存储器配置
51单片机：存储器
内部 RAM 0000 H
RAM （64K ）
007FH
0000 H
数据存储器
引脚接为高电平时，CPU可访问内部和外部ROM，并 且程序自片内程序存储器开始执行，PC值超出片内 ROM容量时，会自动转向片外程序存储器中的程序。 引脚接为低电平时，CPU只 能访问外部ROM，无法使 用片内程序存储器。
(3)EPROM型(Erasable Programmable ROM，可擦除可编程 ROM)，其典型外观标志是芯片上有一个紫外线擦除窗口。 这种存储器编程使用一定的直流电源（如+21V电压），而 擦除则用紫外线灯光照射芯片窗口（一般需15～30分钟）， 重新编程后用不透明标签将窗口贴覆遮盖住即可。 MCS-51系列单片机8751的片内ROM以及27系列存储器 芯片都属于此类产品。 （4）E2PROM型(Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM)。这种存储器可以直接用电擦 写，比较方便数据的改写，较新型只读存储器，编程速度较 快。擦除、写入和读出电压均为+5V。28系列存储器属于此 类产品。
（二） 存储器的分类
sk ROM 型 OTPROM型
ROM
半导体存储器 （Memory）
EPROM型 E2PROM型 Flash ROM型 SRAM
RAM
DRAM
(1)Mask ROM 型：掩膜ROM。其编程只能由制造商通过 半导体掩膜技术完成，用户无法改写，所以对用户而言， 它是严格意义的只读存储器。如8051中的4KB程序存储器 就是这一种，这种ROM适用于有固定程序且大批量生产的 产品中。 一次可编程ROM(One Time 型：一次可编程 (2)OTPROM型： Programmable ROM)。用户可通过专门设备对其一次性写 入程序，此后便不能改写。这种程序存储器可靠性很高， 适合于存放已调试成功的用户程序，投入规模生产，但调 试阶段不宜用。目前，国内外有很多单片机制造商提供片 内集有OTPROM的单片机产品，可供用户选择。
《单片机原理及应用》课件01-51单片机基本结构与存储器分配
内中断
并行口
外中断
P0 P1 P2 P3
串口模块 TXD RXD
中断模块 INT0 INT1
P0.0～P0.7
P2.0～P2.7
VCC (+5V)
GND
RAM地址 锁存器
RAM
通道0驱动器
通道0锁 存器
通道2驱动器
通道2锁 存器
ROM/ EPROM
程序地址寄存器
PSEN ALE
EA RST
B寄存器 ACC TMP2
片内地址空间：RAM 128B（00H-7FH） SFR 128B（80H-FFH）
128B SFR
128B RAM
FFH 21个SFR分布 在80H-FFH
83个可寻址位
80H 7FH
用户、
堆栈区
30H 2FH
位寻址区
20H 1FH
工作寄存器区
00H
内部RAM组织结构
10
所有的RAM区(位 寻址区、工作寄 存器区）都可以 用于存放数据， 故也称为数据缓 存寄存器
特殊功能寄存器(SFR)
▼特殊功能寄存器SFR（专用寄存器）
专用于控制、选择、管理、存放单片机内部各功能 部件的工作方式、条件、状态、结果的寄存器。
▼不同的SFR管理不同的硬件模块，负责不同的功 17 能——各司其职
换言之：要让单片机实现预定的功能，必须有相应 的硬件和软件，而软件中最重要的一项工作就是对 SFR写命令（要求）。
4 堆栈指针ＳＰ
堆栈：
在片内RAM中，指定一个专门的区域来存放某 些特别的数据,它遵循先进后出和后进先出 (LIFO/FILO）的原则,这个RAM区叫堆栈。
功用：
22
89C51存储器配置
第二章 单片机的结构和原理
2.3 89C51存储器配置
2.3.1 89C51存储器分类 2.3.2 程序存储器地址空间 2.3.3 数据存储器地址空间
2
2.3.1 89C51存储器分类
程序存储器51 存储器
片外程序存储器 片内数据存储器
数据存储器 RAM
片外数据存储器
3
2.3.2 程序存储器地址空间
1. 通过16位程序计数器PC寻址，最大寻址空间64K 2. 没有指令可以从程序存储空间转移到数据存储空间 3. 片内ROM 4K 0000H~0FFFH
片外ROM 64K 0000H~FFFFH 4. ������������高，访问片内ROM，������������低，访问片外ROM 5. 8031没有片内ROM，������������接地 6. 89C51 片内､片外ROM存取速度相等 7. ROM特殊存储空间（保留的存储单元） 8. 访问ROM 的指令 ，MOVC
P1
P0
EA VCC
ALE
P2 RD P3 WR
