一种MOCVD方式自组装生长GaAs纳米结构的方法[发明专利]
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专利名称：一种MOCVD方式自组装生长GaAs纳米结构的方法
专利类型：发明专利
发明人：魏志鹏,陈新影,李金华,方铉,方芳,王晓华,王菲
申请号：CN201110290014.8
申请日：20110928
公开号：CN102345110A
公开日：
20120208
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明采用金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition 简称MOCVD)方法制备GaAs纳米结构。
在GaAs体材料衬底上气化生长GaAs纳米结构，属V-S(气-固)机制。
在真空反应室中，用GaAs体材料做衬底，并对衬底高温加热，当达到一定温度(700℃-1200℃)时，衬底GaAs被分解，As气化，留下单质Ga纳米结构。
同时通入有机化合物叔丁基砷(TBAs)As源到反应室中，TBAs的热分解温度较低。
真空反应室中As的浓度越来越大，当As的浓度达到一定值时，对系统迅速降温，使As以自组装形式与Ga又重新结合，形成GaAs纳米结构，以氮气(N)作为载气，以氩气(Ar)作为保护气，防止As在气化时生成氯化砷，也防止单质Ga被氧化。
利用这种方法生长GaAs纳米结构，操作简单，给量产带来很大便利。
申请人：长春理工大学
地址：130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号
国籍：CN
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