可以相互替代的一些场效应管
常用场效应管参数及代换
常用场效应管参数及代换场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种用来放大和控制电流的电子元件。
它是由一个金属门极与两个半导体区域（源极和漏极）组成。
在常见的场效应管中，有三种主要类型：结型场效应管（JFET），增强型场效应管（MOSFET）和绝缘栅极场效应管（IGBT）。
本文将重点介绍增强型场效应管（MOSFET）的常用参数及其代换方法。
一、常用参数1.电流参数(i)静态漏极电流（IDSS）：在门极电压VGS=0时，漏极电流的值。
(ii) 静态漏极电流温度系数：静态漏极电流随温度变化的变化率。
(iii) 动态漏极电流（ID）：在特定的电压和温度条件下，从漏极流出的电流的值。
2.电压参数(i)额定漏极到源极电压（VDS）：漏极和源极之间的最大电压。
(ii) 额定源极到栅极电压（VGS）：源极和栅极之间的最大电压。
(iii) 阈值电压（VT）：当栅极电压超过阈值电压时，通道开始导电。
(iv) 栅极欠压（VGS（th））：栅极电压低于这个电压时，场效应管处于截止区。
(v) 漏极饱和电压（VDS（sat））：漏极电压达到饱和时，在这个电压下，漏极与源极之间的电流达到最大值。
(vi) 最大可承受漏极电流（IDM）：超过这个电流值时，场效应管可能损坏。
3.输入参数(i) 栅极输入电容（Cgs）：栅极和源极之间的电容。
(ii) 栅极反向传导（gfs）：源极电流变化与栅极电压变化之间的比例关系。
4.输出参数(i) 漏极输出电容（Cds）：漏极和源极之间的电容。
(ii) 漏极跟随导纳（gd）：漏极电流变化与漏极电压变化之间的比例关系。
5.尺寸参数(i)源极宽度（W）：源极沿着通道长度方向的尺寸。
(ii) 通道长度（L）：源极和漏极之间的距离。
二、代换方法1.输出导纳代换场效应管的漏极跟随导纳gd可以用其中一个公式进行代换：gd ≈ 2IDSS/VGS（th）2.输出电容代换输出电容Cds可以用其中一个公式进行代换：Cds ≈ CM + CGS x VDS/VGS其中CM是一个常数，等于通道本身的电容，CGS是栅极和源极之间的电容。
MOS管全参数代换大全
MOS管全参数代换大全Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)是现代电子领域中广泛使用的一种晶体管。
MOSFET具有多个参数，这些参数用于描述其性能和特性。
下面将介绍一些常见的MOSFET参数。
1. 阈值电压（Threshold voltage）: 这是MOSFET开始导通的电压。
当控制电压高于阈值电压时，MOSFET开始导通电流。
2. 饱和漏极电流（Saturation drain current）: 这是MOSFET在饱和区时的漏极电流。
饱和区是指当控制电压高于阈值电压时，MOSFET的漏极电流保持恒定的区域。
3. 转导（Transconductance）: 这是MOSFET的输出电流（漏极电流）与输入电压（栅极电压）之间的比率。
转导可以描述MOSFET的电流放大能力。
4. 输出电阻（Output resistance）: 这是MOSFET的输出电压与输出电流之间的比率。
输出电阻是用来描述MOSFET的输出特性和负载能力的。
5. 共栅电容（Gate capacitance）: 这是MOSFET的栅极电容。
由于MOSFET的栅极与通道之间存在一个绝缘层，所以栅极电容对于MOSFET的电性能和开关速度至关重要。
6. 漏极电流（Drain current）: 这是MOSFET的漏极电流。
漏极电流受到控制电压和输入信号的影响。
7. 最大漏极电流（Maximum drain current）: 这是MOSFET能够承受的最大漏极电流。
超过这个电流值，MOSFET可能会被损坏。
8. 漏极-源极电阻（Drain-source resistance）: 这是MOSFET的漏极电压与漏极电流之间的比率。
漏极-源极电阻通常很小，可以忽略不计。
9. 网络延迟（Propagation delay）: 这是MOSFET在输入信号变化到输出信号变化之间的时间延迟。
场效应管代换
常用场效应管（25N120等）参数及代换FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3PFQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460AFQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3PFQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50EFQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3PFQA10N80 （MOSFET） 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3PFQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0. Ω/TO3PFQA5N90 （MOSFET） 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3PFQA9N90C （MOSFET） 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3PFQA11N90C （MOSFET） 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3PFFA30U20DN （快恢复二极管） 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02AFFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560FFA30U60DN （快恢复二极管） 