锁存器 I/O 页面地址
RAM 数据
6116 地址
WE OE
89C51 外扩片外RAM接法 图2.12 89C51外扩片外RAM接法
Flash ROM队列 FFFF
片外
15
RAM队列
FFFF
片外 RAM
& I/O口
EA=0 片外
0FFF 0000
EA=1 片内
定
志位 进位）
寄存器组选择
溢出 （补码 运算溢 出）
保留
奇\ 位意义 偶校 验位
12
RS1
RS2
寄存器组
0
0
DSP存储空间的配置
DSP存储空间的配置在DSP的开发过程中，开发者难免会遇到DSP芯片内部存储器和片外扩展存储器的配置等问题。
本文以TMS320C54x系列DSP为例，讨论DSP存储空间的分配问题。
存储器空间'C54x系列DSP存储器分为三个独立选择的空间—程序、数据和I/O，其中程序存储器存放待执行的指令和执行中所用的系数(常数)，可使用片内或片外的RAM、ROM或EPROM等来构成；数据存储器存放指令执行中产生的数据，可使用片内或片外的RAM和ROM来构成。
I/O存储器存放与映象外围接口相关的数据，也可以作为附加的数据存储空间使用。
这三个空间的寻址范围取决于DSP芯片地址线数目。
例如，'C54x系列DSP 从'C548开始，芯片有23根地址线，具有8M字节存储空间寻址能力。
'C54x通过包含在处理器工作方式的状态寄存器(PMST)中的3个状态位，选择片内存储器作为程序空间或数据空间。
这3个状态位是：1.MP/MC位。
MP/MC=0，则片内ROM安排到程序空间；MP/MC=1，则片内ROM不安排到程序空间。
2.OVLY位。
OVLY=1，则片内RAM安排到程序和数据空间；OVLY=0，则片内RAM只安排到数据存储空间。
3.DROM位。
当DROM=1，则部分片内ROM安排到数据空间；DROM=0，则片内ROM不安排到数据空间。
程序设计者可根据不同的需求，相应的配置这3个位，使系统的存储空间满足应用要求。
同时，为了扩展'C54x系列DSP的寻址空间，还增加了一个额外的存储器映像寄存器—程序计数器扩展寄存器XPC，以及6条寻址扩展程序空间的指令。
以TMS320C5410为例，它的程序空间分成128页面，每页64K字。
该64K字程序空间分为两部分：一部分是公共的32K 字，另一部分是各自独立的32K字。
公共存储器为所有页面共享，每个页面独立的32K字存储器只能按指定的页面号寻址，这个页面号由XPC寄存器设定。
AT24CO4中文资料
编辑本段 AT24C04 特点AT24C04，采用DIP封装方式。
存储器配置:512 x 8bit封装类型:DIP针脚数:8工作温度范围:-40°C to +85°C封装类型:DIP器件标号:24器件标记:24C04存储器容量:4Kbit存储器电压 Vcc:2.5V存储器类型:EEPROM工作温度最低:-40°C工作温度最高:+85°C接口类型:Serial, I2C电压, Vcc:5.5V电源电压最大:5.5V电源电压最小:1.8V芯片标号:24C04表面安装器件:通孔安装逻辑功能号:24C04频率:1MHz1、AT24C04介绍关于I2C的介绍，这里就不用说了，直接介绍24C04了。
24C04是4K位串行CMOS E2PROM。
引脚的认识：SCL 串行时钟引脚SDA 串行数据/地址A0、A1、A2 器件地址输入端WP 写保护（WP 管脚连接到Vcc，所有的内容都被写保护（只能读）。
当WP 管脚连接到Vss 或悬空，允许器件进行正常的读/写操作。
）2、AT24C04之准备工作首先，我们先查看一下实验板上面的接线图。
如图1所示。
图1 24c04连接图我们要注意的第一点是器件地址全部是0，即接地处理。
第二点是读写保护WP接地，意味着我们可以随意存取。
第三点是我们要用到的引脚连接到了P3^6和P3^7上。
在这里还要提醒一下，就是引脚上一定要有上拉电阻！阻值在470~1k都可以的，具体的数值可以参考相关的手册。
在程序里我们需要先做以下定义：sbit AT24C04_SCL=P3^7;sbit AT24C04_SDA=P3^6;在写这个程序的时候，要使用到键盘，不用太多按键，我们暂时只用四个。
把实验板上面的跳线JP8接到“-”端上，使第一行的按键变为独立键盘就可以了。
线路图如图2所示。
图2 键盘部分电路图键盘这部分我就不说了吧，直接附上我用到的这部分程序，在我的程序中，并没有判断按键是否松开，而是使用的延时，这样的好处是一直按着按键，数据会一直在变化，要不然，频繁的按真的很累人。
sram配置参数
sram配置参数SRAM配置参数介绍SRAM（Static Random Access Memory）是一种用于存储和获取数据的随机访问存储器。
