1SV262_07中文资料(toshiba)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
希科系统用户手册
1
3. 管理员指南 ..................................................................................................................................................... 25 3.1. 如何指定管理权限 ............................................................................................................................. 25 3.2. 如何维护资助类别 ............................................................................................................................. 26 3.3. 如何启动项目申报 ............................................................................................................................. 27 3.4. 如何撰写申报通知 ............................................................................................................................. 28 3.5. 如何指派评议人 ................................................................................................................................. 28 3.6. 如何进行批量评议 ............................................................................................................................. 29 3.7. 如何进行评议进度检查 ..................................................................................................................... 29 3.8. 如何进行项目经费管理 ..................................................................................................................... 30
2SD1715中文资料(Savantic)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
硅 NPN功 率 晶 体 管
特性 Tj=25 除非另有规定
符号
参数
VCEsat
集电极 - 发射极饱和电压
VBE
上的电压基极 - 发射
ICBO
集电极截止电流
IEBO
发射极截止电流
h FE-1
DC电流增益
hFE -2
DC电流增益
hFE -3
DC电流增益
COB
输出电容
fT
转换频率
hFE-2 分类
Q
S
60-120
80-60
P 100-200
产品规格
2SD1715
条件
IC=7A ;I B=0.7A IC=7A ; V CE=5V V CB=150V; I E=0 VEB=3V; I C=0 IC=20mA ; V CE=5V IC=1A ; V CE=5V IC=7A ; V CE=5V IE=0 ; V CB=10V;f=1MHz IC=0.5A ; V CE=5V
MIN TYP. MAX UNIT
2.0
V
1.8
V
50
µA
50
µA
20
60
200
20
140
pF
20
MHz
2
芯片中文手册,看全文,戳
硅NPN功率晶体管
包装外形
产品规格
2SD1715
图 2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.30毫米） 3
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硅NPN功率晶体管
产品规格
2SD1715
4
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硅NPN功率晶体管
说明
·随着TO-3PFa包
8020.0516.xx中文资料(Schurter)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
ø 0.65
ø 3.9
max.
max.
40 max.11.0 40
预燃弧时间 Rated Current In 2. x In max.
0.1 A - 5 A
120 s
2.75 x In min.
400 ms
2.75 x In max.
10 s
4.0 x In min. 4.0 x In max.
认证
- VDE License Number: 40015228 - UL File Number: E184831
技术数据
额定电压 额定电流 分断能力 特有 安装
允许的环境空气温度.
材料：管 材质：端盖 材质：轴向引线 单位重量 储存条件 产品标识
250 VAC 0.1 - 5 A 35 A - 40 A 时间延迟T PCB,THT -20 °C to 70 °C
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非自恢复保险丝
超小型保险丝,3.6×10毫米,时间延迟T,250 VAC
IEC 60127-3·250 VAC·时间延迟T
描写
- 陶瓷管 - IEC标准微型保险丝
标准
- IEC 60127-3/4 - UL 248-14 - CSA C22.2 no. 248.14
陶瓷的
黄铜镀镍
镀锡铜0.6克0°C至 60°C, 最高. 70％相对湿度
,电流,电压特性,
认证
尺寸
11 mm
应用
- 数字消费电子 - 电源
参考 一般产品信息 包装详细信息
焊接方法 可焊性
耐焊接热
波,铁 235 °C / 2 sec acc. to IEC 60068-2-20, Test Ta, method 1 260 °C / 10 sec acc. to IEC 60068-2-20, Test Tb, method 1A
ZY7007LU-T2中文资料(Power-One)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
对于频率单线串行通信总线
同步,编程和监视 最佳电压定位,可编程斜率
在六线
过流,过压,欠压,和 过热防护护,可编程
阈值和类型
可编程固定开关频率0.5-1.0MHz
可编程导通和关断延迟
可编程导通和关断电压摆率 与跟踪防护护 可编程反馈环路补偿
电源良好信号,可编程限
可编程故障管理
起动到负载预偏置到100％
2
3
Units °C
°C
grams MHrs
°C °C
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ZY7007 7A DC-DC POL智能数据表 3V至14V输入 0.5V至5.5V输出
4. 电气规格
技术指标适用于从3V输入电压14V,输出负载从0到7A,环境温度为-40°C至85°C,
100 F 输出电容,和默认性能参数设置,除非另有说明.
2. 绝对最大额定值 在超过绝对最大额定值应力可能会导致性能下降,长期可靠性产生不利影响,并导致变频器永久性损坏.
