微电子综合实验报告

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微电子实验报告2

集成电路设计（版图部分）实验报告学生姓名：周嫄学号：2011029170009 指导教师：曾洁实验地点：科B4532014年 5 月10 日电子科技大学实验：使用L-Edit编辑单元电路布局图一、实验学时：4学时二、实验目的1、熟悉版图设计工具L-Edit的使用环境；2、掌握L-Edit的使用技巧；三、实验内容：利用L-Edit绘制一个反相器的版图，并利用提取工具将反相器布局图转化为T-Spice 文件。

四、实验结果：1、本次版图设计中的设计技术参数、格点设定、图层设定、设计规则采用的是（morbn20.tdb）文件的。

9.1 Metal2 Minimum Width Minimum Width Metall2 3 lambda9.2 Metal2 to Metal2 Spacing 9.3 Metal2 Overlap of Via1 SpacingsurroundMetall2Via Metall24 lambda1 lambda2、绘制一个L=2u，W由学号确定的PMOS管掩膜版图。

先确定W。

W等于学号的最后一位乘以2，若学号最后一位 4，则先加10后再乘以2。

所以，要绘制的是一个L=2u，W=（ 18u ）的PMOS管掩膜版图。

所完成的经DRC检查无错误的PMOS版图为：该PMOS管的截面图为：3、绘制一个L、W和上面的PMOS管相同的NMOS管掩膜版图。

所完成的DRC检查无错误的NMOS版图为：该NMOS管的截面图为：4、运用前面绘制好的nmos 组件与pmos 组件绘制反相器inv的版图。

加入电源Vdd，地Gnd，输入A和输出B的标号。

所完成的DRC检查无错误的版图为：5、将反相器布局图转化为T-Spice 文件，该文件的内容为：五、实验总结与体会：1.通过本次实验，能够把理论与实际结合起来，利用软件将课本所学运用到实际的版图设计中，加深了对知识的理解与巩固；2.当第一次接触一个新软件时，应该怎样学习使用它，这是在实验中应该学习的技能；3.版图设计时需要考虑的因素有哪些，以及他们的相关性和重要程度对结果的影响。

毕业微电子实习报告

一、实习目的与意义随着科技的飞速发展，微电子技术已成为现代社会的重要支撑。

为了更好地将理论知识与实际应用相结合，提高自身的实践能力，我选择了微电子技术作为毕业实习的专业方向。

本次实习旨在通过实际操作，深入了解微电子技术的原理、应用及发展趋势，培养自身的动手能力和创新能力，为将来的职业发展打下坚实基础。

二、实习单位及环境本次实习单位为我国一家知名微电子企业——XX科技有限公司。

公司位于我国某高新技术产业园区，占地面积广阔，环境优美。

公司主要从事微电子器件的研发、生产和销售，产品广泛应用于通信、消费电子、汽车电子等领域。

实习期间，我所在的部门为研发部，主要负责新型微电子器件的研发工作。

部门内设有多个实验室，包括集成电路设计实验室、封装测试实验室等，设备先进，技术力量雄厚。

三、实习内容与过程1. 集成电路设计实习初期，我在导师的指导下，学习了集成电路设计的基本原理和流程。

通过查阅相关资料，了解了模拟电路、数字电路、混合信号电路等设计方法。

在导师的指导下，我参与了某款新型微电子器件的设计工作，从电路设计、仿真验证到版图设计，亲身体验了整个设计过程。

2. 封装与测试在完成集成电路设计后，我学习了封装与测试的相关知识。

了解了不同封装形式的特点、工艺流程及测试方法。

在导师的带领下，我参与了器件的封装与测试工作，学习了如何使用测试仪器对器件进行性能测试。

3. 项目实践实习期间，我还参与了多个项目实践。

其中包括某款无线通信模块的研发、某款汽车电子产品的升级等。

在项目实践中，我学会了如何将理论知识应用于实际，解决了项目过程中遇到的问题，提高了自己的实际操作能力。

4. 学术交流与培训实习期间，公司定期组织学术交流活动，邀请行业专家进行讲座。

我积极参加这些活动，拓宽了视野，了解了微电子领域的最新发展趋势。

此外，公司还为我提供了相关的培训课程，如EDA工具使用、半导体材料等，使我受益匪浅。

四、实习收获与体会1. 提高了实践能力通过本次实习，我掌握了微电子技术的实际操作技能，学会了如何将理论知识应用于实际，提高了自己的动手能力。

微电子综合实验报告

微电子综合实验报告实验题目：⒚同或门电路仿真班级：电子科学与技术1201姓名：XXX学号：XXX时间：2015.5—2015.6一、电路图。

OUTA B(IN1) （IN2）分别给上图中的每个管子和结点标注，如下所述：P管分别标记为：MP1、MP2、MP3;N管分别标记为：MN1、MN2、MP3;A、B端分别标记为：IN1、IN2;输出端标记为：OUT；N 管之间连接点标记为：1；连接反相器的点标记为：2；如上图所示。

其真值表如下所示：二、电路仿真表。

*dounandMN1 1 IN1 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4UMN2 2 IN2 1 0 NMOS L=0.6U W=2.4UMN3 OUT 2 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4UMP1 IN2 IN1 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4UMP2 IN1 IN2 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4UMP3 OUT 2 VDD VDD PMOS L=0.6U W=4.4UVDD VDD 0 DC 5VVIN1 IN1 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 5N 10N)VIN2 IN2 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 10N 20N).TRAN 1N 100N UIC.LIB './HJ.L' TT.END下图为无负载电容，IN1=10ns，IN2=20ns时的波形图。

