一种氧化铟纳米材料的制备方法[发明专利]

专利名称：一种氧化铟纳米材料的制备方法专利类型：发明专利
发明人：祖小涛,唐永亮
申请号：CN201210333305.5
申请日：20120911
公开号：CN102826593A
公开日：
20121219
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种氧化铟（InO）纳米材料的制备方法，属于无机材料的制备技术领域。

本发明首先在柠檬酸和尿素的作为添加剂的条件下，氯化铟水热反应制备氢氧化铟（In(OH)）纳米颗粒，然后进行热焙烧处理得到氧化铟（InO）球状纳米材料。

本方法成本低，生产工艺简单，易于工业化大规模生产。

制备的纳米氧化铬为直径约为30nm的球状颗粒，粒度分布均匀，纯度高，分散性好，比表面积大，可以应用于太阳能电池、气敏元件、平板显示器、电光调节器、传感器等领域。

申请人：电子科技大学
地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
国籍：CN
代理机构：成都行之专利代理事务所(普通合伙)
代理人：温利平
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