参数 工作温度
输入电压 输出电流
3. 环防护和机械规格
参数 环境温度范围
存储温度（TS）
重量
MTBF
回流峰值温度
镀铅 潮湿敏感度等级
条件 /说明
控制器外壳温度
250ms瞬态
（见输出电流降额曲线）
Delay
Logic
下限阈值 阈值上限
Delay
门限准确度
ZY7007 7A DC-DC POL智能数据表 3V至14V输入 0.5V至5.5V输出
输出欠压防护护
默认 可编程
默认
可编程在5％步骤
测量V
O.SET =2.5V
从什么时候超过阈值,直到瞬间
ERCD-010-10.00-STL-STL-1-B中文资料(SAMTEC)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
(95,3mm) 03.75"
minimum
–TTR
= Terminal, Top Right
–TTL
= Terminal, Top Left
DV to Edge Mount (-TEX) Edge Mount (-TEX)
(26,69) 1.051
(29,92) 1.178
Latch option)
–B
= Both ends have Squeeze
Latch (TEX only)
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F-211-1
™
(0,80mm) .0315" ERCD系列
ERCD–050–08.00–SBR–STR–1–D
ERCD–020–10.00–TEU–STR–1–R
边沿速率同™ 轴电缆ASSEMBLIES
规格
i
For complete specificationsand recommended PCB layoutssee
配合带：
ERF8, ERM8
宽边擦 触点减少 无用 相声
Cable: 34 AWG coax ribbon cable
Signal Routing: 50Ω Single-Ended
Plating: Au over 50µ" (1,27µm) Ni Operating Temp Range: -25°C to +105°C
RoHS Compliant: Yes
Cable Length
Rated @ 7dB Insertion Loss
ERCD
6" (152,4mm) 6.37 GHz / 12.74 Gbps
E3643A中文资料(Agilent(Hewlett-Packard))中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
防护
一年E364xA系列电源
三个月标准运附件
产品监管
设计符合UL3111-1;认证,CSA 22.2 1010.1号; 符合IEC 1010-1;符合EMC指令89/336/EEC（第1组,A类）
订购信息
安捷伦E364xA系列电源 E3640A 30瓦单电源 E3641A 30瓦单电源 E3642A 50瓦单电源 E3643A 50瓦单电源 E3644A 80瓦单电源 E3645A 80瓦单电源 E3646A 60瓦双电源 E3647A 60瓦双电源 E3648A 100瓦双电源 E3649A 100瓦双电源
E3640A
E3641A
E3642A
E3643A
E3644A
E3645A
30 W
50 W
80 W
1
0至8 V / 3 A或 0 to 20 V/1.5 A
5.3千克
1
0〜35 V / 0.8 A或 0 to 60 V/0.5 A
5.2千克
1
0至8 V / 5 A或 0 to 20 V/2.5 A
6.3千克
*与1CM或锁定链接机架安装/ FL法兰套件需要
安捷伦或客户支持轨
安捷伦支持RailsE3663AC
5
（标准命令 可编程仪器）允许快速和简单编程程
序. 此外,用户手册,为所有最终用户 编程足够信息,从初学者到退伍军人 .