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06AMBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3PISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247FQP44N10 （MOSFET） 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET） 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460KA3162/FAN8800 （Drive IC）单IGBT/MOSFETFET驱动ICRHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO0220 MUR1560RHRP8120 （快恢复二极管） 1200V/8A/75W/TO220RHRP15120 （快恢复二极管） 1200V/15A/TO220RHRP30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/125W/TO220单 DSEI20-10ARHRG30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/T03PSSH45N20B （MOSFET） 200V/45A/TO3P IRFP260FGL40N150D （IGBT） 1500V/40A/TO264快速IGBTFGL60N100BNTD （IGBT） 1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100HGTG10N120BND （IGBT） 1200V/35A/298W/100ns/TO247HGTG11N120CND （IGBT） 1200V/43A/298W/TO247HGTG18N120BND （IGBT） 1200V/54A/390W/90ns/TO247FQP5N50C （MOSFET） 500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于35W FQPF5N50C （MOSFET） 500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代：IRF830，用于35W FQP9N50C （MOSFET） 500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代：IRF840，用于75W FQPF9N50C （MOSFET） 500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替代：IRF840，用于75WFQP13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品FQPF13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于75W/125W产品FQD5N50C （MOSFET） 500V/5A/1.4Ω/TO252 用于35W FQA16N50 （MOSFET） 500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于150W到250W的产品FDP15N50 （MOSFET） 500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于150W左右的产品FQP18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于250WG到400W的产品FQPF18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于250WG到400W的产品FQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于250WG到400W的产品FQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于400W的产品FQA24N60 （MOSFET） 600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的产品FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品FQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的产品IRF740B （MOSFET） 400V/10A/0.55Ω/134W/TO220IRF730B （MOSFET） 400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220IRF830B （MOSFET） 500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220IRF840B （MOSFET） 500V/8A/0.85Ω/134W/TO220IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235WFQPF5N60C （MOSFET） 600V/5A/TO220FFQPF8N60C （MOSFET） 600V/8A/TO220FFQPF10N60C （MOSFET） 600V/10A/TO220FQPF12N60 （MOSFET） 600V/12A/51W/0.65Ω/TO220FFCP11N60 （MOSFET） 650V/11A/125W0.32Ω/TO220RHRD660S （快恢复二极管） 600V/6A/TO-252RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/75W/TO-220RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO-220单2N7002 （三极管） 60V/0.12A/SOT-23 HUF76629D3S （MOSFET） 100V/20A/110W/TO-252HUF75639S3S （MOSFET） 100V/56A/200W/TO-263ISL9V3040D3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO252ISL9V3040S3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO263ISL9V5036S3S （IGBT） 360V/46A/250W/TO262FQP33N10L （MOSFET） 100V/33A/52MΩ127W/TO220。
