试的核心设备，它可以对芯片进行各种功能测试、电气测试和可靠性测试。
测试机通过与被测芯片进行通信和交互，实现对芯片的测试操作。
测试机的主要功能是生成测试信号、接收和解析芯片的响应信号，并进行比较和判断。
2.测试夹具：测试夹具是用于固定和连接被测芯片的装置，它可以确保芯片与测试机之间的良好接触，同时能够提供稳定的电气连接。
测试夹具由夹具底座和测试针组成，测试针负责与芯片的引脚进行连接，夹具底座负责固定测试针和芯片。
3.测试头：测试头是测试机与测试夹具之间的连接组件，它负责将测试机的信号传递给测试夹具，同时将被测芯片的响应信号传递给测试机。
2 Cadence IC实验一、二、三
2、输入特性
三极管的输入特性是指当集电极电压Vce为常数时，基极与发射极间电压Veb与基极电流ib之间的关系。
如同前一个实验介绍的方法，打开仿真窗口，先设置好model路径，模型文件依然选择/cad/smic018_tech/Process_technology/Mixed-Signal/SPICE_Model/ms018_v1p6_spe.lib，注意section设为bjt_tt。然后添加变量vbe和vce。再按图2.3对话框设置好DC分析。其中DC分析是对vbe进行扫描，扫描范围从0到1.8V。vce的初始值设为1.5V。最后设置输出，这里我们要看的是基极电流，所以点击三极管的基极pin脚。
然后点“Netlist and Run”进行仿真。得到的输入特性曲线如图2.4所示。横坐标是基极-射极电压vbe的变化，纵坐标是基极电流ib的变化。
3、输出特性
三极管的输出特性是指以iB为参变量的共射极电流iC与UCE之间的关系。
先设置好Analog Design Enviroment对话框，注意这次DC分析所扫描的变量是vce，扫描范围为-0.3到1.8V。如图2.5所示：
如同前面的方法，打开仿真窗口，先设置好model路径，库文件与上面的相同，但工艺角(section)填入tt。然后添加变量vds和vgs。接着设置DC分析。其中DC分析是对vds进行扫描，扫描范围从0到1.8V。vgs的初始值设为0V。最后设置输出，这里我们要观察的是MOS管的漏电流，所以点击MOS管的漏极。设置好后的仿真窗口如图2.11所示。
电压源的参数设置图1.3所示，在DC voltage处填入vin(填入变量是为了要做直流扫描)
电子技术试验：三极管输入、输出特性曲线的测试
五、下次预习要求
（P147实验4.14）
现代电子技术实验
4.13、三极管输入、输出特性曲线 的测试
现代电子技术实验
预习情况检查
1.半导体管特性图示仪的基本原理与应用。 2．晶体三极管的伏安特性曲线的特点及其主要
参数定义。
现代电子技术实验
一.实验目的
1. 进一步熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。 2. 掌握晶体管输入输出特性的图测方法。 3. 掌握用晶体管特性曲线求参数的方法。
பைடு நூலகம்
设VCE =5V，适当选择和记录IBQ
ebc
1008：NPN型
IC
I B VCE 5V
IC
IB VCE 5V
iC
△IC IC
IB 10 A IB 8 A
IB 4 A
IB 2 A
VCE =5V
vCE
四、实验报告要求
1.写出所测参数的定义及其物理意义。 2.用坐标纸定量描绘特性曲线，正确标明相应
2.共射输出特性曲线
以输入口电流iB为参变量，反映输出口iC与vCE的函 数关系曲线。
iC f (vCE ) IB 常数
iC
iB5 iB4
iB3
iB2 iB1
O
uCE
3.三极管输出特性测试电路
图示仪面板主要包括
阶梯信号部分
晶体管输出特性的动态测量
半 导 体 特 性 图
示 集电 仪 极电 操源
作 面 板
测试台
Y轴
X轴 阶梯电
源
三、实验内容
1．晶体管输出特性的测量
（1）调节图示仪有关控制旋钮，测绘输出特性曲线。
（2）在曲线上标出饱和区、截止区和放大区。
实验一半导体激光器P-I特性曲线测量(常用版)
Δν=c/2ngL (7)
式中，λ为激射波长；c为光速；ng为有源材料的群折射率。