它与动态随机访问存储器（DRAM）相比，具有更快的访问速度和更低的功耗。
在互联网技术中，SRAM被广泛应用于高速缓存、网络交换机、微控制器等领域。
本文将详细介绍SRAM的配置参数，包括容量、速度、位宽和延迟等方面。
1. 容量：SRAM的容量是指其可以存储的数据量大小。
常见的SRAM容量有8位、16位、32位、64位等。
容量越大，SRAM能够存储的数据量就越多，但同时也会占用更多的芯片空间和功耗。
2. 速度：SRAM的速度是指其读写操作的时间。
速度越快，SRAM能够更迅速地响应CPU或其他设备的读写请求。
常见的SRAM速度有10ns、8ns、6ns等。
需要注意的是，速度与容量、功耗之间存在一定的平衡关系，提高SRAM的速度可能会增加功耗。
3. 位宽：SRAM的位宽是指一次读写操作能够同时处理的数据位数。
位宽越大，SRAM在一次读写操作中能够处理的数据位数就越多，但同时也需要更多的引脚和芯片空间。
常见的SRAM位宽有8位、16位、32位等。
4. 延迟：SRAM的延迟是指进行读写操作所需的时间。
延迟越小，SRAM能够更快地响应读写请求。
延迟受到多种因素影响，包括SRAM内部电路设计、工作频率等。
通常，快速的SRAM具有较小的延迟。
SRAM的配置参数如容量、速度、位宽和延迟等，会根据具体应用需求而变化。
在选择SRAM时，需要根据系统的处理能力、存储需求和功耗预算等进行综合考虑。
合理的SRAM配置可以提升系统性能，并满足互联网技术的要求。
总结：本文对SRAM的配置参数进行了介绍，包括容量、速度、位宽和延迟等方面。
这些参数的选择应根据具体应用需求进行综合考虑，以提升系统性能和满足互联网技术的要求。
第三讲51单片机存储器及寻址方式
TMOD 定时器方式寄存器
部分专用寄存器介绍
1) 程序状态字寄存器PSW C AC F0 RS1 RS0 OV F1 P
C：为进位标志，AC：半进位标志，F0 、 F1为用户标志， RS1和RS0为当前工作寄存器组的选择位，OV 是溢出标志 位， P是奇偶标志位。
2)ACC：累加器 3)DPTR：地址寄存器
B ACC PSW TH2* TL2* RCAP2H* RCAP2L* T2MOD* T2CON* IP P3 专 IE 用 WDTRST 寄 P2 存 SBUF 器 SCON 区 P1 SFR TH1 TH0 TL1 TL0 TMOD TCON PCON DP1H DP1L DPH DPL SP P0
工作寄存器区： 00H~1FH
30H 2FH
用户RAM区
位寻址区：
20H~2FH
20H 1FH 18H 17H
位寻址区 （位地址00H～7FH）
第3组工作寄存器区R0～R7
用户RAM区： 30H~7FH
第2组工作寄存器区R0～R7 10H 0FH 第1组工作寄存器区R0～R7 08H 07H 第0组工作寄存器区R0～R7 00H
二、数据存储器
工作寄存器区
地址：00H~1FH,32B；
4组：每组为8个8位寄存器
R0~R7；
由PSW中的RS1,RS0选择 当前工作寄存器。
RS1RS0与工作寄存器的关系
工作寄存器选择
组
0 1 2
RS1 RS0 R0
0 0 1 0 1 0 00H 08H 10H
R1
01H 09H 11H
假定R1寄存器的内容是 60H，则其功能是以 R1寄存 器的内容60H为地址，将60H地址单元的内容与累加器A 中的数相“与”，其结果仍存放在A中。
嵌入式存储器及系统结构
上面那个系统的外围器件比较多,电路也比较复杂. 对于很多的嵌入式系统,如小型手持设备而言,出于硬件成 本,PCB板面积等因素的考虑,往往去掉其它一些器件. 比如,在自带Nand Flash的情况下,可用NandFlash代替 EEPROM和NorFlash.如有些MCU自带USB控制器和 LCD Driver,RTC等,就可以省去这些外围电路.但需要 一个MCU/MPU能直接运行的Bootloader程序对存放在 NandFlash的程序进行引导.该BootLoader程序必须带有 NandFlash驱动. 对于另外一些MPU,由于自身并不带有RAM和ROM,就需 要扩展相应的电路. 对于某些MCU/MPU,其内置的ROM自带有Bootloader.
嵌入式存储器及系统结构嵌入式系统结构嵌入式系统体系结构嵌入式系统软件结构嵌入式系统的组成结构嵌入式系统的结构嵌入式系统的存储结构嵌入式系统结构图嵌入式系统数据结构嵌入式存储器
嵌入式存储器及系统结构
李 立华 2007.04.13
目录
1.嵌入式存储器简介 嵌入式存储器简介
1.1 常用存储器简介
1.嵌入式系统存储器 1.嵌入式系统存储器
对NandFlash而言,h读写流程图.
