模拟电子技术(14)--期末试卷及答案三

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模拟电子技术试卷及答案

《模拟电子技术》试卷一.填空题(每空1分,共30分)1．P型半导体掺入三价元素，多子是自由电子，少子是空穴。

2．PN结主要特性是具有单向导电性，即正导通，反向截止。

3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。

4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的放大区；在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区，此时也称它工作在开关状态。

5．幅度失真和相位失真统称为频率失真，它属于线性失真。

6．功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率，乙类功率放大电路的效率最高。

7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入a（a.直流负反馈，b.交流负反馈）。

8．三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。

9．分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用，其原理是构成电压串联负反馈。

10．集成运算放大器是直接耦合放大电路。

集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端同相；后者的极性同输出端反相。

11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为PMOS和NMOS型。

二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V。

CA) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.22．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ）A) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；N沟道结型3．在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大I E，电压放大倍数将（A）A) 增加B)减小C) 不变D) 不能确定4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。

模拟电子技术基础试卷及答案(期末) 3

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三（本科）及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。

a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。

a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。

当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。

a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。

a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。

已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd =A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（）。

a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（）。

a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（）。

《模拟电子技术》期末试卷及答案

《模拟电子技术》期末试卷及答案（本题每空1分，共20分）一、填空题：1. 二极管的伏安特性上分有四个区，分别是区、区、区和。

2. 双极型三极管属于控制型器件，单极型三极管属于控制型器件。

3. 理想运放的电路模型中，开环电压放大倍数A O＝，差模输入电阻r i= ，输出电阻r O= ，共模抑制比K CMR= 。

4. 击穿属于碰撞式的击穿，击穿属于场效应式的击穿，这两种击穿均属于击穿，具有互逆性。

5. 共发射极组态、共集电极组态和共基组态这三种放大电路中，其中组态的放大电路放大能力最强，组态的放大电路只有电流放大能力而没有电压放大能力，组态的放大电路只有电压放大能力而没有电流放大能力。

6. 放大电路中的负反馈类型可分有负反馈、负反馈、负反馈和负反馈。

（本题每小题1分，共10分）二、判断下列说法的正确与错误：1. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会造成永久型损坏。

（）2. 无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。

（）3. 甲类、乙类和甲乙类功放均存在“交越失真”现象。

（）4. 射极输出器是典型的电流串联交流负反馈放大电路。

（）5. 共模信号和差模信号都是放大电路需要传输和放大的有用信号。

（）6. 所有放大电路的输入电压信号和输出电压信号都是反相的。

（）7.设置静态工作点的目的，就是让交流信号叠加在直流载波上全部通过放大器。

（）8.三极管工作中若耗散功率超过它的最大耗散功率P CM时，该管必须烧损。

（）9. 理想集成运放构成的线性应用电路中，电压增益与其内部参数无关。

（）10.即使是单门限电压比较器，其输出也必定是两种状态。

（）（本题每小题2分，共16分）三、单选题1. P型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。

A．三价 B. 四价 C. 五价 D. 六价2. 测得NPN三极管各电极对地电压分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，则该管必工作在（）。

模电期末考试试题及答案

模电期末考试试题及答案模拟电子技术期末考试试题一、选择题（每题2分，共20分）1. 在理想运算放大器中，输入电阻是：A. 无穷大B. 0欧姆C. 1欧姆D. 10欧姆2. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 离散变化C. 随时间变化D. 可表示声音3. 一个共射放大电路的静态工作点是：A. 0VB. 5VC. 12VD. 取决于电源电压4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 降低增益C. 增加失真D. 稳定工作点5. 以下哪个不是模拟电子电路中的滤波器？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器二、填空题（每空2分，共20分）6. 运算放大器的_________端是虚拟地，即电压为0V。

