多晶硅生产中大型塔再沸器的结构设计改进

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多晶硅制备技术的研究与改进

多晶硅制备技术的研究与改进

多晶硅制备技术的研究与改进多晶硅是一种非常重要的材料,广泛应用于光伏、半导体等领域。

在多晶硅制备技术方面,常见的方法有气相法、液相法和固相法。

这些方法各有优劣,需要不断进行研究与改进。

首先,气相法是制备多晶硅的主要方法之一、它通过热解SiHCl3等硅源气体,使硅沉积在衬底上,形成多晶硅。

然而,气相法存在一些问题,如制备工艺复杂、设备需要高温高压、成本高等。

为了解决这些问题,研究者们进行了一系列的改进。

一项改进是采用低压条件下进行气相法制备多晶硅。

传统的气相法需要高温高压,而低压条件下的气相法可以降低设备的成本,提高制备效率。

此外,低压条件下还能够提高杂质去除效果,提高多晶硅的晶格质量和光伏效率。

另一项改进是采用化学气相沉积(CVD)方法制备多晶硅。

CVD方法通过加热硅源气体并将其分解沉积在衬底上,形成多晶硅。

相比传统的气相法,CVD方法具有反应速度快、渗透性好等优势。

因此,研究者们通过改进CVD方法的反应温度、反应气体组成等条件,不断提高多晶硅的制备效率和质量。

除了气相法外,液相法也是一种常用的多晶硅制备方法。

液相法通过将硅源溶解在溶液中,然后将溶液进行蒸发和析晶,形成多晶硅。

然而,传统的液相法制备多晶硅过程中存在一些问题,如杂质含量高、析晶过程不稳定等。

为了解决这些问题,研究者们进行了相应的改进。

一项改进是采用等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)液相法制备多晶硅。

PECVD液相法通过在反应体系中引入等离子体,提高溶液中硅源的活性和析晶速率,降低杂质含量,改善多晶硅的质量。

此外,PECVD液相法还可以实现多晶硅的局部析晶,提高多晶硅的薄膜尺寸和均匀性。

还有一种改进是采用溶胶-凝胶法制备多晶硅。

溶胶-凝胶法通过将硅源溶解在溶液中,形成胶体溶胶,然后经过凝胶、烧结等步骤,形成多晶硅。

相比传统的液相法,溶胶-凝胶法具有制备过程简单、工艺灵活等优点。

研究者们通过改进溶胶-凝胶法的制备条件和杂质去除方法,取得了一定的进展。

用于生产多晶硅的塔器余热利用装置[实用新型专利]

用于生产多晶硅的塔器余热利用装置[实用新型专利]

专利名称:用于生产多晶硅的塔器余热利用装置专利类型:实用新型专利
发明人:陈五奎,刘强,刘建,冯加保,徐文州
申请号:CN201520874929.7
申请日:20151104
公开号:CN205087926U
公开日:
20160316
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本实用新型公开了一种有效控制高温导管热辐射并及时预警的用于生产多晶硅的塔器余热利用装置。

该装置包括塔器,塔器上设置有进料口与高温液体流出口,进料口上连接有低温导管,高温液体流出口上连接有高温导管,高温导管上设置有换热器,低温导管穿过换热器,高温导管的外壁面上套设有绝热层,通过套设绝热层,不仅可以尽可能的将热量输送到换热器处进行交换,减少热量损耗,同时,也较大程度的将高温导管传送路径上的周围环境温度控制在了合理的范围,为在这一环境附近工作的人员提供了较为适宜的工作温度,而且绝热层表面设置有温度报警装置,一旦出现温度超标,能够及时通知人员撤离。

适合在多晶硅生产设备领域推广应用。

申请人:乐山新天源太阳能科技有限公司,深圳市拓日新能源科技股份有限公司
地址:614000 四川省乐山市高新区建业大道9号
国籍:CN
代理机构:成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人:李玉兴
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多晶硅生产工艺改进(综合版)

多晶硅生产工艺改进(综合版)

