《晶体二极管及二极管整流电路》试题
(完整版)2018年技能高考电气类《晶体二极管及二极管整流电路》试题含答案,推荐文档
《晶体二极管及二极管整流电路》试题时间：60分钟总分：分班级：班命题人：一、判断题1. 半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若提高环境温度导电能力会减弱。
（错误）2. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（正确）3. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（正确）4. P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错误）5. PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（错误）6. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。
（正确）7. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
（正确）8. 二极管具有单向导电性。
（正确）9. 二极管是线性器件。
（错误）10. 二极管和三极管都是非线性器件。
（正确）11. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。
（错误）12. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（错误）13. 二极管的核心是一个PN结，PN结具有单向导电特性。
（正确）14. PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。
（错误）15. 二极管两端加上反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。
（正确）16. 二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时，而反向电流基本不变。
（正确）17. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。
（错误）18. 点接触型二极管其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
（正确）19. 整流二极管多为面接触型的二极管，结面积大、结电容大，但工作频率低。
（正确）20. 整流二极管多为点接触型的二极管，结面积小、结电容大，但工作频率低。
（错误）21. 点接触型二极管只能使用于大电流和整流。
（错误）22. 制作直流稳压电源元件中，整流二极管按照制造材料可分为硅二极管和锗二极管。
（正确）23. 半导体二极管按结构的不同，可分为点接触型和面接触型，各自能承受的正向电流值有较大区别。
二极管整流电路试题
二极管整流电路试题作者:日期:晶体二极管及整流电路试题(一)姓名 _________ 学号 ____________1、纯净的半导体称为 ，它的导电能力很 。
在纯净的半导 体中掺入少量的 价元素，可形成P 型半导体，又称 型半导体, 其中多数载流子为 ，少数载流子为 。
2、在本征半导体中掺入 ______ 价元素，可形成N 型半导体，其中多数载流 子为 ________ ，少数载流子为 ________ ，它的导电能力比本征半导体 _____3、如图，这是 材料的二极管的 ________ _______________ 曲线，在正向电压超过 V 后，二极管开始导通，这个电压称为 — 电压。
正常导通后，此管的正向压降约 为 V 。
当反向电压增大到 —V 时， 即称为 电压时，反向电流会急剧增大，该现象为 _____________ 。
若反向电压 继续增大，容易发生 __________ 现象。
其中 稳压管一般工作在 ___________ 区。
4、二极管的伏安特性指 _____________ 和 __________ 关系，当正向电压超过 _____ 后，二极管导通。
正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V, 锗管约为_v5、 二极管的重要特性是 ____________ ，具体指：给二极管加 _____ 电压， 二极管导通；给二极管加 ________ 电压，二极管截止。
6、 PN 结的单向导电性指 _______________________ ，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称 ______________ 。
7、 二极管的主要参数有 _______________ 、 _____________ 、 ___________ 和 _____________ ，二极管的主要特性是 ____________ 。
8、 用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、 反向电阻时，若两次测得的阻值 都较小，则表明二极管内部 _______ ；若两次测得的阻值都较大，则表明二极 管内部 _______ 。
晶体二极管及应用练习题
第一题晶体二极管及应用练习题一、填空题。
1、物质按其导电性能分为、、。
2、半导体具有、、。
3、本征半导体是指的半导体。
其内部自由电子数空穴数。
4、自由电子带一个单位的电荷，空穴带一个单位的电荷，它们电性，电量。
5、运载电荷，形成电流的微粒称为。
6、半导体中的载流子有和两种。
7、N型半导体是在中掺入微量的价元素形成一种型半导体。
其内部自由电子数空穴数。
8、P型半导体是在中掺入微量的价元素形成一种型半导体。
其内部自由电子数空穴数。