7. 电压跟随器的特点是_________，输出阻抗小。

8. 一个理想的电压源的内阻是_________。

9. 模拟乘法器常用于实现_________和_________。

10. 波形发生器电路可以产生_________、_________、_________等波形。

三、简答题（每题10分，共30分）11. 解释什么是差分放大器，并简述其主要优点。

12. 描述一个基本的RC低通滤波器的工作原理。

13. 什么是振荡器？请列举至少两种常见的振荡器类型。

四、计算题（每题15分，共30分）14. 给定一个共射放大电路，其静态工作点为VB=10V，VC=20V，VE=5V，β=100。

假设晶体管的饱和压降VBE=0.7V，计算该电路的静态工作电流IE。

15. 设计一个简单的RC低通滤波器，要求截止频率为1kHz，输入信号频率为10kHz，计算所需的电阻和电容值。

答案：一、选择题1. A2. B3. D4. B5. D二、填空题6. 反向输入7. 高输入阻抗，低输出阻抗8. 0欧姆9. 调幅、解调10. 正弦波、方波、三角波三、简答题11. 差分放大器是一种差动放大电路，它能够放大两个输入端之间的差值信号，而抑制共模信号。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。

A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案：C2. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。

A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案：B3. 理想运算放大器的输入阻抗是（）。

A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C4. 在多级放大电路中，级间耦合方式通常采用（）。

A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：B5. 负反馈可以（）放大器的放大倍数。

A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案：B6. 场效应管的控制方式是（）。

A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案：A7. 模拟乘法器的主要功能是（）。

A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案：D8. 集成电路的电源电压通常为（）。

A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案：D9. 差分放大电路可以（）。

A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案：C10. 模拟电路中的“地”通常是指（）。

A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案：C二、填空题（每题2分，共20分）11. 放大器的增益通常用表示，单位是。

答案：增益；分贝（dB）12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。

答案：高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。

答案：电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。

答案：非线性15. 负反馈可以提高放大器的。

答案：稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。

答案：阻容；变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。

答案：对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。

答案：平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。

答案：参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。

模拟电子技术基础试卷及答案(期末) 3

a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。

当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。

a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。

已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd =A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（）。

a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（）。

模拟电子技术基础试卷14

一、填空题（每空1分，共20分）1、PN结加正向电压时，空间电荷区将_______；加反向电压时，空间电荷区将_______。

2、当发射结正偏且集电结反偏时，晶体管具有_________放大作用。

3、在晶体管单管放大电路的三种接法中，既能放大电流又能放大电压的是_________电路，只能放大电压不能放大电流的是__________电路。

4、直接耦合放大电路的零点漂移主要是由晶体管的___________造成的。

5、集成运放通常由输入级、___________、输出级和__________四部分组成。

6、在晶体管单管放大电路中，耦合电容所在的回路为________电路，使放大电路在低频段产生_________相移。

7、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入____________负反馈。

8、正弦波振荡的幅值平衡条件为__________，电路的起振条件为___________。

9、单相二极管半波整流电路中，若变压器副边电压有效值为U2=20V，则输出电压的平均值U O(A V)=_____ V；若负载电阻R L = 100Ω，二极管正向平均电流I D(AV)=_____A。

10、晶体管处于放大状态时，发射极电流是由__________运动形成的，集电极电流是由___________运动形成的。

11、对于放大电路的最基本要求一是____________，二是能够__________。

12、OCL功率放大电路在电路参数理想情况下的最大效率为___________。

二、单项选择题（每小题2分，共20分,将答案写在题后的括号内）1、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为12V，11.8 V，15 V，则这只三极管是_______。

( )A NPN 型硅管B NPN 型锗管C PNP 型硅管D PNP 型锗管2、某场效应管的转移特性如图所示，该管为_____。

( )A P沟道增强型MOS管B P沟道耗尽型MOS管C N沟道增强型MOS管D N沟道耗尽型MOS管3、为了使放大电路的输入电阻增大，输出电阻减小，应引入_____负反馈。

模拟电子技术试题3答案及评分标准

模拟电⼦技术试题3答案及评分标准模拟电⼦技术试卷3答案及评分标准⼀、判断（每题1分，共10分）1.在P型半导体中如果掺⼊⾜够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。

