三星MCP手机内存芯片全攻略
三星手机内存不足怎么办
三星手机内存不足怎么办
在有些时候我们的三星手机内存不足了，这该怎么办呢?下面就由店铺来为你们简单的介绍三星手机内存不足的解决方法吧!希望你们喜欢!
三星手机内存不足的解决方法：
安装到内存卡
第一步，更改安装位置。
很多手机都已经有安装到内存卡的功能了，大部分2.2操作系统以上的都可以自己选择，如果不能选择的话，就用电脑直接安到内存卡中即可。
点击右上角的设置按钮。
第二步，更改安装目录，将程序安装到内存卡。
进入设置后，选择安装文件一栏，然后选择优先将程序安装到没存卡。
清除手机内多余的系统程序
获取root权限，获取权限的方法有很多，我们可以到各大论坛进行学习，里面教程有很多。
因为不同的手机有不同的方法，不能一概而论，所以这里就不在介绍root的方法了。
安装RE管理器。
RE管理器是一款非常有用的管理工具，可以很好的管理我们的手机系统程序，但是必须获取root权限。
进入系统删除无用的程序。
打开RE管理器——选择系统(system)——app，将上面的改为读写即可删除程序。
从闪存芯片编号识容量
从闪存芯片编号识容量根据芯片编号识容量三星的闪存芯片均以K9打头，与容量相关的字段是从第4位到第7位。
第4～5位表示闪存密度，12代表512M、16代表16M、28代表128M、32代表32M、40代表4M、56代表256M、64代表64M、80代表8M、1G代表1G 、2G代表2G、4G代表4G、8G代表8G、00代表没有。
第6～7位表示闪存结构，00代表没有、08代表×8.16代表×16. 32代表×32。
闪存芯片的容量=闪存密度×闪存结构÷8通过上述公式就可以计算出闪存芯片的真实容量了编号为K9K1G08U0M-YC80的SUMSUNG闪存芯片。
这块闪存芯片的规格为：128M×8bit、50ns 速度，单颗容量 128MB。
工作电压2.4～2.9V。
芯片编号K9F5608U0A，32M×8bit规格50ns速度，单颗容量32MB。
工作电压2.7～3.6V，内部分成块写区域大小（16K＋512）。
三星型号详解K9×××××：Nand FlashK8×××××：Nor FlashK7×××××：Sync SRAM(同步SRAM，带clock，速度快，网络产品，6个晶体管)K6×××××：Aync SRAM(异步SRAM，不带clock，速度快，手机产品，6个晶体管)K5×××××：MCP（相当于K1+K8+K9）K4×××××：DRAMK3×××××：Mask RomK2×××××：FRAMK1×××××：utRAM(使用SRAM技术，但只有2个晶体管跟1个电容，所以比SRAM功耗大，但成本低)samsung 编号：K9LAG08U0M，容量为2G，以K9L为开头的三星闪存一般都为MLC闪存，使用MLC闪存是大势所趋* K9K8G(1GB)、K9W8G(1GB)、K9WAG(2GB)* K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte)* K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)* K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)* K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte)* (1 Byte = 8 bits)SAMSUNG K9F2808U0B-YCB0 32MBK9F2808U0C-VCB0 32MBK9F5608U0B-YCB0 16MBK9F5608U0C-YCB0 16MBK9F1208U0M-YCB0 64MBK9F1208U0A-YCB0 64MBK9F1208U0A-YIB0 64MBK9F1208U0A-VCB0 64MBK9K1G08U0A-YCB0 128MBK9K1G08U0M-YCB0 128MBK9K1G08U0M-VIB0 128MBK9F1G08U0M-YCB0 128MBK9F1G08U0A-YCB0 128MBK9F1G08U0M-VCB0 128MBK9F1G08U0M-VIB0 128MBK9F1G08U0M-FIB0 128MBK9K2G08U0M-YCB0 256MBK9K2G08U0A-FIB0 (90nm) 256MBK9K2G08U0M-VCB0 256MBK9K2G08U0M-VIB0 256MBK9K2G08U0A-VIB0 (90nm) 256MBK9F2G08U0M-YCB0 (90nm) 256MBK9K4G08U0M-YCB0 (90nm) 512MBK9K4G08U0M-YCBO(90nm) 512MBK9K4G08U0M-PIB0(90nm) 512MBK9W8G08U1M-YCB0(90nm) 1GBK9W8G08U1M-YIB0(90nm) 1GBK9WAG08U1M 2GMNAND闪存芯片, 一般都是Samsung 或Hynix 芯片. SAMSUNG闪存的型号及对应容量:K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte) K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) (1 Byte = 8 bits)Hynix闪存的型号及对应容量:HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte) HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte) HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte) HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) (1 Byte = 8 bits)Part No Description MfgNANDFLASHHY27US08281A-T(P)CB 16Mx8 HYNIXHY27US08561A-T(P)CB 32Mx8 HYNIXHY27US08121A-T(P)CB 64Mx8 HYNIXHY27UF081G2M-T(P)CB 128Mx8 HYNIXHY27UF082G2M-T(P)CB 256Mx8 HYNIXHY27UF082G2A-TPCB 256Mx8 HYNIXHY27UG084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UF084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UT084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UH088G2M-TPCB 1Gx8 HYNIXHY27UU085G2M-TPCB 1Gx8 HYNIXHynix闪存的型号及对应容量:HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte); HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte); HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte); HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) ATJ2051/ATJ2085主控支持的闪存FLASH型号列表品牌型号内存ATJ2085(2051) samsung K9K4G08U0M 512M ysamsung K9W4G08U1M 512M ysamsung K9W8G08U1M 1GB ysamsung K9F4G08U0M 512M ysamsung K9F4G08U0A 512M ysamsung K9K8G08U0M 1G ysamsung K9K8G08U0A 1G nsamsung K9WAG08U1M 2G ysamsung K9G4G08U0M 512M nsamsung K9L8G08U0M 1G nsamsung K9HAG08U1M 2G nHynix HY27UG084G1M 512M yHynix HY27UG084G2M 512M yHynix