9、在一块本征半导体基片上，采用特殊方式，使一边形成P型半导体区域，另一边形成N型区域，在P区和N区交界面附近形成一个特殊薄层。
这个薄层就是。
10、PN结的内电场方向是。
11、如果给PN结加上电压称为给PN结以。
12、若PN结的P区接电源的极，N区接电源极，称为正向偏置，简称；若PN结的P区接电源的极，N 区接电源极，称为反向偏置，简称。
13、PN结的特性是。
即。
14、二极管的内部结构，究其本质而言，它就是一个。
15、二极管的伏安特性是指：。
16、在直角坐标系中，用横轴表示，纵轴表示。
将流过二极管的电流随偏置电压变化而变化的关系特性，以曲线的形式描述出来，这个曲线称为。
17、二极管的正向特性是指：在偏置电压作用下，流过二极管的电流随电压变化而变化的关系特性。
其正向特性是：在正偏压较低（即：低于）时，正向电流，近似为，这个区域称为。
在此区域内，正向电流正偏压变化而变化，其等效电阻；当正偏压大于后，流过二极管的正向电流随正偏电压变化而变化，此区域为，其等效电阻。
在此区域，二极管两端的正偏电压变化不大，近似为一个固定值，硅管约为，鍺管约为。
18、二极管的反向特性是指：在偏置电压的作用下，流过二极管的随电压的变化而变化的关系特性。
其反向特性是指：在反偏压较低（即低于）时，流过二极管的反向电流，近似为，这个区域称为。
在此区域内流过二极管的反向电流反偏压变化，其等效电阻。
当反偏压大于后，流过二极管的反向电流，此区域称为。
晶体二极管和整流电路测试题
第1章：晶体二极管和二极管整流电路一．填空题：1．二极管的P 区接电位 端，极管的N 区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之称反向偏置，二极管截止；所二极管具有 性。
2．二极管的PN 结面积不同可分为点接触型、面接触型和 型； 型二极管适用于高频、小电流的场合， 型二极管适用于低频、大电流的场合。
3．普通二极管工作时要避免工作于 ，而稳压管通常工作于 。
4．单相 用来将交流电压变换成单相脉动直流电压。
5．直流电源中，除电容滤波电路外，其它形式的滤波电路包括 、 等。
8．发光二极管能将电信号转换成 信号，它工作时需要加 偏置电压；光电二极管能将 转换成电信号，它工作时需要加 偏置电压； 二．1．二极管在反向电压超过最高反向工作电压V RM 时会损坏。
（ ）2．稳压二极管在工作中只能作反向连接。
（ ）3．电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
（三．选择题：1．图1.17所示符号中，表示发光二极管的为 （ ）2．从二极管的伏安特性可以看出，二极管两端压降大于（ ）时，处于正向导通状态。
（ ）A ．0B ．死区电压C ．反向击穿电压D ．正向压降4．直流稳压电源中，滤波电路的作用是 （ ）A ．将交流电变为较平滑的直流电B ．将交流电变为稳定的直流电C ．滤除直流电中的交流成分D ．将交流电变为脉动直流电四．1．画出桥式整流电容滤波电路图，若要求V L ＝20V ，I L ＝100ｍA ，①试求电路元件的有关参数；②变压器二次电压的有效值V 2；③整流二极管参数V F 和V RM ；。
2．图1.18给出了一些元器件的电路符号，请合理连线，构成一个5V 的直流稳压电源。
五．综合题： 1．二极管电路如图1.20电压V 0。
设二极管的导通电压降为0.7V 。
2②导通区；③截止区；④击穿区。
A .B .C .D .图1.17图1.20V V ～220V ①②③④⑤⑥W 7805V 0＝5V +-+⑦⑧⑨⑩111213输入端输出端R L 图1.18。
电子电路基础习题册参考答案-第一章
第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为 V，锗二极管的开启电压约为 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 V,锗二极管的正向压降约为V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为，流过V2的电流为 ,输出电压U0为 +5V。
15、光电二极管的功能是将光脉冲信号转换为电信号，发光二极管的功能是将电信号转换为光信号。
2018《电工电子》测验二极管整流电路
济南电子机械工程学校2017—2018学年第二学期（18上半年）《电工电子》测验2班级________ 姓名________ 学号____ （考试时间：90分钟）一、填空题1、PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。
但是当硅材料的PN结正向偏压小于 V，锗材料的PN结正向偏压小于 V时，PN结仍不导通，我们把这个区域称为。
2.线性稳压电源主要由、和三部分组成。
3．将交流电转换为直流电的过程称为。
4．把脉动直流电变成较为平稳的直流电的过程，称为。
5．常用的滤波电路有、和三种。
6．在单相桥式整流电路中，如果负载电流为２０Ａ，则流过每只晶体二极管的电流为。
二、选择题1、在P型半导体中（）A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子B．电子是多数载流子，空穴是少数载流子C．空穴的数量略多于电子 D．没有电子2、把电动势是1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管（）A．电流为零 B．电流基本正常 C．击穿 D．被烧坏3、二极管两端加上正向电压时（）A．一定导通 B．超过死区电压才能导通C．超过0.7伏才导通 D．超过0.3伏才导通4、在如图所示电路中工作于正常导通状态的二极管是（）5、电路如图所示，设二极管正向电阻为零，反向电阻为无穷大，则电压ＵAB为（）Ａ．－３伏Ｂ．５伏Ｃ．８伏Ｄ．