电子电路第一章

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电工电子技术第一章直流电路第七节戴维宁定理

5
E
B
1A
U U 9V
S
ABO
R 57 0
R0 57 +
US _ 9V
33
Ｕ
三、戴维宁定理中等效电阻的求解方法
求简单二端网络的等效内阻时，用串、并联的方法即可求出。如前例：
A
R1 C
R2 D R0
R3
R4
B
R R // R R // R
0
1
2
3
4
求某些二端网络的等效内阻时，用串、并联的方法则不行。如下图：
二、戴维南定理应用举例
例1 R1
R2
I5
R5
等效电路
R3
R4
E
+_
R1 +
R2 _
I5
E
R5
已知：R1=20 、 R2=30 R3
R4
R3=30 、 R4=20
E=10V
求：当 R5=10 时，I5=?
有源二端网络
第一步：求开端电压US
A
R1
R2
C +_ D
US
E
R3
R4
B
U U U
S
AD
R1 C
R3
A R2
R0 D
R4 B
串/并联方法?
R0
不能用简单串/并联方法求解，怎么办？
方法（1）: 开路、短路法
有源网络
有源
Uabo
网络
IS
求开端电压 Uabo 与短路电流 IS
等效内阻
R 0
U abo
I
S
R + -E
R Uabo=E + E

徐淑华电工电子技术第一章

5
1.1.2 电流和电压的参考方向
电流和电压的正方向：实际正方向：
物理量电流I 电动势E 电压U
实际正方向假设正方向
物理中对电量规定的方向。
正方向正电荷移动的方向单位 A, kA, mA, A V, kV, mV, V V, kV, mV, V
6
电源驱动正电荷的方向
低电位高电位电位降落的方向
di dt
0
u 0
29
所以,在直流电路中电感相当于短路.
电感的储能
u L
di
dt 电感是一种储能元件, 储存的磁场能量为：
WL
t 0
uidt WL
i 0
Lidi
2
1 2
Li
2
1 2
Li
？
电感中的电流是直流时, 储存的磁场能量是否为0？
否！W L
1 2
LI
2
30
5.电容 C
C
q = Cu
du dt
直流电路中，电容两端的电压是否为0？
i
dq dt
C
i C
du
dt 1 u idt C
当u
U (直流) 时,
du dt
0
i0
33
所以,在直流电路中电容相当于开路。
电容的储能
i C
du dt
电容是一种储能元件, 储存的电场能量为：
WC
t 0
11
例2 假设: I R 与 UR 的方向一致
a
IR UR
（关联参考方向）
b
U R = I R· R
假设: I R 与 UR 的方向相反 a IR UR b

电工电子学课件_______第一章

uab
b
13
关联参考方向与非关联参考方向对一个元件，电流参考方向和电压参考方向可以相互独立地任意确定，但为了方便起见，常常将其取为一致，称关联参考方向；如不一致，称非关联参考方向。 i
a
i u
b a
+
−
u
+
b
(a)关联参考方向
(b)非关联参考方向
如果采用关联参考方向，在标注时标出一种即可。如果采用非关联参考方向，则必须全部标注。
b （b）
三、电路中的功率
定义：单位时间内元件吸收（消耗）或发出（释放）的电能。 dw 数学表达式： p dt 单位：瓦特 W 方向：在电压、电流取关联参考方向下，p=ui 表示的是该元件吸收（消耗）功率的大小。即为：
i i
w
+ u
w
+ u
p>0
18
p<0
第一章电路的基本概念、定律与分析方法
34
第一章电路的基本概念、定律与分析方法
实际电压源 I + − Rs Us
U Us
RL
0 理想电压源实际电压源
U
I
电源内阻，表示内部损耗 U = Us – IRs
Rs越小特性曲线越平坦
当Rs = 0 时，实际电压源模型就变成电压源模型
35
第一章电路的基本概念、定律与分析方法
2.电流源
Uab
15
第一章电路的基本概念、定律与分析方法
Uab是否表示a端的电位高于b端的电位？
a
Uab 元件
b
Uab只表示a、b两端电位的参考方向为由a指向b。实际两点电位哪点高，要看是Uab>0，还是 Uab<0。若Uab>0，则a端电位高于b端电位。反之， b 端电位高于a端电位。

