制绒清洗工艺文件
酸碱制绒工艺
酸碱制绒工艺第一部分碱制绒作业规程一碱制绒作业步骤1、称重每次试制绒片需称重，计算硅片的减薄量，了解制绒液的反应情况。
2、预清洗先精确称量氢氧化钠和清洗剂进行配液，加热，温度稳定在60℃左右，开始定时5min超声预清洗，取出时尽量使硅片表面附着的清洗剂滴回预清洗槽内。
每清洗900片需换液。
3、漂洗漂洗时，片盒上下抖动。
根据实际情况，可以加超声，延长漂洗时间，多次漂洗，用热水漂洗，用有机溶剂如IPA漂洗等等。
确保漂洗干净。
4、制绒配液，制绒液控制在80~83℃范围内，搅拌均匀后定时25min制绒。
制绒过程中的影响因素：①碱液浓度、异丙醇浓度；②溶液温度、制绒时间长短；③槽体密封程度、IPA挥发程度；④制绒槽内硅酸钠的累积量。
5、漂洗制绒完后，取出硅片，放入漂洗槽中漂洗，也将片盒上下抖动，确保漂洗干净。
6、酸洗及后道工序7、制绒补液经验补液量来补液：一般每盒25片单晶（125×125）硅片，补氢氧化钠40克，补异丙醇300毫克。
三绒面分析第二部分酸制绒多晶操作工艺一概述太阳能电池片的生产流程：一次清洗→扩散→刻蚀→二次清洗→PECVD→丝网印刷→烧结→测试分选→检验入库二一次清洗（扩散前清洗）1、一次清洗的目的：a. 去除切割硅片时硅片表面产生的损伤层，清除硅片表面的油类分子及金属杂质。
b.对硅片表面进行织构化处理，降低硅片表面对光的反射率。
2、绒面的作用及其陷光机理：作用：减少光的反射率，提高短路电流（Isc），最终提高电池的光电转换效率。
解释机理：当光入射到一定角度的斜面或粗糙的表面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。
3、一次清洗工艺流程：酸制绒→漂洗→碱洗→漂洗→HF→漂洗、溢流→酸洗→漂洗、溢流→喷淋4、一次清洗中各反应原理：制绒槽：HF-HNO3溶液，去除表面油污、切割损伤层以及制备绒面；反应如下：3Si + 18HF + 4HNO3→3H2SiF6 + 8H2O + 4NO↑碱洗槽：NaOH溶液，主要中和残留在硅片表面的酸，同时发生下列化学反应：Si+2NaOH+H2O = Na2SiO3+2H2↑酸洗槽：HF去除硅片在清洗过程中形成的很薄的SiO2层，反应如下：SiO2+6HF = H2[SiF6]+2H2OHCL,HF同一些金属离子络合，使金属离子脱离硅片表面。
作业指导书-制绒清洗
2.3.8制绒工序做好各种记录表格，包括：DI水电阻率检查表、制绒槽中定量补药记录表、每个槽的药液和水的更换记录表每个槽生产批次及停止生产时间记录表。
2.3.9当发现单面刻蚀深度低于8μm或高于13μm时，应及时调整该槽中KOH的加入量，通常以0.1L为单位。
4.5发现工艺槽槽体及液体颜色出现异常时，应立即通知设备工程师和工艺工程师。
4.6不允许将片盒或篮ຫໍສະໝຸດ 直接放在地面上并与金属直接接触。4.7每条线制绒与扩散工序之间的在制品在置时间不能超过4小时。
4.8每批测量3片硅片来检查腐蚀厚度，第一片架的第5片，第二片架的第55片，第三片架的第95片。
4.9在更换所有药液做清洗工作时，所有槽只需做一次溢流清洗，然后用水枪清洗干净即可。
3.2工具：防护用品（耐酸碱长袖手套、防酸碱围裙、防护眼镜、防护面罩）、PVC/昵绒手套。
3.2材料：硅片、NaOH、HF、HCL、IPA、DI水。
4.注意事项
4.1检查制绒质量，观察是否出现异常,详细参照代表性样品。若出现异常情况，目测或参考有代表性的样品，在WI规定范围内做调整（见2.2.8）整，问题仍不能解决则通知技术员做工艺调整。
2.3.2每一制绒槽中的溶液必须在十批硅片后更换。
2.3.3如果中间停止生产45分钟的话，制绒槽中加入IPA1.3 L，KOH补0.8 L。