－８伏6、有热敏特性的半导体材料受热后，半导体的导电性能将（）A、变好B、变差C、不变D、无法确定7、P型半导体是指在本征半导体中掺入微量（）A、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元素8、N型半导体是指在本征半导体中掺入微量（）A、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元素9、二极管正向电阻比反向电阻（）A、大B、小C、一样大D、无法确定10、二极管在反向截止区的反向电流（）A、随反向电压升高而升高B、随反向电压升高而急剧升高C、基本保持不变D、随反向电压升高而减少11、晶体二极管内阻是（）A、常数B、不是常数C、不一定D、没有电阻12、电路如图所示，输出电压U O应为（）A、0.7VB、3.7VC、10VD、3V13、将交流电压U i经单相半波整流电路转换为直流电压Uo的关系是（）A、Uo=U iB、Uo=0.45U iC、Uo=0.5U iD、i14、下面列出的几条曲线中，哪条表示的是二极管的伏安特性曲线（）A B C D15、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到（）A、R×100Ω或R×1KΩB、R×1ΩC、R×10ΩD、R×100Ω16、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A、减少B、增大C、不变D、缓慢减少17、如图所示，设二极管为理想状态，则电压U AB为（）A、3VB、6VC、-3VD、-6V18、如图所示的电路中，理想二极管D1、D2的工作状态为（）A、D1、D2均导通B、D1截止，D2导通C、D1、D2均截止D、D1导通，D2截止19、将交流220V经单相桥式整流电路转换为直流电压的值为（）A、110VB、0.9×220VC、220V D、220V20、某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时，则该二极管（）A、正常B、已被击穿C、内部短路D、内部开路21、已知输入正弦波Ui，欲获取图示输出波形Uo，应选取的合适电路是（）A 、B 、C 、D22、两只相同的灯泡L1、L2接在如图所示的电路中，则（）A、L1比L2亮B、L2比L1亮C、L1、L2一样亮D、以上答案都不对23、在单相半波整流电路中，如果电源变压器二次电压为１００Ｖ，则负载电压将是（）A．100ｖB．４５Ｖ；C．９０Ｖ24、在单相半波整流电路中，如果负载电流为１０Ａ，则流经整流晶体二极管的电流为（）A．４．５Ａ；B．５Ａ；C．１０Ａ25、在单相桥式整流电路中，若电源变压器二次电压为１００Ｖ，则负载电压为（）A．４５ＶB．５０ＶC．９０Ｖ26、在单相桥式整流电路中，如果负载电流为１０Ａ，则流过每只整流晶体二极管的电流为（）A．１０Ａ；B．５Ａ；C．４．５Ａ27、在单相桥式整流电路中，如果一只整流晶体二极管接反，则（）A．将引起电源短路；B．将成为半波整流电路；C．仍为桥式整流电路二、判断题1、二极管导通后，其电流大小与正向电压成正比。
《电工与电子技术基础》电子部分习题
第四章晶体二极管和二极管整流电路第一节晶体二极管（第一课时）一、选择题1、当晶体二极管的PN结导通后参加导电的是（）A.少数载流子B.多数载流子B.既有少数载流子又有多数载流子2、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体二、填空题1、半导体是一种导电能力介于和之间的物体。
2、PN结具有的性能，即：加电压时PN结导通；加的电压时PN结截止。
三、解答题1、图所示的电路中，哪些灯泡能发亮？第一节晶体二极管（第二课时）一、选择题1、晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该二极管处于（）A. 零偏B. 反偏C. 正偏2、面接触型晶体二极管比较适用于（）A.小信号检波B.大功率整流C.大电流开关3、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应该把欧姆挡拨到（）A. R×100Ω或R×1kΩ挡B. R×1Ω挡C. R×10kΩ挡4、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压，则晶体二极管相当于（）A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关5、当硅二极管加上0.3V的正向电压时，该二极管相当于（）A.小阻值电阻B.阻值很大的电阻C.内部短路二、填空题1、当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为V，锗二极管的正向压降为V。
2、晶体二极管因所加电压过大而。
并出现的现象，称为热击穿。
3、下面每小题后面的括号内，提供几种答案，选择正确的填在相应的横线上。
（1）简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起形成PN结？（能；不能；不一定）（2）二极管导通时，则二极管两端所加的是电压。
（正向偏置；反向偏置；无偏置）（3）当二极管两端的正向偏置电压增大于电压时，二极管才能导通。
（击穿；饱和；门槛）（4）二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小。
（击穿；最大；短路）第二节二极管整流电路1、在如图所示的电路中，试分析输入端a、b间输入交流电压υ时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电？2、若将单相桥式电路接成如图的形式，将会出现什么结果，应如何改正？3、如图所示两个电路中，设V1、V2均为理想二极管（即正向导通时其正向电阻和正向压降为零，反向截止时其反向电阻无穷大的二极管），试判断两图中的二极管是截止的还是导通的，A、B两端的电压V AB=？C、D端的电压V CD=？4、画出半波整流电路图。
电子电路基础习题册参考答案
