半导体照明技术(第二章)课件
半导体基础知识PPT培训课件
目录
• 半导体简介 • 半导体材料 • 半导体器件 • 半导体制造工艺 • 半导体技术发展趋势 • 案例分析
半导体简介
01
半导体的定义
总结词
半导体的定义
详细描述
半导体是指在常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，常见的半导体材 料有硅、锗等。
半导体的特性
总结词
化合物半导体具有宽的禁带宽度和高 的电子迁移率等特点，使得化合物半 导体在光电子器件和高速电子器件等 领域具有广泛的应用。
掺杂半导体
掺杂半导体是在纯净的半导体中掺入其他元素，改变其导电 性能的半导体。
掺杂半导体的导电性能可以通过掺入不同类型和浓度的杂质 来调控，从而实现电子和空穴的平衡，是制造晶体管、集成 电路等电子器件的重要材料。
掺杂的目的是形成PN结、调控载流 子浓度等，从而影响器件的电学性能。
掺杂和退火的均匀性和控制精度对器 件性能至关重要，直接影响最终产品 的质量和可靠性。
半导体技术发展趋势
05
新型半导体材料
硅基半导体材料
宽禁带半导体材料
作为传统的半导体材料，硅基半导体 在集成电路、微电子等领域应用广泛。 随着技术的不断发展，硅基半导体的 性能也在不断提升。
半导体制造工艺
04
晶圆制备
晶圆制备是半导体制造的第一步，其目的是获得具有特定晶体结构和纯度的单晶硅 片。
制备过程包括多晶硅的提纯、熔炼、长晶、切磨、抛光等步骤，最终得到可用于后 续工艺的晶圆。
晶圆的质量和表面光洁度对后续工艺的成败至关重要，因此制备过程中需严格控制 工艺参数和材料质量。
薄膜沉积
输入 标题
详细描述
集成电路的制作过程涉及微电子技术，通过一系列的 工艺步骤，将晶体管、电阻、电容等电子元件集成在 一块硅片上，形成复杂的电路。
半导体照明技术共25页
•
30、风俗可以造就法律，也可以废除 法律。 ——塞·约翰逊
半导体照明技术
16、业余生活要有意义，不要越轨。——华盛顿 17、一个人即使已登上顶峰，也仍要自强不息。——罗素·贝克 18、最大的挑战和突破在于用人，而用人最大的突破在于信任人。——马云 19、自己活着，就是为了使别人过得更美好。——雷锋 20、要掌握书，莫被书掌握；要为生而读，莫为读而生。——布尔沃
END
•
26、我们像鹰一样，生来就是自由的 ，但是 为了生 存，关在 里面。 ——博 莱索
•
27、法律如果不讲道理，即使延续时 间再长 ，也还 是没有 制约力 的。— —爱·科 克
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28、好法律是由坏风俗创造出来的。 ——马 克罗维 乌斯
•
29、在一切能够接受法律支配的人类 的状态 中，哪 里没有 法律， 那里就 没有自 由。— —洛克
半导体二极管及-PPT课件
_ P
－ － －
内电场被被加强，多 子的扩散受抑制。少 子漂移加强，但少子 数量有限，只能形成 较小的反向电流。
N
+
+
内电场 外电场
R
E
PN结加反向电压的情形
3 PN结的伏安特性 PN结的伏安特性曲线：图2-4
伏安特性曲线（2-4） 对应表:
3.PN结的反向击穿
二极管处于反向偏置时，在一定的电压范围 内，流过PN结的电流很小，但电压超过某一数值时，反向电流急剧增 加，这种现象我们就称为反向击穿。
2-13
2-14
2.5.3 .1光电二极管
反向电流随光照强度的增加而上升。
I
U
照度增加
2.5.3 .2发光二极管
有正向电流流过
时，发出一定波长
范围的光，目前的 发光管可以发出从 红外到可见波段的 光，它的电特性与
一般二极管类似。
第二章结束