广泛支持
VXI 即插即用 软件驱动程序 适用于VEE,国家 仪器公司LabVIEW and LabWin dows .有这些驱动程序, 整合E364xA到您 系统不能有任何容易.该
驱动程序在微软支持
准确度 编程 电压
12个 月
（@ 25ºC±5°C）,±（％输出+偏移）
Z0607MA中文资料(st)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
不重复浪涌峰值通态F = 50赫兹 电流（完整周期,T j 初步= 25°C）,F = 60赫兹
T = 20毫秒
9
T = 16.7毫秒
9.5
A
I²t
I²对于融合的T值
tp = 10毫秒
0.45
A²s
通态临界上升率电流
dI/dt
房租我G = 2 x I GT , t r ≤ 100纳秒
F = 120赫兹
a
A
1.35
0.053
B
4.70
0.185
C
2.54
0.100
D 4.40
0.173
E 12.70
0.500
F
3.70
0.146
a
0.50
0.019
表 8：订购信息
订货型
Z00607MA 1BA2 Z00607MA 2BL2 Z00607MA 5BL2
打标
Z0607MA Z0607MA Z0607MA
表 4：电气特性
符
测试条件
(T j = 25℃,除非另有规定）
象限
IGT (1) V GT
VD = 12 V R L = 30 Ω
I - II - III IV ALL
VGD IH (2)
IL
VD = V DRM RL = 3.3 kΩ T j = 110°C IT =200毫安
IG = 1.2 I GT
0.3
0.2
0.1
IT(RMS) (A)
0.0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
Figure 2: RMS on-state current versus ambient
2SK3567_06中文资料(toshiba)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
25
Qg (nC)
栅源电压
4
2006-11-08
芯片中文手册,看全文,戳
2SK3567
rth – tw
10
1 th (ch-c)
/R
Duty=0.5 0.2
th (t)
0.1
0.1
0.05
阻抗ř 0.02
归一化瞬态热
0.01 0.01
SINGLE PULSE
0.001
10μ
100μ
2SK3567
单位：mm
绝对最大额定值
(Ta = 25°C)
特点
符号
等级
单元
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
栅源电压
GS = 20 kΩ)
漏极电流
漏极功耗（TC
DC （注1）
脉冲（T = 1毫秒） （注1）
= 25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3）
通道温度
存储温度范围
VDSS VDGR VGSS
10
100
VDS (V)
Vth - 锝
5
4
3
(V)
th 2
V
COMMON SOURCE
1 栅极阈值电压
VDS = 10 V ID = 1 mA
PULSE TEST
0
80
40
0
40
外壳温度
80 120 160
Tc (°C)
PD - 锝
50
40
(W) 30
D
P 20
漏极功耗 10
0
0
40
80
外壳温度
120
艾默生UPS用户手册
艾默生网络能源有限公司 地址：深圳市南山区科技工业园科发路一号 邮编：518057 公司网址： 客户服务投诉热线：0755-86010800 E-mail：info@
重要提示
¾ 本手册涉及艾默生 HIPULSE U 系列 UPS 单机及并机系统的相关安装与运行资料，请在安装前详细阅读本手册 的有关章节。
¾ UPS 必须经厂家或其代理商指定的工程师调试后，才能使用。否则，由此引起的 UPS 损坏，不属保修范围。 ¾ HIPULSE U 系列 UPS 只作商业/工业用途，不可用作任何生命支持设备的电源。
型号 HIPULSE U/120/S/6P HIPULSE U/160/S/6P HIPULSE U/160/S/12P HIPULSE U/200/S/6P HIPULSE U/200/S/12P HIPULSE U/300/S/6P HIPULSE U/300/S/12P HIPULSE U/400/S/6P HIPULSE U/400/S/12P
电池 电池厂家提供了使用大组电池或在其附近所应遵守的注意事项，这些注意事项在任何时候都应遵守。并且应特别注意关于当地 环境条件的相关建议及提供防护工作服，急救设备和消防设备的相关规定。
该警告标识代表所有人身安全指示。
目录
第一章 概述 ........................................................................................................................................................................ 1
2SB727中文资料(hitachi)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
–0.3 –1.0 –3
集电极电流I
C (mA)