写数据
读数据
事实上,在写数据时,还要先对擦除NandFlash. 在送地址和数据时,NandFlash通过I/O总线依次送入地址和数据,而 且读写是以块为单位进行操作. 这样,如果要访问NandFlash内的数据,必段以块中的页为单位,根据 所指定的块和页将该页的数据读入内存,然后根据内存中的相对地址 对该数据进行访问. 该原理和PC机的硬盘工作机理很相似. 如果需要将NandFlash作程序存储器,需要注意以下事项: (1)由于NandFlash出错和出现坏块的机会比NorFlash大得多,而程序出 错后的问题往往是致命的.所以必须有错误冗余校验机制和纠错机制. (2)由于MCU/MPU不能直接对NandFlash程序和数据进行访问,所以必 须有一个BootLoader程序将NandFlash程序映射到RAM中才可以执行. 也就是说在该单片机系统中,必须有一个ROM存储引导程序.该引 导程序一般说来是很精巧的. 在该BootLoader,必须包含NandFlash读驱动程序. 需要注意的是,该处的BootLoader和我们PC机的Boot是有区别的,而 更像PC机的BIOS程序. (3)用NandFlash存储程序的系统一般都用于程序量比较大,且要求带有 NandFlash存储器的系统.
MAX 10嵌入式存储器用户指南说明书
MAX 10嵌入式存储器用户指南订阅反馈UG-M10MEMORY2015.11.02101 Innovation Drive San Jose, CA 内容MAX® 10嵌入式存储器概述..............................................................................1-1 MAX 10嵌入式存储器体系结构和功能............................................................2-1 MAX 10嵌入式存储器一般特性............................................................................................................2-1控制信号...........................................................................................................................................2-1奇偶校验位......................................................................................................................................2-2读使能...............................................................................................................................................2-2Read-During-Write..........................................................................................................................2-3字节使能...........................................................................................................................................2-3Packed模式支持.............................................................................................................................2-4地址时钟使能支持.........................................................................................................................2-5异步清零...........................................................................................................................................2-6 MAX 10嵌入式存储器操作模式............................................................................................................2-7支持的存储器操作模式.................................................................................................................2-8 MAX 10嵌入式存储器时钟模式............................................................................................................2-9时钟模式中的异步清零..............................................................................................................2-10同时的读和写中的输出读数据.................................................................................................2-10时钟模式的独立时钟使能..........................................................................................................2-10 MAX 10嵌入式存储器配置...................................................................................................................2-11端口宽度配置................................................................................................................................2-11双端口模式的存储器配置..........................................................................................................2-11最大模块深度配置.......................................................................................................................2-12 MAX 10嵌入式存储器设计考量........................................................................3-1实现外部冲突解决.....................................................................................................................................3-1定制Read-During-Write行为..................................................................................................................3-1相同端口Read-During-Write模式.............................................................................................3-2混合端口Read-During-Write模式.............................................................................................3-3考虑上电状态和存储器初始化...............................................................................................................3-4控制时钟以降低功耗.................................................................................................................................3-5选择Read-During-Write输出..................................................................................................................3-6 RAM：1-Port IP内核参考.................................................................................4-1 RAM：MAX 10器件的1-Port IP 内核信号.........................................................................................4-2MAX 10器件的RAM: 1-Port IP内核参数............................................................................................4-3RAM: 2-PORT IP内核参考................................................................................5-1 MAX 10器件的RAM: 2-Port IP内核信号(简单双端口RAM)........................................................5-5 MAX 10器件的RAM: 2-Port IP内核信号(真双端口RAM) ...........................................................5-7 MAX 10器件的RAM: 2-Port IP内核参数............................................................................................5-9 ROM：1-PORT IP内核参考..............................................................................6-1 MAX 10器件的ROM：1-PORT IP内核信号......................................................................................6-2 MAX 10器件的ROM：1-PORT IP内核参数......................................................................................6-4 ROM: 2-PORT IP内核参考................................................................................7-1 ROM: MAX 10器件的2-PORT IP内核信号........................................................................................7-3 MAX 10器件的ROM:2-Port IP内核参数 ...........................................................................................7-4移位寄存器（基于RAM）IP内核参考............................................................8-1 MAX 10器件的移位寄存器(基于RAM)IP内核信号........................................................................8-1 MAX 10器件的移位寄存器(基于RAM) IP内核参数.......................................................................8-2 FIFO IP内核参考................................................................................................9-1 MAX 10器件的FIFO IP内核信号 ........................................................................................................9-2 MAX 10器件的FIFO IP内核参数 ........................................................................................................9-4ALTMEMMULT IP内核参考...........................................................................10-1 MAX 10器件的ALTMEMMULT IP内核信号..................................................................................10-1 MAX 10器件的ALTMEMMULT IP内核参数..................................................................................10-2 MAX 10嵌入式存储器用户指南的附加信息...................................................A-1 MAX 10嵌入式存储器用户指南的文档修订历史.............................................................................A-1MAX® 10嵌入式存储器模块已被优化，以用于诸如高吞吐量数据包处理、嵌入式处理器编程和嵌入式数据存储的应用程序。
(整理)DSP存储空间的分配问题.