电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N 型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
晶体二极管及二极管整流电路试题
《晶体二极管及二极管整流电路》试题一、判断题（每空2分，共36分）1. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（）2. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。
（）3. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
（）4. 二极管是线性器件。
（）5. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。
（）6. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（）7. PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。
（）8. 二极管两端加反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。
（）9. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。
（）10. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。
（）11. 所谓理想二极管，就是当其正向偏置时，结电阻为零，等效成开关闭合；当其反向偏置时，结电阻为无穷大，等效成开关断开。
（）12. 使用稳压管时应阳极接高电位，阴极接低电位。
13. 稳压二极管如果反向电流超过允许范围，二极管将会发生热击穿，所以，与其配合的电阻往往起到限流的作用。
（）14. 整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。
（）15. 用两只二极管就可实现单相全波整流，而单相桥式整流电路却用了四只二极管，这样做虽然多用了两只二极管，但降低了二极管承受的反向电压。
（）16. 在电容滤波整流电路中，滤波电容可以随意选择（）17. 在电容滤波整流电路中，电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。
（）18.电容滤波器中电容器容量越小滤波效果越好。
（）二、单选题（每空2分，共32分）1. 本征半导体是（）。
A. 掺杂半导体B. 纯净半导体C. P型半导体D. N型半导体2. P型半导体的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流3. 关于P型、N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（）。
A. 无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B. P型半导体中只有空穴导电C. N型半导体中只有自由电子参与导电D. 在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电4. 半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而（）。
二极管及整流电路试题及答案
二极管及整流电路试题及答案一、单选题1.二极管两端加正向电压时，A、立即导通B、超过死区电压就导通C、超过0.2V就导通D、超过击穿电压就导通【正确答案】：B2.当二极管工作在正向特性区，且所受正向电压大于其死区电压时，则二极管相当于A、大电阻B、大电容C、断开的开关D、接通的开关【正确答案】：D3.以下关于单相半波整流电路的各种叙述中，正确的是A、流过整流管的电流小于负载电流B、流过整流管的电流与负载电流相等C、整流管的端电压为零D、整流管承受的最大反向电压等于负载电压平均值【正确答案】：B4.普通二极管导通时，则二极管两端所加的电压是A、正向偏置B、反向偏置C、无偏置D、零偏置【正确答案】：A5.半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为A、杂质半导体B、本征半导体C、P型半导体D、N型半导体【正确答案】：B6.二极管正极电位为9V，负极电位为5V，则该管处于A、零偏B、反偏C、正偏D、击穿【正确答案】：C7.下图所示电路中，输入电压V，kΩ。
则当开关S1、S2均断开时，输出电压的平均值为A、45VB、90vC、100vD、120v【正确答案】：A8.下列关于电感滤波电路的叙述中，正确的是A、电路的滤波，利用了电感器的B、电感器端电压为电路输入脉动直流电中的直流分量；C、电路的输出电压平均值得到提升；D、电感量L越大，滤波效果便越好。
【正确答案】：D9.面接触型二极管比较适用于A、小信号检波B、小功率整流C、大电流开关D、大功率整流【正确答案】：D10.半导体中导电的载流子是A、电子B、空穴C、离子D、电子和空穴【正确答案】：D11.锗二极管的导通电压是A、0.1V左右B、0.3V左右C、0.5V左右D、0.7V左右【正确答案】：B12.电路如图，VD为理想二极管，则二极管的状态是A、导通B、截止C、击穿D、烧坏【正确答案】：A13.下图所示电路中，输入电压V，kΩ。
则当开关S1断开、S2闭合时，输出电压的平均值为。
(完整word版)晶体二极管和二极管整流电路试题
晶体二极管一、选择题（每题分，计分)1。
二极管正向导通时，呈现····················（ )A. 较小电阻B。
较大电阻C。
不稳定电阻 D. 无法确定2。
硅稳压管稳压电路适用于·····················( ) A。