500 –10
开关时间与集电极电流
10
3
tstg
1.0
tf
开关时0.间3 t（微秒）
ton
0.1
0.03
0.01 –0.1
VCC = 30 V ICC = 500 I B1 = –500 I B2 Ta = 25°C
–0.3
–1.0
–3
–10
集电极电流I
Note: 1.价值在T
= 25°C
(Ta = 25°C)
符号
V V V I I P* Tj Tstg
2
1
1 kΩ 400 (Typ) (Typ)
3
等级
Unit
–120
V
–120
V
–7
V
–6
A
–10
A
40
W
150
°C
-55到+150
°C
芯片中文手册,看全文,戳
2SB727(K)
电气特性
Item 集电极到发射极击穿V
电压 发射基地击穿 电压 集电极截止电流
DC电流传输比
集电极发射极饱和 电压 基地发射极饱和 电压 开启时间 关闭时间
Note: 1.脉冲测试
(Ta = 25°C)
符号
Min Typ
–120 —
V
–7
—
I
—
—
I
—
—
h
1000 —
V
—
—
V
—
—
V
—
—
V
—
—
t
—
2SK241中文资料(toshiba)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
2SK241
4
2003-03-27
芯片中文手册,看全文,戳
2SK241
5
2003-03-27
特点 漏源电压 栅源电压 漏极电流 漏极功耗 通道温度 存储温度范围
电气特性
特点 栅极漏电流 漏源电压 漏极电流 门源截止电压 远期转移导纳 输入电容 反向传输电容 功率增益 噪声系数
注：I DSS 分类
(Ta = 25°C)
符号
VDS VGS ID PD Tch Tstg
等级
单元
20
V
±5
V
30
mA
Crss
¾
3.0
¾
pF
¾ 0.035 0.050 pF
Gps
VDS = 1赫（图1）
¾
28
¾
dB
¾ 1.7 3.0 dB
O: 1.5~3.5, Y: 3.0~7.0, GR: 6.0~14.0
1
2003-03-27
芯片中文手册,看全文,戳
¾
V
IDSS
VDS = 10 V, V GS = 0
（注意） 1.5
¾
14 mA
VGS (OFF) VDS = 10 V, I D = 100 mA
¾
¾ -2.5
V
ïY fsï
VDS = 10 V, V GS = 0, f = 1千赫
¾
10
¾
mS
Ciss
VDS = 10 V, V GS = 0, f = 1兆赫
200
mW
125
°C
-55~125
°C
(Ta = 25°C)
JEDEC
―
JEITA
Z26S3775M中文资料（AEROVOX）中文数据手册「EasyDatasheet-矽搜」
Z26S3775M中文资料（AEROVOX）中文数据手册「EasyDatasheet-矽搜」ZeMax TM- 铝合金外壳AEROMET II - 塑料盒SuperMet - 金属外壳美国制造目录AEROMET II规格（系列M型） (3)SuperMet & ZeMax TM规格（系列Z 型） (4)部分编号系统.............................................................................................................五AEROMET II评分表（单台容量）系列M型....................................... .. (6) AEROMET II评分表（双功能）系列型号M ....................................... .(8)SuperMet评分表（单台容量）系列Z型 (9)SuperMet评分表（双容量）系列Z型........................................ .. (11) ZeMax TM评分表（单台容量）系列Z型......................................... ..(13)AEROMET II机械尺寸 (15)SuperMet机械尺寸............................................... . (16)ZeMax TM机械Dimensions (17)附件 - 安装硬件.............................................. .. (18)AEROMET II 规格?耐电压.终端到终端1.75×WVAC终端到案2×WVAC + 1KVAC电容稳定性±整个人生3％.Aerovox 路线AEROMET 二世（M 系列）交流电机运行电容器代表产品,它是处于领先地位电机运行电容器技术优势.这种设计采用绝缘塑胶外壳,额定UL94V-, and a UL Recognized internal pressure interrupter,其中达到或超过传统表现金属外壳替代品.在无腐蚀塑料外壳省去涂漆钢或铝情况下对于室外应用.此外,接地不必要塑料外壳.特征?无腐蚀性,阻燃塑料壳体UL 94V-?.?单,双额定值.?可方便整体安装选项安装.每个电容器充满Aerovox 专利60000小时运行寿命.Supernol 电介液.这种液体是从发自清除金属化聚丙烯薄膜.环境安全和兼容组合?专利压力灭弧室是UL 810成分,提高电容器性能.该认可.