指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反 向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向 电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越 高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的 反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用 是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、 限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。
对于二极管其动态电阻为：
du 1 1 u t u u di 1 di Ut Ut Is d ( Is ( 1 )) * e e du du
5. 二极管的极间电容
二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒 电容CB和扩散电容CD。 势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时， 就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出 的电容是势垒电容。 扩散电容：为了形成正向电流 （扩散电流），注入P 区的少子 （电子）在P 区有浓度差，越靠 近PN结浓度越大，即在P 区有电 子的积累。同理，在N区有空穴的 积累。正向电流大，积累的电荷 多。这样所产生的电容就是扩散 电容CD。
半导体照明技术
半导体照明技术半导体照明技术一、基础知识篇•1．光的本质是什么，物体发光有哪几种方式？•2．何谓电致发光？半导体发光为何属冷光？•3．照明光源的发展经历了哪几个阶段？•4．LED的工作原理与基本结构是什么？•5．LED光源有哪些优势？•6．在主要性能方面，目前白光LED与传统光源相比有哪些优缺点？•7．什么是色温？什么是显色指数？•8．通用照明对白光LED的光电性能有哪些基本要求？•9．什么是人眼对光的视觉敏感曲线？•10．人眼对光的视觉敏感曲线对我们了解LED照明有什么作用？•11．LED的发展经历了哪几个阶段？•12．何谓LED的伏安特性？LED的电功率是如何计算的？•13．LED的基本特性是什么？•14．何谓LED的电―光转换？如何表述光电转换效率？•15．LED单色光（红、黄、蓝、绿等）的光谱与白光的光谱有什么区别？•16．在通用照明领域，LED取代传统光源从目前来看还需克服哪些障碍？•17．LED取代传统光源还有哪些需要攻克的课题，当前国际上LED发展的趋势如何？•18．何谓绿色照明光源？它有哪些特点？•19．为什么说21世纪照明产业将迎来自爱迪生发明白炽灯以来的又一次产业革命？•20．哪些产业是LED产业链的构成部分？•21．LED上游产业是指哪些产业？•22．LED中游产业是指哪些产业？•23．LED下游产业是指哪些产业？•24．LED产业的发展，可以带动哪些相关产业的产品升级换代和技术创新？•25．用半导体光源取代传统光源对我国这样一个照明光源生产与出口大国的重要意义何在？•26．当前我国LED产品与国际先进水平相比，主要差距在哪里？•27．我国发展半导体照明产业的优势何在？政府主管部门出台了哪些推进这一产业发展的重要举措？•二、外延芯片篇•28．LED的发光有源层――PN结是如何制成的？哪些是常用来制造LED的半导体材料？•29．什么是LED的内量子效率？不同的发光波长，假定内量子效率达100％，其电―光效率有何不同？•30．LED PN结有源层发出的光子能否100％逸出到空气中？•31．有哪些生长LED有源层的外延方法？它们各自有什么特点？•32．哪些材料可以用做生长外延层的衬底材料？它们各自有哪些优缺点？•33．当前，生产超高亮LED的外延方法主要有几种？什么是MOCVD？•34．当前，用做半导体照明光源的高效LED的外延层结构有何创新和发展？它们的结构如何？•35．当前的GaAs、GaP、GaAlAs、GaInAlP以及InGaN等均是无机半导体材料，除此之外，还有哪些无机材料可以制造发光二极管？目前研发的进展如何？•36．简述有机半导体发光二极管发展历程，0LED等能否进入照明领域？•37．