从图中可以发现，本来输出应该是5v，实际输出只有4.8v，可见输出有阈值损失。

原因是N管传高电平、P管传低电平时，输出半幅，所以存在阈值损失。

三、输出加负载电容。

1、C=0.2p ；IN1=10ns ；IN2=20ns 时波形如下：电路仿真表如下：*dounandMN1 1 IN1 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4UMN2 2 IN2 1 0 NMOS L=0.6U W=2.4UMN3 OUT 2 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4UMP1 IN2 IN1 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4UMP2 IN1 IN2 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4UMP3 OUT 2 VDD VDD PMOS L=0.6U W=4.4U cloadf OUT 0 0.2pVDD VDD 0 DC 5VVIN1 IN1 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 5N 10N)VIN2 IN2 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 10N 20N) .TRAN 1N 100N UIC.LIB './HJ.L' TT.END2、C=0.2p ；IN1=20ns ；IN2=40ns时波形如下：电路仿真表如下：*dounandMN1 1 IN1 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4UMN2 2 IN2 1 0 NMOS L=0.6U W=2.4UMN3 OUT 2 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4UMP1 IN2 IN1 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4UMP2 IN1 IN2 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4UMP3 OUT 2 VDD VDD PMOS L=0.6U W=4.4U cloadf OUT 0 0.2pVDD VDD 0 DC 5VVIN1 IN1 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 10N 20N)VIN2 IN2 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 20N 40N).TRAN 1N 100N UIC.LIB './HJ.L' TT.END3、C=0.5p ; IN1=10ns ；IN2=20ns时波形如下：电路仿真表如下：*dounandMN1 1 IN1 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4UMN2 2 IN2 1 0 NMOS L=0.6U W=2.4UMN3 OUT 2 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4UMP1 IN2 IN1 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4UMP2 IN1 IN2 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4UMP3 OUT 2 VDD VDD PMOS L=0.6U W=4.4U cloadf OUT 0 0.5pVDD VDD 0 DC 5VVIN1 IN1 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 5N 10N)VIN2 IN2 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 10N 20N).TRAN 1N 100N UIC.LIB './HJ.L' TT.END4、C=0.5p ; IN1=20ns ；IN2=40ns时波形如下：电路仿真表如下：*dounandMN1 1 IN1 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4UMN2 2 IN2 1 0 NMOS L=0.6U W=2.4UMN3 OUT 2 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4UMP1 IN2 IN1 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4UMP2 IN1 IN2 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4UMP3 OUT 2 VDD VDD PMOS L=0.6U W=4.4U cloadf OUT 0 0.5pVDD VDD 0 DC 5VVIN1 IN1 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 10N 20N)VIN2 IN2 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 20N 40N).TRAN 1N 100N UIC.LIB './HJ.L' TT.END四、实验结果分析。

微电子参考实验报告1-9

实验1 硅片氧化层性能测试预习报告实验调研1：新型氧化工艺调研实验报告●氧化层性能测试1质量要求: 二氧化硅薄膜质量好坏，对器件的成品率和性能影响很大。

因此要求薄膜表面无斑点、裂纹、白雾、发花和针孔等缺陷。

厚度达到规定指标并保持均匀，结构致密。

对薄膜中可动带电离子，特别是钠离子的含量要有明确的要求。

2检验方法●厚度的检查测量二氧化硅薄膜厚度的方法很多。

如精度不高的比色法，腐蚀法，京都要求稍高的双光干涉法，电容电压法，还有精度高达10埃的椭圆偏振光法等。

1）比色法利用不同厚度氧化膜，在白色垂直照射下会呈现出不同颜色的干涉色彩这一现象，用金相显微镜观察并对照标准的比色样品，直接从颜色的比较来得出氧化层的厚度。

其相应的关系如下表所示：2）双光干涉法[测试仪器与装置][实验原理]干涉显微镜可用来检测经过精加工后工件的表面粗糙度，也可用来检测薄膜厚度。

精加工后，工件表面的微观不平度很小，实际上工件表面存在许多极细的“沟槽”。

检测时，首先通过显微系统将“沟槽”放大，然后利用干涉原理再将微观不平度显示出来。

常用的干涉显微镜是以迈克耳逊干涉仪为原型的双物镜干涉显微镜系统。

它的典型光路如上图所示。

光源1(白织灯)由聚光镜2成象在孔径光阑16上，插入滤光片3可以获得单色光。

视场光阑17位于准直物镜4的前焦面上。

由物镜4射出的平行光束在分光板5处分为两部分：一束向上反射，经显微镜7会聚在被测工件表面M 2上，M 2与显微镜7的焦面重合。

由M 2返回的光束依次通过显微物镜7、分光板5后被辅助物镜9会聚在测微目镜12的分划板111—白织灯 2—聚光镜 3—滤光片 4—准直物镜 5—分光板 6—补偿板7、8—显微物镜 M 2—被测工件 M 1—参考反射镜 9—辅助物镜 10、14—反射镜 11—分划板 12—测微目镜 13—摄影物镜 15—照相底版或观察屏 16—孔径光阑 17—视场光阑处，分划板11与物镜9的焦平面重合。

微电子实验报告三

实验三触发器的电路结构与仿真班级姓名学号指导老师袁文澹一、实验目的1、掌握时序电路基本特点；2、掌握D触发器的结构、原理及特性；二、实验内容及要求1、分析并仿真晶体管级CMOS D触发器（不带复位端）；（不带复位端的D触发器）2、分析并仿真晶体管级CMOS D触发器（带复位端）；（带复位端的D触发器）三、实验原理1、不带复位端的D触发器如图所示为不带复位端的始终CMOS结构的D触发器，该电路利用时钟CMOS反相器构成动态锁存器，由两个动态锁存器构成时钟上升沿有效的D触发器。