2.3.4如果中间停止生产一小时的话，制绒槽中加入IPA1.7 L,KOH补0.8 L。
作业指导书
制绒清洗
文件号：YLOT-OI-S5D65-TEX
版本：2011.001（试行）
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标准化
制绒工艺说明
3.7溶液的定期调节
3.7.1粗抛液3个工作日要彻底换一次液，换液时要彻底清洗槽子，用抹布擦干净槽子边沿、槽底和加热电阻丝上的沉积物。
3.7.2制绒槽从上次调液（或新配液）开始累计生产量达到4000片时，要放掉1/3溶液，加750gNaOH和5瓶无水乙醇，试片，稳定后进行生产。
3.7.3水洗的8、9、10槽要12小时换水一次。
3.8工艺卫生要求
3.8.1制绒车间要保持清洁，地面常有碱液或干碱，要经常打扫。
3.8.2盛过碱液或乙醇的塑料桶要及时刷洗，不可无标识长时间用桶盛碱液或乙醇。
3.8.3物品和工具定点放置，用过的工具要放回原位，严禁乱放。
3.8.4每班下班前要对制绒机进行卫生打扫，擦掉机器上面的碱，擦掉槽盖上的硅胶。
制绒液：按照3.3.1条的浓度计算出170L制绒液所含有的NaOH、Na2SiO3和无水乙醇的量，清洗好制绒槽，关闭排水阀门，打开进水阀门向槽中缓慢放水，同时向槽中倒入NaOH、Na2SiO3和无水乙醇，
过程中用水瓢不断搅拌溶液，待加完NaOH、Na2SiO3和无水乙醇后，放水调整液面至溢水口下方2cm
3操作规程
3.1装片
3.1.1戴好防护口罩和干净的PE手套。
3.1.2将仓库领来的硅片从箱子中取出，以400片为一个生产批次把硅片装入“硅片盒”。
3.1.3在“工艺流程卡”上准确记录硅片批号、生产厂家、电阻率和投入数。
3.1.4在“工序产质量报表”上详细记录领料数、实际投入数、产出数，有缺片现象时要在缺片记录上记录缺片的批号、厂商、箱号和缺片数。
3.1.5装完一个生产批次后把“工艺流程卡”随同硅片一起放在盒架上，等待制绒。
光伏电池制备工艺项目二清洗制绒(000002)
号、供应商和实际数目。
2）每批投片前要检查化学腐蚀槽中的液位，不合适的要 及时调整。
3）小花篮和承载框任何时候不能放在地上。
4）严格控制标准检查绒面质量，绒面不合格的硅片要按 照检验卡片和工序控制点操作，按照规定的程序进行处置。
5）硅片在制绒槽时，绝不能拿出硅片检查绒面情况，要 进入漂洗槽后再查看绒面情况。
5、生产 1）放片 放片员从硅片盒中一次性拿起一叠硅片（最多不能超过
100片），用右手将硅片旋开； 捏住硅片的中间（不能拿硅片的角，容易产生碎片）一
片一片放到轨道上面
轨道共5道，每一道前后2片硅片的距离应大于5cm
2）工序长每隔1000片抽测5片减重情况，并将相关 数据记录在“一次清洗减薄量记录表”中，控制在 0.4～0.5g之间，确定绒面质量合格后，硅片方可流 入下道工序；
在实际工艺中，HF和HNO的3比例、添加剂、温度和时 间等因素，都对绒面结构产生影响。
多晶硅生产
1．准备工作 1）穿戴好工作衣帽、防护口罩和干净的橡胶手套； 2）操作员打开包装，查看规格、电阻率、厚度、
单多晶、厂家、编号是否符合要求； 3）操作员检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺
解决的方法：通常是适当 降低碱液的用量及制绒时 间。
绒面状况
a图中出现的是表面腐
蚀不均、硅片表面部分区
域发白、有彗星现象发生；
出现图中现象的主要原因 是IPA偏少；
解决的方法：通常是适当 增加IPA的用量。
绒面状况
b图中出现的无绒面或表面 有流星雨现象发生；出现 图中现象的原因主要是来 料问题；