国内LED外延产业的状况与发展趋势如何？•38．LED芯片的制造流程是怎样的？•39．LED芯片制造工序中，哪些工序对其光电性能有较重要的影响？•40．芯片制造过程中通过哪些工艺技术措施可以提高芯片发光强度与出光效率？•41．LED芯片为什么要分成诸如8mil，9mil…13～22mil，40mil等不同的尺寸？尺寸大小对LED光电特性有哪些影响？•42．LED大功率芯片一般指多大面积的芯片？为什么？大功率芯片的版图设计有哪些特殊考虑？•43．制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求？为什么？•44．什么是“激光剥离技术”？它在LED芯片制造中起什么作用？它主要用在哪类芯片制造中？•45．“透明电极”芯片的结构与它的特点是什么？•46．什么是“倒装芯片（Flip-Chip）”？它的结构如何？它有哪些优点？•47．用于半导体照明的芯片技术的发展主流是什么？三、封装篇•48．提高LED芯片光子逸出率的途径有哪些？为什么说通过封装设计和封装材料改进可以提高LED光子逸出效率？•49．简述提高LED芯片电―光转换效率的重要意义。
半导体照明基础知识培训资料
半导体照明基础知识笫一部分光源基础1. 光致发光有大量材料受到紫外线的激发而辐射出可见光，称为光致发光荧光这个词用来表示材料受到激发后立即发光.荧光灯属.光致发光2•电致发光将电能直接转化为光能的一种物理现象.光-电转换不需经过其他物理过程.如丄ED发光属电致发光.3. 光源分类热辐射：白炽灯，卤钨灯气体放电：高压气体放电灯：汞灯.钠灯.舍金卤化物灯.低压气体放电灯：钠灯，荧光灯.电致发光：发光二极管（LED4. 性能参数光效：光源将其他形式的能量转化为可见光的能力的量，光源所发出的光通量和光源所消耗的电功率之比。
即①/Pi单位：ml/w光源寿命：全寿命，平均寿命，有效寿命。
有效寿命是指光源的光通量下降到初始值的70%5. 光通维持率在规定条件下对LED竟明产品进行燃点，在寿命期间内燃点达到一特定时间时所发出的光通量与初始光通量的比值，用百分数表示。
6. 光分布光源的分布分为漫射性和指向性。
笫二部分光度学基础1. 光通量光通量：光源在单位时间内发出的光量称为光源的光通量用①表示。
单位:ml2. 发光强度光源在某一方向的单位立体角中发射的光通量定义为光源在该方向上的发光强度。
（简称光强）用符号：I表示,单位：（cd）表示3. 光照度光照度（简称照度）是表征表面被照明程度的量，是单位表面接受到的光通量用符号:E表示，单位：lx, 例：晴天中午地面照度为了100000 lx4. 亮度光源在某一方向的亮度（L）是光源在该方向上的单位投影面在单位立体角中发射的光通量.笫三部分色度学基础1. CIE标准色度学系统规定RG系统的三色光波长700.0nm（红光R）546.1 nm（绿光G）435.8nm（蓝光B）2. 色温将标准黑体加温，黑体颜色将由：红，橙红，黄，黄白，蓝白依次变化。
光源色温定义为和黑体颜色相近时的黑体温度。
用热力学温度K表示。
色温用CT 表示，单位:K当光源发出的光的颜色与黑体在某一温度下辐射的颜色相同时，黑体的温度称为该光源的颜色温度，简称：色温3. 相关色温光源发出的光的颜色和各种温度下的黑体辐射的颜色都不完全相同，通常选用与其光颜色最为接近的黑体的温度为该光源的相关色温，用CC■表示单位:K 4. 显色指数光源对物体颜色的还原能力用显色指数表示。
半导体基础知识PPT幻灯片课件
流为Izmax 。
i
I zmax
U ZW RL
25mA
1.2ui iR U zW 25R 10
——方程1
(1-37)
令输入电压降到下限 时，流过稳压管的电 流为Izmin 。
i
iL
R
ui
DZ
iZRL uo
i
I
zm in
U ZW RL
10mA
0.8ui iR U zW 10R 10
在常温下，由于热激发，使一些价电子获 得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电 子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。