电子电路基础习题册参考答案-第一章

第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。

2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。

3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。

N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。

4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。

一般硅二极管的开启电压约为 V，锗二极管的开启电压约为 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 V,锗二极管的正向压降约为V。

5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。

6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。

7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。

8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。

9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。

10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。

11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。

12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。

14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为，流过V2的电流为 ,输出电压U0为 +5V。

15、光电二极管的功能是将光脉冲信号转换为电信号，发光二极管的功能是将电信号转换为光信号。

电路与电子技术基础第1章

第一章电路与元件
关联参考方向：电流参考方向与电压参考方向一致（假定电流方向与假定电压降方向一致）。
注意：电压、电流的参考方向可任意假定互不相关，但为了分析电路时方便，常常采用关联参考方向。
第一章电路与元件
关联参考方向举例 (associated reference direction)
第一章电路与元件
第一章电路与元件
主要内容： 1、电路变量（电流、电压、功率） 2、电路基本定律（欧姆定律、KCL、 KVL） 3、电阻、电源（独立源、受控源） 4、电路的三种状态（开路、短路、带负载）注意：电位（电势）
第一章电路与元件
电路分析的主要任务在于求解电路物理量，其中最基本的电路物理量就是电流、电压和功率。
第一章电路与元件
1.4 理想电源不管外部电路如何，其两端电压总能保持定值或一定的时间函数的电源定义为理想电压源。
图 1.4-1 理想电压源模型
第一章电路与元件
(1) 对任意时刻t1, （直流）理想电压源的端电压与输出电流的关系曲线(称伏安特性)是平行于i轴、其值为us(t1)的直线，如图 1.4-2 所示。理想电压源的内阻多大？内阻＝伏安曲线斜率
第一章电路与元件
kW·h读作千瓦小时，它是计量电能的一种单位。1000W的用电器具加电使用1h，它所消耗的电能为1kW·h，即日常生活中所说的1度电。有了这一概念，计算本问题就是易事。
第一章电路与元件
开路和短路
• 开路：两点之间的电阻为无穷大。根据i = u/R，开路时无论电压多大，电流恒为零。 • 短路：两点之间的电阻为零。根据u = i R，短路时无论电流多大，电压恒为零。

电工电子第1章电路基本概念和定律

37
1-3
电阻元件
有源器件：需能（电）源的器件。
有源器件一般用来信号放大、变换等。 IC、模块等都是有源器件。无源器件：无需能（电）源的器件。无源器件用来进行信号传输，或者通过方向性进行“信号放大” 。容、阻、感都是无源器件。
38
例1.3-1 阻值为2Ω的电阻上的电压电流参考方向关联，已知电阻上电压 u(t)=4costV,求其上电流 i(t)、消耗的功率p(t)。解：因电阻上电压、电流参考方向关联，所以其上电流
11
1-2
电路变量
若dq(t)/dt为常数，即是直流电流，常用大写字母I
表示。电流强度的单位是安培(A)，简称“安”。
1kA 10 A
3
1mA 10 A 1uA 10 A
规定正电荷运动的方向为电流的实际方向。 12
6
3
1-2
1.2.2 电压
电路变量
两点之间的电位之差即是两点间的电压。从电
荷电场力所做的功为 1J。常用千伏(kV)、毫伏(mV)、微伏(μV)作电压单位。电路中，规定电位真正降低的方向为电压的实际方向。（选定任意点为参考点，规定电位为0） 14
1-2
一、问题提出：
电路变量
在复杂的电路里，电流、电压的实际方向是
不易判别的，或在交流电路里，两点间电流、电
压的实际方向是经常改变的，这给实际电路问题的分析计算带来困难。
c 点移动至 b 点，电场力做功应为-12J，所以计算 c 点电位
时算式中要用-12。应用电压等于电位之差关系，求得
U ab Va Vb 2 0 2V U bc Vb Vc 0 ( 3) 3V
23

(完整word版)电子电路基础版

通信电子电路基础第一章半导体器件§1-1 半导体基础知识一、什么是半导体半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。