开关电源的开关管为什么选MOSFET，而非三极管
开关电源的开关管为什么选MOSFET，而非三极管场效应晶体管（FET，Field Effect Transistor），很大程度上会与双极性结型晶体管（BJT，Bipolor Junction Transistor）简称三极管，很多应用场景相似。
有些控制开关的应用场景下，两个似乎可以相互替代。
但是两者的不同导致了，应用场景的不同，和使用时的特性不同（频率、功耗等）。
1、两者的基本物理模型不相同三极管的理想模型是流控电流源，场效应管的理想物理模型是压控电流源。
2、输入阻抗不同三极管是电流控制器件，通过控制基极电流到达控制输出电流的目的。
因此，基极总有一定的电流，故三极管的输入电阻较低；场效应管是电压控制器件，其输出电流决定于栅源极之间的电压，栅极基本上不取电流，因此，它的输入电阻很高，可高达1MΩ～100000MΩ。
高输入电阻是场效应管的突出优点。
3、完全导通（饱和状态）的等效电阻值不同三极管导通时等效电阻值大，场效应管导通电阻小，只有几十毫欧姆，几毫欧，在现在的用电器件上，一般都用场效应管做开关来用，他的效率是比较高的。
在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。
根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。
BJT的CE之间可以实现的最小电压差，是一个定值，所以随着电流的增大，功耗就是Ice*Vce。
对于9013、9012而言，饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V。
下面是9013的特性表：BCP56比较常用于开关控制功能的三极管的一个特性参数表，其Vce（sat）也是最大值0.5V饱和区的现象就是：两个PN结均正偏。
那么Vce（sat）的最大值，也就是两个二极管正向导通电压的压差，这个压差可能很小，而半导体厂家保证这颗BJT的最大值是0.6V。
这个值有可能非常接近于0，但是一般来说和IC和温度相关。
电脑主板场管代换表
电脑主板场管代换表（MOS管代换）2010-11-02 15:20:49|如无特别说明，同一条内的管子可以相互替换1、SD9435 SOP-8 < 5.3A 30V 50 mΩ>，可替代市面上各类型9435APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435 、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、Si9435、STP9435、SPP9435、Si9435DY、SM9435、iTM9435、MI9435、ME9435、ME4405 等等!2、SD9926 SOP-8 <6A 20V 28 mΩ>，可替代市面上各类型9926 ：APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V 、SDM9926、STM9926、MT9926TM9926 、GE9926、iTM9926、MI9926、TF9926 、AFT9926 、FDS9926、GT9926 等等!//3、SG9926 TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>：暂无4、SD4953 SOP-8 <30V 5A 53mΩ>，可替代市面上各类型4953 ：GE4953、iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953 、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953、TM4953、STM4953、SDM4953、STP4953、AO4801、AO4801A、AO4803、AO4803A、AFT4953、SPP4953、STP4953A、SPP4953A、GT4953、Si4953DY、MI4953、ME4953、SM4953、TF4953、AKE4953 等等!SD4953BDY替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM49535、SD4435 SOP-8 <30V 8A 20mΩ>，可替代市面上各类型4435 ：APM4435、Si4435DY、CEM4435、SDM4435、SSM4435、GE4435 、MT4435、H4435、STM4435、AP4435、TM4953、AO4411、STP4435、GT4435、MI4435、ME4435、SPP4435、SM4435 等等!6、SD4410 SOP-8 <10A 13.5mΩ30V>，替代各型4410：APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、AO4406、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410NSTN4410、STP4410、SPN4410、MI4410、SM4410、GT4410、AFT4410 等等！