1）当clk处于低电平时，M P2与M N2都导通，主锁存器采样数据，D端数据反相后传递到节点X的电容C1上，而M P4和M N4截止，从锁存器保持数据，Q端电容C2保持旧数据；2）当clk处于高电平时，M P2与M N2都截止，主锁存器保持数据，D端数据反相后传递到节点Q的电容C2上，而M P4和M N4导通，从锁存器采样数据，X端电容C1保持旧数据.2、带复位端的D触发器为确保时序数字电路稳定可靠地工作，复位电路是必不可少的一部分。

本次试验设计的是高电平复位，即加上一个复位信号，电路会自动清零，即输出Q=0。

当复位信号消失时，电路能够恢复正常工作，其原理与不带复位端D触发器原理一致，此处不再重述。

四、实验方法与步骤实验方法：计算机平台：（在戴尔计算机平台、Windows XP操作系统。

）软件仿真平台：（在VMware和Hspice软件仿真平台上。

）实验步骤：1、编写源代码。

按照实验要求，在记事本上编写相应代码，并以相应的文件扩展名存储文件。

2、打开Hspice软件平台，点击File中的一个文件。

3、编译与调试。

确定源代码文件为当前工程文件，点击Complier进行文件编译。

编译结果有错误或警告，则将要调试修改直至文件编译成功。

4、软件仿真运行及验证。

在编译成功后，点击simulate开始仿真运行。

点击Edit LL单步运行查看结果,无错误后点击Avanwaves按照程序所述对比仿真结果。

微电子技术实验报告

微电子技术实验报告一、实验目的本实验旨在通过实际操作，加深对微电子技术的理解，掌握基本的电路设计和实验技能，提高学生的实践能力和动手能力。

二、实验原理微电子技术是一门研究电子器件、电路和系统中微观器件的制造工艺、物理特性、器件特性及其应用技术的学科。

本实验涉及到微电子技术中的基本器件，如二极管、场效应管等。

三、实验内容1. 利用示波器和信号源等工具，对二极管的正向和反向特性曲线进行测量。

2. 利用基本电路元件，如电阻、电容、电感等，设计并搭建一个简单的电路。

3. 使用场效应管并对其进行测试，掌握其工作原理和特性。

四、实验步骤1. 准备工作：连接示波器和信号源。

2. 测量二极管的正向特性曲线：在示波器上设置适当的参数，连接二极管并记录电压-电流特性曲线。

3. 测量二极管的反向特性曲线：更改示波器参数，连接二极管并记录反向漏电流。

4. 搭建简单电路：根据设计要求，选取合适的元件，进行电路搭建。

5. 测试场效应管：通过实验测试场效应管的工作状态，并记录相关数据。

五、实验数据及图表1. 二极管正向特性曲线图（插入图表）2. 二极管反向特性曲线图（插入图表）3. 搭建的简单电路图（插入图表）4. 场效应管测试数据（数据表）六、实验分析通过本次实验，我深刻理解了二极管的正反向特性曲线，掌握了电路设计和搭建的基本技能，并对场效应管有了更深入的了解。

实验过程中，通过数据的分析和曲线的对比，我得出了一些结论，并发现了一些问题需要进一步探讨和解决。

七、实验结论本实验通过对微电子技术中的基本器件进行实际操作，增强了我对电子器件特性的认识，提高了我的实验技能。

通过本次实验，我不仅学到了理论知识，还掌握了实践技能，为将来的学习和工作打下了坚实的基础。

八、参考文献1. 《微电子技术基础》2. 《电子技术实验指导》（以上为实验报告内容，供参考。

）。

微电子实习报告

微电子实习报告第一篇：微电子实习报告课程名称认识实习课程编号A200001A实习地点光电学院1101微电子工艺实验室实习时间2020年11月14日校外指导教师校内指导教师王智鹏、周围评阅人签字王智鹏成绩实习内容微电子工艺认识实习一、实习目的和意义学习光刻机原理，硅片的制作和加工，简单MOS器件的制备二、实习单位和岗位重庆邮电大学三、实习内容和过程实验内容：在2020年11月14日的下午我们班聚集在实验室门口等待，在老师的带领下我们进入实验室并且按规矩穿好实验服。

在将近半小时的参观下我们了解到半导体的制作原理。

半导体制作原理：图1.1半导体构造组成制造流程半导体工业所使用之材料包含单一组成的半导体元素，如硅(Si)、锗(Ge)(属化学周期表上第四族元素)及多成分组成的半导体含二至三种元素，如镓砷(GaAs)半导体是由第三族的镓与第五族的砷所组成。

在1950年代早期，锗为主要半导体材料，但锗制品在不甚高温情况下，有高漏失电流现象。

因此，1960年代起硅晶制品取代锗成为半导体制造主要材料。

半导体产业结构可区分为材料加工制造、晶圆之集成电路制造(wafer fabrication)(中游)及晶圆切割、构装(wafer package)等三大类完整制造流程，如图1.2所示。