HY27UH084G1M 512M nHynix HY27UH084G2M 512M yHynix HY27UG088G2M 1G y Hynix HY27UG088G5M 1G n Hynix HY27UG088GDM 1G n Hynix HY27UH088G2M 1G y Hynix HY27UH088GDM 1G n Hynix HY27UH08AG5M 2G n Hynix HY27UH08AGDM 2G n Hynix HY27UF084G2M 512M y Hynix HY27UG088G5M 1GB n Hynix HY27UU088G5M 1G n Hynix HY27UV08AG5M 2G n Hynix HY27UT084G2A, 512M n Hynix HY27UT084G2M 512M n Hynix HY27UU088G 1GB nHynix HY27UU8G5M(MLC) 1GB n Hynix HY27UT4G2M(MLC) 512M n Hynix HY27UVAG5M(MLC) 2GB n Hynix HY27US08561M VPCB 428A 32MB HY27US08561M TPIB 427A 32MBHY27US08121M TCB 64MBHY27US08121M TPIB 407T 64MBHY27US08121M TCB 416A 64MBHY27US08121M TCB 422A 64MB HY27US08121M TCB 426A 64MB HY27US08121M TPCB 427B 64MB HY27US08121M VPCB 429A 64MB HY27UA081G1M TCB 128MBHY27UA081G1M TPCB 128MBHY27UA081G1M TCB 423A 128MB HY27UG082G2M 256MBHY27UH084G2M 512MBHY27UG088G5M 1GBHY27UH088G2M 1GBHY27UH08AG5M 2GBTOSHIBA TC58128AFT 16MBTC58128AFTI 16MBTC58DVM72A1FT00/05 16MBTC58256AFT 32MBTC58NVM8S0AFTI0 32MBTC58DVM82A1FT00/05 32MBTC58DVM82A1FTI0 32MBTC58512FT 64MBTC58DVM92A1FT00/05 64MBTH58100FT 128MBTC58DVG02A1FT00/05 128MBTC58NVG0S3AFT00/05 128MBTC58NVG0S3AFTI5 128MBTH58NVG1S3AFT00/05 256MBTH58NVG1S3AFTI0 256MBTC58NVG1S3BFT00 256MBTC58005FT 64MBTC58DVM94B1FT00/05 64MBTC58010FT 128MBTC58DVG04B1FT00/05 128MBTC58DVG14B1FT00/05 256MBTC58DVG14B1FTI0 256MBTH58DVG24B1FT00/05 512MBTC58NVG1D4BFT00 256MBTC58NVG1D4BFT00 256MBTC58NVG2D4BFT00 512MBTH58NVG3D4BFT00 1GBTH58NVG3D4BFTI0 1GBTC58NVG3D4CTG10 1GBTH58NVG4D4BTG20 2GBSANDISK SDTNFAH-128, SDTNGAHE0-128 16M SDTNFAH-256, SDTNGAHE0-256 32MSDTNFAH-512, SDTNGAHE0-512 64M SDTNFCH-512, SDTNGCHE0-512 64M SDTNFBH-1024, SDTNGBHE0-1024 128M SDTNFCH-1024, SDTNGCHE0-1024 128M SDTNFDH-2048, SDTNGDHE0-2048 256M Micron MT29F2G08A 256MBMT29F4G08B 256MBMT29F4G08BAB 512MMT29F8G08FAB 1G。
怎样增大三星手机内存
怎样增大三星手机内存推荐文章怎样在内存卡下电视剧热度：怎样增大手机内存空间热度：怎样增大虚拟内存热度：三星手机怎么将APP移动到SD卡中热度：三星手机怎么卸载内存卡SD卡热度：现在很多人都喜欢拿手机玩游戏看电影，却发现手机内存空间根本就不够用，那么怎么办呢?跟着店铺一起学习一下增大三星手机内存空间的方法吧增大三星手机内存方法先讲点理论知识：其实三星的手机内存被分到了三个地方，其中system，data分别是手机自带的软件和下载到手机内存的软件，平时安装的所有软件，除了可以移到内存卡，其他的都安装在data/app目录，所以安装到system/app可以节约手机自带的存储。
而且，安装到system/app目录后，即使恢复出厂了，也不会消失。
特别说明一下system/app和data/app使用的是2个不同的手机内存，原厂自带的软件就是安装到system/app，而我们自己安装的软件是安装到data/app 平时手机运行使用的内存是data/app使用的这个内存，如果把data/app的软件安装到system/app，手机可以使用的内存将会更大化(小S的内存是512M，但是很多机油可以看见我们可使用的内存也就是100多M，这并不是三星欺骗我们，而是内存分区到了不同的地方)下面介绍方法：正常安装，然后用R.E.管理器到data/app目录找到安装包，把它剪切到system/app目录，对照其他的软件修改下权限(附权限修改∶第一竖行全打钩，第二竖行第一个打钩，其他都不打钩)，再用R.E.管理器进入安装包内，查看是否存在lib文件夹(按住APK文件不放，选打开方式，选APK处理器，选查看)，如果存在，就要把里面的以.so为后缀的文件通通解压出来，移动到system/lib，然后重启手机，成功。
说下我使用后的一些注意：要是有lib文件的软件就需要按上面的方法移动.so，要是没有lib就更好了，不用移动，重启后就可用，软件也可以正常更新，有个比较麻烦，就是更新后需要自己手动移到system/app里，但是.so的文件就不用移动了，还有一种情况是不能移动的，就是lib里有多个文件，一定只能有一个文件或者没有lib才能移动，如果你要删除软件，就比较麻烦了，需要自己动手去re删除软件和.so，不过一般我都是移动不更新和不删除的必备软件，有个好处就是你恢复出厂设置，这些软件也不会删除现在很多人做rom都是极致优化，一般system的内存会多出5.60M，我们利用起来，可以装十多个软件了，不要浪费了，但是也不要全用，最好留下15MAndroid将进程分为6个等级，为了决定在内存不足情况下结束哪个进程，Android会根据这些进程内运行的组件及这些组件的状态，把这些进程划分出一个“重要层次”。
安装SD存储卡到三星C5SM-C5000（6.0.1）手机上面
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安装SD存储卡到三星C5 SM-C5000(6.0.1)手机上面
导语：什么是SD存储卡?SD存储卡是一个完全开放的标准(系统)，多MP3、数码摄像用于机、数码相机、电子图书、AV器材等等，尤其是被广泛应用在超薄数码相机上。
安装SD存储卡到三星C5 SM-C5000(6.0.1)手机上面
1.要注意我们购买手机时会送一个“卡针”了，我们拿出准备好的.卡针然后对准手机侧的小孔弹出卡托。
(确保取卡针与小孔垂直。
否则，可能会损坏设备。
)
2.将卡托轻轻地从卡托插槽中拉出。
3.好了现在就把SD存储卡的金色触点朝下放入卡托2中。
4.将卡托重新插入卡托插槽。
注意事项：
1.可使用容量最高为 128 GB 的存储卡。
2.设备支持 FAT 和 exFAT 文件系统的存储卡。
3.将存储卡插入设备时，存储卡的文件目录将出现在我的文件→SD卡文件夹中。
你的手机里都藏着一个三星不信我拆给你看
你的手机里都藏着一个三星不信我拆给你看同配置为什么价格不一样？除了差异化的销售策略，手机不同的组件方案也是影响价格的重要因素。
说到三星，我们往往是从手机产品角度去了解它，见到的产品都是整体。
但同时作为一家半导体公司，三星为市面上许多手机都提供了解决方案。
而在这些解决方案中，我们比较熟悉的就是闪存、内存、处理器、图像传感器这几大方面，除此之外，三星的屏幕工艺、芯片封装工艺在手机市场上也占有了不小的份额。