输出电流较大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合B. 输出电流不大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合C。
输出电流不大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合D。
输出电流较大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合3.关于晶体二极管的正确叙述是···················( )A。
普通二极管反向击穿后,很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏B。
普通二极管发生热击穿,不发生电击穿C。
硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿,所以要串接电阻降压D. 以上说法都不对4.硅材料二极管的正向压降一般为( ） VA。
0。
2 B. 0.3 C。
0.5 D. 0。
75。
通常要求二极管正反向电阻相差················· ( ）A. 越小越好B。
二极管和二极和二极整流电路练习题
晶体二极管和二极管整流电路一（二极管的单向导电性）一、填空题：1、晶体二极管加时导通，加电压时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。
二、判断题：1、二极管加上反向电压时，它的正极电位比负极电位高。
（）2、由于二极管具有单向导电性，所以二极管要正向接入电路才能发挥作用。
（）3、二极管两端加上正向电压就导通。
（）4、二极管导通时两端所加的是正向偏置电压。
（）三、选择题：1、晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于（）状态。
A零偏B反偏D正偏2、如果把二极管的阳极接到6V的电源正极，把阴极接到电源的负极，二极管会（）。
A正偏B反偏C不允许这样接3、晶体二极管正偏时相当于（）A断开的开关B闭合的开关C以上都不对4、二极管具有（）A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性二（PN结）一、填空题：1、半导体是指导电性能的物体。
2、在半导体中存在两种载流子：一种是，带电；一种是，带电。
3、称为本征半导体。
4、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。
5、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。
6、在本征半导体中加入微量的硼元素可得到型半导体，在本征半导体中加入微量的磷元素可得到型半导体。
7、在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。
在P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层，称为。
8、二极管之所以具有单向导电性，是因为其内部有一个具有单向导电性的。
二、判断题：1、空穴是半导体中特有的一种带正电的电荷。
（）2、N型半导体中导电的是自由电子。
（）3、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。
（）4、在半导体内部，只有空穴是载流子。
（）5、在P型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
（）6、半导体中导电的是多数载流子。
（）7、把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起就能形成PN结。
(完整版)常用半导体元件习题及答案
第5章常用半导体元件习题5。
1晶体二极管一、填空题:1．半导体材料的导电能力介于和之间,二极管是将封装起来,并分别引出和两个极。
2．二极管按半导体材料可分为和 ,按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。
3．二极管有、、、四种状态，PN结具有性，即。
4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。
5．使用二极管时，主要考虑的参数为和二极管的反向击穿是指。
6．二极管按PN结的结构特点可分为是型和型。
7．硅二极管的正向压降约为 V,锗二极管的正向压降约为 V;硅二极管的死区电压约为V,锗二极管的死区电压约为 V。
8．当加到二极管上反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
9．利用万用表测量二极管PN结的电阻值，可以大致判别二极管的、和PN结的材料。
二、选择题：1。
硅管和锗管正常工作时，两端的电压几乎恒定，分别分为( ).A。
0。
2-0.3V 0。
6—0.7V B. 0.2—0.7V 0.3-0。
6VC.0.6-0。
7V 0.2-0.3V D。
0。
1—0.2V 0.6-0.7V的大小为( ).2。
判断右面两图中，UABA. 0。
6V 0.3V B。
0。
3V 0.6VC. 0.3V 0。
3V D。
0。
6V 0.6V3.用万用表检测小功率二极管的好坏时，应将万用表欧姆档拨到( ）Ω档.A。
1×10 B. 1×1000 C. 1×102或1×103 D。
1×1054. 如果二极管的正反向电阻都很大，说明（ ) .A. 内部短路 B。
内部断路 C。
正常 D. 无法确定5。
当硅二极管加0。
3V正向电压时，该二极管相当于（ ) 。
A. 很小电阻 B。
很大电阻 C。
短路 D。
开路6．二极管的正极电位是—20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（）。