其中材料加工制造，是指从硅晶石原料提炼硅多晶体(polycrystalline silicon)直到晶圆(wafer)产出，此为半导体之上游工业。

此类硅芯片再经过研磨加工及多次磊晶炉(Epitaxial reactor)则可制成研磨晶圆成长成为磊晶晶圆，其用途更为特殊，且附加价值极高。

其次晶圆之体积电路制造，则由上述各种规格晶圆，经由电路设计、光罩设计、蚀刻、扩散等制程，生产各种用途之晶圆，此为中游工业。

而晶圆切割、构装业系将制造完成的晶圆，切割成片状的晶粒(dice)，再经焊接、电镀、包装及测试后即为半导体成品。

图1.2 半导体产业结构上、中、下游完整制造流程制程单元集成电路的制造过程主要以晶圆为基本材料，经过表面氧化膜的形成和感光剂的涂布后，结合光罩进行曝光、显像，使晶圆上形成各类型的电路，再经蚀刻、光阻液的去除及不纯物的添加后，进行金属蒸发，使各元件的线路及电极得以形成，最后进行晶圆探针检测;然后切割成芯片，再经粘着、连线及包装等组配工程而成电子产品。

微电子技术综合实践

《微电子技术综合实践》设计报告题目：P阱CMOS芯片制作工艺设计院系：自动化学院电子工程系专业班级：微电111学生学号：3100433031学生姓名：王刚指导教师姓名：王彩琳职称：教授起止时间：6月27日—7月8日成绩：目录目录一、设计要求1、设计任务2、特性指标要求 03、结构参数参考值 04、设计内容 0二、MOS管的器件特性设计 01、PMOS管参数设计与计算 02、NMOS管参数设计与计算 1三、工艺流程分析 31、衬底制备 32、初始氧化 33、阱区光刻 44、P阱注入 45、剥离阱区的氧化层 46、热生长二氧化硅缓冲层 47、LPCVD制备Si3N4介质 48、有源区光刻：即第二次光刻 49、N沟MOS管场区光刻 510、N沟MOS管场区P+注入 511、局部氧化 512、剥离Si3N4层及SiO2缓冲层 513、热氧化生长栅氧化层 614、P沟MOS管沟道区光刻 615、P沟MOS管沟道区注入 616、生长多晶硅 617、刻蚀多晶硅栅 618、涂覆光刻胶 619、刻蚀P沟MOS管区域的胶膜 620、注入参杂P沟MOS管区域 621、涂覆光刻胶 722、刻蚀N沟MOS管区域的胶膜 723、注入参杂N沟MOS管区域 724、生长PSG 725、引线孔光刻 826、真空蒸铝 827、铝电极反刻 8四、光刻示意图 91.刻P阱掩膜板 102.刻有源区 103.光刻多晶硅 104.P+区光刻 115.N+区光刻 116.光刻接触孔 117.光刻铝线 128.刻钝化孔 12五、薄膜加工工艺计算12六、P阱CMOS芯片制作工艺实施方案框图 14七、心得体会 16八、参考资料 17一．设计要求：1、设计任务：N 阱CMOS 芯片制作工艺设计2、特性指标要求n 沟多晶硅栅MOSFET ：阈值电压V Tn =0.5V, 漏极饱和电流I Dsat ≥1mA, 漏源饱和电压V Dsat ≤3V ，漏源击穿电压BV DS =35V, 栅源击穿电压BV GS ≥25V, 跨导g m ≥2mS, 截止频率f max ≥3GHz （迁移率µn =600cm 2/V ·s ）p 沟多晶硅栅MOSFET ：阈值电压V Tp = -1V, 漏极饱和电流I Dsat ≥1mA, 漏源饱和电压V Dsat ≤3V ，漏源击穿电压BV DS =35V, 栅源击穿电压BV GS ≥25V, 跨导g m ≥0.5mS, 截止频率f max ≥1GHz （迁移率µp =220cm 2/V ·s ） 3、结构参数参考值：N 型硅衬底的电阻率为20cm ∙Ω；垫氧化层厚度约为600 Å；氮化硅膜厚约为1000 Å； P 阱掺杂后的方块电阻为3300Ω/ ，结深为5~6m μ；NMOS 管的源、漏区磷掺杂后的方块电阻为25Ω/ ，结深为1.0~1.2m μ； PMOS 管的源、漏区硼掺杂后的方块电阻为25Ω/ ，结深为1.0~1.2m μ；场氧化层厚度为1m μ；栅氧化层厚度为500 Å；多晶硅栅厚度为4000 ~5000 Å。

微电子综合实验报告

微电子综合实验报告实验题目: 27题spice与非门仿真班级: 电子科学与技术1201姓名:学号:时间: 2015.5—2015.6原理图网表如下: 仿真波形图如下:输出端外加0.01p时,仿真网表为*dounandNM1 0 B OUT 0 NMOS L=0.4U W=1.6UNM2 1 A OUT 0 NMOS L=0.4U W=1.6UMP1 OUT 0 1 VDD PMOS L=0.4U W=1.6UMP2 1 A VDD VDD PMOS L=0.4U W=1.6UMP3 1 A 0 0 NMOS L=0.4U W=1.6Ucloadf OUT 0 0.01pVDD VDD 0 DC 5VV A A 0 PULSE(0 6 0 0.1N 1.9N 6N)VB B 0 PULSE(0 4 0 0.1N 1.9N 4N)-PROBE-TRAN 1N 20N UIC-LIB ‘-/HJ.L’TIEND仿真波形图如下:由波形图可以看出, 只要输入有一个低电平, 输出就为高电平, 满足要求。