多晶硅生产工艺改进(综合版)摘要多晶硅生产是太阳能电池制造的关键环节之一,因此改进生产工艺对于提高生产效率和降低成本非常重要。

本文将介绍一些可以改进多晶硅生产工艺的策略,以期提供有益的建议。

背景多晶硅是太阳能电池的主要原料,其生产过程复杂且能耗较高。

目前,生产多晶硅的传统方法已经较为成熟,但依然存在一些局限性和改进空间。

本文将提出一些可以针对这些问题进行改进的工艺策略。

工艺改进策略1. 进料优化通过优化进料的质量和纯度,可以提高多晶硅的产量和质量。

具体策略包括:- 严格控制原料的选择和处理过程,以确保原料的纯度和稳定性。

- 优化进料配比,确保各种原料的比例科学合理,以提高产量和降低成本。

- 引入先进的筛选和分选设备,提高进料质量和减少杂质。

2. 电熔法改进电熔法是多晶硅生产的主要工艺之一,通过改进该工艺可以提高生产效率和降低能耗。

具体策略包括:- 优化电炉结构和设计,提高炉内温度均匀性和稳定性,减少能源浪费。

- 引入先进的控温设备和智能化控制系统,提高生产过程的稳定性和自动化程度。

- 运用合适的熔解剂和助剂,提高多晶硅的纯度和晶体结构。

3. 晶体生长技术改进晶体的生长过程对于多晶硅的质量和效率有着重要影响。

通过改进晶体生长技术,可以提高多晶硅的晶体质量和控制度。

具体策略包括:- 优化晶体种子的选择和制备过程,以提高晶体的质量和晶格匹配度。

- 引入先进的晶体生长设备和技术,提高生长速度和晶体均匀性。

- 控制生长过程中的温度、压力和流动条件,以优化晶体的生长环境。

结论通过优化进料、改进电熔法和晶体生长技术等策略,可以显著提高多晶硅的生产效率和质量,降低生产成本。

相关企业应积极采纳这些改进措施,以推动多晶硅生产工艺的进一步发展和创新。

多晶硅铸锭装备的机械结构优化和轻量化设计

多晶硅铸锭装备的机械结构优化和轻量化设计

多晶硅铸锭装备的机械结构优化和轻量化设计引言:多晶硅铸锭装备是用于生产太阳能电池的重要工艺设备之一,其机械结构的优化和轻量化设计对于提高生产效率和降低能耗具有重要意义。

本文将针对多晶硅铸锭装备的机械结构进行分析和优化设计,旨在提高设备的稳定性、可靠性和生产效率,实现资源的有效利用。

一、多晶硅铸锭装备的机械结构分析多晶硅铸锭装备主要由静液压系统、金属结构部分和运动控制系统组成。

静液压系统通过液压传动实现铸锭压力和转动的控制;金属结构部分承载和支撑整个设备的工作负荷;运动控制系统通过控制各个执行机构的运动实现设备的工作。

1.1 静液压系统的分析静液压系统是实现铸锭压力和转动的关键部分,其结构设计和优化对于设备的稳定工作至关重要。

目前多晶硅铸锭装备常应用的静液压机构有四柱式和双柱式。

四柱式结构简单、稳定性好,但受到限制的轨道长,无法适应大直径铸锭的生产需求;双柱式结构可满足大直径铸锭的生产需求,但结构复杂、稳定性较差。

因此,在机械结构优化和轻量化设计中,需综合考虑两种结构的优点,力求达到性能的平衡。

1.2 金属结构部分的分析金属结构部分是多晶硅铸锭装备的主要承载和支撑部分,其设计对于设备的稳定性和可靠性有着重要影响。

传统的金属结构多采用钢材制作,具有较高的强度和刚度,但同时也增加了设备的自重,增大了能耗和材料成本。

轻量化设计是解决这一问题的关键之一。

首先,可使用高强度轻质材料替代传统钢材,如铝合金、钛合金等,从而减轻设备的自重。

其次,可利用有限元分析等方法对金属结构进行优化,减少材料使用量,提高结构的强度和刚度。

1.3 运动控制系统的分析运动控制系统对于设备的精度和稳定性有着决定性影响。

传统的运动控制系统常采用伺服驱动和螺杆传动的方式,但存在精度受限、能耗较大等问题。

在机械结构优化和轻量化设计中,可考虑采用新型的空气浮动技术,如空气浮动导轨、空气浮动台等,以提高设备的运动精度和稳定性,并降低能耗。

二、多晶硅铸锭装备的机械结构优化设计在机械结构优化设计中,需综合考虑设备的工作条件、材料的力学特性和制造工艺等因素,以达到性能的平衡。

多晶硅生产工艺创新(综合版)