一般的半导体激光器其纵模间隔为0.5～1nm，而激光介质的增益谱宽为数十纳米，因而有可能出现多纵模振荡。然而传输速率高(如大于622Mb／s)的光纤通信系统，要求半导体激光器是单纵模的。这一方面是为了避免由于光功率在各个纵模之间随机分配所产生的所谓模分配噪声；另一方面纵模的减少也是得到很窄的光谱线宽所必须的，而窄的线宽有利于减少在高数据传输速率光纤通信系统中光纤色散的影响。即使有些激光器连续工作时是单纵模的，但在高速调制下由于载流子的瞬态效应，而使主模两旁的边模达到阈值增益而出现多纵模振荡，因此必须考虑纵模的控制。为了得到单纵模，应弄清纵模的模谱，影响单纵模存在的因素，才能设法得到所要求的单纵模激光器。
图2 有多侧模的半导体激光器的近场和远场
由于半导体激光器发光区几何尺寸的不对称，其远场呈椭圆状，其长、短轴分别对应于横向与侧向。在许多应用中需用光学系统对这种非圆对称的远场光斑进行圆化处理。
如果半导体激光器发射的是理想的高斯光束，应有如下的光强分布:
I(r)=Imaxexp(-2(r/w)2) （1）
(4)在直接调制下张弛振荡频率降低。
一般来说，半导体激光器有比气体和固体激光器高约5个数量级的自发发射因子(10-4)。由图8看出，纵模谱随γ变化很大。当γ＝10-5时，几乎所有的激光功率集中在一个纵模内，即单纵模工作；当γ＝10-4时，只有约80％的光功率集中在主模上，而其余的由旁模所分配；当γ＝10-3时，则有更多的纵模参与功率分配。另一方面，若自发发射因子γ→1(如在微腔情况)，则出现量变到质变的情况，此时每一个自发发射光子引发出一个受激发射光子，却能得到很好的单纵模。
2.3_IC测试要求和步骤
IC测试要求和步骤
一、测试原理：
对于基于CMOS工艺制造的IC芯片，T3Ster系统可以进行瞬态热测试，并进而得出散热路径上的结构函数。
使用CMOS工艺制造的芯片，在进行瞬态热测试的时候，将GND管脚和Vdd 管脚找到，并在GND管脚接入正电压，Vdd管脚接入负电压，电流流过CMOS 电路的体二极管，使芯片发热，并进行测试。
图：IC测试原理——CMOS芯片的体二极管作为测试对象
或者选择IC电路中的ESD保护二极管作为测试的对象，进行瞬态热测试。
图：IC测试原理——芯片的ESD保护二极管作为测试对象
结构函数反映了从发热源（Die Chip）到环境（热沉，最后直线向上部分）的热流路径上的所有热容与热阻分布。
根据结构函数上斜率(热容与热阻的比值)变化，可以区分出代表不同材料的线段。
T3Ster系统用直观的方式，帮助分析热流路径上不同材料的热阻与热容。
图：IC芯片测试后的结构函数
二、测试的准备和条件：
1，对于复杂的BGA IC来说，首先要按照Block Diagram找到每个Block中存在体二极管的GND管脚和Vdd管脚；
图：IC Block示意图
2，通过一个电路板，将所有Block中的GND管脚和Vdd管脚连接起来，并放置在静态空气箱中进行测试；
图：焊在PWB板上的BGA IC
图：放置在静态空气箱中的BGA IC和电路板
3，如果需要进行符合JESD51-14规定的Rthjc的测试，请准备两种电路板，这两种电路板的导热铜层厚度有区别；
图：不同铜层厚度的FR4电路板
图：BGA IC的Rthjc。
IC测试针测成测
IC的製造流程
何謂測試
IC測試簡介 規格 晶圓測試(針測) 成品測試(成測)
前言
積體電路簡稱IC (integrated circuit)
利用精密的微電子元件製作技術，將電子電 路微縮在極小的晶片上，體積雖小功能或用 途卻很多，專門做為數位系統使用的積體電 路，就稱為數位積體電路(digital IC)。
成品測試( Final Test)
為封裝成形後的測試，確認 IC 成品的功能、 速度、容忍度、耗電、散熱等屬性是否正常， 以確保 IC 出貨前的品質。
資料來源：
晶圓測試(晶圓針ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ)
利用探針將各個積體電路的輸入、輸出、 電壓供給、接地等端點接到電腦測試機， 作功能、漏電流、電流驅動能力等測試， 並打上各種顏色的墨點，以區分等級或 好壞。