输出端外加0.1p时, 仿真网表为:*dounandNM1 0 B OUT 0 NMOS L=0.2U W=0.8UNM2 1 A OUT 0 NMOS L=0.2U W=0.8UMP1 OUT 0 1 VDD PMOS L=0.2U W=0.8UMP2 1 A VDD VDD PMOS L=0.2U W=0.8UMP3 1 A 0 0 NMOS L=0.2U W=0.8Ucloadf OUT 0 0.1pVDD VDD 0 DC 5VV A A 0 PULSE(0 6 0 0.1N 1.9N 6N)VB B 0 PULSE(0 4 0 0.1N 1.9N 4N)-PROBE-TRAN 1N 20N UIC-LIB ‘-/HJ.L’TIEND电路逻辑表达式Ｙ＝AB原理图：综合上述仿真给输入的与非门加5V激励电压, 由上述spice仿真波形图知道,当输入都为1时输出为零,当输入有一个为零时输出为1,实现了与非门的基本逻辑功能.如下实验原理图:实验总结通过这次试验令我初步了解了spice软件的基本的用法, 对电路的仿真过程加深了对电路的理解, 而通过波形仿真的结果可以知道仿真网表是否正确, 从而通过修改网表达到网表与原理图逻辑一致。

微电子期末实验报告

微电子期末实验报告实验目的本次实验的目的是通过设计和制作一片微电子芯片，学习和理解微电子器件的工作原理和制造过程，加深对微电子技术的认识和应用。

实验器材与原材料本实验涉及的器材和原材料如下：1. 纯净的硅晶圆2. 光刻机和曝光药水3. 溅射沉积设备4. 热氧化炉5. 电子束曝光设备6. 快速退火设备7. 电子显微镜8. 电阻计和电压源实验步骤及结果1. 硅晶圆的制作：首先，我们取出一块纯净的硅晶圆，将其放入热氧化炉中进行氧化处理，形成一层氧化硅薄膜。

然后，使用电子束曝光设备制作图案掩膜，在光刻机上对硅晶圆进行曝光，形成所需的图案。

最后，使用溅射沉积设备，在硅晶圆上沉积金属薄膜，形成导线和电极。

2. 芯片的制作：通过以上步骤，我们成功地制作了一片微电子芯片。

接下来，我们使用快速退火设备对芯片进行处理，使金属导线与硅基底良好地结合在一起。

然后，使用电阻计和电压源对芯片进行测试，确保芯片的电特性符合设计要求。

3. 电子显微镜的观察：为了进一步研究芯片的结构和性能，我们使用电子显微镜对芯片进行观察。

通过电子显微镜的放大和成像功能，我们可以清晰地看到芯片的微观结构和导线的连接情况。

实验结果分析通过实验步骤中的制作和测试过程，我们得到了一片功能正常的微电子芯片。

我们通过电阻计和电压源测量了芯片的电阻和电压特性，并与设计要求进行了比较。

实验结果表明，芯片的电特性符合预期，并且各个部件之间的连接良好，没有出现导线断裂或短路等问题。

通过电子显微镜的观察，我们进一步研究了芯片的微观结构。

观察结果显示，芯片表面的导线和电极均呈现出光滑的表面，金属导线与硅基底之间有良好的结合。

这表明我们在制作过程中注意了各个步骤的控制和操作，确保了芯片的质量和稳定性。

实验总结与心得体会通过本次实验，我们学习和理解了微电子器件的制造过程和性能测试方法。

我们通过制作一片微电子芯片，加深了对微电子技术的认识和了解。

实验过程中，我们学会了使用各种微电子器材和原材料，掌握了光刻、溅射和退火等工艺步骤，并学会了使用电阻计和电压源等测试仪器。

微电子技术实习报告

实习报告一、实习背景和目的作为一名微电子工程专业的学生，为了加深对微电子技术的理解和实践能力，我参加了为期三个月的微电子技术实习。

实习的目的主要是通过实际操作和项目实践，掌握微电子器件的基本原理、制造工艺和测试技术，培养实际动手能力和创新能力。

二、实习内容和过程实习期间，我主要参与了以下几个方面的内容和过程：1. 微电子器件的基本原理学习：通过阅读教材和参加讲座，我深入了解了MOSFET、BJT等常见微电子器件的工作原理和特性，学习了器件的结构设计和参数优化方法。

2. 制造工艺的学习和实践：在实验室中，我参观了微电子器件的制造工艺流程，包括晶圆制造、光刻、蚀刻、离子注入等步骤。

通过实际操作，我掌握了工艺参数的调整和控制方法，了解了工艺流程中的关键技术和挑战。

3. 测试技术的实践：在实验室中，我使用了多种测试设备对微电子器件进行了电学特性测试，包括I-V特性测试、C-V特性测试等。

通过测试数据的分析和处理，我了解了器件的性能指标和可靠性评估方法。

4. 实际项目的参与：在实习期间，我参与了一个微电子器件的性能改进项目。

通过团队合作，我负责了器件的结构设计和参数优化工作。

通过项目实践，我学会了与团队成员有效沟通和协作，提高了自己的解决问题和团队合作能力。

三、实习收获和体会通过这次实习，我收获了很多，具体如下：1. 理论知识与实践能力的结合：实习过程中，我将所学的微电子器件理论知识和实际制造工艺相结合，提高了自己的实践能力。