今天我们就用拆解的形式来挖掘一下我们常见的手机内部都有哪些三星半导体的身影，相不相信，你现在手里的机器就有它！闪存除了三星的屏幕，三星的闪存与内存在手机上的应用也是相当广泛，分为eMMC和UFS两种规格方案可以选择。
eMMC全称为“embedded Multi Media Card”，即嵌入式的多媒体存储卡。
而eMMC 5.1的规格发展到现在已经到了eMMC 5.1，不过读写速度还是要比目前采用的UFS 2.0和2.1慢上不少。
UFS全称为“Universal Flash Storage”，即通用闪存存储。
目前分为UFS 2.0和UFS 2.1,其中UFS 2.1速度要快上许多，读取速度几乎是eMMC 5.1的三倍多。
此外UFS 3.0的标准今年也已经公布，理论速率可以达到2.9GBps，是USF2.1的两倍。
因此对于旗舰机型，UFS自然是香饽饽，而eMMC大多数被应用在千元机身上。
华为Mate 20 Pro-拆解点此进入例如今年华为年度重磅新机华为Mate 20 Pro，它就采用128GB UFS2.1的闪存芯片，芯片型号为KLUDG4U1EA-B0C1。
同样采用这一款闪存芯片的还有黑鲨游戏手机、黑鲨游戏手机Halo、荣耀V10、小米 MIX 2等一系列旗舰机型。
黑鲨游戏手机Halo随着用户需求的提升，现在的旗舰机型也都纷纷扩大闪存规格，128GB将会逐渐成为主流，其中也有不少厂商推出了256GB的闪存方案。
Samsung Galaxy core2如何安装电话卡及存储卡(G3559)
Last Update date : 2014.10.10
G3559的电话卡槽使用的是Micro电话卡，Micro 电话卡比标准电话卡小，如您的电话卡是标准卡，建议您先到营业厅剪卡。
注意：
1.nano 电话卡和 Micro 电话卡是两种不同类型的卡，请勿将iPhone5支持的nano 电话卡插入G3559的Micro 电话卡槽中，对此造成的问题属人为原因，按照包修条例，不予以包修。
2. 请勿将SD卡误插入电话卡卡槽。
否则，存储卡就会卡在电话卡插槽中，此属人为原因造成，按照包修条例，不予以包修。
若要安装电话卡和存储卡，请按照以下步骤操作：
1. 拆下手机后盖。
2. 取出电池。
3. 将micro 电话卡的金色触点朝下，缺口面向里，插入最下边的电话卡插槽中。
4. 将存储卡的金色触点朝下，插入到存储卡插槽中。
5. 插入电池。
6. 重新盖上手机后盖即可。
相关型号信息
SM-G3559ZKACTC
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samsung内存识别法
芯片上的代码就是型号内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看：samsung内存例：samsungk4h280838b-tcb0第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表dram。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10 为10ns(66mhz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
多芯片封装MCP
多芯片封装多芯片封装（Multi Chip Package；MCP）封装形式的概念所谓封装形式就是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。
它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接。
衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。
一般来说，出现一代新的CPU，就伴随着一种新的封装形式。
随各式便携式信息装置对内存特性需求日益多元化，可将数个芯片封装在一处的多芯片封装（Multi Chip Package；MCP）亦逐渐受到重视，全球包含三星电子、现代电子、英特尔等重量级IC厂商，近期纷纷看好此型内存市场前景，竞推出相关产品。
MCP的优点在于能将2至3种不同特性的芯片封装在一块，可因此减少占据的空间，当前主要为内存所采用。
而利用该封装做出的内存产品适于有复杂内存特性需求的信息装置使用。
目前内存厂商主要利用该技术将闪存（Flash）与SRAM做在一块。
-薄芯片处理是一种特殊的晶圆支持技术，能使芯片被琢磨到只有0.025毫米的厚度。
多重堆叠封装技术能利用无铅锡焊球把安装的芯片的板块堆叠起来。
这种封装在功能上相当于单一封装(single package)。
MCM(Multi Chip Model)多芯片组件-质量为了解决单一的芯片集成度和功能不够完善的问题，把多个高集成度、高性能、高可靠性的芯片，在高密度多层互联基板上用SMD技术组成多种多样电子组件系统，从而出现了MCM多芯片组件系统MCM具有以下特点：封装延迟时间缩小，易于实现组件高速化缩小整机/组件封装尺寸和重量。
系统可靠性大大提高。
总之，随着CPU和其他超大规模集成电路的进步，集成电路的封装形式也将得到相应的变化，而且封装形式的进步又将反过来促进芯片技术向前发展。
不久以前，高密度薄膜和多芯片封装(MCP)还被认为只是一种用于太空、军事、高端服务器以及大型主机等系统的新型技术,这种技术可以减小最终封装件及系统的尺寸和重量、减少故障提高可靠性、使用更短和负载更轻的信号线增加速度并使系统具有良好的热性能。
SDRAM 器件操作手册 中文版本 三星公司
三星公司SDRAM 器件操作手册中英文对照版本（SDRAM DEVICE OPERATION）翻译：合肥工业大学检测技术研究所彭良清（peng6602@）日期：2004/5/1原文：/Products/Semiconductor/DRAM/TechnicalInfo/sdram_device_operation_full_version_200401.pdf本文档请参考下2个文档阅读：I.“SDRAM Timing Diagram”（SDRAM时序图），原文位于：/Products/Semiconductor/DRAM/TechnicalInfo/sdram_timing_diagram_20040205.pdf II.“K4S643232H-TC/L60 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM”（本设计使用的SDRAM芯片手册），原文位于：/Products/Semiconductor/DRAM/SDRAM/SDRAMcomponent/64Mbit/K4S643232H/ds_k 4s643232h_13.pdf，所有时间参数以该手册上速度为“－10”的数据为准（速度最慢者）。
因此如果时间参数为“20ns”，就相当于 2 个时钟周期。
说明：本中文的页码和原英文对应的页码内容相对应。
目录：A.用于模式编程的模式寄存器域表（MODE REGISTER FIELD TABLE TO PROGRAM MODES）―――2B.上电命令序列（POWER UP SEQUENCE）―――――――――2C.突发操作顺序（BURST SEQUENCE）－――――――――――3D.器件操作DEVICE OPERATIONS ―――――――――――――4⏹器件地址线分配（ADDRESS INPUTS）――――――――4⏹时钟(CLK)―――――――――――――――――――――6⏹时钟使能（CKE）――――――――――――――――――6⏹空操作（NOP）和器件未选中―――――――――――――6⏹DQM操作（DQM OPERATION）―――――――――――7⏹模式寄存器设置(MRS)――――――――――――――――7⏹体激活（BANK ACTIVATE）――――――――――――――7⏹突发读（BURST READ）―――――――――――――――7⏹突发写操作（BURST WRITE）――――――――――――8⏹对所有体进行预充电（ALL BANKS PRECHARGE―――――8⏹预充电（PRECHARGE）―――――――――――――――8⏹自动预充电（AUTO PRECHARGE）――――――――――8⏹自动刷新（AUTO REFRESH）―――――――――――――8⏹自我刷新（SELF REFRESH）―――――――――――――9说明：“CL”或称“CAS Latency”指发出读命令和数据出现在总线上的延时，一般为2或者3个时钟周期，该参数可以通过MRS命令来设置。