多晶硅生产工艺创新(综合版)

多晶硅生产工艺创新(综合版)
随着物联网和新能源等产业的迅速发展,多晶硅的需求也在不
断增长。

本文将综述多晶硅生产的工艺创新。

传统工艺的不足
传统工艺主要包括气相法、硅烷还原法和电熔法。

这些方法虽
然经过多年改进,但仍存在一些缺陷。

比如,气相法的设备投资大、能耗高;硅烷还原法如果控制不好会产生大量的氢气;电熔法对设
备要求高,成本昂贵。

工艺创新方向
面对传统工艺的不足,多晶硅生产的工艺创新方向主要有以下
几个方面:
晶体种子
晶体种子的质量对多晶硅的性能有着至关重要的影响。

因此,目前研究者主要致力于寻找一种更加稳定的晶体种子。

低能耗工艺
低能耗工艺是研究者们追求的目标。

通过技术的创新和革新,力求降低能耗,提高生产效率。

节约原料
节约原料同样是当前研究的热点问题。

如何更好地回收利用已经使用的硅料,是一个需要研究者们共同努力的目标。

环保
环保问题日益受到重视,多晶硅生产也不例外。

研究者们在探索包括绿化工厂、提高利用率等在内的多种环保方案。

结语
综合来看,多晶硅生产的工艺正在不断创新,国内外研究者也都在为此付出着自己的努力。

相信未来一定会迎来更好、更先进的多晶硅生产工艺。

多晶硅制备技术的研究与改进

多晶硅制备技术的研究与改进

多晶硅制备技术的研究与改进一、背景介绍多晶硅制备技术是太阳能电池制造中最为重要的关键技术之一。

随着太阳能产业发展的迅猛,对高质量、低成本的多晶硅的需求不断增加。

多晶硅制备技术研究的成果,对推动太阳能电池及其应用的发展,具有重要的战略意义。

二、传统多晶硅制备技术的缺陷传统的多晶硅制备方法主要有两种:硅烷热解法和氯化氢气相沉积法。

这两种方法都存在一些缺陷,如硅烷热解法需要高温高压条件下反应,设备成本高,操作难度大,氯化氢气相沉积法则需要耗费大量的电能,成本也相对较高。

三、多晶硅制备技术的研究进展为了解决多晶硅制备技术中存在的缺陷,近年来,科学家们在这一领域进行了大量的研究。

目前最为流行的多晶硅制备技术是直接还原法和热解法。

1、直接还原法直接还原法主要是采用金属硅法或者硅气法。

金属硅法是在真空或惰性气氛下将硅气加热使其分解成硅和金属(如铝、铁、镁)的合金,再用氢气还原合金制备多晶硅。

硅气法是将硅气通过加热解离成纯硅粉末,然后用氢气还原成多晶硅。

2、热解法热解法指的是将低纯度多晶硅粉末经过高温处理使其重新成为高纯度的多晶硅。

热解法是一种简单易行的多晶硅制备方法,但由于多晶硅粉末本身含杂质,因此需要经过多次处理,复杂程度较高。

四、多晶硅制备技术的改进在多晶硅制备技术的研究中,科学家们不断探索改进现有技术,以实现更高质量的制备效果。

1、金属硅法的改进金属硅法具有制备高纯度多晶硅的潜力,但其存在副产生物,如硅碳化物和混合合金,导致制备成本较高。

因此,目前研究人员正在研究如何从副产生物中提取多晶硅,以降低制备成本。

2、重力沉降法的改进重力沉降法是一种基于热解法的多晶硅制备新工艺。

该方法通过控制硅粉粒径和悬浮液浓度实现硅粉的分离,制备出高质量的多晶硅。

近年来,科学家们正在研究如何通过改进重力沉降工艺,进一步提高多晶硅制备质量和效率。

3、气体转移法的改进气体转移法是一种新型的多晶硅制备方法,该方法通过气体前驱体材料的反应制备出高质量的多晶硅。

重沸器制造工艺难点分析及改进

重沸器制造工艺难点分析及改进

重沸器制造工艺难点分析及改进作者:朱小军来源:《中小企业管理与科技·下旬刊》2012年第10期摘要:三甘醇再生橇是天然气经三甘醇脱水后,对三甘醇进行重复再生的装置。