制绒工艺的化学反应式与碱制绒硅片表面外貌
碱腐蚀过程中，常用的原材料
制绒清洗工艺
3.适用范围 适用于无锡市瑞能科技有限公司 DUZQJ-9000 型多晶硅制绒清洗机及 QSJ-03 型清洗
甩干机。 多晶硅片绒面制备(硅片型号：156mm*156mm)
4.定义 多晶硅在去清洗腐蚀后，目视硅片表面呈均匀的灰黑色，没有明显的斑点，多晶晶
界不明显。显微镜下，绒面形貌均匀，硅片表面无明显台阶。
边缘将片子取出，尽量不要用手指接触片子的表面。 5 操作时必须安全使用化学试剂及安全使用清洗机。若皮肤沾到化学试剂则立刻用大
量水冲洗，严重的要立即就医。 6 按规定补充和更换制绒槽内的药液（见附表）、溢流槽内的溢流水，保证槽内无碎
1.每个片架最多可以插片 25 片。插片过程中对硅片进行检验，不合格硅片挑出。每 装 100 片硅片需要更换一次手套，如装片过程中手套破损需及时更换。
2.插片处打开包装箱拿取硅片时，遵循少量多次的原则，不允许一次拿过量的硅片。 3.插片时，手中拿的硅片数量在 50-100 片。 4.确保没有缺陷片流出。 5.确认在单个片槽内没有双片现象；各项数据的准确性和完整性。 装片过程中需及时将碎片、裂纹片以及其它与检验标准 不相符合的硅片挑出，并做 好记录。 6.2 腐蚀清洗 6.2.1 开机 打开氮气阀门、压缩空气阀门、纯水阀门，打开总电源→PLC 电源→各分电源 6.2.2 准备工作 6.2.2.1 确认各机械手是否在原点位置。 6.2.2.2 确认各槽清洗状态正常，各槽内按工艺条件正确配液，见《清洗配液作业指导书》。 6.2.2.3 确认各槽排水阀关闭，无漏液等，各槽内注入规定的溶液。 6.2.2.4 确认各槽控制系统工作正常，程序准确，参数设定准确。
1-2 液面高度不足补液： 液面不足时添加原始制绒液，即硝酸:氢氟酸: 水＝5:1:3.4（体积比）
酸碱制绒工艺
酸碱制绒工艺第一部分碱制绒作业规程一碱制绒作业步骤1、称重每次试制绒片需称重，计算硅片的减薄量，了解制绒液的反应情况。
2、预清洗先精确称量氢氧化钠和清洗剂进行配液，加热，温度稳定在60℃左右，开始定时5min超声预清洗，取出时尽量使硅片表面附着的清洗剂滴回预清洗槽内。
每清洗900片需换液。
3、漂洗漂洗时，片盒上下抖动。
根据实际情况，可以加超声，延长漂洗时间，多次漂洗，用热水漂洗，用有机溶剂如IPA漂洗等等。
确保漂洗干净。
4、制绒配液，制绒液控制在80~83℃范围内，搅拌均匀后定时25min制绒。
制绒过程中的影响因素：①碱液浓度、异丙醇浓度；②溶液温度、制绒时间长短；③槽体密封程度、IPA挥发程度；④制绒槽内硅酸钠的累积量。
5、漂洗制绒完后，取出硅片，放入漂洗槽中漂洗，也将片盒上下抖动，确保漂洗干净。
6、酸洗及后道工序7、制绒补液经验补液量来补液：一般每盒25片单晶（125×125）硅片，补氢氧化钠40克，补异丙醇300毫克。
三绒面分析第二部分酸制绒多晶操作工艺一概述太阳能电池片的生产流程：一次清洗→扩散→刻蚀→二次清洗→PECVD→丝网印刷→烧结→测试分选→检验入库二一次清洗（扩散前清洗）1、一次清洗的目的：a. 去除切割硅片时硅片表面产生的损伤层，清除硅片表面的油类分子及金属杂质。
b.对硅片表面进行织构化处理，降低硅片表面对光的反射率。
2、绒面的作用及其陷光机理：作用：减少光的反射率，提高短路电流（Isc），最终提高电池的光电转换效率。
解释机理：当光入射到一定角度的斜面或粗糙的表面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。