手机更换内存芯片
手机更换内存芯片手机更换内存芯片1000字手机内存芯片是手机存储数据的重要组成部分，对手机的运行速度和性能起着至关重要的作用。
如果手机内存芯片出现问题，会导致手机运行缓慢、卡顿、多任务切换困难等现象，给用户的使用体验造成很大影响。
当手机内存芯片损坏或出现故障，需要更换内存芯片。
下面我将介绍手机更换内存芯片的步骤和注意事项。
首先，在更换内存芯片之前，我们需要备份手机中的重要数据。
这是因为更换内存芯片后，手机的存储空间将被重置，所有数据都会被清空。
为了避免数据丢失，我们可以通过连接手机和电脑进行文件备份，或者使用云存储服务来保存重要数据。
接下来，我们需要购买一块适配手机型号的新内存芯片。
不同型号的手机使用的内存芯片可能有所不同，选择适配手机型号的芯片非常重要，否则可能会出现不兼容的情况。
然后，我们需要准备一些专业的维修工具，如螺丝刀、塑料开壳工具等。
这些工具可以帮助我们打开手机外壳，并将内存芯片进行更换。
在开始更换内存芯片之前，我们应该关闭手机并取出SIM卡和SD卡。
这是为了确保在操作过程中不会对SIM卡和SD卡造成损坏。
接下来，我们可以使用螺丝刀等工具，打开手机的外壳。
通常，手机外壳上会有一些螺丝固定，我们需要将这些螺丝逐一拧下，并将外壳打开。
打开外壳后，我们会看到手机内部的电路板。
在电路板上，我们可以看到内存芯片的位置。
我们需要小心地将原来的内存芯片取出，并用新的内存芯片进行替换。
在进行操作时，我们应该尽量避免使用手指直接接触内存芯片，以免产生静电对内存芯片造成损坏。
更换内存芯片后，我们应该仔细检查内存芯片是否安装到位。
同时，对手机内部的其他组件也要进行检查，确保它们没有受到任何损坏。
最后，我们可以将手机的外壳重新安装，并将螺丝逐一固定。
在固定螺丝时，我们应该注意螺丝的位置和规格，以免安装错误导致螺丝螺纹损坏。
完成更换内存芯片后，我们可以将SIM卡和SD卡插回手机，并将手机打开。
此时，手机的存储空间将被重置，并且之前备份的数据需要重新导入手机。
手机内存升级教程
手机内存升级教程手机内存升级教程手机是我们日常生活中不可或缺的工具，对于许多用户而言，手机内存的升级是为了使手机性能更好，运行更快。
本文将为大家提供手机内存升级的详细教程，帮助大家顺利完成操作。
第一步：备份手机数据在进行手机内存升级之前，我们首先需要备份手机数据。
由于手机内存升级可能会涉及到格式化手机存储空间，为了避免数据的丢失，我们需要提前将手机中的重要数据备份至电脑、云盘或其他存储介质中。
另外，也可以使用第三方应用程序备份手机数据。
如iCloud （iPhone用户）、Google云端硬盘（Android用户）等，这些应用程序都提供了方便快捷的备份功能，能够帮助用户高效备份手机中的数据。
第二步：了解手机内存类型在进行手机内存升级之前，我们需要了解手机内存的类型以及可升级的最大容量。
目前市面上常见的手机内存有eMMC内存和UFS内存，二者的速度和性能有所差别。
同时，了解手机厂商对于内存升级的限制也是非常重要的。
有些手机的内存是固定焊接在手机主板上，无法更换和升级，而有些手机则提供了可更换内存卡的设计。
第三步：购买适配手机的内存卡在确认手机可更换内存卡的情况下，我们需要购买适配手机的内存卡。
手机内存卡有多种类型和规格，包括microSD、SDXC、CF、TF等。
在购买内存卡时，我们需要注意内存卡的品牌、容量和速度等方面。
一般来说，品牌较好的内存卡质量更可靠，容量和速度也更高。
另外，不同手机的内存卡最大容量和适配规格有所差别，我们需要根据手机的需求和限制来选择合适的内存卡。
第四步：安装内存卡在购买合适的内存卡后，我们需要将它安装到手机中。
具体安装方式会因手机型号的不同而有所变化，一般情况下，我们可以按照以下步骤进行操作：1. 关机：先将手机关机以避免损坏手机存储空间。
2. 打开手机：打开手机背面的壳，常见的手机安装方式包括取下背盖、拔出SIM卡托盘等。
具体方法可以查看手机使用说明书。
3. 安装内存卡：将购买的内存卡插入手机内存卡槽中，注意插入的方向和位置，确保内存卡与槽口对齐并牢固安装。
三星内存颗粒规格指标详解
三星内存颗粒规格指标详解尽管市面上的内存品牌十分繁杂，但采用的内存颗粒不外乎三星、现代、英飞凌等这几家，其中三星的内存颗粒所占比重是极大的。
搞清楚三星内存颗粒的规格参数与性能指标，在内存的选购中是极为重要的。
当然，对内存而言，并不是只要采用同样型号的颗粒，内存的性能指标就会相同。
因为即便对同一型号的内存颗粒而言，也有等级之分，不同等级的颗粒，其性能也会有所区别，同时，更重要的，内存生产厂商的设计能力与生产工艺也会在很大程度上影响内存的性能与指标。
因此，对内存颗粒的性能指标，只能在我们选购内存时作为参考，而不要将其绝对化。
三星DDR内存颗粒面向中低端市场的内存颗粒三星TCB3颗粒TCB3是三星早期推出的6ns DDR颗粒，可以稳定地工作在PC2700，2-2-2-X 的时序，参数非常优秀。
此外它同样可以工作在PC3200，但时序需要相应地调低，200MHz时的时序为2-3-3-6，虽不能说优秀但表现尚可。
TCB3颗粒的频率极限大致在230MHz左右，这对于一款默认为166MHz的内存来说，超频幅度很大。
TCB3对于电压并不太敏感，3.0V电压下频率提升也不是很大。
目前该款颗粒多见于低端内存。
三星TCCC颗粒TCCC是三星TCC系列（PC3200）里面编号为“C”的颗粒，表示其PC3200时预设CAS值为3。
TCCC可以工作在250-260MHz，3-4-4-8的时序，而默认200MHz 时可以保持2.5-3-3-6的时序，由于TCCC颗粒的售价比较便宜，因此和现代的D43一起成为性价比出色的代表。
此外也有不少DDR 500内存同样采用了TCCC颗粒，不过由于已经接近极限频率，留下的超频空间很小。
电压对于TCCC颗粒的超频有一定的影响，但在2.8V时已经基本可以达到最高频率。
三星TCC4颗粒TCC4是三星的另外一款5ns的DDR400内存颗粒，不过并不常见，在一些品牌的PC3200低端内存甚至是PC2700内存上面可以看到它。
三星手机使用秘籍
三星手机使用秘籍SAMSUNG SGH600*#06# 显示IMEI号；*#9999# 或 *#0837# 显示软件版本；*#0001# 显示RS232串行通信参数设置；*#0228# 显示电池容量和温度；*#0523# 调节对比度；*#0636# 存储器容量显示*#0778# SIM卡信息*#0324# 网络检测（工程模式）*#2767*2878# EEPROM复位，手机设定总清除，常用于解锁*#2767*3855# 从字库中取出程序重置EEPROM为出厂值。
对修改过IMEI码的手机，用此指令可恢复原出厂机身号码。
此指令还用于因EEPROM（码片）内程序紊乱造成的各种故障。
*#9998*228# 电池参数显示，类型/电压/温度*#9998*289# 铃声调整，振铃器频率测试/显示频率，上下键调节*#9998*364# 显示Watchdog状态*#9998*427# WATCHDOG信号路径设置*#9998*523# 液晶显示对比度调节，上下键调节*#9998*746# SIM卡文件规格测试*#9998*786# 显示的内容为本次开机的时间以及本次开机后到当前的时间长。
按->后显示最新的本次开机后到当前的时间长；再按->后显示上一次的开机时间；再按->后显示上一次的关机时间以及上次开关机的时长。
*#9998*842# 振子测试，上下键调节转速*#9998*9266# 显示收信信道号和收信强度指示*#9998*947# 在重大错误情况下复位设置指令Samsung CDMA手机改Slot方法按47*869#08#9按1寻找Slot Index预设值为2;Set做0声会较好,但用电量较大;Set做7声会较差,但用电量较少;。
手机emmc储存芯片转SD卡
手机emmc储存芯片转SD卡
手上有很多emmc，但是容量都比较小，只有2GB，4GB和8GB，最近拿到了几颗64GB的，就动手做TF卡，放到手机上面使用。
下面是步骤：
1、emmc 飞线
2、tf卡（pcba）飞线，这里有一个电容，接emmc的VDDi，后面我去掉也可以正常工，只是不知道会不会影响稳定性。
3、飞好线后胶带处理
4、手机上测试
i9305日版，内部（32GB内部存储）拷贝视频文件到tf卡（64GBemmc），速度大于15MB/S.