在DSP的开发过程中，开发者难免会遇到DSP芯片内部存储器和片外扩展存储器的配置等问题。
本文以TMS320C54x系列DSP为例，讨论DSP存储空间的分配问题。
存储器空间'C54x系列DSP存储器分为三个独立选择的空间—程序、数据和I/O，其中程序存储器存放待执行的指令和执行中所用的系数(常数)，可使用片内或片外的RAM、ROM或EPROM等来构成；数据存储器存放指令执行中产生的数据，可使用片内或片外的RAM和ROM来构成。
I/O存储器存放与映象外围接口相关的数据，也可以作为附加的数据存储空间使用。
这三个空间的寻址范围取决于DSP芯片地址线数目。
例如，'C54x系列 DSP 从'C548开始，芯片有23根地址线，具有8M字节存储空间寻址能力。
'C54x通过包含在处理器工作方式的状态寄存器(PMST)中的3个状态位，选择片内存储器作为程序空间或数据空间。
这3个状态位是：(1)MP/MC位。
MP/MC=0，则片内ROM安排到程序空间；MP/MC=1，则片内ROM不安排到程序空间。
(2)OVLY位。
OVLY=1，则片内RAM安排到程序和数据空间；OVLY=0，则片内RAM只安排到数据存储空间。
(3)DROM位。
当DROM=1，则部分片内ROM安排到数据空间；DROM=0，则片内ROM不安排到数据空间。
程序设计者可根据不同的需求，相应的配置这3个位，使系统的存储空间满足应用要求。
同时，为了扩展'C54x系列DSP的寻址空间，还增加了一个额外的存储器映像寄存器—程序计数器扩展寄存器XPC，以及6条寻址扩展程序空间的指令。
以TMS320C5410为例，它的程序空间分成128页面，每页64K字。
该64K字程序空间分为两部分：一部分是公共的32K字，另一部分是各自独立的32K字。
公共存储器为所有页面共享，每个页面独立的32K字存储器只能按指定的页面号寻址，这个页面号由XPC寄存器设定。
存储器的层次结构及组成原理
存储器的层次结构及组成原理一、概述存储器是计算机系统中重要的组成部分，它用于存储和访问数据和指令。
存储器的层次结构是根据存储器的速度、容量和成本等因素将其分为多个层次，以实现高效的数据访问和管理。
二、存储器层次结构存储器的层次结构通常分为以下几个层次： ### 1. 寄存器(Register) 寄存器是存储在CPU内部的最快速的存储器。
它用于存放指令、数据和地址等临时信息，可以直接被CPU访问。
寄存器的容量较小，一般只有几百个字节。
2. 高速缓存(Cache)高速缓存位于CPU和主存之间，其目的是加快存储器的访问速度。
缓存通过存储近期被频繁访问的数据和指令，以提高CPU对存储器的命中率。
3. 主存储器(Main Memory)主存储器是计算机系统中最主要的存储器，也是存储器的最大层次。
主存储器被划分为许多地址连续的存储单元，每个存储单元可以存储一个字节或多个字节的数据。
主存储器由半导体或磁介质制成。
4. 辅助存储器(Auxiliary Memory)辅助存储器用于长期存储大量的数据和程序。
它的容量大于主存储器，但访问速度较慢。
常见的辅助存储器包括硬盘、光盘和闪存等。
三、存储器的组成原理存储器的组成原理多样，下面介绍几种常见的存储器类型： ### 1. 静态随机存储器(SRAM) 静态随机存储器是一种使用触发器来存储数据的存储器。
它的访问速度快，但成本较高。
SRAM的存储单元通过6个晶体管构成，每个存储单元可以存储一个比特的数据。
2. 动态随机存储器(DRAM)动态随机存储器是一种使用电容器来存储数据的存储器。
它的访问速度较慢，但成本较低。
DRAM的存储单元通过一个电容器和一个晶体管构成，每个存储单元可以存储一个比特的数据。
3. 只读存储器(ROM)只读存储器中的数据是永久性的，不可更改。
它通常用于存储固定的程序和数据。
常见的ROM类型包括可编程只读存储器(PROM)、可擦写只读存储器(E-PROM)和电可擦写只读存储器(EEPROM)等。
第2章MCS-51系列单片机的基本硬件结构
1000H 0FFFH
片外程序存储器 最大64K） （最大 ）
0000H
1. 需要注意几点： 需要注意几点：
程序存储器是用来存放编好的程序、 程序存储器是用来存放编好的程序、常数 和表格的。 和表格的。 当引脚EA=1时，系统使用片内的4KROM 时 系统使用片内的 当引脚 来存储程序。 来存储程序。EA=0时，系统使用片外的 时 ROM。 。 无论是使用片内还是使用片外的ROM（既 （ 无论是使用片内还是使用片外的 EA=1或EA=0），其起始地址都是从 ），其 或 ）， 起始地址都是从 0000H单元开始。 单元开始。 单元开始
控制器
运算器
时钟电路
4KROM 程序存储器
256BRAM 数据存储器
2X16位 位 定时/计数器 定时 计数器
CPU 处理器
64KB总线 总线 扩展控制器
可编程I/O 可编程 端口P0-3 端口
可编程 串行口