（导电能力即电导率）（如：硅Si 锗Ge等＋4价元素以及化合物）二、半导体的导电特性本征半导体――纯净、晶体结构完整的半导体称为本征半导体。

硅和锗的共价键结构。

（略）1、半导体的导电率会在外界因素作用下发生变化•掺杂──管子•温度──热敏元件•光照──光敏元件等2、半导体中的两种载流子──自由电子和空穴•自由电子──受束缚的电子（－）•空穴──电子跳走以后留下的坑（＋）三、杂质半导体──N型、P型（前讲）掺杂可以显著地改变半导体的导电特性，从而制造出杂质半导体。

•N型半导体（自由电子多）掺杂为＋5价元素。

如：磷；砷P──＋5价使自由电子大大增加原理：Si──＋4价P与Si形成共价键后多余了一个电子。

载流子组成：o本征激发的空穴和自由电子──数量少。

o掺杂后由P提供的自由电子──数量多。

o空穴──少子o自由电子──多子•P型半导体（空穴多）掺杂为＋3价元素。

如：硼；铝使空穴大大增加原理：Si──＋4价B与Si形成共价键后多余了一个空穴。

B──＋3价载流子组成：o本征激发的空穴和自由电子──数量少。

o掺杂后由B提供的空穴──数量多。

o空穴──多子o自由电子──少子结论：N型半导体中的多数载流子为自由电子；P型半导体中的多数载流子为空穴。

§1-2 PN结一、PN结的基本原理1、什么是PN结将一块P型半导体和一块N型半导体紧密第结合在一起时，交界面两侧的那部分区域。

2、PN结的结构分界面上的情况：P区：空穴多N区：自由电子多扩散运动：多的往少的那去，并被复合掉。

留下了正、负离子。

（正、负离子不能移动）留下了一个正、负离子区──耗尽区。

由正、负离子区形成了一个内建电场（即势垒高度）。

方向：N--> P大小：与材料和温度有关。

（很小，约零点几伏）漂移运动：由于内建电场的吸引，个别少数载流子受电场力的作用与多子运动方向相反作运动。

第一章-电路及基本元器件PPT课件

图1-7
.
电工电子技术基础 3、二极管的伏安特性曲线（硅管）
.
电工电子技术基础
五、半导体三极管
1、三极管的结构
图1-8
.
电工电子技术基础 2、三极管的电流放大作用三极管工作在放大状态的条件是：发射结正偏，集电结反偏。
.
电工电子技术基础
(1)电流分配关系：发射极电流等于基极电流和集电极电
流之和，即：
图1-9
.
电工电子技术基础
(1)输入特性死区电压：硅管约为0.5V，锗管约为0.2V；导通电压(发射结)：硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。 (2)输出特性
截止区： UBE小于死区电压，IC≈ 0，UCE ≈UCC，。
饱和区：集电结正向偏置，UCE＜UBE， IC≈ UCC/RC 。
放大区：发射结正偏，集电结反偏 , IC≈βIB。
图1-2
.
图1-3
电工电子技术基础
三、电功率和电能
1、电功率
电流通过电路时传输或转换电能的速率称为电功率，
简称为功率，用符号p表示。
当电压与电流为关联参考方向时，功率的计算公
式为：
p dW ui dt
当电压与电流为非关联参考方向时，功率的计算
公式为：
pui
.
电工电子技术基础 2、电能电路在一段时间内吸收的能量称为电能。在国际单位制（SI）中，电能的单位是焦耳（J）。1J等于1W的用电设备在1s内消耗的电能。电力工程中，电能常用“度” 作单位，它是千瓦小时（kWh）的简称，1度等于功率为 1kW的用电设备在1小时内消耗的电能。
图1-23
.
电工电子技术基础在电子电路中，电源的一端通常是接地的，为了作

电路与电子学基础第一章

刻所带的电荷量q（t）为
t
q(t) i(t)dt q(0) Nhomakorabea0
电路中用来储存电荷的容器称为电容器。电容器由电介质隔开的两金属电极片组成，电容器在电路中常用的符号是 “ ”。
表征电容器性质的物理量称为电容器的电容，用字母C来表示。电容C的定义为：电容器上所储存的电荷量Q与两极板的电位差Uab之比，即
IQ t
交流电流强度的表达式为
电流强度的单位为安培，简称安（A）。大
dq 型电力变压器中的电流可达几百到上千安培， i 而晶体管电路中的电流往往只有千分之几安
培，对于很小的电流可用毫安（mA）或微
dt
安（μA）来表示
2、电压
在物理学课程中已知，电荷在电场中移动时，电场力将对电荷做功。描述电场力对电荷做功能力大小的物理量是电压。