补上接线图：
emmc原理图：
emmc接口定义：
TF卡接口定义：
需要接的线一共8根线：
1、DAT2 接emmc DAT2 （A5）
2、DAT3 接emmc DAT3 （B2）
3、CMD 接emmc cmd （M5）
4、VDD接emmc VDD 和VDDF（VDD和VDDF各找一个，有些emmc的资料是写VCC和VCCQ）
5、CLK接emmc clk （M6）
6、VSS 接emmc 的VSS（随便找一个）
7、DAT0接emmc的DAT0（A3）
8、DAT1接emmc的DAT1（A4）
emmc上还有一个vddi需要接一个电容，开始我有接，后面不小心弄掉了，发现还可以工作，就没有接了。
三星I559、I569、I579、I589解决手机内存不够的问题
三星I559、I569、I579、I589解决手机内存不够的问题年前新入手一部电信定制版I569，新入手后配了2G的内存卡，安装了好多软件后，总提示手机内存不够，要求删东西，可是我安装的软件都在内存卡上啊，很是郁闷。
登论坛，看到大家都重新刷机，因为新手，看了好多经验和帖子后，还是没敢动手。
在机器实在是闹心的不行的时候，终于下决心对I569下刀子了。
第一步，对手机ROOT，从网上找到了“一键ROOT”工具，下到手机上运行。
（必须的，少了这东西，什么都没权限啊）第二步，安装RE,删除了电信定制的软件。
（注意删除APK文件的时候要注意其是否有相关的odex文件，请一并删除了，有的时候ODEX 文件比相关的APK文件还大）请注意做好备份。
第三步，在手机中设置—隐私权—恢复出厂设置（如不操作这步，仅仅是删除软件，会发现空间没怎么减少，反而有增加的趋势）。
到这步，手机内存就有了明显的增加，网上的帖子中，很多都没有我所说的第三步，对于新手来说，发现这步真不容易啊，也许老手都知道吧。
使用（一平存储优化v1.1），将系统安装默认路径改为内存卡后，使用（360手机卫士）、（91手机助手）等工具安装软件到内存卡上，基本上就解决了手机内存不够的问题了。
后面是可以不照做得，但是我把我后续操作都写上来吧。
第四步，在电脑上对手机内存卡进行操作分区，以及对手机的内存变相扩容。
下面是教程（注：网上搜来的，但是找不到链接了，向作者致敬）1、将SD卡进行分区因为android系统是基于linux内核的手机系统，只支持linux特有的系统分区ext分区安装应用程序，所以我们需要对sd卡进行分区，一个ext2分区，一个fat32分区共两个分区。
ext2分区用来安装应用软件，fat32分区作为存放数据的磁盘。
--------------------------------------------------------------------------------①首先在电脑上安装下面的分区工具，win7运行不了的话，兼容性里选择XP SP2（3）就可以了，winxp无压力。
三星金条内存 编码完全攻略之DDR2
编者按：我们并非硬件的芯片级玩家，所以我们并不了解硬件的核心技术；我们并非DIY超级发烧友，所以我们并不追求更高端的DIY硬件。
对于一款硬件产品，我们要掌握其性能指标，才能让其在我们的应用中发挥较好的效果。
内存，大家在选购时考虑最多的就是容量、频率，很少从编码上去核对是否与标准的参数相同。
说实话，很多内存的经销商都不了解内存编码每一个字母、每一个数字代表的含义，往往他们也是告知购买者也只是容量和频率。
难道经销商告知的和卖出的就是原创内存吗？不销售假冒、打磨的内存吗？今天小编就给大家完全攻略全球最大的内存制造、OEM品牌厂商三星的金条内存编码，因为三星除了自有品牌外，也销售颗粒，这样市场原装内存与贴牌或使用三星颗粒的其他品牌内存很难识别，要知道三星金条可是品质过硬的中高端内存，商家为谋取暴利，往往会用一些欺骗手段的。
一、内存颗粒的编码排序结构三星金条DDR2内存编码结构上图是目前主流的三星金条DDR2内存的颗粒编码排序，一长串的字母+字符，让大家很难去理解各编码代表的含义，从整体看，所有的字母、数字组合分成了11段，下面小编就一一解释。
在三星金条的内存颗粒上我们会看到两类品牌标识：SAMSUNG和SEC（“三星电子”的英文缩写），这都是三星官方英文标识。
SAMSUNG由于字母较多，一般用在TSOP封装的长方形颗粒上，而SEC为缩写，多用在mBGA封装的小正方形颗粒上。
第一段字母是每个内存颗粒品牌的标识，“K”为三星半导体存储颗粒的标识，只要是采用三星制造、销售的内存颗粒，编码均以K开头；第二段数字是“4”，这个位置永远是数字4，表示这是DRAM内存；第三段字母是内存颗粒的类型，“S”表示SDRAM、“H”表示DDR、“T”表示DDR2 DRAM、“D”表示GDDR1（显存颗粒）；第四段含两个字符，表示单颗内存颗粒的容量。
56：256Mb、51：512Mb、1G：1Gb、2G：2Gb，注意这是小写的“b”（位），芯片级多以“b”表示容量，换算成我们熟悉的“B”（字节）时，需要除以8；第五段含两个数字，表示芯片位数，有04：×4、06：×4 Stack、07：×8 Stack、08：×8、16：×16、26：×4 Stack（JEDEC）、27：×8 Stack（JEDEC）几种规格。
三星芯片手册
三星芯片手册三星芯片手册一、概述三星芯片是由三星公司设计和生产的一种集成电路芯片，广泛应用于智能手机、平板电脑、电视等电子产品中。
本手册将为用户介绍三星芯片的基本知识、设计规范、性能参数等内容，帮助用户更好地了解和使用三星芯片。
二、基本知识1. 芯片结构：三星芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有高性能、低功耗、高稳定性等特点。
芯片结构包括逻辑电路、存储单元、输入输出接口等组成部分。
2. 芯片封装：三星芯片常见的封装类型有BGA、QFN、LGA 等。
不同封装类型适用于不同的应用场景，用户在选择时需根据实际需求进行判断。
3. 芯片功能：三星芯片具有丰富的功能模块，如处理器核心、显卡、信号处理器、加密模块等。
用户需要根据自己的应用需求选择合适的芯片型号。
三、设计规范1. 电源规范：在设计电路图时，需要根据芯片的输入电压和电流要求选择合适的电源模块，并进行适当的线路布局和元件选用。
同时，还需要注意电源线的阻抗匹配和稳压电容的选择，以提供稳定可靠的电源供应。
2. 信号规范：在设计信号线路时，需要考虑信号的传输距离和速度，合理选择导线材料和线宽。
同时，还需注意信号线与电源线的隔离，以避免干扰和噪音。
3. 散热规范：三星芯片在运行过程中会产生热量，需要合理设计散热系统，保证芯片的工作温度在正常范围内。
散热系统包括散热片、散热风扇、散热管等组成部分。
4. 尺寸规范：三星芯片的尺寸通常由封装类型决定，用户需要根据产品的设计要求和尺寸限制选择合适的芯片型号。
四、性能参数1. 工作频率：三星芯片的工作频率是指芯片的时钟频率，通常以MHz或GHz为单位。
工作频率越高，芯片的计算速度越快，但同时也会产生更多的热量。
2. 存储容量：三星芯片的存储容量是指芯片内部集成的存储单元的总大小，通常以GB为单位。
存储容量越大，芯片可以储存更多的数据，但同时也会增加芯片的成本和功耗。
3. 能耗参数：三星芯片的能耗参数是指芯片在不同工作状态下的功耗情况，通常以瓦特为单位。
内存K4H561638H规划手册(三星256m)