3、一次清洗工艺流程：酸制绒→漂洗→碱洗→漂洗→HF→漂洗、溢流→酸洗→漂洗、溢流→喷淋4、一次清洗中各反应原理：制绒槽：HF-HNO3溶液，去除表面油污、切割损伤层以及制备绒面；反应如下：3Si + 18HF + 4HNO3→3H2SiF6 + 8H2O + 4NO↑碱洗槽：NaOH溶液，主要中和残留在硅片表面的酸，同时发生下列化学反应：Si+2NaOH+H2O = Na2SiO3+2H2↑酸洗槽：HF去除硅片在清洗过程中形成的很薄的SiO2层，反应如下：SiO2+6HF = H2[SiF6]+2H2OHCL,HF同一些金属离子络合，使金属离子脱离硅片表面。
清洗制绒的工艺流程及每个步骤的作用
清洗制绒的工艺流程及每个步骤的作用下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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制绒清洗工艺文件
制绒清洗工艺文件．
江西天能电力股份有限公司工艺文件
江西天能电力股份有限公司
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入公式。
清洁Ω施防措预
穿戴工作服、帽、口罩、手套防尘手套×Ω=1.33MΩ 1Ω=13OOOK 塑胶围裙
一次性手套长塑胶手套
附表1超声清洗工艺条件8
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清洗和制绒工艺55764-文档资料
硅片表面的机械损伤层
（三）切割损伤层的腐蚀（初抛）
• 若损伤层去除不足会出现3种可能情况：残余 缺陷、残余缺陷在后续高温处理过程中向材 料深处继续延伸、切割过程中导致的杂质未 能完全去除。 • 硅酸钠的热导性很差。一般硅酸钠超过一定 的量时，腐蚀产生的热量超过从溶液表面和 容器侧面所散发的热量，使溶液的温度持续 升高。所以初抛液必须定期更换或排出部分 溶液。
硅片表面的机械损伤层
（一）硅锭的铸造过程
单晶硅
多晶硅
4
硅片表面的机械损伤层
（二）多线切割
5
硅片表面的机械损伤层
（三）机械损伤层
硅片
机械损伤层（10微米）
6
硅片表面的机械损伤层
（三）切割损伤层的腐蚀（初抛）
• 线切割损伤层厚度可达10微米左右。 • 一般采用20%的碱溶液在90℃条件腐蚀 0.5～1min以达到去除损伤层的效果,此时的 腐蚀速率可达到4～6um/min 。 • 初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减 短，以防硅片被腐蚀过薄。 • 对于NaOH浓度高于20%W/V的情况，腐蚀速 度主要取决于溶液的温度，而于实际浓度关 系不大。
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关键因素的分析 ——乙醇或异丙醇的影响
• 气泡的直径、密度和腐蚀反应的速率限定了硅片 表面织构的几何特征。气泡的大小以及在硅片表 面停留的时间，与溶液的粘度、表面张力有关系。 所以需要乙醇或异丙醇来调节溶液的粘滞特性。 • 乙醇的含量在3 vol%至20 vol%的范围内变化时， 制绒反应的变化不大，都可以得到比较理想的绒 面，而5 vol%至10 vol%的环境最佳。
利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上 具有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片 表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌 ，就称为表 面织构化。角锥体四面全是由〈111〉面包围形 成。 反应式为： Si+2NaOH+H2O →Na2SiO3 +2H2 ↑