此工艺主要在重沸器中完成。

重沸器由三部分组成,通过加热段、富液精馏柱、缓冲罐段实现三甘醇的再生。

在该设备的制作过程中,存在很多难点,包括怎样保证精馏柱的垂直度、直线度,加热段烟囱与精馏柱的相对平行度,端法兰密封问题。

通过对这些问题分析,在制定工艺时,对这些关键工序、制造难点提出合理的保证措施。

保证设备的垂直度、平行度等符合规范要求,保证制造出合格的产品。

关键词:直线度垂直度平行度工艺措施在批量生产各种规格的重沸器,其中精馏柱段,是具有直径小、高度高即大长径比设备,且该部分的开孔均分布在同一平面,焊接变形大,因此保证其直线度难度较大。

缓冲段端面为法兰、法兰盖连接形式。

由于重沸器为常压容器,其端法兰直径大、厚度薄,其焊接变形直接影响法兰面的密封。

加热段烟囱部分,高度较高,在组对的过程中,要保证烟囱绝对垂直度及精馏柱绝对垂直度,又要保证烟囱与精馏柱的相对平行度,精馏柱一般直径大多φ377、φ426、φ508钢管,长度为5mm左右;缓冲段端面法兰直径在φ1000~φ1200,法兰及法兰盖厚度为16mm;烟囱为φ325~φ377,高度在6mm左右。

其结构如图一:1 精馏柱的直线度根据相关的标准,整个精馏柱的直线度在总长范围内不超过4mm,每米范围内不超过3mm。

影响精馏柱直线度因素主要有三个方面。

其一是原材料的问题,即所采购的钢管自身的弯曲度偏差大,(按标准要求钢管的全长弯曲度应小于总长的15‰mm,每米弯曲度应小于3mm,即为合格钢管)。

对于采购入厂的钢管进行测量,其全长弯曲度超出标准规定。

第二是精馏柱筒体上开孔布置在同一方位,即在其底部及2米左右分布两个DN250手孔,相应于精馏柱直径属于大直径开孔,即焊缝布置位置集中在同一面,在气割开孔级焊接手孔时会产生一定的焊接变形,将可能导致其直线度在局部范围内超差。

多晶硅生产中高沸物裂解工艺[发明专利]

多晶硅生产中高沸物裂解工艺[发明专利]

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201811011277.9(22)申请日 2018.08.31(71)申请人 内蒙古通威高纯晶硅有限公司地址 014000 内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区荣华大街1号(72)发明人 王亚萍 甘居富 彭中 游书华 张聪 罗周 何鹏 李寿琴 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227代理人 王学强 罗满(51)Int.Cl.C01B 33/107(2006.01)(54)发明名称多晶硅生产中高沸物裂解工艺(57)摘要本发明公开一种多晶硅生产中高沸物裂解工艺,包括:预处理:去除高沸物中的固体杂质和金属卤化物,得到第一混合物;第一次分离:在50-150℃下使所述第一混合物分离,得到四氯化硅和氯硅烷低聚物;裂解:所述氯硅烷低聚物在催化剂作用下裂解得到氯硅烷混合物;第二次分离:将所述氯硅烷混合物送回脱高塔,去除未裂解的氯硅烷低聚物,得到单硅氯硅烷和不凝气。