A．反偏 B．正偏 C．不变D。
断路7．当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A．增大 B．减小 C．不变D。
电子(填空、选择、判断、简答)
第一章二极管及其应用一.填空题（共20道）1.利用半导体的特性，可制成和半导体。
2.PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。
3.半导体最主要的导电特性是、和。
4.导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为__________，常用的半导体材料有________和__________等。
5.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为__________、________和______________三类。
6. PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位_____。
7. PN结正偏时，P区接电源的____极，N区接电源的____极；PN结反偏时，P区接电源的_____极，N区接电源的____极。
8.硅二极管的死区电压为V，锗二极管的为 V；导通管压降，硅管为V，锗管为V。
9.当电压时，反向电流会急剧增大，这种现象称为""。
10.发光二极管和光敏二极管也是常用的二极管，其中_________________是用来将光信号变成电信号的，_________________是作为显示器件用的。
11.晶体二极管是用一个PN结制成的半导体器件，它的最基本的性质是______________，用伏安特性来描述。
硅管的死区电压和正向压降比锗管的_____________，而反向饱和电流比锗管的______________得多。
12.发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转换成信号。
13.有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_____________；有一硅二极管正、反向电阻均接近于无穷大，表明二极管已_______________。
14.2CW是____________材料的__________二极管；2AP是__________材料的____________二极管；2DZ是____________材料的__________二极管；2AK是___________材料的___________二极管。
二极管整流电路试题 月考
2012级12月电子月考试题一、填空1、在本征半导体中掺入价元素，可形成N型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为，它的导电能力比本征半导体。
2、如图，这是材料的二极管的____曲线，在正向电压超过 V后，二极管开始导通，这个电压称为电压。
正常导通后，此管的正向压降约为 V。
当反向电压增大到 V时，即称为电压时，反向电流会急剧增大，该现象为。
若反向电压继续增大，容易发生现象。
其中稳压管一般工作在区。
3、用万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部。
两次测的阻值相差越大，则说明二极管的越好。
4、整流是指_______________________________________，将交流电转换成较稳定的直流电，一般要经过以下过程： ___________ →____________ →____________ →____________5、有一直流负载R L=9Ω，需要直流电压V L=45V, 现有2CP21 (I FM=3000mA,V RM=100V)和2CP33B (I FM=500mA, V RM=50V) 两种型号的二极管若干,若采用桥式整流电路，应该选用型的二极管只。
6、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成分滤去，获得比较的直流电,通常接在电路的后面。
它一般分为、和两类，其中的滤波效果较好。
7、图中，V为硅二极管。
1)S与A接通时，V的状态，V MN= V与B接通时，的状态，V MN= V二、判断题1、( )将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。
2、（）P型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。
3、（）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
4、（）硅二极管死区电压是0.3V，正向压降是0.6V。
5、（）硅的导通电压为0.3V，锗的导通电压为0.7V 。
6、（）二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。
二极管整流电路试题
晶体二极管和二极管整流电路习题一、填空1、纯净的半导体称为 ，它的导电能力很 。
在纯净的半导体中掺入少量的三价元素，可形成P 型半导体，又称 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 。
2、如图，这是 材料的二极管的____ 曲线， 在正向电压超过 V 后，二极管开始导通，这个电压称为电压。
正常导通后，此管的正向压降约为 V 。
当反向电压增大到 V 时，即称为 电压时，反向电流会急剧 增大，该现象为 。
若反向电压继续增大， 容易发生 现象。
其中稳压管一般工作在 区。
3、二极管的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过 _____后，二极管导通。