电感线圈在电路中也是一个储能元件，
电感线圈内所储存的电能为
WL

1 LI 2 2
1．1．4 电流、电压和电动势的参考方向
中学物理在分析和计算电路问题的时候，电流、电压和电动势的方向是统一约定的。即，电流I在外电路中从电源的正极出发，流向负极；在内电路中从电源的负极出发流向正极。电压U的方向是从电源的正极指向负极，电动势E的方向是从电源的负极指向正极。这种约定的方向与电路中电流、电压和电动势的实际方向相一致，在分析、计算简单电路（单电源电路）的问题时是可行的，但在分析、计算复杂电路问题时却有困难。
电场中a，b两点间电压Uab的定义为：Uab在数值上等于把单位正电荷从a点移到b点时，电场力所作的功。电压的定义式为
W U ab Q
电压也常写成电位差的形式
U ab U a Ub

电子电路基础_课后习题答案

第一章思考题与习题1.1. 半导体材料都有哪些特性？为什么电子有源器件都是由半导体材料制成的？1.2. 为什么二极管具有单向导电特性？如何用万用表判断二极管的好坏？ 1.3. 为什么不能将两个二极管背靠背地连接起来构成一个三极管？ 1.4. 二极管的交、直流等效电阻有何区别？它们与通常电阻有什么不同？ 1.5. 三极管的放大原理是什么？三极管为什么存在不同的工作状态？ 1.6. 如图P1-1(a)所示的三极管电路，它与图P1-1(b)所示的二极管有何异同？1.7.稳压二极管为何能够稳定电压？1.8.三极管的交、直流放大倍数有何区别？共射和共基电流放大倍数的关系是什么？1.9.三极管的输入特性和输出特性各是什么？1.10. 如图P1-2所示，设I S ＝10－11A ，U T ＝26mV ，试计算u i =0，0.3V ，0.5V ，0.7V 时电流I 的值，以及u i =0.7V 时二极管的直流和交流等效电阻。

解：由I= I S *(exp(U i / U T )-1) 当U i =0时，I=0；当U i =0.3V 时，I=1.026×10－6A ；当U i =0.5V 时，I=2.248×10－3A ；当U i =0.7V 时，I=4.927A ；直流等效电阻R= U i /I = 0.7V/4.927A = 0.142 Ω∵exp(U i / U T )>>1∴交流等效电阻R d = 26/I = 26/4927 = 5.277×10－3 Ω(a)(b)图P1-1图P1-2＋－u i Di1.11. 电路如图P1-3所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，U T ＝26mV ，电源U ＝3.3V ，电阻R ＝1k Ω，电容C 对交流信号可视为短路；输入电压u i 为正弦波，有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：U ＝3.3V>>100mV ，I ＝（U －U D ）/R ＝ (3.3－0. 7)/1k = 2.6 mA 交流等效电阻：R d = 26/I = 10 Ω 交流电流有效值：Id = Ui/Rd = 1 mA1.12. 图P1-4(a)是由二极管D 1、D 2组成的电路，二极管的导通电压U D ＝0.3V 、反向击穿电压足够大，设电路的输入电压u 1和u 1如图P1-4(b)所示，试画出输出u o 的波形。

电工电子技术基础第1章电路的基本理论及基本分析方法

-
电流源模型
实际电源可用一个电流为IS的理想电流源与电阻并联的电路作为实际电源的电路模型，称为电流源模型。
其中
IS

U0 R0
称为短路电流
实际电源内阻R0越大，越接近于理想电流源。
第1章电路的基本理论及基本分析方法
3.实际电源模型的等效变换
R0 + US -
等效电压源模型
IS