本工艺通过除去金属氯化物,可以有效防止金属氯化物与催化剂形成络合物,导致催化剂失活。

所述沉降罐下端通入有承插管,所述承插管用于导出沉降后位于上层的低聚物混合物,使低聚物混合物催化裂解反应能更高效的进行。

权利要求书1页 说明书6页 附图1页CN 108658082 A 2018.10.16C N 108658082A1.一种多晶硅生产中高沸物裂解工艺,其特征在于,包括:预处理:去除高沸物中的固体杂质和金属卤化物,得到第一混合物;第一次分离:在50-150℃下使所述第一混合物在脱高塔中分离,得到四氯化硅和氯硅烷低聚物;裂解:所述氯硅烷低聚物在催化剂作用下裂解得到氯硅烷混合物;第二次分离:将所述氯硅烷混合物送回脱高塔,去除未裂解的氯硅烷低聚物,得到单硅氯硅烷和不凝气。

2.根据权利要求1所述的多晶硅生产中高沸物裂解工艺,其特征在于,所述预处理步骤具体包括:将高沸物送入冷却搅拌罐,保持低温搅拌1-5小时后,送入沉降罐;向沉降罐通入氮气置换空气,使高沸物在氮气环境下沉降1-20小时,得到位于上层液态的第一混合物和位于下层的渣浆;所述渣浆包括固体杂质和金属卤化物。

多晶硅中用于改进电容的振荡电容器架构[发明专利]

多晶硅中用于改进电容的振荡电容器架构[发明专利]

专利名称:多晶硅中用于改进电容的振荡电容器架构专利类型:发明专利
发明人:理查德·T·舒尔茨
申请号:CN201880019959.6
申请日:20180322
公开号:CN110462822A
公开日:
20191115
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:描述了一种用于制造金属绝缘体金属电容器同时管理半导体加工产量并增加单位面积电容的系统及方法。

半导体装置制造工艺将多晶硅层放置在位于金属层的顶部上的氧化物层的顶部上。

所述工艺将沟槽蚀刻到所述多晶硅层的区域中,其中重复的沟槽确定稍后要形成的振荡波结构的频率。

所述沟槽的顶角和底角被修圆。

所述工艺在所述多晶硅层上于具有所述沟槽的区域上和没有所述沟槽的区域上沉积底部金属、电介质和顶部金属。

一系列阻挡金属和第二多晶硅层沉积在所述振荡结构上。

所述工艺完成所述MIM电容器,其中金属节点接触所述振荡结构的所述顶部金属和所述底部金属中的每一者。

申请人:超威半导体公司
地址:美国加利福尼亚州
国籍:US
代理机构:上海胜康律师事务所
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多晶硅生产工艺技术改良(综合版)

多晶硅生产工艺技术改良(综合版)

多晶硅生产工艺技术改良(综合版)
简介
本文档旨在提出多晶硅生产工艺技术的改良方案,以提高生产效率和降低生产成本。

目标
- 提高多晶硅生产过程的能源利用效率
- 降低生产中的环境污染和废物排放
- 提高多晶硅的产品质量和纯度
改良方案
1. 熔炼过程优化
在多晶硅的熔炼过程中,可以采取以下措施来提高能源利用效率和减少废气排放:
- 使用高效节能的电炉替代传统的燃煤炉,减少燃煤排放和能源消耗。

- 优化炉内温度和气氛控制,减少熔炼过程中的能量损失。

2. 晶体生长技术改进
多晶硅的晶体生长过程对最终产品的质量和纯度至关重要,以下是改进晶体生长技术的建议:
- 使用先进的晶体生长设备和技术,提高晶体生长的效率和均匀性。

- 优化晶体生长工艺参数,如温度、浓度等,以提高多晶硅的纯度和晶体结构的稳定性。

3. 废料利用和环保措施
在多晶硅的生产过程中,废料处理和环境保护是一个重要的方面,以下是改进方案:
- 开发和应用废料的再利用技术,如废气的回收利用和废水的处理。