7、SD2300 SOT-23-3L <20V 4A 28mΩ>，替代各型2300：APM2300、Si2300、CEM2300、STS2300、AP2300、MT2300、MI2300、ST2300SSS2300、GT2300、GE2300、GE2312、iTM2300、SM2300、TM2300、ME2314 等等!8、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>，替代各类2301APM2301 、Si2301、CEM2301 、STS2301 、AP2301 、MT2301、IRLML6401、ST2301、ST2301A、STS2301A、SSS2301、SSS2301A、MI2301、ST2301M、ME2301、TM2301、CES2301、KI2301DY 等等!9、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>，可替代市面上各类型2301M、2301A、2301S : APM2301A、SSS2301A、STS2301A、ST2301M 等等!10、SD2302 SOT-23-3L <20V 3.2A 85mΩ>，可替代市面上各类型2302 :APM2302 、SSS2302 、AP2302 、STS2302 、MT2302、ST2302 等等!11、锂电保护板MOS 管：SD8205 (SD8205G TSSOP-8；SD8205S TSOP-6 )SD8205S TSOP-6 <4A 20V 28 mΩ>，可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205；SD8205G TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>，可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205、5N20V、9926。
集成电路科学与工程导论 第三章 集成电路晶体管器件
发展趋势-摩尔定律
「按比例缩小定律」（英文：Scaling down）“比例缩小”是指，在电场 强度和电流密度保持不变的前提下，如果MOS-FET的面积和电压缩小到 1/2，那么晶体管的延迟时间将缩短为原来的1/2，功耗降低为原来的1/2。 晶体管的面积一般为栅长(L)乘以栅宽(W)，即尺寸缩小为原来的0.7倍：
仅变得越来越小，在器件结构和材料体系上也经过了多次重大变革
集成电路器件发展趋势
国际半导体技术蓝图（International Technology Roadmap for Semiconductors，ITRS）
目录
一．晶体管器件概述 二．金属-氧化物-半导体场效应晶
体管技术 三．绝缘体上晶体管技术 四．三维晶体管技术 五．其他类型晶体管器件
环栅场效应晶体管
「环栅场效应晶体管」（英文：GAAFET） 技术的特点是实现了栅极对沟道的四面包 裹，源极和漏极不再和基底接触，而是利 用线状或者片状（平板状）的多个源极和 漏极垂直于栅极横向放置，实现MOSFET 的基本结构和功能
栅极G
栅极G
硅
硅 (a)
纳米线
硅 (b)
纳米片
平面型 垂直型
互补场效应管
栅极G
n+
e-
n+
p-衬底 (a)
栅极G
n+
e-
n+
氧化物埋层（BOX）
p-衬底 (b)
优势：氧化物埋层降低了源极和漏极之间的寄生电容，大幅降低了会影响器件 性能的漏电流；具有背面偏置能力和极好的晶体管匹配特性，没有闩锁效应， 对外部辐射不敏感，还具有非常高的晶体管本征工作速度等；
挑战：存在一定的负面浮体效应；二氧化硅的热传导率远远低于硅的热传导率 使它成为一个天然“热障” ，引起自加热效应；成本高昂。
场效应管的替换原则是什么
场效应管的替换原则是什么
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）作为一种电子元器件，具有广泛的应用领域，如放大器、开关、数字逻辑电路等。
当需要对场效应管进行替换时，需要遵循以下几个原则：
1.类型替换原则：
场效应管分为N型和P型两种类型。
在替换时，应该根据原件的型号选择相同类型的替代器件。
例如，如果原件是N型场效应管，应选择替代器件也是N型的。
2.极性替换原则：
在选择替代器件时，需要注意其极性的一致性。
N型场效应管的源极连接到N型材料，而P型场效应管的源极连接到P型材料。
因此，在替代时应确保替代器件的极性与原件一致。
3.参数替换原则：
替换器件的参数应与被替代器件的参数相近或相等。
关键的替代参数包括最大电压、最大电流、最大功耗、增益、阈值电压等。
这些参数的匹配决定了替代器件能否在相同电路中正常工作。
4.耐压替换原则：
替代器件的最大耐压应不小于原件的耐压。
这样可以确保替代器件不会因电路中较高的电压而损坏。
5.口型替换原则：
场效应管根据栅极控制方式的不同，可分为三种类型：增强型、耗尽型和开沟型。
在替换时，应该选择与被替代器件相同类型的替代器件，这样可以确保电路的工作性能。
场效应管的代替型号
液晶 8 脚贴片元器件参数大集合
4532 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用（30V 4.7A；30V 4.5A）
4532M 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用（30V 4.5A；30V 4.5A）
AO4409(30V15A-P) 30V 15A P 沟道场效应 8 脚贴片
AO4410 30V 18A 单 N 沟道 8 脚贴片
AO4411 30V 8A 3W P 沟道场效应，8 脚贴片
AO4413 30V 15A 3W 单 P 沟道，8 脚贴片
AO4413 30V 15A 3W 单 P 沟道，8 脚贴片
9916H 18V 35A 50W 小贴片 9960GM 8 脚贴片，高压板用。
AF4502CS 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用（30V 8.4A；30V 6.8A）