US R0
US R0IS
2.理想电流源：理想电流源是从实际电流源抽象出来的理想二端元件，流过它的电流总保持恒定，与其端电压无关。理想电流源简称电流源。电流源的两个基本性质
①电流是给定值或给定的时间函数，与电压无关；
②电压是与相连的外电路共同决定的。
IS或iS
+ U或i
－
电流源的图形符号
电流源的伏安关系
i IS
o
u
直流电流源伏安特性
uR（ i 关联u ） R（或 i 非关联）
电阻参数R：表示电阻元件特性的参数。线性非时变电阻：R为常数；简称为线性电阻。
第1章电路的基本理论及基本分析方法
应当注意，非线性电阻不满足欧姆定律。
单位：SI单位是欧[姆]（Ω）。计量大电阻时，以千欧（KΩ）、兆欧（MΩ）为单位。
电阻的参数也可以用电导表示，其SI单位是西［门子］（S）。线性电阻用电导表示时，伏安关系为
②箭头，如图(a) i。
参考方向的意义：若电流的参考方向和实际方向一致，则电流取正值，反之则取负值。如图（a）、(b)所示。
第1章电路的基本理论及基本分析方法
二、电压、电位、电动势及其参考方向
1. 电压、电位、电动势
⑴电压

02电子线路《第一章第二节晶体二极管整流电路》(陈其纯主编)

（2）v1负半周时，T次级A点电位低于B点电位，在v2b的作用下，V2导通（V1截止），iV2自上而下流过RL；可见，在v1一周期内，流过二极管的电流iV1 、iV2叠加形成全波脉动直流电流 iL，于是RL两端产生全波脉动直流电压 vL。故电路称为全波整流电路。
3．负载和整流二极管上的电压和电流（1）负载电压VL
3．负载和整流二极管上的电压和电流（1）负载电压VL
VL = 0.45 V2
（2）负载电流IL
V L 0.45V 2 IL RL RL
（1.2.1）
（ 1 .2.2）
（3）二极管正向电流IV和负载电流IZ 0.45V 2 （1.2.3） IV IL RL （4）二极管反向峰值电压VRM
（2）v1负半周时，T次级A点电位低于B点电位，在v2b的作用下，V2导通（V1截止），iV2自上而下流过RL；可见，在v1一周期内，流过二极管的电流iV1 、iV2叠加形成全波脉动直流电流 iL，于是RL两端产生全波脉动直流电压 vL。故电路称为全波整流电路。
3．负载和整流二极管上的电压和电流（1）负载电压VL
1.2.1 单相半波整流电路 1．电路如图（a） V ：整流二极管，把交流电变成脉动直流电； T：电源变压器，把v1变成整流电路所需的电压值v2。
动画单相半波整流电路
2．工作原理设v2为正弦波，波形如图1.2.1（b）所示。（1）v2正半周时，A点电位高于B点电位，二极管V正偏导通，则vL≈v2；（2）v2负半周时，A点电位低于B点电位，二极管V反偏截止，则vL≈0。由波形可见，v2一周期内，负载只用单方向的半个波形，这种大小波动、方向不变的电压或电流称为脉动直流电。上述过程说明，利用二极管单向导电性可把交流电v2变成脉动直流电vL。由于电路仅利用v2的半个波形，故称为半波整流电路。

电工电子第1章电路与电路分析基础

1.2 电路的基本物理量
其代数和即为该点的电位。从待求点参考点到参考点的路径往往不止一条，但对同一参考点而言，某一点的电位值具有唯一性。一般尽量选择简单的路径进行计算。 1.2.3 电动势
电动势反映了电源把其他形式的能量转换为电能本领的大小。电源常用符号E或US表示。电动势的实际方向为由电源负极经电源内部到电源正极，即电源内部电位升高的方向。
1.2 电路的基本物理量
图1-8 例1-1图例1-1 电路如图1-8所示，已知E1=6V，E2=4V，R1=4Ω， R2=2Ω。如果以B点为参考点，求A、C点电位。
1.2 电路的基本物理量
解：各电阻中电流的参考方向如图1-8所示。通过观察，R1、R2、 E1形成一个简单的串联回路，R3没有形成回路。以B点为参考点，
P

U I

U
U R总

39.5
220 4.84 1.06

1.47kW
通过计算说明，线路长度仅仅为1km，导线截面已增大到50平方毫米，线路上仍然有39.5V的电压降，负载端电压降低到180.5V，造成了电能大量浪费的同时，负载甚至将无法正常工作。
1.3 电路中的电阻图1-14 线路的功率损耗
1.3.2 欧姆定律与电阻的串并联
1.一段电路的欧姆定律
I

