(项目管理)项目成果

中科院在LED领域的部分成果

一、衬底

1、第三代宽禁带半导体材料—氮化镓衬底晶片及相关产品 (3)

2、LED图形化衬底刻蚀系统 (6)

二、外延

3、新型LED光源-量子点的制备及量产放大技术 (8)

4、半导体深紫外LE D光源 (9)

5、大功率白光LED器件 (11)

三、芯片

6、基于同质外延技术的超大功率单芯片LED产业化 (12)

7、高效率高光通量LED关键技术及3W级LED芯片开发 (13)

8、制造LED芯片专用光刻机 (14)

四、封装

9、L E D高效封装光学设计 (16)

10、大功率白光LED专用环氧树脂 (17)

11、LED封装用高性能有机硅材料 (18)

12、高温固相法制备YAG：Ce荧光粉 (20)

13、新型LED用红色荧光粉的制备 (21)

14、白光LED光固化封装树脂 (22)

15、燃烧合成氮化物陶瓷荧光粉 (23)

16、非晶晶化法制备YAG:Ce3+微球荧光粉 (24)

17、交流驱动LED照明光源 (25)

五、应用

18、异型微热管散热技术 (26)

19、大功率LED液态金属散热技术 (27)

20、大功率LED灯具体式热管散热技术 (28)

21、蒸发冷却散热技术 (29)

22、大功率LED驱动技术 (31)

23、高亮度、低功耗LED平板灯技术 (33)

24、LED照明产品的设计技术集成 (34)

25、高热导氮化铝陶瓷散热基板 (35)

26、高热导LTCC复合陶瓷基板 (36)

27、LE D陶瓷散热技术 (37)

28、LED灯具结温测试及寿命评估技术 (39)

29、大功率L E D路灯 (40)

30、LED器件质量等级筛选技术 (41)

31、L E D植物照明灯 (42)

32、平板显示关键技术及产业化开发 (44)

33、OLED有机太阳能电池产业的关键材料 (46)

34、非中科院LED项目成果共26项 (47)

1、第三代宽禁带半导体材料—氮化镓衬底晶片及相关产品

1. 技术来源单位

苏州纳米所

2. 技术简介

氮化镓（GaN）是第三代半导体材料，产品可广泛应用于氮化镓高亮度发光二极管、蓝绿光激光器二极管、射频器件、电力电子器件等。苏州纳米所在GaN晶片中具有雄厚实力和丰富成果具体如下：（1）小尺寸氮化镓自支撑晶片

产品图片（Photo）:

性能参数（Specification）:

尺寸Dimensions 10.0×11.5mm

晶体取向Orientation C-axis (0001)±1.0o

厚度Thickness 300 ± 50µm

位错密度Dislocation Density Less than 5 x 107cm-2

导电类型Conduction Type N-type Semi-insulating

电阻率Resistivity (300K) < 10 mΩ·cm>105Ω·cm

Standard: Double Side Polished

抛光Polishing

Option: Single Side Polished

有效面积Usable Surface Area >90%

（2）氮化镓厚膜晶片

产品图片（Photo）:

性能参数（Specification）:

尺寸Dimensions 2’’

晶体取向Orientation C-axis (0001)±1.0o

厚度GaN thickness Typical 30 µm 位错密度Dislocation Density Less than 3 x 108cm-2

导电类型Conduction Type N-type Semi-insulating

电阻率Resistivity (300K) < 10 mΩ·cm>105Ω·cm 衬底Substrate 2’’ sapphire (0001)

（3）2英寸直径自支撑氮化镓晶片

产品图片（Photo）:

性能参数（Specification）:

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2、LED图形化衬底刻蚀系统

1. 技术来源单位

中国科学院微电子研究所

2. 技术简介

图形化蓝宝石衬底技术（PSS）可有效减少氮化镓外延层的外延缺陷，使外延层晶体质量明显提高，有效提高氮化镓基LED的光功率。

本项目开发出的高亮度/超高亮度LED图形化衬底刻蚀系统具有操作界面友好、刻蚀均匀性出色、适合大规模生产、维护费用低、性能安全可靠等特点，完全满足蓝宝石衬底图形化刻蚀、Si衬底刻蚀以及GaN基外延层刻蚀等LED领域所有刻蚀应用的需求。

本项目已到产业化阶段，适合于LED设备制造商、LED芯片生产企业开展合作。计划募集资金2000万元，主要用于支撑新开发设备的后期技术改进和测试，团队建设以及为产业化生产提供基础设施保障。同时，以吸收投资为契机，加快引进先进的管理体系，推动公司在营运能力上提升层次。

3. 技术特点及优势

（1）刻蚀系统创造性的采用平面式感应线圈结构，有效提高刻蚀均匀性。

（2）刻蚀系统的关键部件全部采用进口的国际主流产品，可实现7天24小时不间断生产。

（3）刻蚀系统采用触摸屏控制，工艺过程全自动，动画实时显示工艺过程的状况和提示。

（4）单次刻蚀2寸蓝宝石衬底23片，GaN外延片27片。

（5）蓝宝石衬底刻蚀速率达到70nm/min。

4. 相关图片