静电保护器SOT-143封装参数型号规格书大全
NSI DTA143ZD-D 双 PNP 偏置电阻器晶体管 用户手册说明书
MUN5133DW1,NSBA143ZDXV6,NSBA143ZDP6Dual PNP Bias Resistor TransistorsR1 = 4.7 k W , R2 = 47 k WPNP Transistors with Monolithic Bias Resistor NetworkThis series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base−emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.Features•Simplifies Circuit Design •Reduces Board Space•Reduces Component Count•S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements;AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable•These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS CompliantMAXIMUM RATINGS(T A = 25°C, common for Q1 and Q2, unless otherwise noted)RatingSymbol Max Unit Collector−Base Voltage V CBO 50Vdc Collector−Emitter Voltage V CEO 50Vdc Collector Current − Continuous I C 100mAdcInput Forward Voltage V IN(fwd)30Vdc Input Reverse VoltageV IN(rev)5VdcStresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.ORDERING INFORMATIONDevicePackage Shipping †MUN5133DW1T1G SOT−3633,000 / Tape & Reel NSBA143ZDXV6T1G,NSVBA143ZDXV6T1G SOT−5634,000 / Tape & Reel NSBA143ZDP6T5GSOT−9638,000 / Tape & Reel†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D. MARKING DIAGRAMS0K/K =Specific Device Code M =Date Code*G=Pb−Free Package(Note: Microdot may be in either location)*Date Code orientation may vary depending up-on manufacturing location.SOT−363CASE 419BSOT−563CASE 463ASOT−963CASE 527ADPIN CONNECTIONSM10K M G10K M G G K (3)(2)(1)1(4)(5)(6)16THERMAL CHARACTERISTICSCharacteristic Symbol Max Unit MUN5133DW1 (SOT−363) One Junction HeatedTotal Device DissipationT A = 25°C(Note 1)(Note 2)Derate above 25°C(Note 1)(Note 2)P D1872561.52.0mWmW/°CThermal Resistance,(Note 1) Junction to Ambient(Note 2)R q JA670490°C/WMUN5133DW1 (SOT−363) Both Junction Heated (Note 3)Total Device DissipationT A = 25°C(Note 1)(Note 2)Derate above 25°C(Note 1)(Note 2)P D2503852.03.0mWmW/°CThermal Resistance,(Note 1) Junction to Ambient(Note 2)R q JA493325°C/WThermal Resistance,(Note 1) Junction to Lead(Note 2)R q JL188208°C/WJunction and Storage Temperature Range T J, T stg−55 to +150°C NSBA143ZDXV6 (SOT−563) One Junction HeatedTotal Device DissipationT A = 25°C(Note 1)Derate above 25°C(Note 1)P D3572.9mWmW/°CThermal Resistance,Junction to Ambient(Note 1)R q JA350°C/WNSBA143ZDXV6 (SOT−563) Both Junction Heated (Note 3)Total Device DissipationT A = 25°C(Note 1)Derate above 25°C(Note 1)P D5004.0mWmW/°CThermal Resistance,Junction to Ambient(Note 1)R q JA250°C/WJunction and Storage Temperature Range T J, T stg−55 to +150°C NSBA143ZDP6 (SOT−963) One Junction HeatedTotal Device DissipationT A = 25°C(Note 4)(Note 5)Derate above 25°C(Note 4)(Note 5)P D2312691.92.2mWmW/°CThermal Resistance,(Note 4) Junction to Ambient(Note 5)R q JA540464°C/WNSBA143ZDP6 (SOT−963) Both Junction Heated (Note 3)Total Device DissipationT A = 25°C(Note 4)(Note 5)Derate above 25°C(Note 4)(Note 5)P D3394082.73.3mWmW/°CThermal Resistance,(Note 4) Junction to Ambient(Note 5)R q JA369306°C/WJunction and Storage Temperature Range T J, T stg−55 to +150°C1.FR−4 @ Minimum Pad.2.FR−*******.0InchPad.3.Both junction heated values assume total power is sum of two equally powered channels.4.FR−4 @ 100 mm2, 1 oz. copper traces, still air.5.FR−4 @ 500 mm2, 1 oz. copper traces, still air.ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C, common for Q1 and Q2, unless otherwise noted)Characteristic Symbol Min Typ Max Unit OFF CHARACTERISTICSCollector−Base Cutoff Current (V CB = 50 V, I E = 0)I CBO−−100nAdcCollector−Emitter Cutoff Current (V CE = 50 V, I B = 0)I CEO−−500nAdcEmitter−Base Cutoff Current (V EB = 6.0 V, I C = 0)I EBO−−0.18mAdcCollector−Base Breakdown Voltage (I C = 10 m A, I E = 0)V(BR)CBO50−−VdcCollector−Emitter Breakdown Voltage (Note 6) (I C = 2.0 mA, I B = 0)V(BR)CEO50−−VdcON CHARACTERISTICSDC Current Gain (Note 6) (I C = 5.0 mA, V CE = 10 V)h FE80140−Collector−Emitter Saturation Voltage (Note 6) (I C = 10 mA, I B = 0.3 mA)V CE(sat)−−0.25VdcInput Voltage (off)(V CE = 5.0 V, I C = 100 m A)V i(off)−0.67−VdcInput Voltage (on)(V CE = 0.2 V, I C = 5.0 mA)V i(on)−0.91−VdcOutput Voltage (on)(V CC = 5.0 V, V B = 2.5 V, R L = 1.0 k W)V OL−−0.2VdcOutput Voltage (off)(V CC = 5.0 V, V B = 0.5 V, R L = 1.0 k W)V OH4.9−−Vdc Input Resistor R1 3.3 4.7 6.1k W Resistor Ratio R1/R20.080.10.146.Pulsed Condition: Pulse Width = 300 msec, Duty Cycle ≤ 2%.Figure 1. Derating CurveAMBIENT TEMPERATURE (°C)PD,POWERDISSIPATION(mW)(1) SOT−363; 1.0 x 1.0 inch Pad(2) SOT−563; Minimum Pad(3) SOT−963; 100 mm2, 1 oz. copper