流体抑制电晕降解效果获得一致结果全自动装配金属化膜边缘,并改善热传递,环防护专利非PCB 导致优异电容稳定性和长期Supernol 液.长期可靠性.?所有AEROMET II 电容达到稳定EIA RS-186-3E 状态测试要求.所有AEROMET II 电容都可以用时间和成本节约AeroMount 系统.触点厂家触点厂家对于需要reycled 了解详细信息.EIA RS-186-2E 湿度测试要求（Tropi-认证证书UL 文件号E51176CSA 文件号058450VDE 认证可用咨询厂家CAL 条件）.应用窗式空调单元式空调电动汽车风扇与鼓风机Pumps 洗衣房设备除湿机压缩机炉电气特性温度范围：-40?+ 70℃.电容范围3至80μF.电容公差±10％.电压范围240至440 VAC,60赫兹.损耗因数0.1％以下@ 60赫兹和25℃.绝缘电阻1000MΩ每μF.SuperMet & ZeMax TM 技术指标特征可根据金属外壳（铝合金外壳请求- 请联系工厂）SuperMet ? ZeMax TM 只圆形铝合金外壳 -?只有SuperMet - 椭圆形表壳选项?单和双额定值 - 双额定值在SuperMet 仅TM 所有SuperMet 和ZEMAX 电容集成?60000小时使用寿命.UL 认证压敏灭弧删除?电容稳定性±整个人生3％电容器从电路在生命尽头.自清除金属化聚丙烯薄膜.?专利压力灭弧符合UL810每个电容器填充有环氧化Soybeanoil要求.电介液.大豆油已被证明可靠性环防护专利非PCB 在几个过去几十年.大豆油是环氧大豆油.环防护和可生物降解.该大豆油防护护金属化膜不受腐蚀,认证证书助剂传热,并有助于抑制降解电晕效应,这可能导致否则prema-UL 和CUL 文件编号E51176TURE 故障.专有加工真空和CE - 向厂家咨询热循环,确防护完全去除水分,VDE - 咨询工厂造成优异电容稳定性和长期可靠性.Aerovox 路线SuperMet 和ZEMAX TM 电容器利用最先进金属化聚丙烯薄膜技术状态.这款最新设计材料结合领先设计技术,具有40多年电容经验.应用电气特性温度范围：-40?+ 70℃.电容范围3至80μF.电容公差±10％.电压范围240至480 VAC,60赫兹.损耗因数0.1％以下@ 60赫兹和25℃.绝缘电阻千M ●μF.耐电压.期限至足月1.75×WVAC期限到案2×WVAC + 1KVAC 窗式空调单元式空调电动汽车风扇与鼓风机Pumps 洗衣房设备除湿机4部分编号系统M23P3725M00 X X产品系列M= AeroMet IIZ= SuperMet & ZeMax TM机箱样式22= 1?"圆23= 1.75"圆24= 2.0"圆26= 2?"圆工厂代码50= 1.25"椭圆形42= 1?"椭圆形64= 1.75"椭圆形62= 2.0"椭圆形注入P= Supernol（M系列）S= SuperSoy（Z系列）电压编码电压第一个两位数24= 240 V交流33= 330 V交流37= 370 V交流44= 440 V交流48= 480 V交流60= 600 Vac电容值（μF额定值）25= 25 μF03= 3 μF)AeroMet II00=单额定值XX=μF价值双额定值SuperMet特别特点额定值特征M=指示N=奇电压或电容值W=双额定值5。
数据手册_HR6P72L_Datasheet_C V2.1
海尔 MCU 芯片使用注意事项
关于芯片的上/下电 海尔 MCU 芯片具有独立电源管脚。当 MCU 芯片应用在多电源供电系统时，应先对 MCU 芯片上电，再 对系统其它部件上电；反之，下电时，先对系统其它部件下电，再对 MCU 芯片下电。若操作顺序相反则
可能导致芯片内部元件过压或过流，从而导致芯片故障或元件退化。具体可参照芯片的数据手册说明。
关于芯片的 ESD 防护措施
海尔 MCU 芯片具有满足工业级 ESD 标准保护电路。建议用户根据芯片存储/应用的环境采取适当静电防护 措施。应注意应用环境的湿度；建议避免使用容易产生静电的绝缘体；存放和运输应在抗静电容器、抗静 电屏蔽袋或导电材料容器中；包括工作台在内的所有测试和测量工具必须保证接地；操作者应该佩戴静电 消除手腕环手套，不能用手直接接触芯片等。
关于芯片的初始化
海尔 MCU 芯片具有各种内部和外部复位。对于不同的应用系统，有必要对芯片寄存器、内存、功能模块 等进行初始化，尤其是 I/O 管脚复用功能进行初始化，避免由于芯片上电以后，I/O 管脚状态的不确定情况 发生。
关于芯片的管脚
海尔 MCU 芯片具有宽范围的输入管脚电平，建议用户输入高电平应在 VIHMIN 之上，低电平应在 VILMAX 之 下。避免输入电压介于 VIHMIN 和 VILMAX 之间，以免波动噪声进入芯片。对于未使用的输入管脚，应通过电 阻上拉至电源电平或下拉至地。对于未使用的管脚，建议用户设为输出状态，并通过电阻接至电源或地。 对未使用的管脚处理因应用系统而异，具体遵循应用系统的相关规定和说明。
上海海尔集成电路有限公司
HR6P72L 数据手册
目录
内容目录
第 1 章 芯片简介 .................................................................................................... 10
1MF26-L560-00C-200(3m)中文数据手册「EasyDatasheet」
为镉.除非3M另有书面说明,该信息代表3M公司所知及所信基于由第三方供应商提供给3M信息.
