【CN110086080A】半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910297033.X
(22)申请日 2019.04.12
(71)申请人 苏州长光华芯光电技术有限公司
地址 215163 江苏省苏州市高新区昆仑山
路189号2栋
(72)发明人 程洋　王俊　赵智德　谭少阳　
(74)专利代理机构 北京三聚阳光知识产权代理
有限公司 11250
代理人 罗啸
(51)Int.Cl.
H01S 5/022(2006.01)
H01S 5/34(2006.01)
(54)发明名称
半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和
半导体激光器
(57)摘要
本发明公开了一种半导体激光器非吸收窗
口及其制备方法和半导体激光器，该制备方法包
括：在半导体激光器晶圆的待扩散区域生长扩散
源；对生长有扩散源的晶圆在包含射频电场、砷
气氛及轰击离子的环境中退火，形成非吸收窗
口。

通过实施本发明，在射频电场的作用下，轰击
离子会轰击晶圆片表面，在无保护层的扩散源内
部产生空位缺陷，富As的环境有利于外延层中的
Ga、Al原子向扩散源中扩散，并在扩散源内部同
As原子相结合，同时在外延层中留下空位。

外延
层中空位的增多能够促进杂质向下扩散，提高杂
质向下扩散的浓度与深度，减小扩散温度和扩散
时间，提高器件的可靠性，
降低生产成本。

权利要求书1页 说明书5页 附图6页CN 110086080 A 2019.08.02
C N 110086080
A
权　利　要　求　书1/1页CN 110086080 A
1.一种半导体激光器非吸收窗口的制作方法，其特征在于，包括：
在半导体激光器晶圆的待扩散区域生长扩散源；
对生长有扩散源的所述晶圆在包含射频电场、砷气氛及轰击离子的环境中退火，形成非吸收窗口。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器非吸收窗口的制作方法，其特征在于，所述对生长有扩散源的所述晶圆在包含射频电场、砷气氛及轰击离子的环境中退火，形成非吸收窗口包括：
将生长有扩散源的所述晶圆置于包含射频电场的扩散炉中；
在所述扩散炉中通入包含砷及轰击离子的混合气氛；
以预设压力和预设温度对所述晶圆进行退火，形成所述非吸收窗口。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器非吸收窗口的制作方法，其特征在于，所述预设压力为10－1000Pa，所述预设温度为350℃－600℃。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器非吸收窗口的制作方法，其特征在于，所述在半导体激光器晶圆的待扩散区域生长扩散源包括：
在半导体激光器晶圆片的上表面形成第一保护层；
图形化所述第一保护层，形成所述待扩散区域；
在所述待扩散区域和所述第一保护层表面生长所述扩散源。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器非吸收窗口的制作方法，其特征在于，所述图形化所述第一保护层，形成所述待扩散区域包括：
采用光刻和刻蚀工艺，在所述晶圆片上表面形成条形所述第一保护层；
采用刻蚀工艺，去除晶圆片上表面未覆盖所述第一保护层的部分晶圆片。

6.根据权利要求4所述的半导体激光器非吸收窗口的制作方法，其特征在于，在所述待扩散区域和所述第一保护层表面生长所述扩散源之后，还包括：
在生长扩散源表面上沉积第二保护层；
采用刻蚀工艺，去除待扩散区域表面的第二保护层。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器非吸收窗口的制作方法，其特征在于，在所述对生长有扩散源的所述晶圆在射频电场中退火，形成非吸收窗口之后，还包括：去除晶圆片表面的第一保护层、未扩散的扩散源和第二保护层。

8.根据权利要求1所述的半导体激光器非吸收窗口的制作方法，其特征在于，所述在半导体激光器晶圆的待扩散区域生长扩散源包括：
在砷气氛中生长所述扩散源。

9.一种半导体激光器非吸收窗口，其特征在于，所述非吸收窗口采用如权利要求1－8任一项所述的半导体激光器非吸收窗口的制作方法制备。

10.一种半导体激光器，其特征在于，包括如权利要求9所述的半导体激光器非吸收窗口。

2。