traceMUN5133DW1, NSBA143ZDXV6109876543210Figure 2. V CE(sat) vs. I CFigure 3. DC Current GainFigure 4. Output CapacitanceFigure 5. Output Current vs. Input VoltageV in , INPUT VOLTAGE (V)V R , REVERSE BIAS VOLTAGE (V)Figure 6. Input Voltage vs. Output CurrentI C , COLLECTOR CURRENT (mA)I C , COLLECTOR CURRENT (mA)10.1I C , COLLECTOR CURRENT (mA)1001010.0011000V C E (s a t ), C O L L E C T O R −E M I T T E R V O L T A G E (V )h F E , D C C U R R E N T G A I NC o b , C A P A C I T A N C E (p F )100110I C , C O L L E C T O R C U R R E N T (m A )V i n , I N P U T V O L T A G E (V )0.010.010.1NSBA143ZDP6Figure 7. V CE(sat) vs. I CFigure 8. DC Current GainFigure 9. Output Capacitance Figure 10. Output Current vs. Input VoltageV in, INPUT VOLTAGE (V)V R , REVERSE BIAS VOLTAGE (V)Figure 11. Input Voltage vs. Output CurrentI C , COLLECTOR CURRENT (mA)I C , COLLECTOR CURRENT (mA)I C , COLLECTOR CURRENT (mA)V C E (s a t ), C O L L E C T O R −E M I T T E R V O L T A G E (V )h F E , D C C U R R E N T G A I N5040302010C o b , C A P A C I T A N C E (p F )I C , C O L L E C T O R C U R R E N T (m A )V i n , I N P U T V O L T A G E (V )10.10.0110001101007014231001010.10.010.001100504030201001001010.11010.165432105SC −88/SC70−6/SOT −363CASE 419B −02ISSUE YDATE 11 DEC 2012SCALE 2:1NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.3.DIMENSIONS D AND E1 DO NOT INCLUDE MOLD FLASH,PROTRUSIONS, OR GATE BURRS. MOLD FLASH, PROTRU-SIONS, OR GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.20 PER END.4.DIMENSIONS D AND E1 AT THE OUTERMOST EXTREMES OF THE PLASTIC BODY AND DATUM H.5.DATUMS A AND B ARE DETERMINED AT DATUM H.6.DIMENSIONS b AND c APPLY TO THE FLAT SECTION OF THE LEAD BETWEEN 0.08 AND 0.15 FROM THE TIP .7.DIMENSION b DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION.ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 TOTAL IN EXCESS OF DIMENSION b AT MAXIMUM MATERIAL CONDI-TION. THE DAMBAR CANNOT BE LOCATED ON THE LOWER RADIUS OF THE FOOT.XXXM G G XXX = Specific Device Code M = Date Code*G = Pb −Free Package GENERICMARKING DIAGRAM*16STYLES ON PAGE 2DIM MIN NOM MAX MILLIMETERS A −−−−−− 1.10A10.00−−−0.10dddb 0.150.200.25C 0.080.150.22D 1.80 2.00 2.20−−−−−−0.0430.000−−−0.0040.0060.0080.0100.0030.0060.0090.0700.0780.086MIN NOM MAX INCHES0.100.004E1 1.15 1.25 1.35e 0.65 BSC L 0.260.360.462.00 2.10 2.200.0450.0490.0530.026 BSC0.0100.0140.0180.0780.0820.086(Note: Microdot may be in either location)*Date Code orientation and/or position may vary depending upon manufacturing location.*For additional information on our Pb −Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SOLDERING FOOTPRINT*DIMENSIONS: MILLIMETERS0.306XRECOMMENDEDSIDE VIEWEND VIEWPLANEDETAIL AE A20.700.90 1.000.0270.0350.039L20.15 BSC 0.006 BSC aaa 0.150.006bbb 0.300.012ccc 0.100.0046X*This information is generic. Please refer to device data sheet for actual part marking.Pb −Free indicator, “G” or microdot “G ”, may or may not be present. Some products may not follow the Generic Marking.MECHANICAL CASE OUTLINEPACKAGE DIMENSIONSSTYLE 1:PIN 1.EMITTER 22.BASE 23.COLLECTOR 14.EMITTER 15.BASE 16.COLLECTOR 2STYLE 3:CANCELLEDSTYLE 2:CANCELLEDSTYLE 4:PIN 1.CATHODE2.CATHODE3.COLLECTOR4.EMITTER5.BASE6.ANODESTYLE 5:PIN 1.ANODE2.ANODE3.COLLECTOR4.EMITTER5.BASE6.CATHODESTYLE 6:PIN 1.ANODE 22.N/C3.CATHODE 14.ANODE 15.N/C6.CATHODE 2STYLE 7:PIN 1.SOURCE 22.DRAIN 23.GATE 14.SOURCE 15.DRAIN 16.GATE 2STYLE 8:CANCELLEDSTYLE 11:PIN 1.CATHODE 22.CATHODE 23.ANODE 14.CATHODE 15.CATHODE 16.ANODE 2STYLE 9:PIN 1.EMITTER 22.EMITTER 13.COLLECTOR 14.BASE 15.BASE 26.COLLECTOR 2STYLE 10:PIN 1.SOURCE 22.SOURCE 13.GATE 14.DRAIN 15.DRAIN 26.GATE 2STYLE 12:PIN 1.ANODE 22.ANODE 23.CATHODE 14.ANODE 15.ANODE 16.CATHODE 2STYLE 13:PIN 1.ANODE2.N/C3.COLLECTOR4.EMITTER5.BASE6.CATHODE STYLE 14:PIN 1.VREF2.GND3.GND4.IOUT5.VEN6.VCCSTYLE 15:PIN 1.ANODE 12.ANODE 23.ANODE 34.CATHODE 35.CATHODE 26.CATHODE 1STYLE 17:PIN 1.BASE 12.EMITTER 13.COLLECTOR 24.BASE 25.EMITTER 26.COLLECTOR 1STYLE 16:PIN 1.BASE 12.EMITTER 23.COLLECTOR 24.BASE 25.EMITTER 16.COLLECTOR 1STYLE 18:PIN 1.VIN12.VCC3.VOUT24.VIN25.GND6.VOUT1STYLE 19: PIN 1.I OUT2.GND3.GND4.V CC5.V EN6.V REF STYLE 20:PIN 1.COLLECTOR2.COLLECTOR3.BASE4.EMITTER5.COLLECTOR6.COLLECTORSTYLE 22:PIN 1.D1 (i)2.GND3.D2 (i)4.D2 (c)5.VBUS6.D1 (c)STYLE 21:PIN 1.ANODE 12.N/C3.ANODE 24.CATHODE 25.N/C6.CATHODE 1STYLE 23:PIN 1. Vn2.CH13.Vp4.N/C5.CH26.N/CSTYLE 24:PIN 1.CATHODE2.ANODE3.CATHODE4.CATHODE5.CATHODE6.CATHODESTYLE 25:PIN 1.BASE 12.CATHODE3.COLLECTOR 24.BASE 25.EMITTER6.COLLECTOR 1STYLE 26:PIN 1.SOURCE 12.GATE 