一种超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺[发明专利]

专利名称：一种超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺
专利类型：发明专利
发明人：姚力军,边逸军,潘杰,王学泽,王少平
申请号：CN202010688599.8
申请日：20200716
公开号：CN111826706A
公开日：
20201027
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺。

本发明的超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺，包括如下步骤：1)对超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材待分析面进行研磨；2)对经步骤1)研磨后的待分析面采用电解抛光液进行电解抛光。

本发明的超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺，适用于芯片用超高纯Cu及Cu合金靶材的晶粒尺寸、晶向、织构等晶体学分析，特别适用于细晶、超细晶超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材，用于指导超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的工艺开发。

申请人：宁波江丰电子材料股份有限公司
地址：315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路
国籍：CN
代理机构：北京远智汇知识产权代理有限公司
代理人：王岩
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