正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V 。
4、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。
5、PN 结的单向导电性指 ，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称 。
6、二极管的主要参数有 ________、_________和 ，7、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部 ；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部 。
两次测的阻值相差越大，则说明二极管的 性能越好。
8、有一直流负载R L =9Ω，需要直流电压V L =45V,现有2CP21(I FM =3000mA,V RM =100V)和2CP33B(I FM =500mA,V RM =50V) 两种型号的二极管,若采用桥式整流电路，应选用 型二极管 只。
9、稳压二极管的稳压特性指 ，动态电阻r Z 越大，说明稳压性能越 。
10、滤波器的作用是将整流电路输出的 中的 成分滤去，获得比较 的直流电,通常接在 电路的后面。
它一般分为 、 和 三类，其中 的滤波效果较好。
11、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_______ ，又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已_______ 。
(完整版)二极管习题
二极管电路习题一、选择题1、在题 1.1 图所示电路中，U A0 电压为（ ） （a ）12V （b ）-9V （c ）-3V2 在题 1.2 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2、D3 的工作状 态为（ ） 。
（a ）D1 导通，D2、D3 截止 （b ）D1、D2 截止，D3 导通 （c ）D1、D3 截止，D2 导通3 在题 1.3 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2 的工作状态为 （ ） 。
（a ）D1 导通，D2、截止 （b ）D1、D2 均导通 （c ）D1、截止，D2 导通4 在题 1.4 图所示电路中，D1、D2 为理想元件，则电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）5V （c ）2V5 电路如题 1.5 图（a ）所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为图（b ）所 示的三角波，则输出电压 u0 的最大值为（ ） 。
（a ）5V （b ）17V （c ）7V6 在题 1.6 图所示电路中，二极管为理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV ,R=4KΩ,则 uF 等于( ). （a ）3V （b ）2sinωtV （c ）3+2sinωtV7 在题 1.7 图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）0V （c ）－12V8 在题 1.8 图（1）所示电路中，二极管 D 为理想元件，设 u1=2sinωtV,稳压二 极管 DZ 的稳定电压为 6V ，正向压降不计，则输出电压 u0 的波形为图（2）中的 波形（ ）12V9V(c) RV O题1.1图9 在题1.9 图所示电路中，稳压二极管DZ2 的稳定电压为6V，DZ2 的稳定电压为12V，则输出电压U0 等于（）。
（a）12V （b）6V （c）18V10 在题1.10 图所示电路中，稳压二极管DZ1 和DZ2 的稳定电压分别为6V 和9V，正向电压降都是0.7V。
晶体二极管复习题
晶体二极管复习题一、填空题：1、晶体二极管加时导通,加时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。
2、所谓半导体是指。
半导体中存在两种载流子：和。
３、的半导体称为本征半导体。
４、P型半导体又称为半导体，其内部为多数载流子, 为少数载流子。
5、N型半导体又称为半导体,其内部为多数载流子，为少数载流子。
６、晶体二极管是在硅或锗单晶基片上加工出P型区和Ｎ型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。
P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层称为PN结,ＰN 结具有性。
7、加在二极管两端的和间的关系称为二极管的伏安特性,二极管的伏安特性曲线是的(填“线性”或“非线性”）。
8、二极管的门坎电压:硅：，锗:。
9、二极管的导通电压：硅: ,锗：。
1０、当二极管的正向电压小于门坎电压时,二极管处于状态。
11、当二极管的反向电压小于反向击穿电压时，反向电流很小,它不随反向电压而变化，称为。
12、用万用电表测试二极管时，将万用表拨到挡,一般用挡。
用红黑表笔分别接二极管的两端测试一次，再将红黑表对调再测试一次，若两次测得的值都很大,则表明；若两次测得的值都很小,则表明；若一次大一次小,则表明，其中电阻较小的那一次黑表笔所接的为二极管的极。
１34、画电路图符号:整流二极管：,稳压二极管：,发光二极管:,光敏二极管:。
1４、二极管的型号中：第二部分所表示的意义：A：，Ｂ: ，Ｃ：,D：；第三部分所表示的意义：P: ,W: ,Ｚ: 。
二、选择题:1、如果二极管的阳极电位为1.５Ｖ，阴极的电位为0.８Ｖ,二极管将会（)。
Ａ导通ﻩﻩB截止ﻩﻩﻩＣ烧坏二极管ﻩＤ无法确定2、晶体二极管的阳极电位是—7V,阴极电位是—5V,该晶体二极管处于（）。