多晶制绒工艺文件
1．目的:多晶硅片经过腐蚀清洗后，表面状态和绒面达到制绒工序检验标准。
2. 适用范围:适用于156多晶硅片清洗制绒工序。
3. 内容：本工艺说明由电池事业部工艺人员制定修改；生产人员按文件要求执行；质量部负责按文件要求对工艺检查、监督。
3.1 配槽3.1.1 开启控制面板电源，打开控制界面。
3.1.2 进入手动控制状态，执行2#、4#、6#槽废液排放、槽体清洗、废液排放命令。
3.2 自动运行3.2.1 配槽完成后，启动自动运行模式，检查设备运转状况，确认带速为1.2m/min，刻蚀槽槽液温度为3摄氏度。
3.2.2 5分钟后，若设备运转正常，试投一片进行减薄量测试。
3.2.3 减薄量在0.3-0.4克之间时，可以进行正常投片，否则需调节带速、刻蚀槽槽液温度修正减薄量。
3.3 开包装盒、上片3.3.1 工具：美工刀、156×156片盒(PVDF材料)3.3.2 穿戴：乳胶手套；3.3.3 作业过程：3.3.3.1 用美工刀将包装盒上的胶带划开；3.3.3.2 将上盖移走，取出盒内硅片两边的夹层垫片，两边要求各剩一片垫片；3.3.3.3 将片盒放在上料台上；3.3.3.4 戴上乳胶手套，从片盒中取出原硅片。
一只手中拿住硅片，另一只手轻轻将硅片分开，一片片放到上料滚轮上。
上片时按一定顺序，呈阶梯状摆放，前后片间隔需大于5厘米。
3.3.4 过程检验：放片过程中，须将有崩边、严重线痕、翘曲、油污片、原损片（穿孔、缺角、隐裂等）、明显偏厚或偏薄等不合格硅片挑出（除包装盒上写明不合格硅片类型外）。
放入到废片盒中。
3.4 收片3.4.1 工具：真空吸笔、156×156小花篮3.4.2 穿戴：乳胶手套；3.4.3 作业过程：3.4.3.1戴上乳胶手套，将小花篮放到收片台上。
拿住真空吸笔，将传送带运送过来的硅片顺序吸取，正面朝同一方向插入小花篮中。
碎片放入碎片盒中。
3.4.3.2 小花篮装满后，迅速更换。
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制绒清洗工艺文件江西天能电力股份有限公司5.2在操作过程中遇到问题应及时向相关技术人员反应，相关技术员及时提供帮助。
6.内容6.1插片6.1.1主要原材料：合格的多晶硅片6.1.2工装、设备：片架（小花蓝）清洗花篮美工刀6.1.3工艺过程6.131穿戴好工作服、工作帽、口罩和一次性手套。
6.1.3.2准备好片架、装片记录表以及工序流程卡。
6.1.3.3查看配料单，确认原材料信息以及数量，并填写装片记录和工序流程卡。
6.1.3.4检查硅片包装箱确认包装无撞击破损后打开，取出硅片包装盒，在装片记录上记录相关信息。
6.1.3.5打开硅片包装盒，从中抽取一片，按照检验标准分别检查其外观。
6.1.3.6取出包装盒内的硅片，并撵成扇形轻轻插入片架内。
6.1.3.7将装好硅片的片架分批按顺序整齐摆放在台面上，并将工序流程卡记录准确。
6.1.3.8将片架放入清洗花篮中每个清洗花篮中放置3X 4个插片后的片架。
准备下一步腐蚀清洗。
6.1.3.8注意事项1.每个片架最多可以插片25片。
插片过程中对硅片进行检验，不合格硅片挑出。
每装100片硅片需要更换一次手套，如装片过程中手套破损需及时更换。
2.插片处打开包装箱拿取硅片时，遵循少量多次的原则，不允许一次拿过量的硅片。
3.插片时，手中拿的硅片数量在50-100片。
4.确保没有缺陷片流出。
5.确认在单个片槽内没有双片现象；各项数据的准确性和完整性。
装片过程中需及时将碎片、裂纹片以及其它与检验标准不相符合的硅片挑出，并做好记录。
6.2腐蚀清洗6.2.1开机打开氮气阀门、压缩空气阀门、纯水阀门，打开总电源- PLC电源一各分电源6.2.2准备工作6.2.2.1确认各机械手是否在原点位置。