AO4403 30V 6.1A 单 P 沟道 8 脚贴片 AO4404 30V 8.5A 单 N 沟道 8 脚贴片
TPC8401 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用（30V 4.5A；30V 4.5A）
AP1501/AP1506 ， 3A 降压 DC/DC ，直接替换 LM2576/LM2596 ，广泛应用于车载 DVD ，车载音响， LCD/LCM ； AP1507 ， 3A 降压 DC/DC ，替换 SHARP PQ1CZ21 ， PQICZ41 ， PQ1CG21 。应用于车 载 DVD ，车载音响； AP1509 ， 2A 降压 DC/DC 。替换 MP1410 ；应用于 DVD 译码版，网络产品； AP2001 ， CCFL 驱动 IC ，
场效应管代换大全
场效应管代换大全场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子电路中。
在实际应用中，由于种种原因，有时需要进行场效应管的代换。
本文将从场效应管的类型、参数、特性等方面，对场效应管代换进行详细介绍，希望能够为工程师和电子爱好者提供一些参考和帮助。
首先，我们需要了解场效应管的基本类型。
根据不同的控制电极结构，场效应管可以分为金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET）和结型场效应管（Junction Field-Effect Transistor，简称JFET）两种基本类型。
MOSFET又可分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET两种。
而JFET又可分为N沟道JFET和P沟道JFET两种。
不同类型的场效应管在工作原理和参数特性上都有所不同，因此在代换时需要根据实际情况进行选择。
其次，场效应管的代换需要考虑参数特性。
常见的场效应管参数包括最大漏极-源极耐压、最大漏极电流、门极-源极静态电压等。
在进行代换时，需要确保代换管的参数满足原始设计的要求，以保证电路的正常工作。
此外，还需要考虑场效应管的频率特性、温度特性等，确保代换管在各种工作条件下都能够稳定可靠地工作。
另外，场效应管的代换还需要考虑其工作特性。
不同类型的场效应管在工作特性上也有所不同，例如增强型MOSFET具有良好的开关特性和低输入电阻，适合用于功率放大和开关控制电路；而耗尽型MOSFET具有较高的输入电阻和较低的噪声，适合用于低噪声放大器和信号处理电路。
因此在进行代换时，需要根据电路的具体应用来选择合适的代换管，以确保电路性能的稳定和可靠。
最后，需要注意的是，场效应管的代换并非简单地替换器件即可。
在进行代换时，还需要对电路进行一定的调整和优化，以适应新的器件特性。
这可能涉及到电路的参数调整、稳定性分析、温度补偿等方面。
常用场效应管参数及代换
常用场效应管参数及代换场效应管是一种常用的电子器件，常用于放大、开关和稳压等电路中。
场效应管的参数包括管子类型、三极管参数、特性参数等。
本文将介绍常用场效应管的参数及其代换关系。
1.场效应管的类型场效应管分为两种类型：N 沟道型（N-Channel）和 P 沟道型（P-Channel）。
N 沟道型的导电介质是负载，而 P 沟道型则是正载。
2.场效应管的三极管参数（1）漏源电流（ID）：场效应管导通时的电流。
（2）漏源电压（VD）：场效应管导通时的电压。
（3）栅极电压（VG）：用于控制场效应管导通和截止的电压。
（4）漏极电压（VDS）：场效应管导通时的漏极电压。
（5）栅源电压（VGS）：场效应管导通时的栅源电压。
3.场效应管的特性参数（1）漏源电流增益（gm）：当栅源电压变化时，漏源电流的变化率。
（2）输出电导（gds）：当栅源电压变化时，输出端漏源电流的变化率。
（3）输出电导增益（gm/gds）：输出电导与漏源电流的比值，表示场效应管的放大性能。
（4）输入电阻（Rin）：场效应管的输入端电阻，用于表示对输入信号的接受能力。
（5）输出电阻（Rout）：场效应管的输出端电阻，用于表示对输出信号的驱动能力。
（6）跨导电导增益（gm/rd）：跨导电导与输出电阻的比值，表示场效应管的放大性能。
（7）截止电压（VGSoff）：当栅源电压较低时，导通电流减小到很小的值。
4.场效应管的代换场效应管的代换常用于简化电路分析和设计。
常用的场效应管代换模型有三种：电流源代换、跨导电源代换和电阻代换。
（1）电流源代换：当场效应管工作在饱和区时，可以将电流源与场效应管并联，电流源的电流值等于场效应管漏源电流（ID），电压值等于场效应管的漏源电压（VD）。
（2）跨导电源代换：当场效应管工作在正常放大区时，可以将跨导电源与场效应管串联，跨导电源的电流值等于场效应管输电导（gm），电压值等于场效应管的栅源电压（VGS）。
（3）电阻代换：当输入电阻（Rin）和输出电阻（Rout）较大时，可以用电阻代替场效应管。
场效应管和mos管用途
场效应管和mos管用途场效应管和MOS管都是一种用于电子器件中的晶体管类型。
它们具有不同的结构和工作原理，因此在不同的应用领域有着不同的用途。
场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种基于电场调控导电的晶体管。
它包括三个电极：源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
栅极与源极之间通过绝缘层隔开，形成一个可以控制漏极电流的电场。
场效应管的导电主要是通过控制栅极电压和电场来改变栅极-漏极之间的电阻，从而控制漏极电流。
场效应管的用途如下：1. 放大器：场效应管可以作为放大器使用，放大小信号电压或电流。
它具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点，适用于放大弱信号，如音频放大器、射频放大器等。
2. 开关：场效应管可以用作开关，控制高电压或大电流的通断。
它具有快速响应和低驱动电流的特点，适用于高频开关电路、电源开关等。