（对）2.PN结在⽆光照、加热或⽆外加电压等条件时，结电流为零。

（对）3.JFET⼯作在放⼤状态时，其栅源间PN结应为正偏。

（错）4.放⼤电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。

（错）5.放⼤电路中由线性电抗元件所引起的失真称⾮线性失真。

（错）6.多级放⼤电路的频带宽度⽐其中任⼀单级电路的频带都宽。

（错）7.当放⼤电路的参数确定以后，其增益带宽积为⼀常数。

（对）8.⽯英晶体在电容三点式震荡电路中，起电感作⽤。

（对）9.只要电路引⼊了正反馈，就⼀定会产⽣正弦波振荡。

（错）⼆、填空（每空1分，共20分）1.P型半导体的多⼦是空⽳，N型半导体的多⼦是⾃由电⼦，⼆极管的最主要特性是单向导电性。

2.若放⼤电路的放⼤倍数为负，则引⼊的反馈⼀定是负反馈。

（错）3.多级放⼤器级间耦合⽅式⼀般有直接耦合，阻容耦合和变压器耦合三种，其中直接耦合多⽤于集成电路中。

4.射级输出器具有输⼊电阻⾼，输出电阻低和__增益近似为1_等特点。

5.三极管具有电流放⼤作⽤的外部条件是发射结正偏、集电结反偏。

6.已知⼀个放⼤器的中频增益为４０dB，f L＝100KHZ，则该电路在f L处的增益为 _37_dB，该电路的中频放⼤倍数为100倍。

7.差动放⼤电路在不带负载的情况下，其单⼊双出差模放⼤倍数是双⼊单出差模放⼤倍数的 0.5 倍。

8.在差分电路中，两输⼊端所获得对地⼤⼩相等，极性相反的信号电压称差模信号，⼤⼩相等极性相同的信号电压称共模信号。

9.已知某深度负反馈电路Aud=50，F U=0.1，则A Uf= 8.33 。

10.差分放⼤电路是为了抑制零点漂移⽽设置的，衡量其对共模信号抑制能⼒的参数是共模抑制⽐。

11.⼄类互补对称功率放⼤电路中存在的失真为交叉失真。

三、单项选择（每空1分，共20分）1.某放⼤电路在负载开路时的输出电压为4V，接⼊3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放⼤电路的输出电阻为 B 。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF ）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。

模拟电子技术期末试卷答案

《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是电子，掺杂越多，则其数量一定越多，相反，少数载流子应是空穴，掺杂越多，则其数量一定越少。

（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做单向导电特性。

（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子扩散形成较大的正向电流。

（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。

（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的饱和区和截止区。

（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成共基、共射、共集电三种组态。

（7）放大电路的频率特性是指放大倍数值随信号频率而变，称为幅频特性，而输出信号与输入信号的相位差随信号频率而变，称为相频特性。

（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足振幅平衡和相位平衡两个条件。

（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是电源变压器、整流、滤波和稳压电路。

二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；。

（A ）电流负反馈（B ）电压负反馈（C ）直流负反馈（D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈。

（A ）感性阻性（C ）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。

（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（A）ββ2（C）2β（D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。

模拟电子技术模拟期末试卷和答案

模拟电子技术基础期末试卷及参考答案一、选择题（本大题共10道小题，每小题2分，共10分。

在每小题给出的四个备选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内）1．利用微变等效电路可以计算晶体三极管放大电路的（）。

(a) 直流参数 (b) 交流参数(c) 静态工作点 (d) 交流和直流参数2．整流电路的主要目的是将（）。

(a) 交流信号变成直流信号 (b) 直流信号变成交流信号(c) 正弦波变成方波 (d) 高频信号变成低频信号3．若要设计一个振荡频率在kHz 1~Hz 100范围内可调的正弦波振荡电路，则应采用最为合适的振荡电路为（）正弦波振荡电路。

(a) RC 型 (b) LC 型(c) 石英晶体 (d) 555G 5 4．在放大电路中，场效应管应工作在（）。

(a) 可变电阻区 (b) 饱和区(c) 截止区 (d)击穿区5 .阻容耦合放大电路的直流负载线与交流负载线的关系为（）。

（a ）不会重合（b ）一定会重合（c ）平行（d ）有时会重合 6．功率输出级电路如题1.6图所示，已知V sin 102i t u ω=，V 18=CC V ，Ω=8L R 则电路的输出功率约为（）。