13.DRAIN 24.SOURCE 25.GATE 26.DRAIN 1STYLE 27:PIN 1.BASE 22.BASE 13.COLLECTOR 14.EMITTER 15.EMITTER 26.COLLECTOR 2STYLE 28:PIN 1.DRAIN2.DRAIN3.GATE4.SOURCE5.DRAIN6.DRAINSTYLE 29:PIN 1.ANODE2.ANODE3.COLLECTOR4.EMITTER5.BASE/ANODE6.CATHODESC−88/SC70−6/SOT−363CASE 419B−02ISSUE YDATE 11 DEC 2012STYLE 30:PIN 1.SOURCE 12.DRAIN 23.DRAIN 24.SOURCE 25.GATE 16.DRAIN 1Note: Please refer to datasheet forstyle callout. If style type is not calledout in the datasheet refer to the devicedatasheet pinout or pin assignment.SOT −563, 6 LEADCASE 463A ISSUE HDATE 26 JAN 2021SCALE 4:16MECHANICAL CASE OUTLINEPACKAGE DIMENSIONSSOT −563, 6 LEADCASE 463A ISSUE HDATE 26 JAN 2021XX = Specific Device Code M = Month Code G = Pb −Free PackageXX MG GENERICMARKING DIAGRAM*1*This information is generic. Please refer todevice data sheet for actual part marking.Pb −Free indicator, “G” or microdot “G ”, may or may not be present. Some products maynot follow the Generic Marking.SOT −963CASE 527AD −01ISSUE EDATE 09 FEB 2010SCALE 4:1GENERICMARKING DIAGRAM*X = Specific Device Code M = Month Code*This information is generic. Please refer to device data sheet for actual part marking.Pb −Free indicator, “G” or microdot “ G ”,may or may not be present.DIM MIN NOM MAX MILLIMETERS A 0.340.370.40b 0.100.150.20C 0.070.120.17D 0.95 1.001.05E 0.750.800.85e 0.35 BSC 0.95 1.00 1.05HE ANOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS3.MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD FINISH THICKNESS. MINIMUM LEADTHICKNESS IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE MATERIAL.4.DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH, PROTRUSIONS, OR GATE BURRS.XM 1STYLE 1:PIN 1.EMITTER 12.BASE 13.COLLECTOR 24.EMITTER 25.BASE 26.COLLECTOR 1STYLE 2:PIN 1.EMITTER 12.EMITTER23.BASE 24.COLLECTOR 25.BASE 16.COLLECTOR 1STYLE 3:PIN 1.CATHODE 12.CATHODE 13.ANODE/ANODE 24.CATHODE 25.CATHODE 26.ANODE/ANODE 1STYLE 4:PIN 1.COLLECTOR2.COLLECTOR3.BASE4.EMITTER5.COLLECTOR6.COLLECTOR STYLE 6:PIN 1.CATHODE2.ANODE3.CATHODE4.CATHODE5.CATHODE6.CATHODE STYLE 5:PIN 1.CATHODE2.CATHODE3.ANODE4.ANODE5.CATHODE6.CATHODE STYLE 7:PIN 1.CATHODE2.ANODE3.CATHODE4.CATHODE5.ANODE6.CATHODE STYLE 8:PIN 1.DRAIN2.DRAIN3.GATE4.SOURCE5.DRAIN6.DRAINSTYLE 9:PIN 1.SOURCE 12.GATE 13.DRAIN 24.SOURCE 25.GATE 26.DRAIN 1STYLE 10:PIN 1.CATHODE 12.N/C3.CATHODE 24.ANODE 25.N/C6.ANODE 1TOP VIEW SIDE VIEWDIMENSIONS: MILLIMETERSRECOMMENDED MOUNTING FOOTPRINTL 0.19 REF L20.050.100.156X MECHANICAL CASE OUTLINEPACKAGE DIMENSIONSPUBLICATION ORDERING INFORMATIONTECHNICAL SUPPORT North American Technical Support:Voice Mail: 1 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Phone: 011 421 33 790 2910LITERATURE FULFILLMENT :Email Requests to:*******************onsemi Website: Europe, Middle East and Africa Technical Support:Phone: 00421 33 790 2910For additional information, please contact your local Sales Representative ◊。
AO3401MOS场效应管规格书
AO3401MOS场效应管规格书一、概述AO3401 是一种常见的 MOS 场效应管，广泛应用于电子电路中的各种开关和放大功能。
它具有低导通电阻、高开关速度和良好的稳定性等特点，能够满足多种不同应用场景的需求。
二、主要特性1、低导通电阻AO3401 的导通电阻通常较低，这有助于减少在导通状态下的功率损耗，提高电路的效率。
2、高开关速度能够快速在导通和截止状态之间切换，适用于高频应用，保证信号的快速传输和处理。
3、栅极阈值电压具有特定的栅极阈值电压，这决定了管子导通所需的控制电压大小。
4、漏源电压和漏极电流能够承受一定的漏源电压和漏极电流，其具体数值在规格书中有明确规定，用户在设计电路时需根据实际需求进行选择，以确保管子在工作过程中不会超过其极限参数。
三、引脚定义AO3401 通常有三个引脚，分别是栅极（G）、源极（S）和漏极（D）。
1、栅极（G）用于接收控制信号，控制管子的导通和截止。
2、源极（S）通常连接到电路的低电位端。
3、漏极（D）电流从漏极流出，连接到负载或其他电路元件。
四、电气参数1、绝对最大额定值漏源电压（VDS）：最大值为_____V栅源电压（VGS）：最大值为_____V连续漏极电流（ID）：最大值为_____A脉冲漏极电流（IDM）：最大值为_____A功耗（PD）：最大值为_____W工作和存储温度范围：＿____至_____℃2、电特性导通电阻（RDS(on)）：在不同的栅源电压和漏极电流条件下，导通电阻的典型值和最大值有所不同。
阈值电压（VGS(th)）：典型值为_____V输入电容（Ciss）：典型值为_____pF输出电容（Coss）：典型值为_____pF反向传输电容（Crss）：典型值为_____pF五、封装类型AO3401 常见的封装类型有 SOT-23、SOT-89 等。
不同的封装形式在尺寸、散热性能和安装方式上有所差异，用户可以根据实际电路板布局和散热要求进行选择。
优恩半导体ESD静电保护器目录表
Part Number (Reference) ESD3.3V52D-A ESD05V52D-A ESD08V52D-A ESD12V52D-A ESD15V52D-A ESD24V52D-A ESD05V52D-C ESD12V52D-CInternal ConfigurationVrwm(V) 3.3 5 8 12 15 24 5 9Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 200 110 70 60 50 25 10 5 450 200 30 100 75 50Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 120 120 120 120 120 120 100 100 320 320 100 320 320 320 200 5 5 5 5 5 1 1 40 10 1 1 1 1SOD-5234 6 8.5 13.3 16.6 26.7 6 10.2 4 6 6 13.3 16.7 26.7SOD-523 ESD03V32D-C ESD05V32D-C ESD0501V32D-C ESD12V32D-C ESD15V32D-C ESD24V32D-C 3 5 5 12 15 24SOD-323ESD3.3V32D-LA ESD05V32D-LA SOD-323 ESD03V32D-LC ESD05V32D-LC ESD08V32D-LC ESD12V32D-LC ESD15V32D-LC ESD24V32D-LC3.3 5.04 60.4 0.4350 35020 5SOD-3233.0 5.0 8.0 12.0 15.0 24.04.0 6.0 8.5 13.3 16.7 26.71.