- 强化生产过程中的环境监测和污染物排放控制,确保生产过程的环境友好性。

结论
通过对多晶硅生产工艺技术的改良,可以提高生产效率、降低生产成本,并减少对环境的影响。

以上提出的优化方案可以作为改进多晶硅生产工艺的参考,希望能对相关行业的发展和实践有所帮助。

一种用于处理多晶硅副产高沸物的装置和方法

一种用于处理多晶硅副产高沸物的装置和方法

一种用于处理多晶硅副产高沸物的装置和方法1多晶硅副产高沸物处理的需求多晶硅是生产太阳能电池的重要材料,它经过一系列的工序制造而成。

在这个过程中,会产生副产物——高沸物,主要是一些高分子化合物和有机溶剂的混合物。

由于其含有高浓度的有机物和有毒物质,不得不加以处理和回收。

目前国内外都存在着一些处理高沸物的技术和设备。

然而,它们不尽完美,成本较高,效果不尽如人意。

2一种新的多晶硅副产高沸物处理装置近年来,研究人员提出了一种设备来满足多晶硅副产高沸物的处理需求。

这个装置是采用一种新型的回收方案,利用冷凝和吸附技术,对高沸物进行物理深度处理。

它主要由以下几个部分组成。

2.1预处理部分在预处理部分,将多晶硅副产的高沸物先进行初步分离和加热处理。

通过减压和加热,将液态高沸物转化为气态。

同时,采用膜分离技术,进一步提纯高沸物,并分离出一些杂质。

2.2处理部分在处理部分,将高沸物通过冷凝器强制冷却,使其快速凝结,在凝固器内形成固态颗粒。

固体颗粒集中后,与气态空气混合后,再经过蓄热器再度加热。

同时,使用活性炭等吸附剂,对高沸物中的有害物质进行吸附,达到深度处理的目的。

2.3尾气处理部分在尾气处理部分,将处理后的尾气通过催化剂反应器进行进一步的处理,去除残留的有机物、恶臭和二氧化碳等物质。

最终经过尾部处理装置去除残留的水分和微量的有毒气体,达到无害化的效果。

3多晶硅副产高沸物处理的新方法此次装置的推出,为多晶硅厂的生产带来了一种更加环保和节能的选择。

与传统处理方法相比,这种方法不仅成本更低,而且能够有效地去除有毒有害物质,回收高沸点有机物,减少资源浪费。

同时,它还具备处理能力大,操作简单等优点,能更好地满足多晶硅行业的要求。

加压塔再沸器失效分析与整改方案

加压塔再沸器失效分析与整改方案

经 验 交 流 加压塔再沸器失效分析与整改方案任军平,张克锋,陶志远(山东华鲁恒升化工股份有限公司,山东德州 253024)摘 要:从设计和操作原因对加压塔再沸器管束断裂失效进行分析,并提出改造方案,对换热器的设计使用有一定的借鉴作用。

关键词:管束;无支承跨距;泄漏中图分类号:T Q053.5;T B115 文献标识码:B 文章编号:1001-4837(2008)01-0056-03Fa ilure Ana lysis on Hea t Exchang i n g Tube of the Re-Bo ilerREN Jun-p i n g,ZHANG Ke-feng,TAO Zh i-yuan(Shandong Hualu-hengsheng Che m ical Co.,L td.,Dezhou253024,China)Abstract:This paper analyzed failures of on heat exchanging tube of the re-boiler.The main causes f or failures of heat exchanging tube were not think about the vibrati on da mage mechanis m of tube bundles on the design of the re-boiler.Key words:tube bundles;unsupported s pan;leak符号说明:Q O———壳程流量,m2/sV C———临界横流速度,m/sV———横流速度,m/sf v———卡门旋涡频率,Hzft———紊流抖振主频率,Hzf a———声频,Hzf———换热管的固有频率,Hz某公司20万吨甲醇精馏工艺流程采用三塔精馏流程。

加压塔为三塔精馏装置中的关键设备,其中再沸器的泄漏将影响甲醇采出量,增大残液量。

多晶硅生产中精馏工序工艺优化浅析

多晶硅生产中精馏工序工艺优化浅析

多晶硅生产中精馏工序工艺优化浅析摘要:多晶硅材料在市场上有较大的需求量,可以通过化工模拟软件PRO,在模拟集成的过程中,集成能量、优化过程,使设备成本得到控制,提升企业生产过程中的工业化程度。