6.2.2.2确认各槽清洗状态正常，各槽内按工艺条件正确配液，见《清洗配液作业指导书》。
6.2.2.3确认各槽排水阀关闭，无漏液等，各槽内注入规定的溶液。
622.4确认各槽控制系统工作正常，程序准确，参数设定准确。
622.5点检各设备动力参数在规定范围内。
6.2.3关机6.2.2.1关机前先把水及药液完全排出（各槽逐个排液，防止副槽水溢流），把机械手打回原点。
6.2.2.2关闭各分电源-PLC电源一总电源一氮气、压缩空气、纯水阀。
6.2.4工艺过程酸腐蚀制绒：8槽清洗机中的第1槽，工作温度7C±「C,时间120土10sec （时间长短根据硅片减薄量控制，156硅片减薄量控制在每片0.40〜0.55g。
漂洗/喷淋：8槽清洗机中的第2槽，水洗槽时间2〜5 min。
KOH碱洗：8槽清洗机中的第3槽，KOH百分浓度2.4%，时间6〜12sec。
漂洗：8槽清洗机中的第4槽，水洗槽时间2〜4sec。
HCl酸洗：8槽清洗机中的第5槽，HCI+ HF百分浓度5〜10% 时间2〜4sec。
漂洗：8槽清洗机中的第& 7槽，漂洗槽时间2〜4sec。
喷淋：8槽清洗机中的第8槽，喷淋槽时间1〜3sec。
6.2.5工艺说明6.2.5.1表面绒面均匀、无亮块、无白斑（干燥硅片在日光灯或聚光灯下检查）。
6.2.5.2去除厚度要求：硅片腐蚀去除厚度范围7.7〜9.4卩m以8〜9.1卩m（ 0.47〜1-1-1补液配方：硝酸：氢氟酸=1:2.35 （体积比），即10升硝酸加23.5升氢氟酸1-1-2制绒补液时间和量：每做300片156硅片后补液一次，1.61L;或者加入硝酸0.48L和氢氟酸1.13L 1-2 液面高度不足补液：液面不足时添加原始制绒液，即硝酸：氢氟酸：水=5:1:3.4 （体积比）1-3槽液寿命：1万片（暂定）2KOH补液：配方：45%KOH补液时间和量：每做2000片补液一次，每次加入0.2升45%KO H。
槽液寿命：1万片（暂定）3HCl补液：配方：37%盐酸补液时间和量：每做2000片补液一次，每次加入1升37%盐酸。
槽液寿命：1万片（暂定）后清洗补液配方：49%氢氟酸槽液寿命：1万片（暂定）6.2.5注意事项1操作时，必须按酸、碱清洗要求穿戴好相关的个人防护用品。
2定时检查各槽内的实际温度，温度要在正确范围内，否则汇报工序负责人解决。
3每一批抽一片观察绒面，发现异常情况及时解决，若解决不了的及时反馈。
4抽取片子时，用手在片架的H面将片子从片架的底部托起，用另一只手夹住片子两边缘将片子取出，尽量不要用手指接触片子的表面。
5操作时必须安全使用化学试剂及安全使用清洗机。
若皮肤沾到化学试剂则立刻用大量水冲洗，严重的要立即就医。
6按规定补充和更换制绒槽内的药液（见附表）、溢流槽内的溢流水，保证槽内无碎片、无沾污（将槽放满水后排空，循环冲洗一到两次）。
7在硅片准备进行制绒前，制绒槽温度必须在规定范围内。
8初始配制的制绒液或者停止生产两小时以上的制绒液需要活化才能继续进行生产，活化方法是利用低等级硅片经过一个正常工艺流程。
9在接触硅片、片架、花篮等需要保持干净的物品时需要带好一次性手套。
7.3甩干731开机7.3.1.1打开电源开关、及各控制开关；7.3.1.2打开压缩空气、氮气、纯水总阀门和分阀门。
操作过程见《甩干作业指导书》7.3.2关机7.3.2.1关闭电源开关、及各控制开关，关闭压缩空气、氮气、纯水总阀门和分阀门。
7.3.3注意事项1.当出现故障时，应立刻按下“急停”按钮，在故障清除后，向右旋转“急停”按钮，再重新启动。
2.在盖未完全关闭或打开时切勿将手伸进机器内。
3.甩干后用来装片架的周转箱必须无碎片、无水，保持清洁。