2.1.2 MCS-51单片机的引脚定义 单片机的引脚定义
1. MCS-51单片机有两种封装形式： MCS-51单片机有两种封装形式： 单片机有两种封装形式
P3.2 INT0 P3.3 INT1
2.2 MCS-51单片机的存储器的配置 单片机的存储器的配置
2.2.0 MCS-51单片机存储器的 MCS-51单片机 单片机存储器的 配置特点 2.2.1 程序存储器(片内与片外) 程序存储器 片内与片外) 存储器( 2.2.2 内部数据存储器RAM 内部数据存储器 存储器RAM 2.2.3 外部数据存储器
RST/Vpd（9脚）： （ 脚 在系统上电震荡器开始工作时， 在系统上电震荡器开始工作时， 在内部加 在此引脚上有一个两个时钟周期的高电平 两个时钟周期的高电平使单 在此引脚上有一个两个时钟周期的高电平使单 片机复位。但为了使系统复位可靠，建议外加 片机复位。但为了使系统复位可靠， 一个上电复位电路，延长复位的时间。 一个上电复位电路，延长复位的时间。当单片 机掉点时， 机掉点时，此引脚可以接入备用电源向单片机 内部的RAM供电，以防止 供电， 中的数据丢失。 内部的 供电 以防止RAM中的数据丢失。 中的数据丢失 注意：在复位状态下：所有SFR的内容全 注意：在复位状态下：所有 的内容全 变为“ ，端口输出“ 。 内容不变。 变为“0”，端口输出“1”。RAM内容不变。 内容不变
24CXX存储器
3．三星+飞利浦12C机心彩电
乐华三星+飞利浦12C机心是指CPU采用KS88P8324N，小信号处理芯片采用OM8838PS的机心，由该机心派生的彩电代表型号有：RD21S、RK21B、R2169S和R2171S等，它所用的E2PROM型号是24C08或24C16。
如手头一时无24C04或24C08，作为应急，也可用24C02更换，但存台数减为60个。
2．东芝12C机心彩电
乐华东芝12C机心是指CPU采用TMP87CK38N(早期生产的采用TMP87PS38N或TMP87CM38N)，小信号处理芯片采用TBl238的机心。由该机心派生的彩电型号也较多，代表机型有：RD21T、RC21T、RK21T等，它所用的E2PR()M型号是24C04或24C08。
用空白的24C04更换原存储器后能开机，但按遥控器或面板上任何按键，电视机都是关机。此时必须把待机开关管Q907的c-e极短接强行开机，再按遥控器上待机键，屏幕出现光栅和厂标，用工厂调试遥控器进入D模式，按频道加减键选择调节项目，按音量加减键调整数据，输入原厂数据后退出。再把短接的Q907复原，电视机即能正常工作。
2．早期乐华彩电需采用工厂烧录的TMP87PS38N，后期生产的彩电采用MP87CK38N，无需工厂烧录可直接代换；E2PROM可用烧录好的直接代换，也可用空白的E2pROM，开机后进人工厂模式，将数据输入后再退出，即可正常使用。
3．更换CPU或E2PROM时_定要用工厂烧录好的IC，否则不能工作。
MCS-51单片机的原理及其存储器的配置特点
MCS-51单片机的原理及其存储器的配置特点
1、一个8位的微处理器CPU。
2、片内数据存储器(RAM128B/256B）:用以存放可以读/写的数据，如运算的中间结果、最终结果以及欲显示的数据等。
3、片内4kB程序存储器Flash ROM（4KB）:用以存放程序、一些原始数据和表格。
4、四个8位并行I/O（输入/输出）接口P0~P3:每个口可以用作输入，也可以用作输出。
5、两个或三个定时/计数器: 每个定时/计数器都可以设置成计数方式，用以对外部事件进行计数，也可以设置成定时方式，并可以根据计数或定时的结果实现计算机控制
6、一个全双工UART的串行I/O口:可实现单片机与单片机或其它微机之间串行通信。
7、片内振荡器和时钟产生电路:但需外接晶振和电容。
8、五个中断源的中断控制系统。
9、具有节电工作方式：休闲方式及掉电方式。
在空闲方式中，CPU停止工作，而RAM、定时器/计数器、串行口和中断系统都继续工作。
此时的电流可降到大约为正常工作方式的15%。
在掉电方式中，片内振荡器停止工作，由于时钟被“冻结”，使一切功能都暂停，故只保存片内RAM中的内容，直到下一次硬件复位为止。
这种方式下的电流可降到15 μA以下，最小可降到0 6 μA。
结构：
由中央处理单元（CPU）、存储器（ROM及RAM）和I/O接口组成。
89C51单片机内部结构如图所示：
下面介绍的是mcs-51
MCS-51单片机存储器的配置特点
①内部集成了4K的程序存储器ROM；
②内部具有256B的数据存储器RAM；。
如何合理配置存储容量
合理配置存储容量
在配置存储容量时，应考虑以下几个方面，以确保满足实际需求：
1.评估存储需求：首先，要了解所需的存储容量。
这包括考虑需要存储的数
据量、数据类型（如文本、图片、视频等）、访问频率以及需要保留的时间长度等。
2.选择适当的存储介质：根据需求，选择适当的存储介质。
常见的存储介质
