量子阱红外探测器及红外材料光电性能的研究

山京大学硕士学位论文
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第四章ＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓ量子阱红外探测器和ＨｇＣｄＴｅ探测器
光电性质的比较
４．１ｌｔｇＣｄＴｅ红外探罚器简介
４．１．Ｉｌ玛ｇＣｄＴｅ红外探测器的发展
禁带窄小的半导体，可傲成灵敏的红外探测器，一直受到广泛的重视【１．们．目前最好的本征探测器是碲化汞和碲化镉构成的半导体化合物Ｈｇｌ棚ｘ１．ｃ．它具有大的吸收系数，合适的禁带宽度及完全混溶性，依据ｃｄ组分ｘ韵变化，可分别工作予￥～１２／ｚｍ（ｘ～Ｏ．２），３＂－－５ｐｍ（ｘ～Ｏ．３）以及１．３０～Ｉ。

５５ｔｕｎ（ｘ～Ｏ．６）三个重要的红外波段．图４．１．１所示的是～个工作于３～５．１ｍ，８～１２岬ｌ双波段ＨｇＣｄＴｅ探测器【５】．图（矗）是这种双波段ＨｇＣｄＴｅ探测器的结构，图（ｂ）是这种结构的能带图．
图４．１．１（ａ）双波段ＨｇＣｄＴｅ红外探浏器单元
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图４．１．１（ｂ）双波段ＨｇＣｄＴｃ红外探测器单元的能级结构经过近十年的发展，集成的双色ＨｇＣｄＴｅ技术已经取得了长足的发展，单元尺寸从３０ｖ．ｍ到６１Ｖ．ｍ都有。

单元数量也从６４×６４发展到３２０ｘ２４０，同时各波段的探。