IC的製造流程
設計 －＞ 製造 －＞ 測試 －＞ 出貨
設計：依需求設計出電路，畫電路圖 製造：依電路圖製造 IC 測試：確認製造出來的 IC 都可正常動作。 （要不然等裝到電路或系統上才發現錯誤，要
花更多的資源、成本來找出錯誤） 出貨 ： 交貨
何謂測試
把一已完成的半導體元件或IC進行 結構及功能的確認，以保證IC或元 件在到達系統時的完整與正常，這 樣的一站我們稱之為測試。
資料來源：
資料來源：
成品測試(成測)
IC封裝完成後尚須經過成品測試，一般可 分成邏輯成品測試與記憶體成品測試。
以記憶體成品測試為例，
成品測試又分可為FT1(Final Test 1)、 FT2(Final Test 2)與FT3(Final Test 3)。 一般FT1只進行基本的功能測試和直流測試，FT2則 區分記憶體晶片之存取時間。兩者之不同在於測試溫 度，FT1測試溫度為常溫，FT2則為高溫，而FT3一 般為低溫測試。
ic标曲创建方法
ic标曲创建方法
IC标曲创建方法是指通过一系列实验和数据处理，建立标准曲线的过程。
以下是创建IC标曲的一般步骤：
1. 准备试剂和样品：根据实验要求，准备相应的试剂和标准品。
标准品通常已知其浓度，可以用于绘制标准曲线。
2. 实验设计：根据实验目的和要求，设计实验方案。
包括选择合适的检测方法、确定实验条件、设置重复实验等。
3. 实验操作：按照实验方案进行操作，分别测定不同浓度的标准品。
同时记录实验数据，包括实验时间、实验条件、检测结果等。
4. 数据处理：将实验数据整理成表格，并使用适当的统计方法对数据进行处理和分析。
通常使用线性回归分析来拟合标准曲线，并计算相关系数、斜率和截距等参数。
5. 绘制标准曲线：根据处理后的数据，使用适当的图表绘制标准曲线。
通常使用散点图或折线图来表示标准品浓度与检测结果之间的关系。
6. 验证和评估：对所建立的标准曲线进行验证和评估，确保其准确性和可靠性。
可以通过比较实际浓度与预测浓度、计算误差范围等方式进行评估。
7. 应用和改进：将所建立的标准曲线应用于实际样品检测中，并根据实际应用情况对标准曲线进行改进和完善。
需要注意的是，不同实验和检测方法的标准曲线创建方法可能有所不同，具体操作和步骤应根据实际情况进行调整和完善。
同时，在实验过程中应保持严谨的科学态度，遵守实验室安全和操作规范，确保实验结果的准确性和可靠性。
IC曲线测试实验流程
IC50曲线的测定IC50即半抑制率，标准曲线是一个S型曲线。
IC50为50%抑制浓度即细胞存活量为对照样本一半时所对应的浓度，半数抑制越低，说明药物对细胞的毒性越高。
实验操作步骤如下：1.细胞准备：A．细胞状态检测：从培养箱中取出细胞，显微镜下观察。
状态描述：观察结果，细胞汇合度：B．细胞处理：将细胞培养基吸出后，加入2ml PBS缓冲液洗一次，加入1ml 0.25% Trypsin-EDTA，放入培养箱中静置数分钟，直至细胞完全离壁悬浮，加入5ml 含10%FBS的培养基(无抗生素)终止酶活，混匀后液体转移至15ml离心管，1000rpm 离心3min，弃去液体。
C．细胞计数：于15ml离心管中加入1ml 含10%FBS的培养基 (无抗生素)，充分混匀。
取40ul计数，公式如下：细胞浓度（数/ml）=（4大方格细胞数之和/4）×104×稀释倍数最终得到的细胞密度填入下表，根据最终需要细胞浓度及体积进行稀释。
D2.将稀释好的细胞用排枪加至96 / 384孔板：置于培养箱37℃ 5%CO2条件下培养24小时，待细胞贴壁后加药。
3.药物稀释：将药物进行3倍倍比稀释。
4.将稀释好的药物加入前一天铺好细胞的细胞板上，37℃ 5%CO2培养箱培养72h。
5.荧光素酶检测：将Celltiter-Glo与ddH20 以1:1混合，加入细胞板（96板：20ul/well; 384板：10ul/well），静置10min后，TECAN infinite F200酶标仪读值。
6.分析数据，绘制IC50曲线，寻找IC30,IC50等值。
7.验证IC50:根据IC50曲线找出IC50理论值，分别取1/2 倍、1倍及2倍的理论值进行药物浓度验证。