包括机械硬盘、固态硬盘、RAM盘、外部存储设备等。
3.考虑扩展性：在选择存储设备时，应考虑未来的扩展性。
可能需要随着时
间的推移增加更多的数据，因此选择能够易于扩展的设备是很重要的。
4.保证可用性：为了确保数据的安全，建议使用冗余技术，如RAID等。
此外，
为了应对可能的硬件故障，也需要定期备份数据。
5.性能考量：存储设备的性能也很重要。
应考虑设备的读写速度、吞吐量等
性能指标，以满足各种应用的需求。
6.价格与成本：在满足需求的同时，也要考虑成本。
不同存储方案的性价比
各有优劣，要结合预算选择最合适的方案。
7.绿色节能：如果是在个人电脑上配置存储容量，还需要考虑节能问题。
可
以选择能效高的存储设备，如SSD等。
综上所述，合理配置存储容量需要综合考虑多方面的因素。
可以根据实际需求来选择合适的方案，并随着需求的变化进行相应的调整和扩展。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
4、若 2FH 字节的最高位为“0”， 则跳转到LED_OFF
JNB 7FH, LED_OFF
2.3 89C51单片机存储器配置
◆
片内数据存储器（低128B）
这些可寻址位，通过执行指令可 直接对某一位操作，如置1、清0 或判1、判0等，可用作软件标志 位或用于位（布尔）处理，用于 开关决策、逻辑电路仿真、实时 控制 。这是一般微机和早期单 片机所没有的。这种位寻址能力
2、片内RAM
◆
片内数据存储器（高128B）
（3）程序状态寄存器PSW（D0H）
PSW是一个8位特殊功能寄存
器，它的各位包含了程序执行 后的状态信息，供程序查询或 判别之用，可按位寻址。各位 的含义及其格式如表2－9所列。
2.3 89C51单片机存储器配置
（3）程序状态寄存器PSW（D0H）
PSW (D0H) D7 D6 D5 D4 D3 CY AC F0 RS1 RS0 进、借 辅进 用户标定 寄存器组选择 D2 OV 溢出 D1 D0 P － 保留 奇/偶 位地址 位名称 位意义
2.3 89C51单片机存储器配置
二、程序存储器地址空间
◆
程序存储器的保留存储单元：
（1）0000H～0002H三个单元：
用作上电复位后引导程序的存放单元。因为复位后PC
的内容为0000H，CPU总是从0000H开始执行程序。将 转移指令存放到这三个单元，程序就被引导到指定的程 序存储器空间去执行。
2.3 89C51单片机存储器配置
二、程序存储器地址空间
◆
程序存储器的保留存储单元：
（2）0003H～002AH单元：
均分为五段，用作五个中断服务程序的入口。
中断源 外部中断0 定时器/计数器0溢出 外部中断1
中断服务程序 入口地址 0003H 000BH 0013H
001BH
0023H
定时器/计数器1溢出
SFR 只通过直接寻址 方式访问
低128字节(00H～7FH)是真 正的RAM区；
80H 7FH
低 128字节区 RAM 可通过直接和间接 寻址方式访问
＊
高128字节(80H～FFH)为特 殊功能寄存器(SFR)区。
0H
2.3 89C51单片机存储器配置
2、片内RAM
◆
片内数据存储器（低128B）
(ROM) 掉电不失 (RAM) 可用程序改写
2.3 89C51单片机存储器配置
一、89C51存储器分类
89C51单片机存储器采用的是哈佛结构，即程序存储器
空间和数据存储器空间是分开的。
◆
物理结构
片内程序存储器 程序存储器ROM 片外程序存储器
89C51存储器 片内数据存储器 数据存储器RAM 片外数据存储器
2.3 89C51单片机存储器配置
二、程序存储器地址空间
◆
寻址
当 EA=“1”时：
• 在0000～0FFFH范围内执行片内ROM中的程序，
当指令地址超过0FFFH 后就自动转向片外ROM 中取指令。
◆
当 EA=“0”时： • 片内ROM不起作用，CPU只能从片外Flash ROM/EPROM中取指令。可以从 0000H 开始寻址。
2.3 89C51单片机存储器配置
◆
片内数据存储器（低128B）
工作寄存器区后的16字节单元
(20H～2FH) (8×16=128位) ，可 用位寻址方式访问其各位。在89 系列单片机的指令系统中，还包 括许多位操作指令，这些位操作 指令可直接对这128位寻址。这 128位的位地址为00H～7FH，其 位地址分布如图所示。
串行端口
通常在这些中断入口 地址处应放一条绝对 跳转地址跳向中断服 务寄存器。原因在于2 个中断入口间隔只有8 个单元，存放中断程 序通常是不够用的。
0000H 0003H
LJMP LJMP
0030H 1000H
┇
000BH
LJMP
2000H
┇ 0030H 主程序
┇ 1000H INT0中断服务程序
二、数据存储器地址空间
用途
用于存放运算的中间结果、数据暂存和缓冲、标志位等。
分类
数据存储器RAM在物理上和逻辑上分为两个地址空间。 片内RAM：256字节，地址从0000H～00FFH。