2. 创新思维的培养：在实际项目中，我通过不断尝试和优化，培养了自己的创新思维和解决问题的能力。

3. 团队合作和沟通能力的提升：在项目实践中，我与团队成员密切合作，学会了有效沟通和协作，提高了自己的团队合作能力。

4. 对微电子技术的深入理解：通过实习，我对微电子技术有了更深入的理解，明确了自己未来学习和研究方向。

总之，这次微电子技术实习是一次非常有意义的经历。

通过实习，我不仅提高了自己的实践能力和团队合作能力，还对微电子技术有了更深入的理解和认识。

微电子专业实习报告

一、实习背景随着科技的飞速发展，微电子技术已成为现代信息技术产业的核心。

为了更好地了解微电子行业，提升自身的专业技能，我于2022年7月至2023年1月在XX科技有限公司进行了为期半年的实习。

在此期间，我深入了解了微电子行业的工作环境、生产流程和科研方向，对所学专业知识有了更深刻的认识。

二、实习目的1. 了解微电子行业的发展现状及未来趋势，明确自己的职业规划。

2. 通过实际操作，提高自己的动手能力和实践技能。

3. 学习并掌握微电子行业的相关技术，为今后的工作奠定基础。

4. 培养团队合作精神，提高沟通协调能力。

三、实习单位简介XX科技有限公司成立于2005年，是一家专注于微电子领域的高新技术企业。

公司主要业务涉及半导体器件、集成电路设计、研发、生产和销售。

公司拥有完善的生产线和先进的技术设备，是国内微电子行业的领军企业。

四、实习内容及过程1. 实习初期实习初期，我主要进行了企业文化和规章制度的学习，了解公司的发展历程、组织架构、业务范围等。

同时，我还参加了新员工培训，学习了公司内部的管理体系、质量管理体系等。

2. 实习中期实习中期，我主要参与了以下几个项目：（1）参与研发部某款新型集成电路的设计工作，负责电路仿真和测试。

（2）协助生产部进行生产线的调试和维护，了解生产工艺和设备操作。

（3）协助销售部进行市场调研，了解客户需求和竞争对手情况。

（4）参加公司组织的各类技术培训，提高自己的专业素养。

3. 实习后期实习后期，我主要进行了以下工作：（1）独立完成了一款新型集成电路的设计，并顺利通过了测试。

（2）协助生产部解决了生产线上的一起故障，提高了生产效率。

（3）针对市场调研结果，向销售部提出了优化产品结构和提升销售策略的建议。

（4）参加公司组织的团队建设活动，培养了团队合作精神。

五、实习收获1. 提高了动手能力和实践技能。

在实习过程中，我学会了使用各类微电子实验设备，掌握了电路设计和仿真软件的使用方法。

毕业微电子实习报告

毕业微电子实习报告在过去的一个月里，我有幸参加了微电子实习项目。

这次实习让我对微电子学领域有了更深入的了解，并且提高了我在实际工作中应用理论知识的能力。

在这里，我将详细介绍我的实习经历和所学到的知识。

首先，我在实习期间参加了集成电路设计的相关培训。

通过这些培训，我掌握了集成电路设计的基本原理和流程。

我了解到，集成电路设计是一个复杂而严谨的过程，它涉及到电路原理、半导体物理、数字逻辑等多个方面的知识。

在设计过程中，我们需要使用专业的软件工具，如Cadence、Protel等，进行电路图的绘制和模拟。

通过模拟，我们可以验证电路的功能和性能是否满足设计要求。

这个过程不仅需要理论知识的支持，还需要我们具备良好的逻辑思维和问题解决能力。

其次，我在实习期间参与了一个实际的集成电路设计项目。

在这个项目中，我负责设计一个简单的放大器电路。

我首先进行了电路的需求分析，确定了电路的规格和要求。

然后，我根据所学知识选择了合适的放大器电路拓扑结构，并使用Cadence软件进行了电路图的绘制和模拟。

通过多次调整和优化，我最终设计出了一个满足要求的放大器电路。

这个过程让我深刻体会到了理论与实践相结合的重要性，也锻炼了我的实际操作能力。

此外，我还参加了实习期间的实验室实践活动。

我有机会接触到各种微电子设备和实验仪器，如半导体制造设备、测试仪器等。

在实验室导师的指导下，我学习了如何使用这些设备进行实验操作。

我参与了一些实验项目，如晶体管特性测试、集成电路封装等。

这些实验不仅巩固了我所学的理论知识，还让我对微电子产品的制造和测试过程有了更直观的了解。

通过这次实习，我不仅学到了微电子学领域的专业知识，还培养了我团队合作和沟通的能力。

在实习期间，我与同学们一起解决了许多实际问题，共同完成了项目任务。

我们互相学习、互相帮助，共同进步。

这个过程让我明白了团队合作的重要性，也让我学会了如何与他人有效沟通和协作。

总之，这次微电子实习是一次非常有意义的经历。

微电子技术实验报告

微电子技术实验报告实验名称：MOS管的静态特性测量实验目的：1.了解MOS管的结构和工作原理；2.掌握MOS管的静态特性测量方法；3.熟悉MOS管静态特性参数的测量技术。

实验仪器和器件：1.函数发生器；2.示波器；3.DC稳压电源；4.万用表；5.n沟道MOS管一个。

实验原理：MOS（金属-氧化物-半导体）管是一种在集成电路中广泛应用的器件。

它由金属栅极、氧化层和半导体衬底组成。

MOS管分为n沟道和p沟道两种，本实验使用的是n沟道MOS管。

实验步骤：1.连接实验电路图，将函数发生器的正负极分别接到D极和S极，将示波器的探头接到D极和地。

2.打开仪器电源，设定适当的电压和频率。

3.通过变化函数发生器的输入电压，观察示波器上的输出波形。

4.记录输入电压和输出电压的数值，计算电流的数值。

5.重复步骤3和步骤4，分别改变输入电压和DC稳压电源的电压，测量不同情况下的电流。

实验数据处理：曲线图可以直观地反映MOS管的静态特性。

根据曲线图可以得出以下结论：1.当输入电压增大时，输出电压也随之增大，电流也随之增大；2.当输入电压过大时，MOS管会发生饱和，输出电压几乎不再增大；3.当输入电压为负时，MOS管处于关断状态，输出电流接近于0。