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2350 350 350 350 350 35020 5 2 1 1 1ESD05V14TLC SOT-1435.06.01.23005Part Number (Reference) ESD03V23T-2A ESD05V23T-2A ESD05V23T-2AL ESD08V23T-2A ESD12V23T-2A ESD15V23T-2A ESD24V23T-2A ESD36V23T-2AInternal ConfigurationVrwm(V) 3.3 5.0 5.0 8.0 12.0 15.0 24.0 36.0Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 400 300 30 250 150 100 88 60Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 300 300 100 300 300 300 300 300 100 10 0.1 1 1 1 1 1SOT-234.0 6.0 6.0 8.5 13.3 16.7 26.7 40.0ESD05V23T-2L SOT-23 Pin 3 to Pin1/Pin2 SM712 Pin 3 to Pin1/Pin2 ESD3.3V23T-1A ESD05V23T-1A ESD08V23T-1A ESD12V23T-1A ESD15V23T-1A ESD24V23T-1A ESD36V23T-1A SOT-235.06.01350177.555400107 3.3 5.0 8.0 12.0 15.0 24.0 36.013.3 4.0 6.0 8.5 13.3 16.7 24.0 40.055 5 5 5 5 5 5 5400 500 500 500 500 500 500 5001 40 5 5 1 1 1 1SOT-23SLVU2.8 SOT-232.83.034001ESD05V26T-4 SOT-265.06.01.23501Part Number (Reference) ESD05V26T-4L ESD12V26T-4L ESD15V26T-4L ESD24V26T-4LInternal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 200 90 70 50Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 350 350 350 350 5 1 1 15.0 12.0 15.0 24.0 SOT-266.0 13.3 16.7 26.7ESD05V26T-5L ESD12V26T-5L ESD15V26T-5L ESD24V26T-5L SOT-265.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.7200 90 70 50350 350 350 3505 1 1 1ESD05V36T-4L SOT-3635.06.021501ESD05V36T-5L SOT-3635.06.0501001ESD05V56T-2L SOT-5635.06.00.9501ESD05V56T-4L SOT-5635.06.0301001ESD05V56T-5L SOT-5635.06.0301001Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)ESD12V56T-2C SOT-5639.010.031001SLVU2.8-4 SO-082.83.024005SLVU2.8-8 SO-08 ESD06V08S-4L SO-082.83.0560056.06.825200020ESD05V08S-4L SO-08 LCDA05C-4 LCDA12C-4 LCDA15C-4 LCDA24C-45.06.0550010SO-085.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.75 5 5 5500 500 500 50020 1 1 1LCDA05C-8 LCDA12C-8 LCDA15C-8 LCDA24C-8 SO-165.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.75 5 5 5500 500 500 50020 1 1 1Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)ESD05VDFN-C DFN10065.06.0101001ULC0524P DSON-105.06.00.81501ULC0528P5.06.50.52000.5MSOP-08ESD05V10S-4L MSOP-105.06.00.51251Cell Phone CCD Camera LinesEE0504K LWSON-085.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5Cell Phone CCD Camera LinesESD0506K5.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5LWSON-12Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)Cell Phone CCD Camera LinesEE0508K5.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5LWSON-16EE0508DFN5.06.0171DFN3014Differential Mode vs. Common Mode4345256162 of 211232011/3/31Curves of CharacterizationBAV99 vs TVS ARRAYS直接將突波導入到 Vcc -- 這種方式非 非 常不安全, 易導致 Vcc損害.直接將突波導入到 GND -- 這種方式非 非 常安全. 因為接地 區域有較大阻抗可 以分散突波.4 of 212011/3/31Parasitic InductanceESD ProtectorESD Protector不妥當的方式 : 無法將保護元件直接貼 在信號線上. 會產生寄 生電感. 造成保護能力 被寄生的電感減弱.安全的方式 : 將保護元件直接貼在信 號線上. 讓保護能力全 力發揮.Fine Layout vs Parasitic InductanceFine Layout -- Without Parasitic InductanceNOT recommation -- Parasitic Inductance7 of 212011/3/31Anti-Parasitic Inductance直接將保護ESD保護能力元件貼在信號線上--不會產生寄生電感問題.可以完全發揮8 of 212011/3/31Anti-Parasitic Inductance3-PIN產品的應用9 of 212011/3/31USB 3.0 Interface ProtectionMSOP-0810 of 212011/3/31HDMI Interface ProtectionSLP2510P8(2.5x1.0x0.5mm)11 of 212011/3/31USB 3.0 Interface Protection12 of 212011/3/31GR-1089 Lighting Protection for T-Carrier Interface13 of 212011/3/3110/1000 Gigabit Ethernet Protection14 of 212011/3/31。
TVS及ESD保护芯片选型
IR MAX (μA)@ VRWM
PACKAGE
RClamp0524P
Protect 4 lines for High speed applications
5
6
0.4
150
5
1
SLP2510P8
RClamp0502A
2 line, Ultra-Low Cap TVS Array 2 line protection, Ultra-Low Cap TVS for ESD/CDE protection 4 line protection Low Cap TVS Array
5
6
160
200
16
5
SLP1006P2
RClamp0524S
5
6
5+
150
6
1
SOT-23 6L
RClamp1654P
5.5
6.5
0.5
100
3
1
SLP1616P6
2
PART NUMBER
VRWM
DESCRIPTION DEVICE SCHEMATIC
USBLC6-2SC6/-2P6 引脚电路图
USBLC6-4SC6 引脚电路图
USBLC6 在 USB2.0 端口的应用
4
RS - 485 接口静电保护芯片 SM712
特点： • 耐压:-7~+12V； • 低容值:75pF； • 低钳位电压； • 12A（8/20μ的）额定浪涌电流； 应用： • RS-485 接口； • 安全系统； • 企业交换机； 描述： TVS 保护管 SM712 专门为非对称（+ 12 V/- 7 伏）保护点的 RS-485 系统提供保护的， 主要保护设备免受静电放电，电快速瞬变、雷电浪涌产生的瞬态电压的损害。该 TVS 管的 设计为非对称操作电压提供了最佳保护，在引脚 1 和 2 有一个工作电压为 12 伏。这两个 引脚都是成对双方向连接引脚 3（如右图），引脚 3 工作电压为 7 伏，该引脚在 RS-485 系 统中是接地的。 SM712 引脚电路图 防雷保护应用： 由于 RS-485 总线实行长距离传输(1200 米以上)，而且其传输线通常暴露于户外，因此极易因为雷击等原因引入 过电压。而 RS-485 数据线工作电压较低（5V 左右），其本身耐压非常低（-7~+12V），一旦过压引入，就会击穿损坏 芯片。 防护电路：
SOT143-01-A002-DA中文资料
% Of Rated Power
50
10
25°
70°
125°
Temperature in °C
Physical Data (mm)
2.92 ± 0.1 0.1 max 1.0 ±0.1 0.56 ±0.05
4
RECOMMENDED
PAD L AYOUT
1.91 ref. 1.91 BSC
3
1.45 ref.