附录：Materials for ExperimentName Corporation96-well plate Corning384-well plate GreinerCentrifugeTube (15ml) BD FalconPipets(10ml) GreinerT-25 Flask CorningTips,EP Tube Axygen, MatrixReagents for ExperimentName CorporationFBS ExcellDPBS Hyclone0.25%Trypsin-EDTA GIBCOMedium HycloneCell-Titer Glo? PromegaInstruments for ExperimentName Model CorporationInverted Microscope TS100 NikonCO2 Incubator BB16UV HeraeusBechtop ZHJH-1109 ZHCHENGCentrifuge 5200 KUBOTAMicroplate Reader infinite F200 TECANDispenser μFill Bio-Tek。
受控源的特性曲线实验报告
实验名称：受控源VCCS 、VCVS 、CCVS 、CCCS 的特性曲线一．实验目的：1． 加深对受控源的理解。
2． 熟悉由运算放大器组成受控源电路的分析方法，了解运算放大器的应用。
3． 掌握受控源特性的测量方法。
二．实验原理与说明：1． 受控源是双口元件，一个为控制端口，另一个为受控端口。
受控端口的电流或电压受到控制端口的电流或电压的控制。
根据控制变量与受控变量的不同组合，受控源可分为四类：图6-1 受控源(1) 电压控制电压源（VCVS ），如图6-1（a ）所示，其特性为：0=c i(2) 电压控制电流源（VCCS ），如图6-1（b ）所示，其特性为： c m s u g i ⋅=cs u u ⋅=α0=c i① 电流控制电压源（CCVS ），如图6-1（c ）所示，其特性为：c s i u ⋅=γ0=c u② 电流控制电流源（CCCS ），如图6-1（d ）所示，其特性为： c s i i ⋅=β0=c u2． 运算放大器与电阻元件组成不同的电路，可以实现上述四种类型的受控源。
各电路特性分析如下。
(1) 电压控制电压源（VCVS ）：运算放大器电路如图6-2所示。
由运算放大器输入端“虚短”特性可知：1u u u ==-+212R u i R =由运算放大器的“虚断”特性，可知： 21R R i i =21221R i R i u R R ⋅+⋅=()2121R R R u +=11211u u R R ⋅=⋅⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=α式（6-1）即运算放大器的输出电压2u 受输入电压1u 控制。
其电路模型如图6-1（a ）所示。
转移电压比：211R R +=α 该电路是一个同相比例放大器，其输入与输出有公共接地端，这种连接方式称为共地连接。
(2) 电压控制电流源（VCCS ）：运算放大器电路如图6-3所示。
根据理想运放“虚短”、“虚断”特性，输出电流为：Ru i i R 12== 式（6-2）该电路输入，输出无公共接地点，这种连接方式称为浮地连接。
ic测试流程
ic测试流程IC测试流程是集成电路生产过程中非常重要的环节，它可以帮助确保集成电路的质量和可靠性。
在IC测试过程中，需要经历一系列的步骤和方法，以确保IC芯片的性能符合设计要求。
下面将详细介绍IC测试流程的主要步骤。
IC测试流程的第一步是设计测试方案。
在这个阶段，测试工程师需要根据IC芯片的功能和规格要求，制定出相应的测试方案。
这包括确定测试的目的、测试的方法、测试的环境等。
测试方案的设计是整个IC测试流程的基础，直接影响到后续测试的准确性和有效性。
第二步是准备测试设备和工具。
在进行IC测试之前，需要准备好相应的测试设备和工具。
这些设备包括测试仪器、测试夹具、测试程序等。
测试设备的选择和准备要根据测试方案的要求，确保能够满足测试的需求，并能够准确地检测IC芯片的性能参数。