(a) 12.5W (b) 25W(c) 50W (d) 100W 题1.6图7．电路如题1.7图所示，122R R =，Ω=k 3R ，μF 047.0=C ，该电路能输出（）。

(a) 1.13kHz 方波 (b) 1.13kHz 三角波(c) 520Hz 正弦波 (d) 1.13kHz 正弦波 8. 共模抑制比CMR K 越大，表明电路（）。

放大倍数越稳定(b) 交流放大倍数越大(c) 抑制温漂的能力越强(d) 输入信号中的差模成份越大9．为了抑制零点漂移，集成运放的输入级一般采用( )。

(a) 共射极放大电路 (b) 共集电极放大电路（c ）共基极放大电路 (d) 差动放大电路题1.7图 10 .题1.10图所示电路的负载L R 中所获得的电流=L I ( )。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 模拟电路中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D2. 在理想运算放大器中，输入阻抗是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案：B3. 晶体管的放大作用主要取决于其：A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案：C4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案：D5. 在运算放大器电路中，虚短是指：A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案：ACD2. 运算放大器的典型应用包括：A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案：ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括：A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力？A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案：ABD5. 在模拟电路中，负反馈的作用包括：A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，信号的放大是通过________来实现的。

答案：晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。

答案：零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。

答案：电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流（DC）到________赫兹。

答案：几十兆5. 在模拟电路设计中，________是用来减少信号失真的。

答案：负反馈四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的区别。

模拟电子技术考试试题汇总及答案

如何调整？⑶若 , 和的，，
，假设、、中任意一个开路，将会产生什么后果？
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值)，RL=20Ω, C=2000µF。试问：①正常时？②如果电路中有一个二极管开路，是否为正常值的一半？③如果为下列数值，可能出了什么故障？
(a) (b) (c)
6.某LC振荡电路的振荡频率为，如将LC选频网络中的电容C增大一倍，则振荡频率约为（ c ）。
A、200kHz B、140kHz C、70kHz D、50kHz
7.甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比，主要优点是( c )。
A、输出功率大 B、效率高 C、交越失真小 D、电路结构简单
8.要求提高放大电路的带负载能力，同时减小对信号源索取的电流，应引入（ a ）。
⒉图5-2中的集成均为理想运放，各电路均满足深负反馈条件，试判断它们的反馈组态和极性，并分别估算它们的电压放大倍数。
⒊一单电源互补对称电路如图5-3所示，设、的特性完全对称，为正弦波，
，。试回答：⑴静态时，电容两端电压就是多少？调整哪
个电阻能满足这一要求？⑵动态时，输出电路出现交越失真，应调整哪个电阻？
图2
二、VB=
rbe=200+101
RO=RC=3.3
三、（12分）
放大电路如图3 a、b、c、d所示。
（1）试分别说明4个放大电路所属的组态；
（2）当信号源为电压源，且内阻不为零时，最好采用图中哪一个电路作为输入级？
（3）为了使放大电路有较强的带负载能力，最好采用图中哪一个电路作为输出级？
（4）当信号的频率范围比较宽，肯包含较高的频率成分时，最好采用图中哪一个电路进行放大？
③(a) ，说明电容开路，无滤波作用。

模拟电子技术期末试卷答案

（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做单向导电特性。

（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子扩散形成较大的正向电流。

（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。

（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的饱和区和截止区。

（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成共基、共射、共集电三种组态。

（7）放大电路的频率特性是指放大倍数值随信号频率而变，称为幅频特性，而输出信号与输入信号的相位差随信号频率而变，称为相频特性。

（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是电源变压器、整流、滤波和稳压电路。

二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；。

（A ）电流负反馈（B ）电压负反馈（C ）直流负反馈（D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈。

（A ）感性阻性（C ）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。

（A ）共基接法（B ）共集接法（C ）共射接法差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（A）ββ2（C）2β（D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。

模拟电子技术基础试卷3答案

院（系）_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________ ……………………密………………………封……………………线…………………………《模拟电子技术基础》试卷3 答案一、填空题（请将答案填在相应的答题线上。