(1-9)
空穴
+4
+4
+4
+4
自由电子 束缚电子
(1-10)
2.本征半导体的导电机理
本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即 自由电子和空穴。
+4
+4
+4
+4
在其它力的作用下， 空穴吸引附近的电子 来填补，这样的结果 相当于空穴的迁移， 而空穴的迁移相当于 正电荷的移动，因此 可以认为空穴是载流 子。
(1-43)
1.4.2 电流放大原理
基区空穴
向发射区
的扩散可
忽略。
B
进 少部入分P区与R的B基电区子的
空穴复合，形成
电流IBEE，B 多数
扩散到集电结。
C
N
P
IBE
N
E IE
发射结正 偏，发射 区电子不 断向基区 扩散，形 成发射极
电流EICE。
(1-44)
集电结反偏， 有少子形成的
《半导体二极管》PPT课件
IDV R U D(55 00.)A 0 78.6mA
rd
uD iD
UT IDQ
V＝5V，ID≈ 8.6mA
rd(8 2 .6)6 3.0 2 ， Id(3.5 0)2 m A 1.65mA
四、二极管的主要参数
❖ 最大整流电流IF：最大平均值 ❖ 最大反向工作电压UR：最大瞬时值（UBR的一半） ❖ 反向电流 IR：即IS ❖ 最高工作频率fM：因PN结有电容效应
扩散路程中电荷的积累与释放空间电荷区宽窄的变化有电荷的积累与释放伏安特性进入稳压区的最小电流不至于损坏的最大电流由一个pn结组成反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变为稳定电主要参数稳定电压u即进入稳压区的最小电流izmin最大功耗pzm作业
1.2 半导体二极管
一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管
三、二极管的等效电路
2. 微变等效电路
当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极 管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。
ui=0时直流电源作用 根据电流rd方 程 uiD D， U ID T
小信号作用
Q越高，rd越小。 静态电流
例二
1. V＝5V时二极管中的直流电流各为 多少？ 2. 若输入电压的有效值为5mV，则二 极管中的交流电流为多少？
RL min
Rmax
－
－
U iman U Z R
UZ RLman
I Zman
R
U iman U Z RLman I Zman U Z
RLman
Rmin
Rmin R Rmax
作业：1.3 1.4 1.5 1.6
2 第1章 光 视觉 颜色1——半导体照明课件PPT
（二）明视觉、暗视觉和中间视觉
1、明视觉。
特征：锥状细胞具有较高的视觉灵敏度，能分辨物体的细节， 且在感受波长范围为380-780nm的光刺激时，对各种色光感 觉不同。因此，在明视觉状态下，正常人的眼睛都能有良好 的颜色感觉。
2、暗视觉。 在微弱的照度(视场亮度在10-6-10-2cd/m2)下，只有杆状细胞
视觉的亮度阈限与目标物发出的光的颜色有关。在相 同的视角下．对波长较长的光，例如红光、黄光，其亮度 阈限就高；对于波长较短的光，例如蓝光，则亮度阈限值 要低一些。
这是因为在暗视觉条件下，光谱光效率向短波方向 偏移的缘故。
视觉的亮度阈限与观察目标物的时间有关。目标物呈 现的时间越长，亮度阈限值就越低；呈现时间越短，亮度 阈限值就越高。
眼睛
眼睛
近视的原因：近视眼是由于晶状体变厚，焦距变 短，使成像落在视网膜之前，因此看物体模糊。 矫正近视眼采用凹透镜。远视则刚好相反。
二、视网膜
视网膜是视觉的光学过程和电生理过程的接口， 是人眼感受光的部分。其边缘部位主要分布着杆状细 胞，中央部位主要分布着锥状细胞。当光落在视网膜 上时，视细胞吸收了光能，使视细胞中含有的视紫质 分解、并刺激神经末梢，形成生物脉冲(生物电流)， 通过视神经把信息传导到大脑后部的视觉皮层，经大 脑综合处理而形成视知觉。