DDR SDRAM Product GuideDecember 2007Memory DivisionA. DDR SDRAM Component Ordering Information28 : 128Mb, 4K/64ms 56 : 256Mb, 8K/64ms 51 : 512Mb, 8K/64ms 1G : 1Gb, 8K/64ms 2G : 2Gb, 8K/64ms04 : x 406 : x 4 Stack 07 : x 8 Stack 08 : x 816 : x16 3 : 4 Banks3. Product4. Density & Refresh5. Organization6. BankM A B C D E F G H T N G C L I P 9. Package Type 8. Revision 10. Temperature & Power1. SAMSUNG Memory : K2. DRAM : 4RevisionBankOrganizationDensity & Refresh ProductDRAM SAMSUNG Memory Interface (V DD , V DDQ )Package TypeTemperature & Power1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11SpeedH : DDR SDRAM: Commercial Temp.( 0°C ~ 70°C) & Normal Power : Commercial Temp.( 0°C ~ 70°C) & Low Power : Industrial Temp.( -40°C ~ 85°C) & Normal Power : Industrial Temp.( -40°C ~ 85°C) & Low Power: TSOP II : sTSOP II : FBGA : 1st Gen.: 2nd Gen.: 3rd Gen.: 4th Gen.: 5th Gen.: 6th Gen.: 7th Gen.: 8th Gen.: 9th Gen.11. SpeedK 4 H X X X X X X X - X X X X: DDR400 (200MHz @ CL=3, tRCD=3, tRP=3) : DDR333 (166MHz @ CL=2.5, tRCD=3, tRP=3)*1: DDR266 (133MHz @ CL=2 , tRCD=3, tRP=3) : DDR266 (133MHz @ CL=2.5, tRCD=3, tRP=3)CC B3 A2B08 : SSTL-2 (2.5V, 2.5V)7. Interface ( V DD , V DDQ ) J N : 11st Gen.: 14th Gen.U V Z : TSOP II (Lead-free)*1: sTSOP II (Lead-free)*1: FBGA (Lead-free)*1L H F 6: TSOP II (Lead-free & Halogen-free)*1: FBGA (Lead-free & Halogen-free)*1: FBGA for 64Mb DDR (Lead-free & Halogen-free)*1: sTSOP II (Lead-free & Halogen-free)*1Note 1: All of Lead-free or Halogen-free product are inNote 1: "B3" has compatibility with "A2" and "B0"compliance with RoHSB. DDR SDRAM Component Product GuideDensity Bank Part Number Package*1 & Power*2 &Speed*3Org.Interface Refresh Power (V)Package Avail.64Mb N-die4Banks K4H641638N LCCC/CB3LLCC/LB34M x 16SSTL_24K/64m 2.5 ± 0.2V66pinTSOPII Now FCCC/CB3FLCC/LB360ball FBGA CS256Mb H-die4Banks K4H560438HUCA2/CB0ULA2/LB064M x 4SSTL_28K/64m 2.5 ± 0.2V*466pinTSOPIINow ZCCC/CB3ZLCC/LB360ball FBGAK4H560838HUCCC/CB3ULCC/LB332M x 860ball FBGA ZCCC/CB3ZLCC/LB360ball FBGAK4H561638HUCCC/CB3ULCC/LB316M x 1666pinTSOPII ZCCC/CB3ZLCC/LB360ball FBGA256Mb J-die4Banks K4H560438JLCB3/CB0LLB3/LB064M x 4SSTL_28K/64m 2.5 ± 0.2V*466pinTSOPII CS K4H560838JLCCC/CB3LLCC/LB332M x 866pinTSOPII CS K4H561638JLCCC/CB3LLCC/LB316M x 1666pinTSOPII CS512Mb D-die4Banks K4H510438DUCB0ULB0128M x 4SSTL_28K/64m 2.5 ± 0.2V*466pinTSOPIINow ZCCCZLCC60ball FBGAK4H510838DUCCC/CB3ULCC/LB364M x 866pinTSOPII ZCCC/CB3ZLCC/LB360ball FBGAK4H511638DUCCC/CB3ULCC/LB332M x 1666pinTSOPII ZCCC/CB3ZLCC/LB360ball FBGANote 2 :- Commercial Temp. (0°C <Ta< 70°C)C Commercial Temperature, Normal PowerL Commercial Temperature, Low PowerNote 4 :DDR400DDR333/266 VDD/VDDQ 2.6V ± 0.1V 2.5V ± 0.2V Note 3 :- "B3" has compatibility with "A2" and "B0"133Mhz166Mhz200Mhz CL = 2DDR266(A2)--CL = 2.5DDR266(B0)DDR333(B3)-CL = 3--DDR400(CC)U V Z : TSOP II (Lead-free) : sTSOP II (Lead-free) : FBGA (Lead-free)L H F 6: TSOP II (Lead-free & Halogen-free): FBGA (Lead-free & Halogen-free): FBGA for 64Mb DDR (Lead-free & Halogen-free) : sTSOP II (Lead-free & Halogen-free)Note 1 :Note 2 :- Industrial Temp. (-40°C <Ta< 85°C)I Industrial Temperature, Normal Power PIndustrial Temperature, Low PowerNote 4 :DDR400DDR333/266VDD/VDDQ2.6V ± 0.1V2.5V ± 0.2VNote 3 :- "B3" has compatibility with "A2" and "B0"133Mhz166Mhz200MhzCL = 2DDR266(A2)--CL = 2.5DDR266(B0)DDR333(B3)-CL = 3--DDR400(CC)U V Z : TSOP II (Lead-free): sTSOP II (Lead-free): FBGA (Lead-free)L H F 6: TSOP II (Lead-free & Halogen-free): FBGA (Lead-free & Halogen-free): FBGA for 64Mb DDR (Lead-free & Halogen-free): sTSOP II (Lead-free & Halogen-free)Note 1 :C. Industrial temp DDR SDRAM Component Product GuideDensityBankPart NumberPackage *1 & Power *2 & Speed *3Org.InterfaceRefreshPower (V)PackageAvail.256Mb H-die 4Banks K4H561638JUICC/IB3/IB0UPCC/PB3/PB0 16M x 16SSTL_28K/64m2.5 ± 0.2V *466pinTSOPIINowZIB3/IB0ZPB3/PB060ball FBGA256Mb