A正偏ﻩﻩﻩB反偏ﻩﻩＣ零偏ﻩﻩD无法确定３、半导体二极管加正向电压时，( )A、电流大电阻小ﻩﻩB、电流大电阻大ﻩＣ电流小电阻小D、电流小电阻大4、半导体中的空穴和自由电子数目相等的半导体称为(）。
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《晶体二极管及二极管整流电路》试题
一、判断题（每空2分，共36分）
1
1. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（）
2. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。
（）
3. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
（）
4. 二极管是线性器件。
（）
5. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。
（）
6. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（）
7. PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。
（）
8. 二极管两端加反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。
（）
9. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。
（）
10. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。
（）
11. 所谓理想二极管，就是当其正向偏置时，结电阻为零，等效成开关闭合；当其反向偏置时，结电阻为无穷大，等效成开关断开。
（）
12. 使用稳压管时应阳极接高电位，阴极接低电位。
13. 稳压二极管如果反向电流超过允许范围，二极管将会发生热击穿，所以，与其配合的电阻往往起到限流的作用。
（）
14. 整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。
（）
15. 用两只二极管就可实现单相全波整流，而单相桥式整流电路却用了四只二极管，这样做虽然多用了两只二极管，但降低了二极管承受的反向电压。
（）
16. 在电容滤波整流电路中，滤波电容可以随意选择（
）
17. 在电容滤波整流电路中，电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。
（）
18.电容滤波器中电容器容量越小滤波效果越好。
（）
二、单选题（每空2分，共32分）
1. 本征半导体是（）。
A. 掺杂半导体
B. 纯净半导体
C. P型半导体
D. N型半导体
2. P型半导体的多数载流子是（）。
A. 电子
B. 空穴
C. 电荷
D. 电流
3. 关于P型、N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（）。
A. 无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴
B. P型半导体中只有空穴导电
C. N型半导体中只有自由电子参与导电
D. 在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电
4. 半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而（）。
A. 降低/降低
B. 降低/升高
C. 升高/降低
D. 升高/升高
5. PN结呈现正向导通的条件是( )。
A. P区电位低于N区电位
B. N区电位低于P区电位
C. P区电位等于N区电位
D. N区接地
6. 硅二极管导通时，它两端的正向导通压降约为（）。
A. B. C. D.
7. 二极管由（）个PN结组成。
D. 0
8. 晶体二极管的正极电位是-8V，负极电位是-2V，则该晶体二极管处于（）。
A. 反偏
B. 正偏
C. 零偏
D. 不可判断
9. 晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-16V，则该晶体二极管处于（）。
A. 反偏
B. 正偏
C. 零偏
D. 不可判断
10. 稳压二极管具有（）作用。
A. 开关
B. 稳压
C. 放大
D. 滤波
11. 稳压二极管的正常工作状态是（）。
A. 导通状态
B. 截止状态
C. 反向击穿状态
D. 饱和状态
12. 整流电路的目的是（）。
A. 将交流变为直流
B. 将高频变为低频
C. 将正弦波变为方波
D. 将直流变为交流
13. 稳压二极管是利用二极管的（）特征制造的特殊二极管。
A. 正向导通时电压变化小
B. 反向截止时电流小
C. 反向击穿时电压变化小而反向电流变化大
D. 单向导电
14. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的正向导通压降（）。
A. 大
B. 小
C. 相等
D. 无法判断
15. 电路如图所示，则处于导通状态的二极管是( )。
A. 只有D1
B. 只有D2
C. D1和D2
D. D1和D2均不导通
16. 当硅晶体二极管加上正向电压时，该晶体二极管相当于（）。
A. 小阻值电阻
B. 一根导线
C. 内部短路
D. 阻值很大的电阻
三、填空题（每空2分，共24分）
1、把交流电转换成直流电的过程称为，原理是利用晶体二极管的性。
常用的整流电路有：、、。
2、滤波电路的作用是：。
3、常见的滤波器有：、、。
4、晶体二极管因所加电压过大而，并且出现的现象，称为热击穿。
四、分析题
1.如图所示电路中，哪一个灯泡不亮（2分）
2、如图所示整流电路，若直流电压表V L读数为110V，负载电阻R L=80Ω，问：①直流电流表A的读数为多少②交流电压表V2读数是多少（6分）。