2谐振回路
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结论: 当品质因数足够高时 1)小的串联电阻变为大的并联电阻。 2)串联电抗变为同性质的并联电抗。
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由上式,并用式(1.1.2)
R r (1 Q 2 )
1 R L1 2 Q
当Q >> 1时,则
I 2ωL ωL Q 2 Ir r
就可以得到
( 1.1.4 ) r 2 L2 R Q2r r r L Lp L Q r 由上述结果表明,一个高Q电感线圈,其等效电路可以 表示为串联形式,也可以表示为并联式行。在两种形式中, 电感值近似不变,串联电阻与并联电阻的乘积等于感抗的平 方。
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所谓选频(滤波),就是选出需要的频率分量和滤除不需
要的频率分量。
高频电子线路中常用的选频网络有: 振荡电路(由L、C组成) 选频网络 各种滤波器 功能:选频、阻抗变换
单谐振回路 耦合谐振回路
LC集中滤波器
石英晶体滤波器 陶瓷滤波器 声表面波滤波器
谐振:含有两种不同储能性质元件的电路,在某一频率的正弦 激励下,可以产生一种重要的现象,称之为resonance(谐振)
1
L
r
2
于右图中1’-2’两端的导纳,即
1 1 1 (r jL) R jLp
( 1.1.3 )
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3 串、并联阻抗的等效互换
所谓等效,就是指电路工作在某一频率时,不管其内部的 电路形式如何,从端口看过去其阻抗或者导纳是相等的。
图 1.1 串联串、并联阻抗 的等效互换
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1.1.1
高频电路中的元件
1.电阻器 一个实际的电阻器,在低频时主要表现为电阻特性, 但在高频使用时不仅表现有电阻特性的一面,而且还表现有 电抗特性的一面。电阻器的电抗特性反映的就是高频特性。 一个电阻R的高频等效电路如图所示,其中CR为分布 电容,LR为引线电感,R为电阻。
High Frequency Electronic Circuits
主讲:周莹莲
E-mail: zhou_yinglian@
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第2章 谐振回路 2013-7-31
2013-7-31
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上次课:绪论点津
1.无线电通信发展简史:原始手段——有线通信——无线通信
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主要原因:
电路在高频和低阻负载工作时,往往难以达 到良好的阻抗匹配与选频作用。 解决问题的方法:等效互换和抽头
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要串、并联阻抗等效,即 复数的实部和虚部A=a1+ja2, 其中 j 1 为虚数单位, Rp j j2=-1,j3=-j,j4=1X p R jX
设流过电感线圈的电流为I,则电感L上的无功功率为 I2ωL,而线圈的损耗功率,即电阻r的消耗功率为I2r,故由 式(1.1.1)得到电感的品质因数
I 2ωL ωL Q 2 Ir r
( 1.1.2 )
Q值是一个比值,它是感抗ωL与损耗电阻r之比,Q值越高损 ω是一个与频率f 有关的常量, 耗越小,一般情况下,线圈的Q值通常在几十到一二百左右。在谐振 ω=2π/T=2πf, ω单位为弧度/ 时,电容和电感两端电压等,且为电源电压的Q倍,由于谐振时电 称(rad/s) 抗常比电路中的电阻大得多,Q值一般在几十到几百之间。
本章重点:串联、并联和互感耦合谐振回路的主要性能
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章节内容:
1.1 1.2 1.3 高频电路中的元器件 简单谐振回路 滤波器的其他形式
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谐振回路在高频电路中即为选频网络(滤波器)
各种形式的选频网络在高频电子线路中得广泛的应用。 选频网络的作用:选出所需要的频率和滤除不需要的频率量。 通常分为两类: 第一类由电感和电容组成的振荡回路(也称谐振回路); 它又可分为单谐振回路和耦合谐振回路; 第二类其它各种滤波器: 如LC集中参数滤波器,石英晶体,陶瓷和表面声波滤波器 本章主要讨论第一类滤波器