当视场内明暗急剧变化时，人们会因眼睛不能很快适应而视 力下降。所以在照明工程中，有些场合要考虑明暗适应的过渡 照明，以满足眼睛适应性的要求。
3．眩光
当视野内由于亮度分布或亮度不适宜，或存在着极端的亮度对
比，以致引起不舒适感觉和降低目标可见度的视觉现象，统称为眩 光。
可见度是指人眼辨认物体存在或物体形状的难易程度。
半导体光电子学第二章第四章
x1 φ1
EC1
ΔEC
Eg1
F1
EV1
ΔEV
p
x2 φ2
真空能级
EC2 F2
Eg2
EV2
N
EC1
F1 EV1
δ1
x1 φ1
p
VDP Eg1
ΔEC
VDP ΔEV
N VD 真空能级
x2 φ2 VDN
EC2
δ2
F2
Eg2 VDN
EV2
-Xp 0 XN
δ1=Ev1-F1，δ2=Ec2-F2 ΔEc=χ1-χ2=Δχ（2.1-1） ΔEv=Ev2-Ev1 =（Eg2+χ2）-（Eg1+χ1）=ΔEg-Δχ =ΔEg-ΔEc
界面复合速度：
s nvthNISdE
S 8vthn (a)
a02 a0
a1 a2 2
a0
aa1a2
a
晶格失配率
( )100% a0
双异质结激光器中若两个异质结之间的距离为d， 当体内复合与界面态复合并存时，则注入载流子的有 效复合寿命可表示为
1 1 2s 1
eff r d nr
内量子效率
一般认为，构成异质结的两种不同半导体之间严格的晶格 常数匹配是获取性能良好的异质结的重要条件，否则在异 质结表面就会产生所谓的悬挂键。
悬挂键：
晶格在表面
的最外层的 每个硅原子
Si Si Si Si Si
将有一个未 配对的电子
Si Si Si Si Si
即有一个未
饱和键，如 图，这个键
Si Si Si Si Si
ND2 NA1
V DV D pV DN V D(p 12 1N N D A 1 2)
半导体照明概况ppt课件
LED的发展历史
80年代，重大技术突破，开发出AlGaAs材料 的LED，发光效率达到 10 lm/w 1990年到2001年，AlInGaP的高亮度LED成熟， 发光效率达到 40—50 lm/w 1990年基于SiC材料的蓝光LED出现，发光效 率为0.04 lm/w 90年代中期出现以蓝宝石为衬底的GaN蓝光 LED，到目前仍然为该技术
水立方景观照明
鸟巢景观照明
篔筜湖畔的LED照明
中山路商业街的LED照明
位于湖滨北路的中闽大厦
5、测试仪器和生产设备
测试仪器主要有：外延材料方面的X射线双晶衍射仪、荧 光谱仪、卢瑟福背散射沟道谱仪等；芯片、器件测试仪器方 面的 LED光电特性测试仪、光谱分析仪等。 生产设备包括金属有机化合物化学气相淀积仪(Metalorganic Chemical Vapor DePosition ，缩写MOCVD) 、液相外镀炉、 光刻机、划片机、全自动固晶机、金丝球焊机、硅铝丝超声 压焊机、灌胶机、真空烘箱、芯片计数仪、芯片检测仪、倒 膜机、光色点全自动分选机等。
第三代半导体材料 半导体照明的来临 半导体照明发展现状 未来的前景
1879年爱迪生发明白炽灯
荧光灯将电光源带入新天地
目录
固态照明概况
电光源的历史 半导体发光二极管
第三代半导体材料 半导体照明的来临 半导体照明发展现状 未来的前景
半导体照明概述
一、半导体照明
半导体照明是指用全固态发光 器件（发光二极管，即LED，是由 半导体材料制成的光电器件，可将 电能直接转换为光能）作为光源的 照明，具有高效、节能、环保、寿 命长、易维护等显著特点，是近年 来全球最具发展前景的高新技术领 域之一，是人类照明史上继白炽灯、 荧光灯之后的又一场照明光源的革 命。
半导体照明发光材料54页PPT
谢谢！
51、 天 下 之 事 常成 于困约 ，而败 于奢靡 。——陆 游 52、 生 命 不 等 于是呼 吸，生 命是活 动。——卢 梭
53、 伟 大 的 事 业，需 要决心 ，能力 ，组织 和责任 感。 ——易 卜 生 明发光材料