J-die 4Banks K4H561638JLICC/IB3LPCC/PB3 16M x 16SSTL_28K/64m2.5 ± 0.2V *466pinTSOPII CS512Mb D-die4BanksK4H510838DUIB3/IB0UPB3/PB0 64M x 8SSTL_28K/64m2.5 ± 0.2V *466pinTSOPIINowZIB3/IB0ZPB3/PB060ball FBGAK4H511638DUIB3/IB0UPB3/PB0 32M x 1666pinTSOPIIZIB3/IB0ZPB3/PB060ball FBGA3 : DIMM4 : SODIMM 68 : x64 184pin Unbuffered DIMM81 : x72 184pin ECC unbuffered DIMM 83 : x72 184pin Registered DIMM12 : x72 184pin Low Profile Registered DIMM 70 : x64 200pin Unbuffered SODIMM 63 : x64 172pin Micro DIMMT TSOP II (400mil)N sTSOP G FBGA16 : 16M 17 : 16M (for 128Mb/512Mb)32 : 32M 33 : 32M (for 128Mb/512Mb)64 : 64M 65 : 64M (for 128Mb/512Mb)28 : 128M 29 : 128M (for 128Mb/512Mb)56 : 256M 57 : 256M (for 512Mb)51 : 512M1st G en. 3rd G en. 5th G en. 7th G en. 9th G en. 0 : Mother PCB 2 : 2nd Rev. S : Reduced layer PCBL : DDR SDRAM (2.5V VDD)1. Memory Module : M 2. DIMM Configuration 3. Data Bits4. Feature5. Depth12. Speed11. Temp & Power10. PCB Revision & Type9. Package8. Component RevisionComposition ComponentPCB revision & TypeComponent Revision Refresh, # of Banks in Comp. & InterfaceDepthFeature Data bits DIMM Configuration Memory Module PackagePowerSpeed 0 : x 43 : x 84 : x168 : x 4 Stack 9 : x 8 StackM X X X L X X X X X X X - X X X7. Composition Component1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 121 : 4K/ 64ms Ref., 4Banks & SSTL-22 : 8K/ 64ms Ref., 4Banks & SSTL-26. Refresh, # of Banks in comp. & InterfaceM B D F H : : : : : : : : 1 : 1st Rev. 3 : 3rd Rev. : DDR400 (200MHz @ CL=3, tRCD=3, tRP=3) : DDR333 (166MHz @ CL=2.5, tRCD=3, tRP=3) : DDR266 (133MHz @ CL=2 , tRCD=3, tRP=3) : DDR266 (133MHz @ CL=2.5, tRCD=3, tRP=3)CC B3 A2 B0C L : Commercial Temp.( 0°C ~ 70°C) & Normal Power : Commercial Temp.( 0°C ~ 70°C) & Low PowerU V Z : TSOP II *1 (Lead-Free): sTSOP II *1 (Lead-Free): FBGA *1 (Lead-Free)(Note 1 : All of Lead-free product are in compliance with RoHS)D. DDR SDRAM Module Ordering Information2nd Gen. 4th Gen.6th Gen.8th Gen 11th Gen. A C E G J : : : : :E. DDR SDRAM Module Product GuideOrg.Den-sityPart NumberSpeedCompositionComp.VersionVoltageInternal BanksExternal BanksPKG *1FeatureAvail.184Pin DDR Unbuffered DIMM32Mx 64256MBM368L3223HUS CCC/CB3 32Mx 8*8pcs 256Mb H-die 2.5 ± 0.2V *34166pin TSOP(II)SS,1250milNowM368L3223JUS CCC/CB3 32Mx 8*8pcs 256Mb J-die 64Mx 64512MB M368L6423HUNCCC/CB3 64Mx 8*16pcs 256Mb H-die 1DS,1250mil Now M368L6423JUNCCC/CB3 64Mx 8*16pcs 256Mb J-die M368L6523DUS *2CCC/CB3 64Mx 8*8pcs 512Mb D-die SS,1250mil Now 128Mx 641GBM368L2923DUN *2CCC/CB364Mx 8*16pcs512MbD-die2DS,1250milNow184Pin DDR Low Profile Registered DIMM64Mx 72512MBM312L6420HUSCB0 64Mx 4*18pcs 256Mb H-die 2.5 ± 0.2V *34166pin TSOP(II)DS,1200mil Now M312L6420JUS CB0 64Mx 4*18pcs 256Mb J-die M312L6523DZ3*2CCC/CB364Mx 8*9pcs 512Mb D-die 60ball FBGA SS,1125mil Now 128Mx 721GBM312L2920DUS *2CB0128Mx 4*18pcs512MbD-die166pin TSOP(II)DS,1200mill Now M312L2923DZ3*2CCC/CB364Mx 8*18pcs512MbD-die260ball FBGADS,1125milNow200Pin DDR SODIMM32Mx 64256MB M470L3224HU0CB3 16Mx 16*8pcs 256Mb H-die 2.5 ± 0.2V *34266pin TSOP(II)DS,1250miNowM470L3224JU0CB3 16Mx 16*8pcs 256Mb J-die 64Mx 64512MB M470L6524DU0*2CB332Mx 16*8pcs 512Mb D-die Now 128Mx 641GBM470L2923DV0*2CB364Mx 8*16pcs512MbD-die54pin sTSOP(II)NowNote 2 : All of DDR components support both Leaded and Lead-free. And 256Mb H-die, J-die and 512Mb D-die Lead-free is default PKG Type.U : TSOP II (Lead-Free)V : sTSOP II (Lead-Free)Z : FBGA (Lead-Free)Note 1 : (All of DDR DIMMs can support Lead-free)Note 3 :DDR400DDR333/266VDD/VDDQ2.6V ± 0.1V2.5V ± 0.2VF. Package Dimension66Pin TSOP(II) Package Dimension60Ball FBGA (For 256Mb)60Ball FBGA (For 64Mb)8.0 0 ± 0.1012.00 ± 0.100.10 M a x0.32 ± 0.051.10 ± 0.108.00 ± 0.10AB C DE FG H JK L M0.800.501.00 x 11 = 11.0012.00 ± 0.1060 - ∅ 0.45 SOLDER BALL 1.00#A11.60#A1 MARK∅0.20 MA B0.80 x 8 = 6.40A123456789(Post Reflow 0.50 ± 0.05)Units : Millimeters(Datum A)(Datum B)BTOP VIEW BOTTOM VIEW60Ball FBGA (For 512Mb)For further information, semiconductor@。
