磁控溅射法制备AZO薄膜的工艺研究

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磁控溅射法制备AZO薄膜的工艺研究
张丽伟;卢景霄;段启亮;王海燕;李瑞;靳锐敏;王红娟;张宇翔
【期刊名称】《电子元件与材料》
【年(卷),期】2005(24)8
【摘要】用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响.结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);退火有利于薄膜结晶;低于400℃退火时,温度越高薄膜电阻越小,超过400℃后,真空中退火温度再升高电阻变化不大,而空气中退火温度再升高电阻反而变大.
【总页数】3页(P46-48)
【作者】张丽伟;卢景霄;段启亮;王海燕;李瑞;靳锐敏;王红娟;张宇翔
【作者单位】郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南,郑
州,450052;新乡师范高等专科学校,河南,新乡,453000;郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052;郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052;郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052;郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052;郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052;郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052;郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052
【正文语种】中文
【中图分类】O484.4+2
【相关文献】
1.反应磁控溅射法制备Zn3 N2薄膜的工艺研究 [J], 孙舒宁;王凤翔;陈志华;付刚;张秀全
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