R2 (W) 1.33K 1.0K 5.0K 5.4K 40.0K 10.0K 20.0K
R3 (W) 1.0K 2.0K 5.0K 27.5K 40.0K 20.0K 20.0K
C001 C002 C003 C004 C005 C006 C007 C008 C009 C010
D001 D002 D003 D004 D005 D006 D007
1
2
Schematic D (bussed)
1
2
Schematic / Circuit Detail
Circuit Details for Schematic A
Schematic/Circuit Code
Circuit Details for Schematic B R3 (W) 50.0K 10.0K 9.0K 48.0K 40.0K
封装及命名规则
LIU 串行数据列接口单元
SW 模拟开关
MAT 配对晶体管
SSM 声频产品
MUX 多路调制器
TMP 温度传感器
2．器件型号
3．老化选择：AD 大部分温度范围在 0℃～＋70℃、～25℃～＋85℃、
－40 ℃～＋85℃的产品经过老化，有 BI 标记的表示经老化测试。
4．电气等级
5．封装形式： H 6 腿 TO-78
5
威尔泰电子
精心收集 助您认识各国品牌 IC 封装及命名规则
LE 的现有产品继续使用这一指定，但是将来会转换为 R。
命名规则示例：
对于现有器件 -- SN74LVTxxxDBLE 对于新增或更换器件 -- SN74LVTxxxADBR LE -- 左印（仅对于 DB 和 PW 封装有效） R -- 标准（仅对于除了现有 DB 和 PW 器件之外的所有贴面封装有效）
K -- 下冲-保护电路 (CBTK)
R -- 输入/输出阻尼电阻 (LVCR)
S -- 肖特基钳位二极管 (CBTS)
Z -- 上电三态 (LVCZ)
5. 位宽
空 = 门、MSI 和八进制
1G -- 单门
8 -- 八进制 IEEE 1149.1 (JTAG)
16 -- Widebus™（16 位、18 位和 20 位）
PQFP 封装的芯片引脚之间距离很小， 管脚很细，一般大规模或超大规模集成 电路采用这种封装形式，其引脚数一般 都在 100 以上。
1968～1969 年菲为浦公司就开发出小外 形封装（SOP）。以后逐渐派生出 SOJ（J 型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形 SOP Small Outline Package 封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP （缩小型 SOP）、TSSOP（薄的缩小型 SOP）及 SOT（小外形晶体管）、SOIC （小外形集成电路）等。
SR05在USB2.0防护方案中的应用及参数分析
【SR05】USB2.0端口运用和参数分析随着国民经济的飞速发展，人民生活水平的提高，电子产品的升级换代也日益加速，现在各类数码产品的功能越来越强大，而电路板却越来越小，集成度越来越高。
并都或多或少的装有部分接口用于人机交互，这样就存在着人体静电放电的ESD问题。
一般数码产品中需要进行ESD防护的部位有：USB接口、HDMI接口、IEEE1394接口、天线接口、VGA接口、DVI接口、按键电路、SIM卡、耳机及其他各类数据传输接口。
本篇我们将以USB2.0防护方案为范例为大家推荐一款ESD静电二极管：【SR05】.接下来我们就一起来了解一下吧！SR05参数表SR05的特性：1、依据(tp=8/20μs)线路，峰值脉冲功率为300W2、保护两个I/O线3、低钳位电压4、工作电压：5V5、低漏电流6、IEC61000-4-2(ESD)±15kV(空气),±8kV(接触)7、IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ηs)8、IEC61000-4-5(Lightning)5A(8/20μs)通过上面的了解大家应该知道SR05这个ESD静电二极管了吧！我将更进一步学习SR05怎么样用在USB2.0端口。
首先：我们先看看USB2.0端口运用的先决条件1、USB2.0需要支持热插拔2、传输速率高达480Mbps，不容许数据丢包3、USB芯片集成度高，很脆弱，易受静电损坏其次：我们来看看SR05的运用线路吧再次：我们来看看这个USB2.0端口运用SR05的注意事项1、在USB2.0的电源线，数据用1颗TVS对地做防护，钳位静电电压2、该TVS的结电容小于1.2pF，在USB2.0最高速率480Mbps时都可以完成传输信号3、该TVS封装为SOT-143，体积小，节约PCB 空间，便于工程师设计最后：我们通过上面的了解，我们总结SR05还用在更多地方1、USB电源和数据线保护2、基于T的10以太网3、I2C总线保护4、视频线路保护5、T1/E1次级IC侧保护6、单片机输入保护7、ISDN S/T接口8、广域网/局域网设备。
贴片元件封装尺寸图
TO-268AA贴片元件封装形式图片
TO-263 D2PAK封装尺寸图
TO-252 DPAK封装尺寸图
0201封装尺寸
0402封装尺寸图片
0603封装尺寸图
0805封装尺寸图
01005封装尺寸图
1008封装尺寸图
1206封装尺寸图
1210封装尺寸图
1406封装尺寸图
1812封装尺寸图
1808封装尺寸图
1825封装尺寸图
2010封装尺寸图
2225封装尺寸图
2308封装尺寸图
2512封装尺寸图
DO-215AB封装尺寸图
DO-215AA封装尺寸图
DO-214AC封装尺寸图
DO-214AB封装尺寸图
DO-214AA封装尺寸图
DO-214封装尺寸图
DO-213AB封装尺寸图
D O-213AA封装尺寸图
SOD123H封装图
SOD723封装尺寸图
SOD523封装尺寸图
SOD323封装尺寸图
SOD-123F封装尺寸图
SOD123封装尺寸图
SOD110封装尺寸图
DO-214AC SOD106封装尺寸图
D-7343封装尺寸图
C-6032封装尺寸图
B-3528封装尺寸图
A-3216封装尺寸图
SOT883封装尺寸图
SOT753封装尺寸图
SOT666封装尺寸图
SOT663封装尺寸图
SOT552-1封装尺寸图
1SOT523封装尺寸图
SOT505-1封装尺寸图
SOT490-SC89封装尺寸图
SOT457 SC74封装尺寸图
SOT428封装尺寸图。
EMC防雷器件
上海圳耀电子EMC保护器件简介1公司简介圳耀电子是一家专注于EMC防护的电路设计公司。
凭借着十几年的EMC专业经验，可为客户度身定做最适合，最可靠，最具性价比的EMC保护方案。
以保证客户产品能顺利通过相应安规和行业标准测试，产品应用涵盖：汽车，通讯，电源，安防，家电等各个行业。
公司核心价值观客户第一始终把客户放在第一位，关注客户需求，并关注“客户之客户”的需求，从而真正了解客户的产品，提供专业的服务和高性价比的产品，从而帮助客户获得成功。
持之以恒“持之以恒、生生不息”是LEADEMC的核心精神，也是LEADEMC有别于其他企业的特点所在。
以远大的胸怀，设立长期目标，持续不懈地努力工作，一定能够获得最后的成功。
核心竞争力长期关注行业与EMC技术发展积累的专业能力和创新能力长期坚持客户第一积累的客户满意度和品牌形象持续优化、高效的管理机制和流程体系团队合作的、训练有素的专业人才队伍电子行业经常碰到EMC问题，我司可提供解决方案、电子元器件，测试验证等一系列的服务；其中电子元器件包括：瞬态抑制二极管（TVS），静电保护元件（TVS ARRAY），压敏电阻（MOV），陶瓷气体放电管（GDT），半导体放电管（TSS），正温度系数热敏电阻（PTC），负温度系数热敏电阻（NTC），电感、磁珠等。
Response timeWithstanding currentTVSMOV25ns1psTSS 1nsGDT100ns6.6SMD100A1KA 10kACurrent waveform 8/20μsESD RESPONSE TIME & WITHSTANDING CURRENTV lineTrigger VoltageDelatchSwitch-type DevicesGDT,SPG,TSS V lineTransient EventV lineClamping DevicesTVS,Hyperfix, MOVClamp VoltageClamping Devices VS Switch-type DevicesTVS瞬态抑制二极管，硅材料半导体器件，通过扩散工艺制成，电压从6V-600V ，广泛应用于电源、通讯、工业控制等各行各业。
Amazing晶焱代理 ESD TVS静电抑制器 电路保护管 详细参数选型
SOD-323
AZ1603-02S Bi-direction
SOT23-6L
AZ1605-01L Bi-direction
Transient Voltage Suppressing Device for ESD and Surge
SOD-323
AZ1613-01L Bi-direction
Transient Voltage Suppressing Device for ESD and Surge
AZ1065-06F Uni-direction Ultra Low Capacitance ESD Protection Array For High Speed I/O DFN4120P10E
AZ1065-06Q Uni-direction Ultra Low Capacitance ESD Protection Array For High Speed I/O MSOP-8L
AZ1045-04SU Uni-direction Ultra Low Capacitance ESD Protection Array For High Speed I/O SOT23-6L