实验结论：本实验通过测量MOS管的静态特性，掌握了MOS管的基本工作原理和参数测量方法。

实验数据和曲线图反映出了MOS管的输入输出特性，并能根据曲线判断MOS管的工作状态。

此外，实验还加深了对MOS管的理论知识的理解，在实践中提高了实际操作能力。

附图：。

微电子实习报告及心得体会

在公司培训学习中,我总能很快地掌握各种设计模式的要领,获得上司的好评.但是我明白,设计模式真要应用到代码中去,是要培养一种习惯.
个人观点好像说得有点多了,下面说说我这3个月里的实习情况.总的而言,我到公司接触了2个平台,一个是现在很火的android,另一个则是nokia的qt. android用的基本是java语言,其中还会带点xml语言;而qt用的则是c++.
对于这2个平台,用着的感觉其实大同小异,用我上司的话说,基础打好了,语言就不应该是障碍.感觉挺有道理的.想当年我作为一个vb助教,却没半点vb基础,对vb那些基础问题还是可以比较轻松地解决,这跟我其他程序语言基础比较好有着密不可分的关系.
android平台的一个基本窗口是一个activity,除了基本的activity外,还提供listactivity和tabactivity这些拓展的子类,每一个activity都可以看作一个窗口,一个进程可以有多个activity,每个activity都拥有一个view, view可以通过xml设定,当使用activity的子类时,必须注意这些子类的xml必须含有特定id的控件,或者不用xml实现view,系统会有一个默认的xml去实现那些一个基础view并且实现必要的id.
微电子实习心得（2）：
在大学里的最后一个冬天,我完成了3个月的实习,实习对我而言是一个难忘的体验,让我不论做人还是做事都改变了很多.总的来说,虽然说不上乐在其中,但实习的确是一段充实而有意义的事.
实习期间积蓄了太多太多的感悟.借此机会跟大家分享一二.
感悟一:当我们进入社会工作,就先要进入各种规范中去.
再回首，过去的一年的实习中，我们开心过、悲伤过、坚强过、也脆弱过，有得有失。我们用心付出了，也得到了新的回报，我们成长了，从一个天真幼稚的学生到一个稳重踏实的社会青年，一步步为我们的人生增砖添瓦。

微电子技术实验报告

微电子技术实验报告班级：学号：姓名：指导老师：完成日期：实验一用晶体管特性图示仪测试晶体管主要参数1．实验目的掌握晶体管特性图示仪测试晶体管的特性和参数的方法。

2．实验原理2．1 双极型晶体（以3DG6NPN 管为例）输入特性和输出特性的测试原理（1）输入特性曲线和输入电阻i R ，在共射晶体管电路中，输出交流短路时，输入电压和输入电流之比为i R ，即＝常数CE V BBE i I V R ∂∂=它是共射晶体管输入特性曲线斜率的倒数。

例如需测3DG 4在V CE ＝10时某一作点Q 的R 值，晶体管接法如图1.1所示。

各旋扭位置为峰值电压% 80% 峰值电压范围 0～10V 功耗电阻 250ΩX 轴作用基极电压0.05V/度 Y 轴作用阶梯选择 μ20A/极级/簇 10 串联电阻 10K 集电极极性正（+）把X 轴集电极电压置于1V/度，调峰值电压为10V ，然后X 轴作用扳回基极电压0.1V/度，即得CE V ＝10V 时的输入特性曲线。

这样可测得图1.2：VCE V BBE i I V R 10=∆∆=根据测得的值计算出i R 的值图1.1 图1.2（2）输出特性曲线、转移特性曲线和β、FE h在共射电路中，输出交流短路时，输出电流和输入电流增量之比为共射晶体管交流电流放大系数β。

在共射电路中，输出端短路时，输出电流和输入电流之比为共射晶体管直流放大系数FE h 。

晶体管接法如图1.1所示。

旋钮位置如下：峰值电压范围 10V 峰值电压% 80% 功耗电阻 50ΩX 轴集电极电压1V/度 Y 轴集电极电流2mA/度阶梯选择 μ20A/极集电极极性正（+）得到图1.3所示共射晶体管输出特性曲线，由输出特性曲线上读出CE V =10V 时，第2、4、6三根曲线对应的C I 、B I 计算出交流放大系数β>FE h 主要是因为基区表面复合等原因导致小电流β较小造成的，β、FE h 也可用共射晶体管的转移特性（图1.4）进行测量只要将上述的X 轴作用开关拨到“基极电流或基极源电压”即得到共射晶体管的转移特性。

微电子技术实习报告加自我鉴定

微电子技术实习报告及自我鉴定一、实习报告在过去的三个月里，我有幸参加了微电子技术实习项目。

这次实习让我对微电子技术有了更深入的了解，并积累了宝贵的实践经验。

以下是我在实习期间的主要工作和学习内容。

1. 实习单位简介实习单位是某知名微电子企业，专注于研发和生产集成电路芯片。

公司拥有一流的研发团队和先进的生产设备，为员工提供了良好的学习和成长环境。

2. 实习内容（1）生产线实习在生产线实习期间，我了解了集成电路芯片的生产流程，包括晶圆制造、芯片设计、版图绘制、光刻、蚀刻、离子注入、金属化、封装和测试等环节。