每空2分，共22分）1．在本征半导体中加入价元素可以形成P型半导体。

2．场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的，所以它是 3．电路如图1-1所示，设二极管导通电压，则该电路的输出电压值。

4．电路如图1-2所回示，则该电路输出电压uO与输入电压uI的关系为5．已知某共射放大电路的对数幅频特性如图1-3所示，则其中频电压放大倍数|Aum|为 100 ，电路的上限频率fH。

4020100图1-1 图1-2 图1-36．按照滤波电路的工作频率，阻止某一频率范围的信号，频率低于此范围的信号及高于此范围的信号均能通过的滤波器称为带阻滤波器。

7．正弦波振荡电路由放大电路、、正反馈网络和稳幅环节四部分组成。

8．RC桥式正弦波振荡电路以RC串并联网络为选频网络和放大环节，具有振荡频率稳定，带负载能力强，输出电压失真小等优点。

9．在放大电路中，为了稳定输出电压，应引入反馈。

10．在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器副边电压有效值U2为10V，测得输出电压平均值UO(AV)可能的数值为 12V 。

卷3 （第1页共4页）院（系）_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________ ……………………密………………………封……………………线…………………………二、单项选择题（从下列各小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将其代号填在答题线上。

模拟电子技术试卷及答案

模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。

2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。

3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。

4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。

5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。

6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，V，则这只三极管是( )。

A．NPN 型硅管B．NPN 型锗管C．PNP 型硅管D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。

A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。

A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。

B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。

C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。

D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。

4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。

A．输入电阻高B．输出电阻低C．共模抑制比大D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。

A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大Ri6．如图所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。

当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。

a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。

已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd=A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（）。

a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（）。

a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（）。

模拟电子技术基础模拟题14

模拟电子技术基础模拟题14一、填空〔20〕分1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度要紧取决于，少数载流子的浓度那么与有专门大关系。

2、场效应管是操纵器件，而双极型三极管是操纵器件。

绝缘栅型场效应管输入电阻专门大,是因为缘故。

3、放大电路中，己知三极管三个电极的对地电位为V A = -9V ，V B =-6.2V, V C =-6V, 那么该三极管是三极管，Ａ为极，Ｂ为极，Ｃ为极。

4、正弦波振荡电路产生振荡的幅值条件是，相位条件是，电路起振的条件是。

5、为了提高功率放大电路的输出功率和效率，三极管应工作在类状态，其最高效率可达到；而要排除交越失真，那么应工作在类状态。

6、己知放大电路的输入信号电压为１ｍV ．输出电压为１V ，引入负反馈后，为得到同样的输出电压，需加输入信号电压10mV ，那么引入的反馈系数为；电路的反馈深度为。

7、在单相桥式整流电路中，假设变压器副边电压的有效值为10V ，整流二极管视为理想元件，那么输出电压为 V ；二极管承担的反向电压峰值为 V 。

8、采纳差分放大电路的目的是为了。

二、单项选择题〔20分〕1、当温度升高时，半导体三极管的β( )，穿透电流I CEO ( )，V be ( )a: 变大 b: 变小 c: 不变2、在OTL 功率放大电路中，电源电压V CC =16V ，R L =8Ω，在理想情形下最大输出功率为〔〕。

a: 32W b: 8W c: 4W d:16W3、电路如下图，该电路为〔〕a:微分运算电路b:积分运算电路c:对数运算电路4、电路如下图，该电路的放大倍数==i V V Vo A 〔〕设运放是理想的。

a: 20 b:-20c:21 d:-215、三极管工作在饱和区时，发射结 ( ) ，集电结( )。

a. 正向偏置b. 反向偏置c.无偏置电压6、电路如下图，R f 引入的反馈为( )a: 电流串联负反馈b: 电压串联负反馈c: 电流并联负反馈d: 电压并联负反馈7、在场效应管放大电路中，不能采纳自给偏压电路的场效应管为〔〕a: 绝缘栅耗尽型场效应管 b: 绝缘栅增强型场效应管 c:结型场效应管8、桥式整流电容滤波电路的变压器副边电压有效值为20V ，当253T )(C R L -≥时，输出电压为〔〕。