AZ1045-08F Uni-direction Low Capacitance ESD Protection Array For High Speed Data DFN3810P9E
SOD-523
AZ2015-02S Uni-direction
Transient Voltage Suppressing Array For ESD/Transient
SOT23-3L
AZ2015-05R Uni-direction
Transient Voltage Suppressing Device for ESD/Transient
低容TUSD05J2U,用于USB3.0的完全静电保护
瞬雷瞬雷电子电子电子推出推出推出低容低容TUSD05J2U ，用于USB3.0的完全的完全静电保护静电保护
坚持以“只为您的电路更安全”为宗旨的瞬雷电子，日前推出TUSD05J2U 系列产品，作为其保护系列产品中的最新成员。
随着人们对速度的追求，USB2.0己经成为了一个过去式，USB3.0的登场将给我们生活带来更高的效率，瞬雷电子针对这种需求，在原来TLSD05J2U 的基础上开发出了TUSD05J2U，其超低的容值及改良过的芯片工艺将在浪涌承受能力不变的情况下，有效的解决了USB3.0的静电保护。
其特性如下：
电容值低Cp<0.9pF
抗静电能力强 IEC6100-4-5 air 20KV contact 15KV 箝位电压低VC<9.8V@1A
抗冲击次数强，1000C@0.2S/C
SOT-143封装，完全可以直接升级替换
符合ROHS 标准 低容TUSD05J2U ，用于USB3.0的完全静电保护。
Eaton Power Defense 模具型电流保护器PDG14M0025TFFJ的产品说明说明书
Eaton PDG14M0025TFFJEaton Power Defense molded case circuit breaker, Globally Rated, Frame 1, Four Pole (100% N), 25A, 65kA/480V, T-M (Fxd-Fxd) TU, Standard Line and Load (PDG1X4T125)Eaton Power Defense molded case circuit breakerPDG14M0025TFFJ 78667923107476 mm 139.7 mm 101.6 mm 2.22 kg Eaton Selling Policy 25-000, one (1) year from the date of installation of theProduct or eighteen (18) months from thedate of shipment of the Product,whichever occurs first.RoHS Compliant UL 489CCC MarkedIEC 60947-2CSAProduct NameCatalog Number UPCProduct Length/Depth Product Height Product Width Product Weight WarrantyCompliancesCertifications25 AComplete breaker 1Four-pole (100% N)PD1 Global Class AT-M (Fxd-Fxd) TU600 Vac600 V100% neutral protection Standard Line and Load65 kAIC at 480 Vac100 kAIC @240V (UL)70 kAIC Icu/ 50 kAIC Ics/ 154 kAIC Icm @380-415V (IEC) 35 kAIC Icu @250 Vdc100 kAIC Icu/ 100 kAIC Ics/ 220 kAIC Icm @240V (IEC) 65 kAIC @480V (UL)25 kAIC @600V (UL/CSA)35 kAIC Icu @125 Vdc Eaton Power Defense MCCB PDG14M0025TFFJ 3D drawingConsulting application guide - molded case circuit breakersPower Defense technical selling bookletPower Defense brochurePower Defense molded case circuit breaker selection poster Power Defense molded case circuit breakers - Frame 1 product aidMolded case circuit breakers catalogPDG1 CSA certificationPDG1 UL authorizationPDG1 CCC certificationAmperage RatingCircuit breaker frame type FrameNumber of poles Circuit breaker type ClassTrip TypeVoltage rating Voltage rating - maxProtection TerminalsInterrupt rating Interrupt rating range 3D CAD drawing package Application notes BrochuresCatalogsCertification reportsEU Declaration of Conformity - Power Defense molded case circuit breakersInstallation instructionsPower Defense Frame 1 Instructions - IL012152ENPower Defense Frame 1 UL Global variable depth rotary handle mech installation instructions - IL012308ENPower Defense padlockable handle lock hasp top off only installation instructions - IL012226ENPower Defense Frame 1 UL Global Multi-wire Terminal Load Side Aluminum Cat Number PDG1X4TA1253W Instructions - IL012199EN Power Defense Frame 1 UL global terminal shield cover IP30 4P -IL012175ENPower Defense Frame 1 UL global handle block padlockable -IL012178ENPower Defense Frame 1 UL global interphase barrier instructions -IL012313ENPower Defense Frame 1 UL global box terminal (steel) 125A 4P -IL012165EN H04Power Defense Frame 1 UL global DIN rail adapter 2, 3, 4-pole -IL012185ENPower Defense Frame 1 UL global screw terminal end cap kit 125A 4P - IL012164ENPower Defense Frame 1 UL global interphase barrier - IL012176EN Power Defense Frame 1 UL global handle block padlockable off only - IL012179ENPower Defense Frame 1-2-3-4 IP door barrier assembly instructions -IL012278ENPower Defense Frame 1 UL global DIN rail adapter three or four pole - IL012186ENPower Defense Frame 1 UL global Padlockable Handle Lock Hasp -IL012225ENPower Defense Frame 1 UL global handle block non padlockable -IL012177ENPower Defense Frame 1 UL Global Multi-Wire Terminal Load Side Aluminum Cat Num PDG1X4TA1256W Instructions - IL012200EN Power Defense Frame 1 UL global lock padlockable handle haspIL012180ENPower Defense Frame 1 UL global tunnel terminal (aluminum) 125A 4P - IL012166EN H04Power Defense Frame 1 UL global screw terminal end cap kit metric 125A 4P - IL012172ENInstallation videosPower Defense Frame 1 