超低介电常数纳米多孔SiO_2薄膜制备技术进展

超低介电常数纳米多孔SiO_2薄膜制备技术进展
甄聪棉;刘雪芹;何志巍;兰伟;王印月
【期刊名称】《硅酸盐学报》
【年(卷),期】2003(31)9
【摘要】纳米多孔SiO_2薄膜具有超低的介电常数,作为绝缘介质在超大规模集成电路互连系统有着巨大的应用潜力。

文中概述了纳米多孔SiO_2薄膜的孔隙度与介电常数的关系,指出所有模型均位于串联和并联模型之间,介电常数均随孔隙度的增加而下降。

说明了多孔siO_2薄膜按孔隙度不同主要分气凝胶和干凝胶两类。

介绍了从溶液前驱物中合成的原理,给出了制备纳米多孔SiO_2薄膜的一般流程。

详细总结了用气凝胶/干凝胶法和模板法制备纳米多孔SiO_2薄膜的技术进展。

探讨了旋转涂覆制备多孔SiO_2薄膜的弱点及改进办法,指明了超低介电常数纳米多孔SiO_2薄膜制备技术的发展方向。

【总页数】5页(P878-882)
【关键词】超低介电常数;纳米多孔SiO2薄膜;旋转涂覆;综述
【作者】甄聪棉;刘雪芹;何志巍;兰伟;王印月
【作者单位】兰州大学物理系
【正文语种】中文
【中图分类】O484.4
【相关文献】
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