Uቤተ መጻሕፍቲ ባይዱR
图1-12一段含有电阻的电路图1-13线性元件的伏安特性曲线
1.3 电路中的电阻伏安特性曲线：元件的电压与电流的关系曲线。线性电阻的伏安特性曲线是一条过原点的直线。线性电路：由线性元件构成的电路。非线性电路：含有非线性元件的电路叫做。 2.全电路欧姆定律
则有 UB＝0，I3＝0

第1章电路的基本知识

i u R
图1-17
非关联放出功率
关联吸收功率
电工电子技术基础
对于直流电或正弦交流电，电阻所吸收的功率可以写为
P IU U
2
I R
2
R
Байду номын сангаас
(1-7)
电功率P也可表述为：单位时间内电流所做的功，单位是瓦(W),或KW、mW、μ W等。二.电功〔电能) 定义为：电流通过负载所做的功，与电功率的关系为：
电工电子技术基础
例1-1 指出图1-6 ( a ), ( b)中电流的真实方向，电流参考方向已用箭头表示在图上。
a
i 2A a
b
a
图1-6
i 3 A b
b
解：
(a) 电流i为正值,说明实际电流方向与参考方向一致, 电流的真实方向为由a到b;
(b) 电流i为负值,说明实际方向与参考方向相反, 电流的真实方向为由b到a。
+
－
图1-4 电工电子技术基础
② 电流的参考方向
在较复杂的电路中,某支路ab其实际电流方向在求解前往往很难判断.但描述电路元件性质和连接方式规律的公式的列写都与电流的方向
有关。
电工电子技术基础
为此在进行分析之前,我们必须给各支路的电流一个假定的正方向用箭头表示,称为电流的参考方向, 也称为假定方向。
储存的电场能

t
ui d t
0

u
Cu d u
1 2
Cu
2
0
C 是储能元件
电工电子技术基础
§ 1.5 电压源与电流源
一个电源可以用两种模型来表示。用电压的形式表示称为电压源，用电流的形式表示称为电流源。

电工电子技术第1章

“电阻元件”是电阻器、电烙铁、电炉等实际电路元器电阻元件”是电阻器、电烙铁、电阻元件件的理想元件，即模型。因为在低频电路中，件的理想元件，即模型。因为在低频电路中，这些实际元器件所表现的主要特征是把电能转化为热能。际元器件所表现的主要特征是把电能转化为热能。用 “电阻元件”这样一个理想元件来反映消耗电能的特电阻元件” 征。 “电感元件”是线圈的理想元件；电感元件”是线圈的理想元件；电感元件 “电容元件”是电容器的理想元件。电容元件”是电容器的理想元件。
理想元件
为了便于对电路进行分析和计算，为了便于对电路进行分析和计算，我们常把实际元件加以近似化、理想化，在一定条件下忽略其次要性质，近似化、理想化，在一定条件下忽略其次要性质，用足以表征其主要特征的“模型”来表示，即用理想元件来表示。表征其主要特征的“模型”来表示，即用理想元件来表示。
例
第一章电路的基础知识
第一节电路的组成及主要理量第二节第三节第四节电路的基本元件基尔霍夫定律的应用简单电阻电路的分析方法
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第一节电路和电路模型
一、电路的组成电路的组成
电路是各种电气元器件按一定的方式连接起来的总体。电路是各种电气元器件按一定的方式连接起来的总体。电路的组成：电路的组成： 1. 提供电能的部分称为电源；提供电能的部分称为电源； 2. 消耗或转换电能的部分称为负载；负载； 3. 联接及控制电源和负载的部分如导线、分如导线、开关等称为中间环节。
电路模型
由理想元件构成的电路，称为实际电路的“电路模型”。由理想元件构成的电路，称为实际电路的“电路模型” 是图1-1a所示实际电路的电路模型。所示实际电路的电路模型。图1-1b是图是图所示实际电路的电路模型

电工电子学(全)