第三步是进行IC芯片的功能测试。
在这个阶段，测试工程师会使用测试设备和工具，对IC芯片进行功能测试。
这包括检测IC芯片的输入输出端口是否正常、各功能模块是否能够正常工作等。
通过功能测试，可以初步判断IC芯片的性能是否符合设计要求。
第四步是进行IC芯片的参数测试。
在这个阶段，测试工程师会对IC 芯片的各项性能参数进行详细测试。
这包括静态参数如电压、电流等，动态参数如频率、响应时间等。
通过参数测试，可以全面地了解IC芯片的性能表现，并判断其是否符合设计要求。
第五步是进行IC芯片的可靠性测试。
在这个阶段，测试工程师会对IC芯片进行可靠性测试，以验证其在各种极端环境下的稳定性和可靠性。
这包括高温测试、低温测试、湿热循环测试等。
通过可靠性测试，可以评估IC芯片的使用寿命和稳定性。
最后一步是进行IC芯片的成品测试。
在这个阶段，测试工程师会对IC芯片进行整体性能测试，以验证其在实际应用中的性能。
这包括与其他设备的兼容性测试、系统级测试等。
通过成品测试，可以确保IC芯片在实际使用中能够正常工作，并满足用户的需求。
总的来说，IC测试流程是一个非常复杂和细致的过程，需要经过多个步骤和方法的综合应用，以确保IC芯片的质量和可靠性。
ic测试流程
ic测试流程
IC测试流程是集成电路生产过程中至关重要的一环，它可以确保芯片的质量和性能符合设计要求。
以下是一个典型的IC测试流程，以帮助读者了解这个过程的基本步骤。
IC测试流程的第一步是准备测试环境。
在这个阶段，测试工程师需要设置测试设备，包括测试仪器和软件，以确保它们可以准确地检测芯片的功能和性能。
接下来，是测试方案的制定。
测试工程师需要根据芯片的设计规格和功能需求，制定详细的测试方案。
这包括确定测试的目的、方法和标准，以确保测试的准确性和有效性。
然后，是芯片的功能测试。
在这个阶段，测试工程师会使用测试设备对芯片进行电气特性测试，以确保它的基本功能正常。
这包括输入输出端口的测试、逻辑功能的测试等。
接着，是性能测试。
在这个阶段，测试工程师会对芯片的性能进行全面的测试，包括功耗、速度、稳定性等方面。
这可以帮助确定芯片是否符合设计要求，并且可以发现潜在的问题。
是可靠性测试。
在这个阶段，测试工程师会对芯片进行长时间的稳定性测试，以确保它在各种环境条件下都能正常工作。
这可以帮助确保芯片的质量和可靠性。
总的来说，IC测试流程是一个非常重要的环节，它可以确保芯片的质量和性能符合设计要求。
通过严格的测试流程，可以及时发现和解决问题，确保芯片的质量和可靠性。
希望通过本文的介绍，读者能更加深入地了解IC测试流程的基本步骤，以及其在集成电路生产过程中的重要性。
电脑IC测试操作指导书
作 业 指 导 书
文 件 编 号
版 本 号
标 题
ICXX系列/XX系列测试
操作指导书
生 效 日 期
年 月 日
页 次
第页 共页
1仪器名称：万用型IC烧录测试器。
2仪器用途：测试XX系列/XX系列IC。
3准备：接通AC 220V电源，在电脑主机上按下POWER键，电脑开始自检，在电脑提示下，输入相关命令，进入C:\>画面。
4.8按POWER键关机，再切断AC 220V电源。
拟制
审核
批准
4.5将IC插入IC座内,按复位键,开始检测。
4.6如检测时电脑显示“OK”,则判定该IC功能正常.如检测时电脑显示“ERROR!!”则判
定该IC功能不正常。
4.7测试完毕选择“Q”键，再按“回车”，则回到主菜单下并选择“QUIT”菜单，再按“回
车”，再按“Y”键退出，在C:\ALL07>下ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ入CD\，进入C:\>。
4测试程序：
4.1在C:\>下输入CD ALL07 再按“回车”。
4.2在C:\>ALL07>下输入ACCESS后,再按“回车”进入主菜单。
4.3在主菜单下下拉TESTER菜单选择“1.LOGIC IC”再按两次“回车”进入UNIVERSAL
PROGRAMMER画面。
4.4选择“N”,输入IC型号,按两次“回车”后选择“F”进入“READY TO TEST”状态.