在全球气温变化、能耗量较大的大形势下,产业转型已成为必然趋势。

光伏产能在我国的发展速度较快,逐渐跃居世界先进水平,随着多晶硅材料生产量的不断增大,促使光伏产业呈良性发展。

本文主要分析了传统多晶硅生产精馏工艺的类别、优化精馏工艺的措施展开分析,希望能够为后期的生产发展提供借鉴。

关键词:多晶硅生产;精馏工序;工艺技术多晶硅材料的生产,主要以三氯氢硅为主要的中间产品,且多晶硅与精致三氯氢硅之间在质量上有很大关联。

制作精致三氯氢硅的整个过程,基本上同于精馏工序,利用精馏塔分离、归类原料,整个过程需要大量的蒸汽和循环水,生产质量直接影响着多晶硅的生产质量,需要从精馏工艺方面着手,不断优化。

1传统多晶硅生产精馏工艺的类别1.1合成工艺三氯氢硅是生产多晶硅材料的主要构成部分。

多晶硅精馏的生产过程是制造出精致三氯氢硅的过程。

为了合成三氯氢硅,需要将主要原料氯硅烷在经过粗馏系统、合成精馏系统的处理后,大大提纯的目的。

合成工艺流程具体表现为:第一步,添加氯硅烷入粗馏系统,两个反应塔组成的粗馏系统,填充原料、添加催化剂,在反应装置中完成了氯硅烷的分解。

第二步,在粗馏系统中去除原料杂质,并从混合物中析出三氯氢硅,提高三氯氢硅的纯度。

第三步,对粗提纯三氯氢硅进行处理,在合成精馏系统中重复性的除轻、除重后,确定每一次精馏处理后三氯氢硅的实际纯,直到在精制上满足客观需求。

度1.2还原工艺纯度较高的三氯氢硅仍需要经过精馏塔再次提纯,以析出三氯氢硅、四氯氢硅两种物质,使多晶硅的生产原料纯度达到标准要求。

具体的工艺流程为:首先是在精馏塔在加入精致三氯氢硅后,利用三氯氢硅、四氯氢硅的稳定性,达到分离效果,同时去除了三氯氢硅混合物中含有的杂质成分,提升纯度。

浅析多晶硅项目电气安装工程设计优化

浅析多晶硅项目电气安装工程设计优化

浅析多晶硅项目电气安装工程设计优化摘要:现如今我国工业项目建设规模越来越大,建设的标准也越来越高,项目投资额也越来越大,自动化控制水平也越来越高,工程建设项目管理的难度也越来越大,工程建设项目管理的核心就是有效的控制项目质量目标、造价目标、工期目标及安全目标、环保目标等,而工程项目目标之间存在内在联系和相互制约,在工程项目实施过程中怎样设定、调整、平衡项目目标是工程项目建设管理团队的主要任务,许多项目实施下来都出现超工期、超概算现象,工程项目定位后设计阶段对工程质量、工期、安全、造价影响最大,本文从多晶硅项目电气安装工程实施中遇到问题及处理方法进行总结。

关键词:项目管理;电气安装工程;实施阶段工程建设项目管理的核心就是有效的控制项目质量目标、造价目标、工期目标及安全目标、环保目标等,而工程项目目标之间存在内在联系和相互制约,在工程项目实施过程中怎样设定、调整、平衡项目目标是工程项目建设管理团队的主要任务。

建设方工程项目管理主要工作是协调项目主要参与方(即设计、采购、监理及施工单位等)之间协调、高效工作,协调监理做好工程质量、工期、造价三控工作,协调设计及时完善设计修改变更,协调各施工单位间有序施工,协调采购与施工进度一致。

一、设计优化管理现状近些年多数项目建设时平衡项目目标后均出现边设计边采购边施工边修改现象,多晶硅项目建设时也不例外,为满足项目整体目标也采取设计边采购边施工边修改,采取这样方式加大设计难度及工作量,也加大建设方、监理、施工方管理难度,比较明显的是还会造成设计修改增多、造价上升,因此本项目除了工程质量、安全、工期严控外,及时高效处理设计修改及优化设计、控制工程造价也提到较高的高度,工程管理各专业技术人员也大量参与设计问题的处理,项目部也采取了鼓励大家提合理化建议,过程中合理化建议被采纳并经评议后给一定的奖励,最终项目部采纳了许多工艺、设备、材料、电仪、工程等方面建议并实施,许多建议都是对设计进行优化,对工程造价产生积极影响。

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