在上面符号数值参考不应被解释为关于产品生命或一个产品担防护延伸表示.下面产品防护修规定.在该事件任何产品 被证明不符合3M公司监管信息附录,然后3M全部责任以及购买者唯一补救是根据以下规定产品防护修.
RIA-2217B-c
外编织
•坚固MDR色带接触式
•坚固指旋螺丝固定 •EMI屏蔽电缆组件 •查看监管信息,附录（RIA）
化学合规信息
更新日期：2007年12月13日,
Hale Waihona Puke 体力电 环境连接器触点电镀：
擦拭面产品：30 [ 0.76 m ]闵金
侵：100
[ 2.55 m ]镍
外壳选项：
颜色：米色（MDR）,黑色（SDR）
材料：超模苯压乙选烯项（：A聚B氯S）乙烯（PVC）和丙烯腈 - 丁二烯 -
TS-2121-C Sheet 3 of 3
芯片中文手册,看全文,戳
法规信息附录
3M公司电子解决方案事业部/互连
欧洲
附录E1：欧盟RoHS
指令2002/95/EC,在电子电气设备中某些有害物质,如修订欧盟委员会决议2005/618/EC中限制使用.
本产品符合RoHS 2005/95/EC. "符合RoHS 2005/95/EC"意味着该产品或部分（"产品"）不包含任何超出欧盟指令2002/95/EC最大浓度值物质, 修订委员会决议2005/618/EC,除非该物质是在一个应用程序,是在欧盟RoHS指令豁免.除非3M另有书面说明, 该信息代表3M公司所知及所信基于由第三方供应商提供给3M信息.
电缆： 颜色：米色
外壳材料：聚氯乙烯（PVC） 可燃性：AWM VW-1 标志：3M标志
2SC2235中文资料(toshiba)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
10
3
10
30
100
300
1000
Collector current I C (mA)
VCE (sat) – IC
0.5 Common emitter
0.3 IC/IB = 10
(V)
Collector-e0m.1itter
saturation
Ta = 100°C voltage
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Байду номын сангаас
东芝晶体管
音频功率放大器应用 驱动级放大器的应用
硅NPN外延型（厘进程）
2SC2235
2SC2235
单位：mm
• 为了补充2SA965.
绝对最大额定值
（TA = 25°C）
特点
符
评级
Unit
集电极基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极基极电压 集电极电流 基极电流 集电极耗散功率 结温 存储温度范围
• 请联系您的东芝销售代表联系,以环境问题,如产品的RoHS指令的兼容性. 请遵守产品使用与规范纳入或使用受控物质,包括但不限于,欧盟RoHS指令的所有适用的法律和法规.东芝对出现的不遵守适用的法律法规而导致的损害或 损失不承担任何责任.
4
2009-12-21
V (BR) EBO IE = 1毫安,我C = 0
hFE （注2）
VCE = 5 V, I C =百毫安
VCE (sat) VBE fT Cob
IC = 500毫安,我B =50毫安 VCE = 5 V, I C =500毫安 VCE = 5 V, I C =百毫安 VCB = 10 V, I E = 0,F = 1兆赫
ZX970中文资料(List Unclassifed)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
提供命令功能和通告达
8分在一个区域.这些任意组合 指挥中心可在相同区域内使用. 容易记得好像是命令1命令, 命令2,和命令8做出一个简单过渡调味 RADIONICS用户.
编程.
份接收器,自动检测报告,选择继电器激活,和自定 义文字相关指挥中心和报警器.
当复位报警,布防还是撤防组合火警/盗和 /或门禁系统时,用户应当由名称和编号进行标识.