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I C曲线测试实验流程 Document serial number【UU89WT-UU98YT-UU8CB-UUUT-UUT108】
IC50曲线的测定
IC50即半抑制率，标准曲线是一个S型曲线。
IC50为50%抑制浓度即细胞存活量为对照样本一半时所对应的浓度，半数抑制越低，说明药物对细胞的毒性越高。
实验操作步骤如下：
1.细胞准备：
A．细胞状态检测：从培养箱中取出细胞，显微镜下观察。
状态描述：
观察结果，细胞汇合度：
B．细胞处理：
将细胞培养基吸出后，加入2ml PBS缓冲液洗一次，加入1ml % Trypsin-EDTA，放入培养箱中静置数分钟，直至细胞完全离壁悬浮，加入5ml 含10%FBS的培养基(无抗生素)终止酶活，混匀后液体转移至15ml离心管，1000rpm 离心3min，弃去液体。
C．细胞计数：
于15ml离心管中加入1ml 含10%FBS的培养基 (无抗生素)，充分混匀。
取40ul计数，公式如下：
细胞浓度（数/ml）=（4大方格细胞数之和/4）×104×稀释倍数
最终得到的细胞密度填入下表，根据最终需要细胞浓度及体积进行稀释。
细
胞
株
名
D．稀释细胞
2.将稀释好的细胞用排枪加至96 / 384孔板：
置于培养箱37℃ 5%CO2条件下培养24小时，待细胞贴壁后加药。
3.药物稀释：
将药物进行3倍倍比稀释。
4.将稀释好的药物加入前一天铺好细胞的细胞板上，37℃ 5%CO2培养箱培养72h。
5.荧光素酶检测：
将Celltiter-Glo与ddH
2
0 以1:1混合，加入细胞板（96板：20ul/well; 384板：
10ul/well），静置10min后，TECAN infinite F200酶标仪读值。
6.分析数据，绘制IC50曲线，寻找IC30,IC50等值。
7.验证IC50:
根据IC
50曲线找出IC
50
理论值，分别取1/2 倍、1倍及2倍的理论值进行药物浓度验证。
附录：
Materials for Experiment
Name Corporation
96-well plate Corning
384-well plate Greiner
CentrifugeTube (15ml)BD Falcon
Pipets(10ml)Greiner
T-25 Flask Corning
Tips,EP Tube Axygen, Matrix
Reagents for Experiment
Name Corporation
FBS Excell
DPBS Hyclone
%Trypsin-EDTA GIBCO
Medium Hyclone
Cell-Titer Glo?Promega
Instruments for Experiment Name Model Corporation Inverted Microscope TS100Nikon
CO
2
Incubator BB16UV Heraeus Bechtop ZHJH-1109ZHCHENG
Centrifuge5200KUBOTA
Microplate Reader infinite F200TECAN
DispenserμFill Bio-Tek。