3. 数字逻辑电路：场效应管可以用于构建数字逻辑电路，实现逻辑门和存储器的功能。
通过控制栅极电压来改变导通状态，实现逻辑运算和存储功能。
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor，简称MOSFET）是一种场效应管的特殊类型。
它的栅极是由金属、氧化物和半导体组成的结构。
MOS管与普通场效应管相比具有更高的性能和更广泛的应用。
MOS管的用途如下：1. 集成电路：MOS管广泛用于集成电路中的逻辑门、存储器和微处理器等。
它具有体积小、功耗低、集成度高的特点，适用于大规模集成电路的制造。
2. 电源管理：由于MOS管具有低导通电阻和快速开关速度，被广泛用于电源管理领域。
它可以用于电源开关、开关电源、DC-DC变换器等，提高电能转换的效率。
3. 通信产品：MOS管可以用于手机、电视、电脑等通信产品中的调制解调器、射频放大器等。
它能够提供高频率、高速传输的特点，满足通信产品对性能的要求。
总之，场效应管和MOS管是电子器件中常见的晶体管类型，它们在放大器、开关、数字逻辑电路等方面具有广泛的用途。
场效应管的替换原则是什么
场效应管的替换原则是什么场管的代换原则（只适合主板）场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可功率大的可以代换功率小的技嘉主板的场管最好原值代换场效应管的好坏判断一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。
给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。
再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。
二、定性判断结型场效应管的电极将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。
若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。
欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。
判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。
若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。
如表针向左侧大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。
反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS↓，IDS↑。
但表针究竟向哪个方向偏转，应视感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。
注意事项：（1）试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。
但是，如果两手分别接触D、S极，并且用手指摸住栅极时，有可能观察到表针向右偏转的情形。
其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。
（2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。
4.结型场效应管的管脚识别:判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.5.场效应管与晶体三极管的比较场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.分压式自给偏压电路场效应管在mpn中，它的长相和我们前面讲的三极管极像，所以有不少修mpn的朋友好长时间还分不清楚，统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC统统称作“三个脚的管管”，呵呵，如果这样麻木不分的话，你的维修技术恐怕很难快速提高的哦！好了，说到这里场效应管的长相恐怕我就不用贴图了，在电路图中它常用表示，关于它的构造原理由于比较抽象，我们是通俗化讲它的使用，所以不去多讲，由于根据使用的场合要求不同做出来的种类繁多，特性也都不尽相同；我们在mpn 中常用的一般是作为电源供电的电控之开关使用，所以需要通过电流比较大，所以是使用的比较特殊的一种制造方法做出来了增强型的场效应管（MOS型），它的电路图符号：仔细看看你会发现，这两个图似乎有差别，对了，这实际上是两种不同的增强型场效应管，第一个那个叫N沟道增强型场效应管，第二个那个叫P沟道增强型场效应管，它们的的作用是刚好相反的。
场效应管代换大全
场效应管代换大全场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，它具有电压控制电流的特性，因此在电子设备中有着广泛的应用。
在实际应用中，有时候我们需要根据特定的要求选择不同种类的场效应管进行代换。
本文将为大家介绍场效应管的代换大全，希望能够帮助大家更好地理解和应用场效应管。
首先，我们要了解场效应管的分类。
按照不同的工作原理，场效应管可以分为三种类型，MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）、JFET（结型场效应管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。
每种类型的场效应管都有其特定的特性和应用场景，因此在代换时需要根据具体情况进行选择。
接下来，我们将分别介绍不同类型场效应管的代换原则。
首先是MOSFET的代换。
MOSFET主要分为N沟道MOSFET和P沟道MOSFET两种。
在代换时，需要根据电压、电流和功率等参数来选择合适的型号。
一般来说，N沟道MOSFET具有低电阻和高开关速度的特点，适合用于功率放大和开关控制；而P 沟道MOSFET则适合用于负载开关和电源反相器。
其次是JFET的代换。