注
对一完整的电路，发出的功率＝消耗的功率
? Ｐ = U · I 或Ｐ =－U · I ，是否涉及到 U 、 I 的具体数值？
判断那个是吸收功率? 那个是供出功率?
I
吸
U
收
I
U
供出
I
U
供出
+ U _
I
吸
U
收
U = 10V I = 5A
(a)
U = 10V I = - 5A
(b)
U = 10V I = 5A
规定正电荷的运动方向为电流的实际方向
元件(导线)中电流流动的实际方向只有两种可能:
实际方向
A
B
实际方向
A
B
问题
复杂电路或电路中的电流随时间变化时，电流的实际方向往往很难事先判断
参考方向
电流(代数量) 大小方向
任意假定一个正电荷运动的方向即为电流的参考方向。
i A
参考方向
B
电流的参考方向与实际方向的关系：
第一章电路和电路元器件
本章内容摘要
学习电工电子技术中的——电路基本组成及常用的电路元件，是学习以下各章节的基础。介绍电阻元件，电感元件，电容元件，独立电源元件，半导体二极管和三极管等器件的工作原理、特性曲线和参数。
第一章电路和电路元器件
§1.1 电路和电路基本物理量 §1.1.1 电路与电路模型
电路模型近似地描述实际电路的电气特性。根据实际电路的不同工作条件以及对模型精确度的不同要求，应当用不同的电路模型模拟同一实际电路。现在以线圈为例加以说明。
图1－3 线圈的几种电路模型
(a)线圈的图形符号
(b)线圈通过低频交流的模型

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电子线路第一章晶体二极管和二极管整流电路一、填空1、晶体二极管加一定的（正向）电压时导通，加（反向）电压时（截止）这一导电特性称为二极管的（单相导电）特性。

2、不加杂质的纯净半导体称为（本征半导体）。

3、P型半导体它又称为（空穴）型半导体，其内部（空穴）数量多于（自由电子）数量。

4、加在二极管两端的（电压）和流过二极管的（电流）间的关系称为二极管的（伏安特性）。

5、把（交流）电转换成（直流）电的过程称为整流。

6。

直流电的电路称为二极管单相整流电路，常用的有（单相半波整流）、（单相桥式整流）和（倍压整流）电路。

7。

三极管工作在放大区时，通常在它的发射结加（正向）电压，集电结加（反向）电压。

8。

三极管在电路中的三种基本连接方式是（共发射极接法）、（共基极接法）、（共集电极接法）。

9。

晶体二极管的主要参数有（最大整流电流IFm）、（最高反向工作电压VRm）、（反向漏电流IR）。

10。

导电能力介于（导体）和（绝缘体）之间物体称为半导体。

11、在半导体内部，只有（空穴）和（自由电子）两种载流子。

12、一般来说，硅晶体二极管的死区电压应（大于）锗晶体二极管的死区电压。

13、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（既有少数载流子，又有多数载流子）。

14、用万用表测晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有+号插孔中的测试表笔（通常是红色表笔）所连接的二极管的管脚是二极管的（负）极，另一电极是（正）极。

15、面接触性晶体二极管比较适用（大功率整流）16。

晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则晶体二极管处于（反偏）17。

用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆档拨到（R1K档）18。

当硅晶体二极管加上0。

3V正向电压时，该晶体管相当于（阻值很大的电阻)19。

晶体二极管加（反向）电压过大而（击穿），并且出现（烧毁）的现象称为热击穿20。

晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流（极小）；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会急速（增大）21、二极管的正极又称（阳）极，负极又称（阴）极。

电工电子第1章

2
3
t/ms
1.2.4 电压源
1、理想电压源、
e + – + E –
图形符号
i + E – + u – 外电路 E i u
O
理想电压源的伏安特性
+
+ R0 U
2、实际电压源模型、
R0 u e – 或
+ E –
–
I RO
U E IR0 U I O
+
U
+ –
RL
E
–
U = E − IRo
伏安特性
b
E2
c
Va = − E1 = −5V, Vb = 0V, Vc = E 2 = 8V U ab = Va − Vb = (−5 − 0)V = −5V U bc = Vb − Vc = (0 − 8)V = −8V
电位计算补充例题
结论：从上述计算结果可以看到，结论：从上述计算结果可以看到，电位与参考点的选取有关，参考点不同，各点电位不同；选取有关，参考点不同，各点电位不同；而电压与参考点的选取无关，参考点不同，参考点的选取无关，参考点不同，两点之间的电压不变，但电压的参考方向不同，则符号不同。不变，但电压的参考方向不同，则符号不同。
15
u(t ) / V
1 0.5 1.5 2 2.5 3 t/ms
(b)
u(t )
–
R
C
1 0 –15 0.5 1.5
2 2.5
3 t/ms
(a)
i C (t ) / m A
u (t ) iR (t ) = R
du ( t ) iC ( t ) = C dt