通过实地观察和操作，我深刻掌握了各个环节的基本原理和操作技巧。

（2）研发部门实习在研发部门实习期间，我参与了集成电路芯片的设计和仿真工作。

通过使用EDA（电子设计自动化）工具，我学会了绘制电路原理图、编写Verilog/VHDL代码、进行仿真测试和功能验证。

此外，我还学会了与团队成员协作，共同完成项目任务。

（3）测试实验室实习在测试实验室实习期间，我学习了集成电路芯片的测试方法和设备操作。

通过使用ATE（自动测试设备）进行芯片测试，我掌握了测试方案的设计、测试程序的编写和测试结果的分析。

这使我能够更好地了解芯片的性能和质量。

3. 实习成果通过实习，我取得了以下成果：（1）掌握了微电子技术的基本原理和生产流程；（2）学会了使用EDA工具进行集成电路芯片设计和仿真；（3）具备了集成电路芯片测试和分析的能力；（4）提高了团队合作和沟通能力。

二、自我鉴定1. 学习态度在实习期间，我始终保持积极的学习态度，认真聆听导师的讲解，主动请教同事，积极参加培训和研讨活动。

我注重理论与实践相结合，不断丰富自己的专业知识。

2. 团队合作我意识到团队合作在实习过程中的重要性，始终保持团结协作的精神。

在与同事共同完成项目任务的过程中，我学会了倾听、沟通、协调和分工合作，为团队的整体发展做出了贡献。

3. 解决问题能力在实习过程中，我遇到了许多问题和挑战。

pspice微电子实验报告

智能1202 苏思韵201208070216微电子实验报告实验一运算放大电路—求差电路一、实验内容1.电压跟随器仿真电路如图a所示。

绘出其输出、输入波形图。

2.V3FREQ = 50HzVAMPL = 10VOFF = 0R110kR21kV112VV+V2-12VV-U1uA741+3-2V+7V-4OUT6OS11OS25图a 电压跟随电路输出波形输入波形2. 求差电路如图所示。

运放选用741，电源电压V+=+15V ，V-=-15V ，R1=R2=10K Ω，R3=R4=100K Ω。

（1）当V1=0，V2=－0.5sin(2π×100t)(V)时，绘出V2和输出电压的波形。

（2）当V1=0.5sin(2π×100t)(V)，V2=0时，绘出V1和输出电压的波形。

V2FREQ = 100Hz VAMPL = -0.5V VOFF = 0R110k0V315VV+V4-15V V-U1uA741+3-2V+7V-4OUT 6OS11OS25V1FREQ = 100Hz VAMPL = 0.5V VOFF = 0R310k100kR5100k图b 求差电路V_V5V(U1:OUT)-20V0V20V(1.4972,-14.788)(-1.5138,14.812)图c 电路的传输特性曲线（1） v2波形输出波形（2）v1波形输出波形实验二基本共射极放大电路一、实验内容1. 下图为基本共射极放大电路的仿真电路图。

试计算静态工作点的各参数并与手算结果进行比较。

Q1Q2N2222R120kR22kV11VdcV29VdcV3AC =TRAN = sin(0v ,10mv ,1khz,0s,0,0)DC =分析：VBE=0.7V,IB=(1-0.7)/20k=15uA,实验中的电流放大系数是167（我的软件改不了放大系数）IC=167*IB=2.505mA，VCE=9-2k*2.505*10^-3=3.99V2.基于以上电路图，请分别绘出v s，v BE，i B，i C，v CE，v ce的波形图vs的波形图：vBE的波形图：ib的波形图：ic的波形图：vCE的波形图：vce的波形图：实验三三极管输入输出特性一、实验内容1. 仿真共射极连接时的输入、输出特性曲线(三极管Q2N2222) 注意点：1> 电路图中的参数用花括号括起，如下图中的{VCE}等2> 图中的PARAMETERS: place →part →add library 后，添加special.olb 3> 双击PARAMETERS: 出现property editor ，选择New column, name 中写入相应的参数名，例如下图中的VCE ，初始值VCE=0V ，IB=10uA ， IE=1mA4> 仿真过程，需要先进行DC Sweep 设定，然后options 中选择parametric sweep, 在sweep varaible 栏中选择GLOBAL PARAMETER ，在parameter name 中将相应的参数名写入。

西安理工大学微电子技术综合实践报告

S
NMOS G D
PMOS S G D
P+
N+ P阱
N+
P+
P+
N-SUB
4. 器件模拟与设计
1. 关键结构参数分析 ※MOS 沟道的长度（L）：栅长是决定器件尺寸的关键，也是区分不同半导体加工技术换代的标志，是半导体集成度的标志，因此也称为关键尺寸（critical dimension）. 沟道长度的计算：源漏区加工过程中掺杂向半导体表面横向扩散, 实际的沟道长度同设计中图形宽度并不相等 ※MOS 器件的宽度（W）：沟道电流在 W×L 的沟道区域内，沿着沟道长度的方向，在源漏端之间流动；沟道长度越小、宽度越大，电流也越大.沟道长度受到加工工艺的限制，一般取允许的最小尺寸，即关键尺寸；而沟道宽度是主要的设计变量. 沟道宽度的计算：对于简单的矩形栅极，沟道宽度就是有源区的宽度,而对于复杂形状的 mos 器件，需要根据实际情况确定沟道宽度 MOS 器件的实际沟道宽度：局部氧化 LOCOS 工艺,场氧在有源区边缘形成鸟嘴,使得实际的沟道宽度有所减小.
ev
in制
3
作
N+
电连接时，P 阱接最负电位，N 衬底接最正电位，通过反向偏置的 PN 结实现 PMOS 器件和 NMOS 器件之间的相互隔离。P 阱 CMOS 芯片剖面示意图见下图。
※栅氧化层厚度（tox） ※关键公式：
BVGS E B tox
uV f n DSat 2L2
Cox
ox tox
N 型硅衬底的电阻率为 20cm；垫氧化层厚度约为 600 Å；氮化硅膜厚约为 1000 P 阱掺杂后的方块电阻为 3300 / ，结深为 5~6m；