用于调节半导体器件的载流子迁移率的结构和方法[发明专利]

专利名称：用于调节半导体器件的载流子迁移率的结构和方法专利类型：发明专利
发明人：布鲁斯·B·多斯,杨海宁,朱慧珑
申请号：CN200410087007.8
申请日：20041022
公开号：CN1612327A
公开日：
20050504
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：在制造互补的金属氧化物半导体(CMOS)场效应晶体管(包括nMOS和pMOS晶体管)的过程中，根据层和隔离应力层相互的以及在选定位置具有附加层的其它结构的性能，通过将各种不同的应力膜涂覆到nMOS或pMOS晶体管(或其两者)上来提高或调节载流子迁移率。

这样，可增大单一芯片或基片上的两种晶体管的载流子迁移率，从而改善CMOS器件和集成电路的性能。

申请人：国际商业机器公司
地址：美国纽约
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：付建军
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