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1.1
高频电路中的元器件
各种高频电路基本上是由有源器件、无源元件和无源网 络组成的。 高频电路中使用的元器件与在低频电路中使用的元器件 基本相同,但是注意它们在高频使用时的高频特性。 高频电路中的元件主要是电阻(器)、电容(器)和电 感(器), 它们都属于无源的线性元件。高频电路中完成信 号的放大,非线性变换等功能的有源器件主要是二极管,晶 体管和集成电路。
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在电路分析中,为了计算方便,有时需要把电感与电阻 串联形式的线圈等效电路转换为电感与电阻的并联形式。 下图中的LP、R表示并联形式的参数。
1’ LP 2’
阻抗的倒数定义为导纳,即Y=1/Z,电阻导纳YR=1/R=G,YC=jωc, YL=1/jωL=-j1/(ωL) R 电容或电感的阻抗和导纳均为虚数,它们的阻抗可表示为z=jx,x称为 电感线圈串、并联等效电路 电抗。对电容来说XC=-1/ωc称为电容的电抗,简称容抗,XL=ωL电感 的电抗,称为感抗, 根据等效电路的原理,在左图中1-2两端的导纳应等
令两边的实数与虚数部分相等,即得
Rp Xp
2 R s2 X s
Rs R s2 X s2 Xs
2 Zs
Rs
2 Zs Xs
式中Zs2=Rs2+Xs2,这就是串联阻抗变为并联阻抗的 公式。
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也可将以上的公式改换为品质因数QL的关系式: 串联电路的品质因数 X
Morse 有线电报,Bell 有线电话。 Maxwell 在理论上发现电磁 场理论,Hertz 在实践上证明电磁场的存在 2.调制的原因:信号在空间直接发送存在的问题: 天线尺寸;信号选择 3.发射设备主要有两大任务: 一是调制, 二是放大(电压、功率放大) 4.图0.5 和0.6 两个输入信号。频率为 fc 的高频已调信号,本机振荡器产生的频率为 fL 的本振信号,将频率为 fc 的高频已调信号不失真的变换为载波频率 为 fI 的中频已调信号:f f f ,我国中频为: f 465 kHz
上式表明,若以并联形式表示Q时,则为并联电阻与 感抗之比。
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4.电容器的高频特征
一个实际的电容器除表现电容特性外,也具有损耗 电阻和分布电感。 在分析一般米波以下频段的谐振回路时, 常常只考虑电容和损耗。 电容器的等效电路也有两种形式, 如图所示。
R
r
C Cp
1.相等:若两复数的实部和虚 Rp jX p Rp jX p 部分别相等,则这两个复数相 令Zp=Zs 等 Rp jX p Rp jX p
2 2 2.加减运算:几个复数的相加 Rp X p Rp X p 2 j 2 2 2 或相减就是把它们的实部和虚 Rp X p Rp X p 部分别相加或相减 R X2 3.故 除法运算:为使分母有理
并联电路的品质因数
QL1
QL 2
s
Rs
RP XP
尽管电路形式变化,但是二者的品质因数应该பைடு நூலகம்等。
Rp Xs QL1 QL 2 QL Rs Xp
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因此将上式可改写成
Rs Rp X
2 p 2 p 2 p
X R X
2 p 2 p
2 p
1 2 Xp 1 2 Xp
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Q的物理意义:表征回路谐振 在无线电技术中通常不是直接用等效电阻r,而是引入 过程中电抗元件的储能与电阻 线圈的品质因数这一参数来表示线圈的损耗性能。 元件的耗能的比列关系。 品质因数定义为无功功率与有功功率之比 :
无功功率 Q 有功功率
( 1.1.1 )
L
r
电感线圈的串联等效电路
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电阻r随频率增高而增加,这主要是集肤效应的影响。 所谓集肤效应是指随着工作频率的增高,流过导线的交流 电流向导线表面集中这一现象,当频率很高时,导线中心 部位几乎完全没有电流流过,这相当于把导线的横截面积 减小为导线的圆环面积,导电的有效面积较直流时大为减 小,电阻r增大。工作频率越高,圆环的面积越小,导线电 阻就越大。 参看书P9 图1.1.3集肤效应示意图