片外RAM：可扩展64K字节，地址从0000H～FFFFH。
2.3 89C51单片机存储器配置
二、数据存储器地址空间
例：访问2KB片外RAM时的硬件连接图2-6。
89C51
P1 P0 EA ALE P2
RD P3 WR
RAM
数据 Vcc 锁 存 器
地址
I/O
页面 地址
WE
OE
2.3 89C51单片机存储器配置
二、数据存储器地址空间
2、片内RAM
FFH
片内数据存储器最大可寻址256
个单元，它们又分为两部分：
＊
高 128字节区
功能寄存器中，
有11个具有位寻 址能力，它们的 字节地址正好能 被8整除。
SCON
SBUF PCON
串行口控制寄存器
串行数据缓冲寄存器 电源控制及波特率选择寄存器
98H
99H 87H
2.3 89C51单片机存储器配置
2、片内RAM
◆
片内数据存储器（高128B）
累加器ACC是89C51最常用、 最忙碌的8位特殊功能寄存 器，许多指令的操作数取 自于ACC，许多运算中间 结果也存放于ACC。
片内数据存储器的低128B
又分为三部分： • 通用工作寄存器区 • 可位寻址区 • 通用数据区
2.3 89C51单片机存储器配置
◆
片内数据存储器（低128B）
00H～1FH地址安排为4组工作寄
存器区，每组有8个工作寄存器 (R0～R7)，共占32个单元。通过
对程序状态字PSW中RS1、RS0
的设置，每组寄存器均可选作 CPU的当前工作寄存器组。若程 序中并不需要4组，那么其余可 用作一般RAM单元。CPU复位 后，选中第0组寄存器为当前的 工作寄存器。
（3）程序状态寄存器PSW（D0H）
位地址 位名称 位意义
PSW (D0H)
D7 D6 D5 D4 D3 CY AC F0 RS1 RS0 进、借 辅进 用户标定 寄存器组选择
D2 OV 溢出
D1 D0 P － 保留 奇/偶
• AC(PSW.6)： 半进位标志位。 也称辅助进位标志。当执行加法(或减法)操作时，如果运算结 果(和或差)的低半字节(位3)向高半字节有半进位(或借位)，则AC位
2.3 89C51单片机存储器配置
一、89C51存储器分类
◆
用户角度
在逻辑结构（用户角度）有3个存储空间：
• 片内、外统一编址的64K字节程序存储器地址空间 （用16位地址）； • 片内256字节RAM （用8位地址） ；
• 片外64KBRAM （用16位地址）；
在单片机内部，程序存储器和数据存储器存贮器分开制造 的。通常，程序存储器的容量较大，数据存储器的容量较 小，这是单片机用作控制的一大特点。
MOV
2FH, #10000000B
ห้องสมุดไป่ตู้
2、最高位清“0” CLR ANL
7FH 2FH, #01111111B
位地址空间：00H ~ 7FH 位操作指令：SETB、CLR、CPL、JB、JNB
例：2FH字节的位地址：
D7 7FH 7EH 7DH 7CH 7BH 7AH 79H D0 78H
3、若 2FH 字节的最高位为“1”， 则跳转到LED_ON JB 7FH, LED_ON
• CY(PSW.7)： 进位标志位。 在执行加法(或减法)运算指令时，如果运算结果最高位(位7)向 前有进位(或借位)，则CY位由硬件自动置1；如果运算结果最高位 无进位(或借位)，则CY清0。CY也是89C51在进行位操作(布尔操作) 时的位累加器，在指令中用C代替CY。
2.3 89C51单片机存储器配置
2.3 89C51单片机存储器配置
二、程序存储器地址空间
用途
用于存放编好的应用程序和表格之类的固定常数。
编址
片内Flash ROM容量为4KB。地址为0000H～0FFFH。 片外最多可扩至64KB ROM/EPROM，地址为1000H～ FFFFH。
◆ ◆
◆
片内、外统一编址。片内外ROM取指速度相同。
2.3 89C51单片机存储器配置
二、程序存储器地址空间
◆
程序存储器的保留存储单元。
存储单元 0000H~0002H 0003H~000AH 000BH~0012H 0013H~001AH 001BH~0022H 0023H~002AH 002BH 保留目的 复位后初始化引导程序地址 外部中断0 定时器0溢出中断 外部中断1 定时器1溢出中断 串行端口中断 定时器2中断（89C52才有）
第二章
89C51单片机硬件结构和原理
－－89C51单片机存储器配置
主 讲 ： 武 桐
2.3 89C51单片机存储器配置
一、89C51存储器分类
哈佛结构
普林斯顿结构
89C51单片机
微机
程序存储器和数据存储器分开设计。
只有一个地址空间，程序和数据可以随意安排在这一地 址范围内不同的空间。
程序存储器 指令、常数 数据存储器 数据
2.3 89C51单片机存储器配置
2.3 89C51单片机存储器配置
一、89C51存储器分类
◆
用户角度
上述三个存储空间地址是重叠的，89C51的指令系统采用