UL Global Aux, Alarm, ST and UVR AnimatedEaton Corporation plc Eaton House30 Pembroke Road Dublin 4, Ireland © 2023 Eaton. All Rights Reserved. Eaton is a registered trademark.All other trademarks areproperty of their respectiveowners./socialmediaInstructions.rh Power Defense Frame 3 Variable Depth Rotary Handle Mechanism Installation How-To VideoPower Defense molded case circuit breakersPower Defense Frame 2 Variable Depth Rotary Handle Mechanism Installation How-To Video Power Defense BreakersPower Defense Frame 5 Trip Unit How-To VideoPower Defense Frame 1 Aux, Alarm, and Shunt Trip How-To Video Power Defense Frame 6 Trip Unit How-To Video Eaton Power Defense for superior arc flash safety Eaton Specification Sheet - PDG14M0025TFFJ Power Defense time current curve Frame 1 - PDG1Single and double break MCCB performance revisited Molded case and low-voltage breaker health Safer by design: arc energy reduction techniquesMultimediaSpecifications and datasheetsTime/current curvesWhite papers。
PCB封装库命名规则
封装库的管理规范修订履历表版本号变更日期变更内容简述修订者审核人V1.00 初次制定杨春萍一。
元件库的组成1.1 原理图Symbol库原理图Symbol库分为STANDARD_LIB.OLB和TEMPORARY_LIB.OLB，用于标准库和临时库的区分；1.2 PCB的Footprint库PCB封装库只有一个文件夹，里面包括所有的封装和焊盘。
二、元件Ref缩写列表常用器件的名称缩写作如下规定：集成芯片 U电阻 R排阻 RN电位器 RP压敏电阻 RV热敏电阻RT无极性电容、大片容C铝电解CD钽电容CT可变电容 CP二极管 D三极管 QESD器件(单通道)DMOS管 MQ滤波器 Z电感L磁珠 FB霍尔传感器 SH温度传感器 ST晶体Y晶振 X连接器J接插件 JP变压器 T继电器 K保险丝 F过压保护器 FV电池 GB蜂鸣器 B开关 S散热架 HS生产测试点：TP/TP_WX1信号测试点：TS螺丝孔 HOLE定位孔：H基标：BASE三、元件属性说明为了能够将元件信息完全可以录入ORCAD的元件信息系统（CIS）中，根据器件的特性，建库申请人还应将相应的信息（但不仅限于以下信息）提供给库管理员。
元件属性如下：Value：器件的值，主要是电阻、电容、电感；Tolerance：公差，主要指电阻、电容的精度等级；晶体、钟振的频偏范围；C_Voltage：电压，主要指电容的额定电压，晶体、钟振的供电电压；Wattage：功率，主要是电阻的额定功率；Dielectric：电容介质种类，如NPO、X7R、Y5V等等Temperature：使用温度Life：使用寿命CL：容性负载，主要针对晶体来说Current：电流，电感、磁珠的额定电流Resonace frequency：电感的谐振频率Part_Number：器件料号Footprint：指PCB封装Price：价格Description：元件简单描述，主要引用S6ERP品名。
IC 封装及命名规则
IC 封装及命名规则--- ATMELATMEL产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：ATMEL 公司产品代号2．器件型号3．速度4．封装形式：A TQFP 封装B 陶瓷钎焊双列直插C 陶瓷熔封D 陶瓷双列直插F 扁平封装G 陶瓷双列直插，一次可编程J 塑料J 形引线芯片载体K 陶瓷J 形引线芯片载体L 无引线芯片载体M 陶瓷模块N 无引线芯片载体，一次可编程P 塑料双列直插Q 塑料四面引线扁平封装R 微型封装集成电路S 微型封装集成电路T 薄型微型封装集成电路U 针阵列V 自动焊接封装W 芯片Y 陶瓷熔封Z 陶瓷多芯片模块5．温度范围：C 0℃至70℃，I -40℃至85℃，M -55℃至125℃6．工艺：空白标准/883 Mil-Std-883, 完全符合B 级B Mil-Std-883，不符合B 级CYPRESS产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：CY Cypress 公司产品， CYM 模块， VIC VME 总线2．器件型号：7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM 7C404 FIFO 7C9101 微处理器3．速度4．封装形式：A 塑料薄型四面引线扁平封装B 塑料针阵列D 陶瓷双列直插F 扁平封装G 针阵列H 带窗口的密封无引线芯片载体J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封L 无引线芯片载体P 塑料Q 带窗口的无引线芯片载体R 带窗口的针阵列S 微型封装ICT 带窗口的陶瓷熔封U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装V J 形引线的微型封装W 带窗口的陶瓷双列直插X 芯片Y 陶瓷无引线芯片载体HD 密封双列直插HV 密封垂直双列直插PF 塑料扁平单列直插PS 塑料单列直插PZ 塑料引线交叉排列式双列直插E 自动压焊卷N 塑料四面引线扁平封装5．温度范围：C 民用（0℃至70℃）I 工业用（-40℃至85℃）M 军用（-55℃至125℃）6．工艺： B 高可靠性HITACHI常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41．前缀：HA 模拟电路HB 存储器模块HD 数字电路HL 光电器件（激光二极管/LED）HM 存储器（RAM）HR 光电器件（光纤）HN 存储器（NVM）PF RF 功率放大器HG 专用集成电路2．器件型号3．改进类型4．封装形式P 塑料双列PG 针阵列C 陶瓷双列直插S 缩小的塑料双列直插CP 塑料有引线芯片载体CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体FP 塑料扁平封装G 陶瓷熔封双列直插SO 微型封装IC 封装及命名规则---ALTERAALTERA产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61．前缀：EP 典型器件EPC 组成的EPROM 器件EPF FLEX 10K 或FLFX 6000 系列、FLFX 8000 系列EPM MAX5000 系列、MAX7000 系列、MAX9000 系列EPX 快闪逻辑器件2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插Q 塑料四面引线扁平封装P 塑料双列直插R 功率四面引线扁平封装S 塑料微型封装T 薄型J 形引线芯片载体J 陶瓷J 形引线芯片载体W 陶瓷四面引线扁平封装L 塑料J 形引线芯片载体B 球阵列4．温度范围：C ℃至70℃，I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．管脚6．速度IC 封装及命名规则---BBBB产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B4 7 81．前缀：ADC A/D 转换器ADS 有采样/保持的A/D 转换器DAC D/A 转换器DIV 除法器INA 仪用放大器ISO 隔离放大器MFC 多功能转换器MPC 多路转换器MPY 乘法器OPA 运算放大器PCM 音频和数字信号处理的A/D 和D/A 转换器PGA 可编程控增益放大器SHC 采样/保持电路SDM 系统数据模块VFC V/F、F/V 变换器XTR 信号调理器2．器件型号3．一般说明：A 改进参数性能L 锁定Z + 12V 电源工作HT 宽温度范围4．温度范围：H、J、K、L 0℃至70℃A、B、C -25℃至85 ℃R、S、T、V、W -55℃至125℃5．封装形式：L 陶瓷芯片载体M 密封金属管帽N 塑料芯片载体P 塑封双列直插H 密封陶瓷双列直插G 普通陶瓷双列直插U 微型封装6．筛选等级：Q 高可靠性QM 高可靠性，军用7．输入编码：CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8．输出：V 电压输出I 电流输出IC 封装及命名规则---TI逻辑器件的产品名称器件命名规则SN 74 LVC H 16 2 244 A DGG R1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1. 