D7212/D7412G: 最多99个用户 D9112/D9412G: 多达249用户
面板内部时钟应支持Skeds（预定 事件）功能.用户有权选择改变SKED 使用可编程密码激活时间.
远程编程,记录存储,远程控制
和故障排除工具,用于D9412G / D7412G
控制/通讯器.以增强下/上载
能力RAM可以在TCP / IP和动态可使用
主机通信协议（DHCP）配置.
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D9412G/D7412G
技术指标
一般
承包商应提供并安装,其中显示在 计划中,RADIONICS D9412G / D7412G 控制/通信.小组应列出 美国防护险商实验室NFPA 72应用程序.
配备一个16字符显示屏,独特火警及爆窃色调,和背 光多键触控板.
D1255,D1256,D1257和有权显示每个检测点功能： 报警,故障,监控,或者是错误,和自定义文本 .此外,扩展寻址点显示应包括失踪和额外点信息. 全系统显示应包括：本地系统测试,传感器复位, 防火测试模式和用户编程提示.
EMS22P30-M25-LS6中文资料(bourns)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
电气特性
解析度................................................................................................................................................................................................................ 1024国 绝缘电阻（500 VDC） ......................................................................................................................................................................1,000兆欧 电气行程........................................................................................................................................................................................................续 电源电压........................................................................................................................................................................5.0 VDC±10％,3.3 VDC±10％ 电源电流.................................................................................................................................................................................................20 mA（最大值）
东芝二极管JDV2S07S数据表说明书
TOSHIBA DIODE Silicon Epitaxial Planar TypeJDV2S07SVCO for UHF Band Radio· High Capacitance Ratio : C 1V /C 4V = 2.3 (typ.) · Low Series Resistance : r s = 0.42 Ω (typ.)· This device is suitable for use in a small-size tuner.Maximum Ratings (Ta = 25°C)Electrical Characteristics (Ta = 25°C)Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. Max UnitReverse voltage V R I R = 1 m A 10 ¾ ¾ V Reverse current I R V R = 10 V¾¾ 3 nAC 1V V R = 1 V, f = 1 MHz 4.0 4.5 4.9 Capacitance C4V V R = 4 V, f = 1 MHz1.852.0 2.35pF Capacitance ratio C 1V /C 4V¾2.0 2.3 ¾ ¾ Series resistancer sV R = 1 V, f = 470 MHz¾ 0.42 0.55WNote: Signal level when capacitance is measured: V sig = 500 mVrmsMarkingUnit: mmJEDEC ― JEITA―TOSHIBA 1-1K1A Weight: 0.0011 g (typ.)Characteristics Symbol Rating UnitReverse voltage V R10 VJunction temperature T j 150 °C Storage temperature rangeT stg-55~150 °C1 7 102 3 4 5 6 8 9 0.30.5 1 2103 5 0481612 --02040 60 80--Reverse voltage V R (V) C V – V RC a p a c i t a n c e C V (p F )R e v e r s e c u r r e n t I R (p A )Reverse voltage V R (V)I R – V RAmbient temperature Ta (°C )d C – TaC a p a c i t a n c e c h a n g e R a t i o @C (%)Reverse voltage V R (V)r s – V RS e r i e s r e s i s t a n c e r s (9)· TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. Also, please keep in mind the precautions and conditions set forth in the “Handling Guide for Semiconductor Devices,” or “TOSHIBA Semiconductor Reliability Handbook” etc.. · The TOSHIBA products listed in this document are intended for usage in general electronics applications (computer, personal equipment, office equipment, measuring equipment, industrial robotics, domestic appliances, etc.). These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for usage in equipment that requires extraordinarily high quality and/or reliability or a malfunction or failure of which may cause loss of human life or bodily injury (“Unintended Usage”). Unintended Usage include atomic energy control instruments, airplane or spaceship instruments, transportation instruments, traffic signal instruments, combustion control instruments, medical instruments, all types of safety devices, etc.. Unintended Usage of TOSHIBA products listed in this document shall be made at the customer’s own risk. · The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is assumed by TOSHIBA CORPORATION for any infringements of intellectual property or other rights of the third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any intellectual property or other rights of TOSHIBA CORPORATION or others. · The information contained herein is subject to change without notice.000707EAARESTRICTIONS ON PRODUCT USEThis datasheet has been download from: Datasheets for electronics components.。
TMC262硬件寄存器手册(中文)剖析
TMC262寄存器手册（中文）
关于TMC262全部写配置寄存器的一览表如表一所示：具体的包含5个寄存器：驱动控制寄存器（DRVCTRL)、斩波器控制寄存器（CHOPCONF)、智能控制寄存器（AMARTEN,也为COOLSETP）、负载监控控制寄存器（SGCSCONF）、控制配置寄存器（DRVCONF）。
表一
1、Driver Control Register (DRVCTRL) 驱动控制寄存器
它这里主要分为2种模式SETP/DIR模式与SPI模式，而这2中模式的选择取决于：控制配置寄存器中的：SDOFF mode bit。
2、Chopper Control Register (CHOPCONF) 斩波控制寄存器
3、coolStep Control Register (SMARTEN)智能控制寄存器
4、stallGuard2 Control Register (SGCSCONF) 负载监控控制寄存器
5、Driver Control Register (DRVCONF) 驱动配置寄存器
6、Read Response 读响应寄存器。
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JEDEC JEITA
东芝
― ― 1-1E1A
重量0.004克（典型值）.
