ggnmos工作原理

ggnmos工作原理
GGNMOS（栅极接地的NMOS）是一种常用的ESD（静电放电）保护器件。

其工作原理如下：
在正常工作情况下，GGNMOS处于高阻态，并联在PAD与GND轨间，
不会影响电路的正常工作状态。

当ESD电流从PAD进入IC后，整个回路
电压提升。

当电压达到Drain（N）/Sub（P）的反偏击穿电压后，器件体
内Drain/P-sub会发生雪崩击穿，大量雪崩击穿产生的载流子通过衬底电阻，产生压降。

当Vsub-source压降大于后，在器件体内由Drain—Psub—Source构成
的NPN寄生三极管完全导通，此时Drain的电位对应TLP曲线中的（Vt1，It1）点，该点电压称为trigger voltage。

当发生trigger后，整个GGNMOS表现出负阻行为，称为snap-back。

发生snap-back是由于Drain—Psub—Source构成的NPN寄生三极管导通后，来自source端的漂移载流子数目开始增多，导电机制的变化使得维持相同电流的偏压大幅度降低，器件出现负阻特性。

当电压降低到Vh，电流提升到Ih。

（Vh，Ih）被称为holding voltage，这一点说明器件中电流基本是由漂移载流子提供，雪崩击穿产生的载流子可忽略不计。

以上内容仅供参考，建议咨询专业人士获取更准确的信息。