一种新型ESD保护的设计方法[发明专利]

专利名称：一种新型ESD保护的设计方法专利类型：发明专利
发明人：揭英亮,朱志牛,陈素鹏,刘鹏飞申请号：CN200910192980.9
申请日：20091010
公开号：CN101692425A
公开日：
20100407
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种新型ESD保护的设计方法，包括以下步骤：(1)在DMOS器件的硅衬底上依次形成井区、栅极氧化层、栅极多晶硅、孔介质层、源极和栅极；(2)在上述源极和栅极的引线孔下形成栅极多晶硅；(3)在上述栅极多晶硅与井区之间形成栅极氧化层，用于使源极和栅极的引线孔打在栅极多晶硅的位置时，通过栅极氧化层将源极和栅极隔离。

本发明的显著特点在于可实现利用同一套MASK，通过选择是否增加ESD层的光刻和工艺，既可以生产加ESD的产品，也可生产不加ESD的产品，从而节省MASK成本，大大节省产品的生产成本。

申请人：广东省粤晶高科股份有限公司
地址：510663 广东省广州市萝岗区科学城南翔二路10号
国籍：CN
代理机构：广州新诺专利商标事务所有限公司
代理人：王玺建
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