I L c
I
5.无线电波主要传播方式:地波(绕射)传播 ;天波(反射和折射)传 播 ;空间波(视距)传播
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教学目的与要求
掌握串联与并联谐振回路的主要性能;
谐振条件与谐振曲线,通频带,Q值的意义;信号源 5 内阻与负载阻抗对谐振回路的影响。 掌握两种谐振回路的阻抗互换与抽头的采取阻抗变换 熟悉互感耦合回路的主要性能:反射阻抗的物理意义,欠耦 合、过耦合与临界耦合,谐振曲线。 了解其他形式的滤波器,主要是石英晶体滤波器的特性
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同理,可以推导出上图串、并联电路的变换式:
R r (1 Q 2 C ) 1 Cp 1 1 2 QC
当Q >> 1时,它们近似式为
1 R rQ C 2 2 C r
2
Cp C
上面分析表明,一个实际的电容器,其等效电路可以表 示为串联形式,也可以表示为并联形式。 两种形式中电 容值近似不变,串联电阻和并联电阻的乘积等于容抗的平 方。
CR LR R
电阻的高频等效电路
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2.
电感线圈的高频特性
电感线圈在高频频段除表现出电感L的特性外,还具有 一定的损耗电阻r和分布电容。在分析一般长、中、短波频 段电路时,通常忽略分布电容的影响。因而,电感线圈的等 效电路可以表示为电感L和电阻r串联,如图所示。
R X
Rp
Rp
2 1 QL
2 Xp
Xs
2 Rp X p
R X
2 p
2 p
1 R 2 Xp
2 p 2 Rp 2 Xp
1 X 2 Xp
2 p
2 QL Xp Xp 2 1 QL
2 Rp 1 QL Rs 所以等效互换的变换关系为:
1 X p X s 1 2 Q L
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1.1.2
高频电路中的有源器件
从原理上看,用于高频电路的各种有源器件,与用 于低频或其他电子线路的器件没有根本不同。 各元件按照能否产生或者控制能量,可分为 只是由于工作在高频范围,对器件的某些性能要求 有源元件和元源元件。 更高。 随着半导体和集成电路技术的高速发展,能满足高 电阻器、电感器和电容器属于无源元件,无 频应用要求的器件越来越多,也出现了一些专门用途的高频 源元件所消耗(或储存)的能量一定为非负 半导体器件。
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Rp 1 Q Rs
2 L1
1 1 2 Xp Xs QL1
2 Rp RsQL1 QL 1≥10时,
Xp Xs
以上两式说明:串联电路等效为并联 电路后,XP与XS性质相同(电抗的性质 不变),大小相等,小的RS则变成大 的RP(比RS大Q2L倍)
电容器的串、并联等效电路
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为了说明电容器损耗的大小,引入电容器的品质 因数Q,它等于容抗与串联电阻之比
1 C 1 Q r Cr
比。
( 1.1.5 )
若以并联等效电路表示,则为并联电阻与容抗之
Q
R CPR 1 CP
( 1.1.6 )
电容器损耗电阻的大小主要由介质材料决定。 Q值 可达几千到几万的数量级,与电感线圈相比, 电容器的损 耗常常忽略不计。
s
s
Rp jX p
化,必须把分子和分母同乘以 R X 分母的共轭复数
2 p 2 p
Rs
p
p
Xs
2 Rp X p 2 2 Rp X p
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式中ZP2=RP2+XP2,这就是并联阻抗变为串联阻抗的 公式。 若将串联阻抗变换为并联阻抗,可用导纳公式
1 1 1 Rs jX s RP jX P
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L
2
2
2 L2
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由式(1.1.4)看出,r越小R就越大,即损耗小,反之, 则损耗大。 一般地,r为几欧的量级,变换成R则为几十到几 百千欧。 Q 也可以用并联形式的参数表示。 由式(1.1.4)有
r
2 L2
R
上式代入(1.1.2)得
R R Q L Lp