2.3.3 图解三星C200型手机元器件飞线_手机硬件故障维修必学必会——飞线_[共2页]
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第2章图解飞线法操作要点1132.3.3 图解三星C200型手机元器件飞线1．图解换电池时间会归零飞线手机换电池时间会归零时应重点检查以下通路（见图2-3-24）：即时时钟供电由后备电池C108（RB414_IV02N）输出，经限流电阻R101（1.2k ）输入微处理模块U100（CSP2200B1）H11脚，给副时钟电路提供电源。
图2-3-24 换电池时间会归零飞线示意图2．图解不能送话飞线手机不能送话时应重点检查以下通路（见图2-3-25）：送话器MIC1+经滤波电感L401、电容C413、电阻R408、MICINP端输入微处理模块U100第N14脚；送话器MIC1−经滤波电感L402、电容C417、电阻R411、MICINN 端输入微处理模块U100第M14脚。
图2-3-25 不能送话飞线示意图3．图解不能振动飞线手机不能振动时应重点检查以下通路（见图2-3-26）：振动驱动芯片U403第1脚输入振动信号，驱动放大后从第5脚输出加振动电机VIB1脚；振动电机VIB2脚接地。
消火花电容C412、保护二极管ZD401与振动电机直接并联。
图2-3-26 不能振动飞线示意图4．图解不能振铃飞线手机不能振铃时应重点检查以下通路（见图2-3-27）：来自微处理模块的振铃信号经和弦芯片U401（YMU762C.QZE2）第17脚输出，由YMU_SPK1P端输入电子开关芯片U402（NLAS4684MNR2）第7脚，从电子开关芯片U402第9脚输出，由SPK1P端加喇叭连接器SPEAKER（SBR125530P.CT01）第1脚；经和弦芯片U401第18脚输出，由YMU_SPK1N 端输入电子开关芯片U402第5脚，从电子开关芯片U402第3脚输出，由SPK1N端加喇叭连接器SPEAKER第2脚。
5．图解不能受话飞线手机不能受话时应重点检查以下通路（见图2-3-28）：来自音频处理模块U100（CSP2200B1）第P11脚的受话信号，由AOUTAP端输入电子开关芯片U402第10脚、从电子开关芯片U402第9脚输出、由SPK1P端加到喇叭连接器SPEAKER 第1脚；由第N12脚AOUTAN端输入电子开关芯片U402第2脚、从电子开关芯片U402第3脚输出，由SPK1N端加到喇叭连接器SPEAKER 第2脚。
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文章的开头首先介绍一下什么是MCP，MCP=Multi-Chip Package 中文意思是多制层封装芯片，其主要应用领域为手机等手持智能终端设备。
其优点在于体积小，
能适应各种手持设备节省空间的原则。
成本方面较独立的芯片组和要有优势。
三星从2004年开始致力于手机内存芯片的推广，2005年在全球取得了不到10%市场份额，当时这方面的前两位分别是INTEL和SPANSION这两个厂商。
2006年是三星MCP内存芯片市场份额大幅提高的一年，在2006年下半年由于SPANSION的128+32和64+16/64+31NOR+SRAM的MCP大面积缺货给了三星一次很好的机会，三星在8月开始逐步进入手机MCP领域，其推出的128+32MCP芯片只要在软件方面作一些简单的调整就可以PIN TO PIN取代SPANSION的129系列产品，并且价格比当时的SPANSION 128+32
的同类产品要低0.5USD，这使得中国大陆这一B类手机制造基地的设计公司和厂家纷纷切入到三星的MCP中来。
在2007年年初，三星又推出了其最新128+32的产品2931和2731，这两款产品的推出，将冲击SPANSION很大的市场份额。
下面针对三星的MCP产品做个简单的介绍，介绍从MCP制成和具体型号以及配合手机的主方案进行：
MCP大致有三类:
一；替换目前市场主流的SPANSION的NOR+SRAM(PSRAM)系列
32+8型号为K5A3281CT(B)M--此款MCP主要可以应用于一些低端手机，包括英飞凌等低端方案，都可采用此款MCP。
64+16型号为K5J6316CT(B)M：三星已经在2007年将此款IC 停产，转移产能大量生产64+32制成的MCP
64+32型号为K5J6332T(B)M：这使三星2007年主要推广的MCP之一，目前已经有很多方案认可，包括MTK 6226/6219以及展讯的6600D等方案都广泛采用此款芯片。
128+32型号为 K5L2731CAM-D770：此款产品是三星2007年重点推广的128+32的MCP芯片，这款芯片可以做到和SPANSION 127芯片软件硬件完全match，并且能兼容三星2931和0607芯片。
在价格方面三星会坚持走低，此款芯片会成为2007年B类手机市场最普遍使用的MCP芯片。
K5L2931CAM-D770:此款芯片的推出主要是用来抢占SPANSION 129芯片市场的，目前已经有很多方案可以采用（TI/MTK/展讯等）
KADxx0700D-DLLL：此款芯片是三星2006年推出的一款128+32的MCP，此款芯片从2006.9月开始，已经被很多设计设计公司所认证，在2006年底由于众多手机厂商切换到此款IC，导致了1个多月的缺货，在2007年，三星队此款芯片的制造要降低，原因是2731和2931芯片的推出，他们会每个月逐步降低产能。
二；替换目前市场主流的TOSHIBA的NOR+NAND+SRAM(PSRAM)系
列:128+512+32/128+512+64/128+1Gb+64.
此种制成的MCP由于成本相对来说较高，所以目前就此种制成的MCP市场情况还不算明朗。
三；NAND+MOBILE DRAM/DDR/ONENAND+MobileDDR ：
256+256型号为K5D5657DCB-D090
512+256型号为K5D1257DCA-D090
1G+256型号为K5D1G571CM-D090
此种制成的MCP主要推广在展讯平台的6600M机型上，但展讯的产能一直不是很乐观，导致本制成MCP市场不是很明朗，目前竞争对手为HYNIX。
*关于三星NAND+M-SDR的MCP，ND方案涉及的问题,现在我作如下总结:
1. MTK 6228平台: 大部分客户选用的是NAND: X8,
2.65V+M-SDR: x16, 1.8V. 我们有以下规格是目前客户选用比较多的,建议新客户尽量往上靠,这样交货比较好支持:
2. SPREADTRUM（展讯）平台:
TD-SCDMA: 支持NAND: X8, 3V+M-SDR: X16, 3V. 建议MCP为:1G+256:
KAG00L008A-DGG5000
GSM/GPRS: 除了我们的64+16/32, 128+32外,关于NAND+DRAM MCP, 他们选用的和MTK6228是一样的.上面列的3个料号亦为SPREADTRUM客户的主要型号.
3. 3G之高通/BROADCOM等平台:
因为每个客户状况不一,在此仅列出512+512/1G+512供参考,其他组合单独再确认。