6注意事项1.清洗腐蚀所用药品HN03 HF、KOH HCL去离子水。
2.以损伤层去除干净为准，可适当增加去损伤槽浓度或时间或温度。
3.每隔三小时对制绒槽及温水溢流槽各测温一次，记录在清洗加液记录的备注栏里,4.如厚度超出或低于工艺规定范围，可适当增加或减少去损伤层或者制绒的时间、浓度等，并及时调整添加量。
7.异常处理1.如因过度沾污引起的色差，返工无效，可由技术员签字后往下流通。
2.对于一批产品中有一两个片架有异常，如果是一面表面质量合格的重新插片后技术员签字往下流；如果两面都有异常则需留下来与下一批异常产品进行并批，将合格的产品往下流通，不合格的由技术员安排是否流通或者返工。
3.对于需整批返工的产品一律在早班进行返工处理。
4.片子甩干出来后，没有送入扩散超过6小时，需在HCI酸洗槽再走一遍5.甩干工艺条件见附表78.工艺条件8槽清洗机的工艺条件9.卫生要求9.1制绒车间要保持清洁，不要把酸、碱滴到地面上。
9.2盛过酸碱液的塑料桶、杯要及时刷洗，不可无标识长时间用桶盛酸碱液。
9.3每班下班前要对制绒机进行卫生打扫，冲掉设备上面的酸碱，清理槽体，无碎片、杂物。
9.4每月应安排打扫设备和槽，彻底清扫，具体清洗项目见《清洗机定期清洗项目及规范》10.工装夹具设备、仪器工具、夹具名称规格或代号名称规格或代号8槽清洗机花篮特制搬运车片架125X 125甩干机特制周转箱M891001塑料量杯500mL, 2L, 5L防酸手套M570006防酸围裙M570013一次性手套M570001乳胶手套M570003定性滤纸M570029电子称M8800仃C材料名称规格动力多晶硅片125 x 125mm 156X 156mm 电源：220V-50HZHNO 65 -68 % 分析纯温度：25± 3CHF 49 %分析纯纯水（去离子水）KOH45%分析纯氮气HCl 37%分析纯压缩空气0.5-0.7MPa在此处键去离子水》13M Q =13OOOK=1.3 x入公式工艺卫生等级清洁预防措施穿戴工作服、帽、口罩、手套13M Q =13OOO Q=1.3 x “ Q防尘手套塑胶围裙一次性手套长塑胶手套附表1超声清洗工艺条件附表3:配液、加液规则附表4制绒质量异常处理附表5硅片去除厚度及重量与消耗HNO血间的关系附表5酸槽清洗机工艺条件附表7甩干工艺条件根据瑞能设备修改温度「C ）纯水流量工作气体压力（MPA清洗环节烘干环节110-12>4LPM压缩空气0.5-0.7氮气0.4-0.6时间（S）转速（RPM 时间（S）转速（R PM220 300 350 650125多晶去除厚度（卩m）51012去除重量（g）0.183-0.367- 0.441-0.1870.375 0.45需添加HNO3瓶）156多晶去除厚度（卩m）51012去除重量（g）0.286-0.572- 0.682920.584 0.701 需添加HNO（瓶）槽位23 24 25 26 27 28 29 时间（分）流动去流动去HCL: 21L 离子水清洗流动去离子水清洗HF:12离子水流动去离子水清洗流动去离子水清洗溶液鼓泡鼓泡清洗鼓泡鼓泡鼓泡每六小时配液每班配每班换液每六小时配液每班换每班换液注：甩干时间、转速只允许技术人员在可调整范围内进行修改，并记录11.自检11.1主要原材料：甩干的硅片11.2工装、设备显微镜11.3工艺过程11.3.1目视硅片表面呈均匀的灰黑色，没有明显的斑点，多晶晶界不明显11.3.2显微镜下，绒面形貌均匀，绒面高度3—5微米。
11.3.3制绒后硅片厚度与原始硅片厚度相差不超过12微米。
12.附件《集成流程卡》《清洗工序班前检查表》《清洗工序记录单》《清洗化学品领用登记表》《清洗工序过程巡检表》编制审核批准。