11、获得的成功越大，就越令人高兴 。野心 是使人 勤奋的 原因， 节制使 人枯萎 。 12、不问收获，只问耕耘。如同种树 ，先有 根茎， 再有枝 叶，尔 后花实 ，好好 劳动， 不要想 太多， 那样只 会使人 胆孝懒 惰，因 为不实 践，甚 至不接 触社会 ，难道 你是野 人。(名 言网) 13、不怕，不悔(虽然只有四个字，但 常看常 新。 14、我在心里默默地为每一个人祝福 。我爱 自己， 我用清 洁与节 制来珍 惜我的 身体， 我用智 慧和知 识充实 我的头 脑。 15、这世上的一切都借希望而完成。 农夫不 会播下 一粒玉 米，如 果他不 曾希望 它长成 种籽； 单身汉 不会娶 妻，如 果他不 曾希望 有小孩 ；商人 或手艺 人不会 工作， 如果他 不曾希 望因此 而有收 益。-- 马钉路 德。
55、 为 中 华 之 崛起而 读书。 ——周 恩来
半导体照明技术(第二讲)
常见照度（勒克斯）：
阳光直射(正午)下: 100000
阴天室外: 商场内: 阴天有窗室内: 普通房间灯光下: 黄昏室内为: 10000 500 100 100 10
照度计
半
导
体
照
明
技
术
各光度量之间的关系图
半
导
体
照
明
技
术
4、光度学参数的测量
光度学参数包括法向光强、光强分布、半值角、总光通量、 亮度、面发光度和照度等 （1）法向光强I v 光强I的测定非常重要，如总光通量、亮度等都可以从I导出。 有了标准光源和校正好视见度的接收器即可进行法向光强的测定。 强度为I的标准光源在接收器上产生的照度σ 为：
且在感受波长范围为380-780nm的光刺激时，对各种色光感 觉不同。因此，在明视觉状态下，正常人的眼睛都能有良好
的颜色感觉。
半
2、暗视觉。
导
体
照
明
技
术
在微弱的照度(视场亮度在10-6-10-2cd/m2)下，只有杆状细胞 工作，锥状细胞不工作的视觉状态称为暗视觉(或称杆状视觉)。
杆状细胞的最大的视觉灵敏度在507nm处。所以，暗视 觉杆状细胞工作时，绿光和蓝光显得特别明亮。
一、眼睛
人眼的工作状态很像一架 简单的照相机，把倒立的实像 投射到视网膜上，它的焦距由 晶状体控制。透镜的孔径即瞳 孔的大小由虹膜控制，在低照 度下瞳孔变大，而在高照度下 瞳孔孔径缩小。
眼睛
半
导
体
照
明
技
术
近视的原因：近视眼是由于晶状体变厚，焦距变短，使成像 落在视网膜之前，因此看物体模糊。矫正近视眼采用凹透镜。 远视则刚好相反。 二、视网膜
半导体发光二极管(PPT课件)
• 当注入电子在PN结附近与空穴复合时，将发出 某种光频率的电磁辐射。复合发出的光波波长由 E g 决定 禁带宽度
hc 1.2398 m / eV Eg Eg•Leabharlann h 式中，h 是普朗克常数，
=4.13570*10-15；c是 光速； E是取决于半导体材料的固有值。 g
• 并非所有材料在诸如电子与空穴复合时都 发出有用的光波。在电子和空穴复合时， 也有一些材料释放的能量变成热耗散没有 产生光，有一些则可能一部分变成热能而 另一部分产生光。半导体砷化镓（GaAs） 等材料在诸如电子和空穴复合时，发出有 用的光辐射概率很大，因此被广泛的用作 为半导体发光材料。
光的受激吸收
• 处在低能级E1的原子吸收外来能量ε=hγ= E2-E1， 由于外来光的激励而跃迁到高能级E2。 特点： • 外来光子能量满足ε=hγ= E2-E1时，才能引起受激 吸收。 • 与光的受激辐射过程相反，且发生的概率相同。 • 受激吸收概率和感应光场的强度成正比。
原子的自发辐射、受激吸收和受激辐射
• 当自然辐射所产生的光子通过晶体时，一旦经 过已激发的电子附近，该电子就以某种几率受 到光子的激励，来不及自然辐射就和空穴复合 放出新的光子。这种由光子诱使以激发电子复 合而放出新光子的现象，称为受激辐射。如果 注入电流足够强，形成和热平衡状态相反的电 子分布（粒子束反转分布），这样就能形成很 大的辐射密度。除克服吸收、散射等损耗外， 自然辐射的光激励电子复合过程，被受激励辐 射加速，激光作用开始，再加上反射反馈，便 产生激光。半导体激光二极管的发光就是基于 这种受激辐射。
三. 光 源
外界参量
光 源
光纤
信号 调制
光纤
光探 测器
信号 处理