标准前缀例：SNJ -- 遵从 MIL-PRF-38535 (QML)2. 温度范围54 -- 军事74 -- 商业3. 系列4. 特殊功能= 无特殊功能C -- 可配置 Vcc (LVCC)D -- 电平转换二极管 (CBTD)H -- 总线保持 (ALVCH)K -- 下冲-保护电路 (CBTK)R -- 输入/输出阻尼电阻 (LVCR)S -- 肖特基钳位二极管 (CBTS)Z -- 上电三态 (LVCZ)5. 位宽= 门、MSI 和八进制1G -- 单门8 -- 八进制 IEEE 1149.1 (JTAG)16 -- Widebus™（16 位、18 位和 20 位）18 -- Widebus IEEE 1149.1 (JTAG)32 -- Widebus™（32 位和 36 位）6. 选项= 无选项2 -- 输出串联阻尼电阻4 -- 电平转换器25 -- 25 欧姆线路驱动器7. 功能244 -- 非反向缓冲器/驱动器374 -- D 类正反器573 -- D 类透明锁扣640 -- 反向收发器8. 器件修正= 无修正字母指示项 A-Z9. 封装D, DW -- 小型集成电路 (SOIC)DB, DL -- 紧缩小型封装 (SSOP)DBB, DGV -- 薄型超小外形封装 (TVSOP)DBQ -- 四分之一小型封装 (QSOP)DBV, DCK -- 小型晶体管封装 (SOT)DGG, PW -- 薄型紧缩小型封装 (TSSOP)FK -- 陶瓷无引线芯片载体 (LCCC)FN -- 塑料引线芯片载体 (PLCC)GB -- 陶瓷针型栅阵列 (CPGA)GKE, GKF -- MicroStar™ BGA 低截面球栅阵列封装 (LFBGA)GQL, GQN -- MicroStar Junior BGA 超微细球栅阵列 (VFBGA)HFP, HS, HT, HV -- 陶瓷四方扁平封装 (CQFP)J, JT -- 陶瓷双列直插式封装 (CDIP)N, NP, NT -- 塑料双列直插式封装 (PDIP)NS, PS -- 小型封装 (SOP)PAG, PAH, PCA, PCB, PM, PN, PZ -- 超薄四方扁平封装 (TQFP)PH, PQ, RC -- 四方扁平封装 (QFP)W, WA, WD -- 陶瓷扁平封装 (CFP)10. 卷带封装DB 和 PW 封装类型中的所有新增器件或更换器件的名称包括为卷带产品指定的R。
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Revision January 06, 2014
1/3
Transient Voltage Suppressors Array for ESD Protection
ESD05V14T-LC
Low Capacitance
Electrical Characteristics (@ 25℃ Unless Otherwise Specified )
θ
0°
-
8° 0° - 8°
aaa
0.006
0.15
bbb
0.008
0.20
ccc
0.004
0.10
Soldering Footprint
Symbol C E1 E2 G X1 X2 Y Z
Inches (0.087) 0.076 0.068 0.031 0.039 0.047 0.055 0.141
t - Time (μs)
Fig3. Power Derating Curve
% of Rated Power
110 100
90 80 70
60 50 40 30 20
10 0 0
25
50
75 100 125 150
Ambient Temperature – TA (ºC)
Fig2. ESD Pulse Waveform (according to IEC 61000-4-2)
Millimeters (2.20) 1.92 1.72 0.80 1.00 1.20 1.40 3.60
Revision January 06, 2014
3/3
100% 90%
Percent of Peak Pulse Current %
10%
tr = 0.7~1ns 30ns
60ns
Time (ns)
Revision January 06, 2014
2/3
Transient Voltage Suppressors Array for ESD Protection
Part Number
Device Marking
VRWM (V) (Max.)
VB (V) (Min.)
IT (mA)
VC @1A (Max.)
VC (Max.) (@A)
IR (μA)
(Max.)
C (pF) (Typ.)
ESD05V14T-LC
SL3
5
6
1
9.8
17
5
5
1.2
Characteristic Curves
Mechanical Characteristics
Functional Diagram
Mechanical Characteristics u JEDEC SOT-143 Package u Molding Compound Flammability Rating : UL 94V-0 u Weight 10.0 Milligrams (Approximate) u Quantity Per Reel : 3,000pcs u Reel Size : 7 inch u Lead Finish : Lead Free
Transient Voltage Suppressors Array for ESD Protectione
Description
The ESD05V14T-LC is designed to protect voltage sensitive components from ESD and transient voltage events. Excellent clamping capability, low leakage, and fast response time, make these parts ideal for ESD protection on designs where board space is at a premium.
θ
A2 0.020 0.035 0.042 0.75 0.90 1.07
b 0.011 - 0.020 0.30 - 0.51
b1 0.029 - 0.037 0.76 - 0.94
c 0.003 - 0.008 0.08 - 0.20
D 0.110 0.114 0.120 2.80 2.90 3.04
Symbol PPP TL TSTG TJ
Parameter Peak Pulse Power (tp=8/20μs waveform) Lead Soldering Temperature Storage Temperature Range Operating Temperature Range IEC61000-4-2 (ESD)
ESD05V14T-LC
Low Capacitance
SOT-143 Package Outline & Dimensions
Inches
Millimeters
Symbol
Min. Nom. Max. Min. Nom. Max.
A 0.031 - 0.048 0.80 - 1.22
A1 0.000 - 0.008 0.013 - 0.15
IEC61000-4-4 (EFT) IEC61000-4-5 ( Lightning )
Air Discharge Contact Discharge
Value
300 260 (10sec) -55 to +150 -55 to +150
±15 ±8 40 5
Units W ºC ºC ºC
KV
A A
E 0.082 0.093 0.104 2.10 2.37 2.64
E1 0.047 0.051 0.055 1.20 1.30 1.40
e
0.075
1.92 BSC
e1
0.008
0.20 BSC
L 0.015 0.020 0.024 0.40 0.50 0.60
L1
(0.021)
(0.54)
N
4
4
SOT-143
Feature
u 300 Watts Peak Pulse Power per Line (tp=8/20μs) u Protects two I/O lines u Low clamping voltage u Working voltages : 5V u Low leakage current u IEC61000-4-2 (ESD) ±15kV (air), ±8kV (contact) u IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ηs) u IEC61000-4-5 (Lightning) 5A (8/20μs)
Fig1. 8/20μs Pulse Waveform
IPP - Peak Pulse Current - % of IPP
120
TEST
100
tr
Peak Value IPP WAVEFORM
PARAMETERS
tr=8μs
80
td=20μs
60
40 td=t IPP/2
20
0
0
5
10
15
20
25 30
Applications
u USB Power & Data Line Protection u Ethernet 10BaseT u I2C Bus Protection u Video Line Protection u T1/E1 secondary IC Side Protection u Microcontroller Input Protection u ISDN S/T Interface u WAN/LAN Equipment