电气特性
特点 反向电压 反向电流 电容 电容 电容比 电容比 串联电阻
(Ta = 25°C)
符 测试条件
Min 34
Typ.
Max
Unit V
VR IR C2 V C25 V C2 V/C25 V C25 V/C28 V rs
3
2007-11-01
IR = 1 A VR = 32 V VR = 2 V, f = 1兆赫 VR = 25 V, f = 1兆赫
10 33 2.6 12.0 1.03 35.5 2.85 12.5 38 3.0
nA pF pF
VR = 5 பைடு நூலகம், f = 470兆赫
0.6
0.8
注1：可在匹配组电容2.0％.
C（最大值）C（分钟） = 0.02 (V R = 2~25 V) C（分钟）
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1SV262
东芝变容二极管 硅外延平面型
1SV262
有线电视调谐
单位：mm 高电容比：C2 V /
C25 V = 12.5（典型值）. 低串联电阻：RS = 0.6 Ω （典型值）. 优秀CV特性和跟踪误差小.
小包装
绝对最大额定值
特点 反向电压 峰值反向电压 结温 存储温度范围
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打标
1
2007-11-01
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1SV262
(Note 2)
注2：
C
= C（钽） C (25) × 100 (%) C (25)
2
2007-11-01
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1SV262
限制产品用途
此处所包含信息如有更改,恕不另行通知. 东芝正在不断努力提高其产品质量和可靠性.然而,在一般情况可能发生故障或失效由于其固有电灵敏度和易 受物理应力半导体器件.它是利用东芝产品时,要遵守安全在制造安全设计为整个系统标准,以避免情况,其中, 例如东芝产品故障或失灵会引起人生命损失买方,负责,人身伤害或财产损失.
(Ta = 25°C)
符 额定值
Unit V V °C °C
VR VRM Tj Tstg
34 36 (R L = 10 kΩ) 125 55~125
注：在重负载下连续使用（如：高应用 温度/电流/电压和温度变化显著等）可能导致此产品在 可靠性降低显著即使操作条件（即 工作温度/电流/电压等）在绝对最大额定值范围内. 请在审阅设计相应可靠性 东芝半导体可靠性手册（"处理 注意事项"/"降级概念和方法"）和个人 可靠性数据（即可靠性试验报告和估计故障率,等）.
20070701-EN GENERAL
在开发您设计,请确防护东芝产品在规定工作范围内所用 阐述在最近东芝产品规格.另外,请记住注意事项, 设置条件提出在"操作指南半导体设备"或"东芝半导体可靠性 手册"等. 本文档中列出东芝产品用于使用一般电子应用（计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器 人,家用电器等）.这些TOSHIBA产品既不打算,也没有必要为使用设备要求非常高质量和/或可靠性或出现 故障或故障可能会导致人生命或身体伤害（"意外使用"）损失.意想不到用途包括原子能控制仪 器,飞机或太空运输仪器,运输仪器,交通信号仪器,燃烧控制仪器,医疗仪器,各类安全装置等.东芝产品意 外使用在其文件中列出应在作出客户自己风险.