JFET主要分为N沟道JFET和P沟道JFET两种。
N沟道JFET具有高输入阻抗和低噪声的特点，适合用于放大器和高频电路；而P沟道JFET则适合用于信号开关和混频器等电路。
在代换时，需要考虑输入输出阻抗、电压和频率等参数，选择合适的型号进行替换。
最后是IGBT的代换。
IGBT是一种集成了MOSFET和双极型晶体管特点的器件，具有高电压、高电流和高速度的特点，适合用于大功率开关和变频控制。
在代换时，需要考虑电压容忍度、开关速度和损耗等参数，选择合适的型号进行替换。
总的来说，场效应管的代换需要根据具体的应用场景和要求来进行选择。
在选择时，需要考虑电压、电流、功率、频率、阻抗等参数，并且要充分了解代换器件的特性和性能指标。
希望本文介绍的场效应管代换大全能够帮助大家更好地应用场效应管，提高电子设备的性能和可靠性。
双极型晶体管和场效应晶体管
双极型晶体管和场效应晶体管双极型晶体管和场效应晶体管，这俩可都是电子世界里的大明星呢。
咱先来说说双极型晶体管。
这东西就像是一个特别机灵的小管家，在电路里忙前忙后。
你看啊，双极型晶体管有三个电极，就像一个三角形的小团队，这三个电极之间相互配合，能让电流乖乖听话。
它是靠两种不同极性的载流子来工作的，这就好比是两队人马，共同努力去完成控制电流这个大任务。
双极型晶体管在放大电路里可厉害啦，能把一个小小的电信号变得大大的，就像一个小魔法师，把一颗小种子变成了一棵大树。
你想啊，本来一个微弱得像小蚂蚁力量的电信号，经过它这么一折腾，就变得像大象那么有力气了，多神奇呀。
在一些老式的收音机里，双极型晶体管就发挥着这样的作用，把接收到的微弱信号放大，我们才能听到清晰的广播声音。
要是没有它，那收音机可能就只能发出叽叽喳喳的微弱声响，就像一只生病的小鸟在叫，多可怜啊。
再看看场效应晶体管。
这玩意儿就有点像一个非常有威严的指挥官。
它主要是通过控制电场来控制电流的，就好像指挥官只要挥一挥手中的指挥棒，士兵们（电流）就按照他的指示行动。
场效应晶体管有不同的类型，不管是结型的还是绝缘栅型的，它们都有自己的一套控制电流的本事。
它的输入电阻特别高，这就好比是一个很有原则的门卫，只允许很少的干扰进去，把那些不必要的东西都挡在门外。
在现代的电子设备里，场效应晶体管可是很受欢迎的。
比如说在电脑的主板上，场效应晶体管就在那默默地工作着，就像一个幕后英雄。
它帮助电脑稳定地运行，要是它出了问题，电脑可能就会像一个生病的人一样，不是这儿不舒服就是那儿有毛病。
双极型晶体管和场效应晶体管虽然都在电路里工作，但它们也有不少区别呢。
双极型晶体管工作起来有点像那种需要很多人一起协作的团队项目，两种载流子都得忙活着。
而场效应晶体管更像是一个独裁者，通过电场就把电流控制得死死的。
双极型晶体管的放大能力在一些情况下很强，但场效应晶体管在功耗等方面又有自己的优势。
场效应管的代替型号
场效应管的代替型号/uploadfile/company/92786/20086121212079 0.pdf液晶 8 脚贴片元器件参数大集合4532 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用（30V 4.7A；30V 4.5A）4532M 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用（30V 4.5A；30V 4.5A）9916H 18V 35A 50W 小贴片 9960GM 8 脚贴片，高压板用。
AF4502CS 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用（30V 8.4A；30V 6.8A）AO4403 30V 6.1A 单 P 沟道 8 脚贴片 AO4404 30V 8.5A 单 N 沟道8 脚贴片AO4405 30V 6A 3W 单 P 沟道 8 脚贴片AO4406 30V，11.5A，单 N 沟道，8 脚贴片AO4407 30V 12A 3W 单 P 沟道，8 脚贴片AO4407 30V 12A 3W 单 P 沟道，8 脚贴片AO4408 30V 12A 单 N 沟道 8 脚贴片AO4409(30V15A-P) 30V 15A P 沟道场效应 8 脚贴片AO4410 30V 18A 单 N 沟道 8 脚贴片AO4411 30V 8A 3W P 沟道场效应，8 脚贴片AO4413 30V 15A 3W 单 P 沟道，8 脚贴片AO4413 30V 15A 3W 单 P 沟道，8 脚贴片AO4414 30V，8.5A，3W 单 N 沟道，8 脚贴片AO4418 30V 11.5A N 沟道 8 脚贴片AO4422 30V 11A N 沟道 8 脚贴片AO4423 30V 15A 3.1W 单 P 沟道，8 脚贴片AO4425 38V 14A P 沟道 8 脚贴片AO4431 30V,8A P 沟道。
高压板用 MOS，贴片 8 脚AO4600 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用（30V 6.9A；30V 5A）AO4606 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用（30V 6.9A；30V 6A）AO4607 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用AO4828 60V 4.5A 双 N 沟道 8 脚贴片AOD405 30V，18A，P 高压板 MOS 管贴片AOD408 30V，18A，N 高压板 MOS 管贴片AOD409 60V 26/18A P 高压板 MOS 管贴片AOD409 60V 26/18A P 高压板 MOS 管贴片AOD420 30V，10A，N 高压板 MOS 管贴片AOD442 60V，38/27A，N 高压板 MOS 管贴片AOD442 60V，38/27A，N 高压板 MOS 管贴片AOD444 60V，12A，N 高压板 MOS 管贴片AOP600 内含 P、N 沟道各 1，30V 7.5A、30V 4.5A。
场效应管替代原则
场效应管替代原则场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种重要的电子元件，广泛应用于电子电路中。
在某些特定的情况下，场效应管可以被用来替代其他类型的晶体管，以实现更好的性能和效果。
本文将阐述场效应管替代原则，探讨场效应管在替代中的应用以及其优势和限制。
场效应管替代原则主要包括以下几个方面：1. 替代类型的选择：在选择场效应管替代其他晶体管时，需要考虑替代类型。
常见的场效应管类型有MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）和JFET（结型场效应管）。
根据电路的特性和需求，选择适合的场效应管类型进行替代。
例如，当需要高频率放大时，可以选择JFET替代。
2. 参数匹配：在场效应管替代过程中，需要确保替代管的参数与原器件相匹配。
主要包括替代管的最大电压、最大电流、功耗、开关速度等参数。
如果替代管的参数不匹配，可能会导致电路不稳定或无法正常工作。
3. 管脚对应：场效应管的管脚布局与其他晶体管不同，因此在替代过程中需要正确对应管脚。
常见的场效应管主要包括源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）三个管脚。
确保替代管的管脚与原器件正确连接，以保证电路的正常工作。
4. 电路调整：由于场效应管的特性与其他晶体管不同，替代过程中可能需要对电路进行一定的调整。
例如，由于场效应管的输入电阻较高，可能需要调整电路的工作方式或增加补偿电路，以保证电路的性能。
场效应管在替代中具有以下优势：1. 低功耗：相比其他晶体管，场效应管具有较低的功耗。
在一些对功耗要求较高的应用中，选择场效应管进行替代可以降低系统的能耗。
2. 高输入电阻：场效应管的输入电阻较高，可以减少电路的负载效应，提高电路的灵敏度和稳定性。
在需要高输入阻抗的场合，场效应管的替代是一个不错的选择。
3. 低噪声：场效应管的内部结构简单，噪声较低，可以提供较好的信号放大效果。
在需要低噪声的放大电路中，场效应管的替代能够改善电路的性能。
电磁炉场效应功率管的代换
电磁炉场效应功率管的代换电磁炉场效应功率管（MOSFET）是一种常用的功率放大器，因它具有低功耗、高效率及良好的热稳定性等特点，在电动工具，太阳能、微型电源和其他新能源领域有着广泛的应用。
它可以提供更高的电流密度、节能减排效果好，同时，它们的可靠性也比传统的晶体管或双极型功率管要高，更有利于应用发展。
MOSFET的特性使它成为一种非常有用的功率放大器。
它可以提供更高的放大倍数，更高的功率效率，更低的噪声，更长的寿命，更低的静态电流消耗，可以节省非常多的能源。
这对新型信息技术应用有着巨大的帮助，它可以减少电路设备中电源热量，更大程度地提高系统性能。
综上所述，MOSFET具有良好的可靠性和高效率以及低功耗等特点，同时也可以适当的减少热量，从而使电子设备的性能得到不断提高。
但是，MOSFET也存在一定的缺点，比如低驱动能力、较大的供电电压、较高的噪声水平等。
因此，在现在的应用和发展中，MOSFET 需要更新换代和改进，使其具有更好的性能。
MOSFET的替代产品可以分为三类：一是改进的MOSFET，二是晶振FET（VFET），它的特点是低端输入阻抗，热稳定性好；三是混合晶体管，它具有晶体管的特性，但具有更高的静态电流消耗和更大的电流密度，另外可以有效抑制噪声。
改进的MOSFET具有更低的漏电流、静态电流和功率损耗，更高的驱动能力和热稳定性，同时也具有可靠性和设备安全性等优点，更加适合于新型节能产品的设计。
晶体管FET是一种新型功率放大器，由于采用了晶体管技术，具有低噪声、高热稳定性、高驱动能力等优点，也很适合高端信息技术产品的开发。
此外，晶体管FET具有低功耗、高功率效率、低反馈电压等特点，也可以有效减少系统的热量。
混合晶体管是新近研发的一种功率放大器，它采用了混合技术，使用晶体管的特性，但又有更高的静态电流消耗和更大的电流密度，可以有效抑制噪声，改善设备的性能。
综上所述，MOSFET虽然在电源放大器领域有着良好的应用，但也有一定的缺点，因此改进和替代也成为必须考虑的内容。
mos管代替整流桥
MOS管在整流桥中的应用1. 概述MOS管（MOSFET）是一种常用的电子器件，具有低开关损耗、高工作频率和良好的电流驱动能力等优点。
在电子电路中，MOS管常被用于开关、放大、调节和保护等应用。
本文将重点介绍MOS管在整流桥中的应用。
2. 整流桥简介整流桥是一种用于将交流电转换为直流电的电路，其常见的拓扑结构包括单相桥式整流、三相桥式整流等。
整流桥的作用是将交流电源输出的正半周期和负半周期分别转换为正向直流电和反向直流电，从而实现电能的有效利用。
3. 传统整流桥的工作原理传统整流桥常使用二极管作为开关元件，其工作原理是根据二极管的导通特性来控制电流的流向。
在正半周期中，当交流电源的电压大于二极管的正向压降时，二极管导通，电流流过负载；在负半周期中，当交流电源的电压小于二极管的正向压降时，二极管截止，电流不再流过负载。
然而，传统整流桥存在一些问题，例如二极管的导通电压较高，导致较大的功耗和较低的效率，尤其在高频率工作时更为明显。
此外，二极管的反向恢复时间较长，容易产生开关损耗和电磁干扰。
4. MOS管替代整流桥的优势相比于传统整流桥，使用MOS管替代二极管具有如下优势：4.1. 低开关损耗MOS管具有较低的导通电阻和截止电流，相比于二极管能够实现更低的开关损耗。
当MOS管导通时，其导通电压较低，可以减少功耗，提高整流桥的效率。
4.2. 高工作频率MOS管具有较快的开关速度和较短的反向恢复时间，适用于高频率工作。
在高频整流应用中，MOS管能够实现更高的开关频率和更好的稳定性。
4.3. 良好的电流驱动能力MOS管的电流驱动能力较强，具有较小的输入电流和较高的输入电压范围，可以满足不同应用场景对电流的要求。
4.4. 可控性强MOS管具有良好的控制特性，可以通过控制栅极电压来调节导通和截止状态，实现对整流桥的精确控制。
这种特性使得MOS管在电路设计中更加灵活和可靠。
5. MOS管在整流桥中的应用案例通过上述介绍可知，MOS管在整流桥中有很多应用案例。