EMC EMI解决的终极有效方案,80通过。SSDCP1108AF
EMCEMI解决的终极有效方案,80通过。SSDCP1108AF
EMCEMI解决的终极有效方案,80通过。
SSDCP1108AF General Purpose Peak EMI reduction IC General Features1x, LVCMOS Peak EMI ReductionIncorporates the latest Timing-Safe technologywhich allows the spread of analog video signalInput frequency:********************************Output frequency :********************************Analog Deviation SelectionSpread Spectrum Enable/DisableSupply Voltage: 2.5V±0.2V3.3V±0.3V8pin TDFN(2X2) COL PackagesCommercial temperature rangeDC coupled to XIN/CLKIN) and locks on to it delivering a 1x modulated clock output. SSDCP1108AF has a SSON pin for enabling and disabling Timing-Safe?Spread Spectrum function.SSDCP1108AF has an SSEXTR pin to select different deviations depending upon the value of an external resistor connected between SSEXTR and GND. Charge Pump (CP) control selects one of the two different ChargePumpcurrent settings.SSDCP1108AF operates from a 3.3V/2.5V supply, and isavailable in an 8 pin TDFN(2X2) COLpackages, over Commercial temperature range.Functional DescriptionSSDCP1108AF is a versatile, 3.3V/2.5V Peak EMI reduction IC. SSDCP1108AF accepts an input clock either from a fundamental Crystal or from an external reference (AC or ?ApplicationSSDCP1108AF is targeted for consumer electronicsapplication such as MFP, STB, DSC, MID,HDMI,LCD panel Camcorder,and other timing sensitive analog video imaging applications ?Applications of HDMI, RJ45 port has good compatibilityBlock DiagramVDDSSON CPXIN/CLKINXOUTCrystalOscillatorPLL ModOUTSSEXTRGNDPin ConfigurationXIN / CLKIN 1XOUT 2SSON 38 VDDSSEXTRModOUT7 SSDCP1108AF SSDCP1108A6GND 4 5 Pin Description Pin #12345678 Pin NameXIN / CLKINXOUTSSONGNDModOUTCPSSEXTRVDDPin TypeIOIPOIPDescriptionCrystal connection or External reference clock input.Crystal connection. If using an external reference, this pin should be left open.Spread Spectrum ON/OFF. Spread Spectrum function enabled when HIGH, disabledwhen LOW. Has an internal pull-up resistor inside.GroundModulated clock outputCharge Pump current Select. When LOW selects Low CP current. Selects High CPcurrent when pulled HIGH. Has an internal pull-up resistor inside.Analog Deviation Selection through external resistor to GND.2.5V /3.3V supply Voltage.Frequency Selection tableVDD (V)2.53.3 Frequency (MHz)15-3515-40Operating ConditionsParameterVDDTACCINDescriptionSupply VoltageOperating Temperature (Ambient Temperature)Load CapacitanceInput CapacitanceMin2.3Max3.6+70107UnitV°CpFpFAbsolute Maximum RatingSymbolVDD, V INT STG T s T JT DVParameterVoltage on any input pin with respect to Ground Storage temperatureMax. Soldering Temperature (10 sec) Junction Temperature Static Discharge Voltage (As per JEDEC STD22- A114-B)Rating-0.5 to +4.6 -65 to +125260 150 2Unit V°C °C °C KVNote: These are stress ratings only and are not implied for functional use. Exposure to absolute maximum ratings for prolonged periods of time may affectdevice reliability.DC Electrical Characteristics for 2.5V ParameterVDD V IL V IH I IL I IH V OL V OH I CC I DDZ oDescriptionSupply Voltage Input LOW Voltage Input HIGH Voltage Input LOW Current Input HIGH Current Output LOW Voltage Output HIGH Voltage Static Supply Current Dynamic Supply Current Output ImpedanceTest Conditions Min2.3Typ2.5Max2.7 0.71.7V IN V INI OL I OH= 0V= V DD = 8mA = -8mA25 25 0.61.8XIN / CLKIN pulled low Unloaded Output50 1235UnitV V VμA μA V V μA mASwitching Characteristics for 2.5VParameterInput Frequency* / ModoUT 1, 2Duty CycleTest Conditions 1, 2 Output Rise Time 1,2Output Fall Time2Cycle-to-Cycle Jitter 2PLL Lock TimeMeasured at V DD /2Measured between 20% to 80% Measured between 80% to 20%Unloaded output with SSEXTR OPEN @ 27MHz Stable power supply, valid clock presented on XIN / CLKINMin1045Typ 50Max3555 2.2 2±1753Unit% nS nS pSmSNote: 1. All parameters are specified with 10pF loaded outputs.2. Parameter is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production* Functionality with Crystal is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production.DC Electrical Characteristics for 3.3V ParameterVDD V IL V IH I IL I IH V OL V OH I CC I DDZ oDescriptionSupply Voltage Input LOW Voltage Input HIGH Voltage Input LOW Current Input HIGH Current Output LOW Voltage Output HIGH Voltage Static Supply CurrentDynamic Supply CurrentOutput ImpedanceTest Conditions Min3.0Typ3.3Max3.6 0.82.0V IN V INI OL I OH= 0V= V DD= 8mA = -8mA 25 25 0.4XIN / CLKIN pulled lowUnloaded Output501630UnitV V VμA μA V VμAmASwitching Characteristics for 3.3VParameterInput Frequency* / ModOUT 3, 4Duty CycleTest Conditions 3, 4 Output Rise Time 3, 4Output Fall Time4Cycle-to-Cycle Jitter 4PLL Lock TimeMeasured at V DD /2Measured between 20% to 80% Measured between 80% to 20%Unloaded output with SSEXTR OPEN @ 27MHz Stable power supply, valid clock presented on XIN / CLKINMin1045Typ 50Max55 1.8 1.6±1503UnitMHz% nS nS pSmSNote: 3. All parameters are specified with10pF loaded outputs.4. Parameter is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production.* Functionality with Crystal is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production.Typical Crystal SpecificationsFundamental AT cut parallel resonant crystal Nominal frequency Frequency tolerance Operating temperature range Storage temperatureLoad capacitance(C P ) Shunt capacitance ESR27MHz± 50 ppm or better at 25°C 0°C to +70°C -40°C to +85°C 18pF7pF maximum 25Note: C L is the Load Capacitance and Rx is used to prevent oscillations at overtone frequency of the Fundamental frequency.Typical Crystal Interface CircuitSSDCP1108ARXIN/CLKINCrystalXOUTRxC LC LC L = 2*(C P - C S ),Where C P = Load capacitance of crystal from crystal vendor datasheetC S = Stray capacitance due to C IN, PCB, Trace etc.Switching WaveformsDuty Cycle Timingt 1t 2V DD /2V DD /2 V DD /2OUTPUTOutput Rise/Fall Time80%20%80%20%OUTPUTt 3t 4Application SchematicC L is the load capacitance for proper XTAL operation1 C LSSDCP1108AFXIN/CLKINVDD 8Noise Reduction FilterCVDDExternal Deviation ControlVDDR1XOUTVDD2 SSEXTR7Analog Deviation Control SSEXTR can be Pulled HIGH to turn OFF Deviation3 SSONCP 6SSON ControlCP Control4 GNDModOUT 5Note: SSON (Pin#3) CP (Pin#6): Connect to VDD or GNDRefer to Pin Description table for Functionality detailsNote: For AC Coupled Interface refer to Application Brief: CT100801Deviation Vs SSEXTR resistance Charts at 27MHzDeviation Vs SSEXTR Resistance @ 27MHz2.5CP=1MR=12.0 1.51.00.550 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600 650Resistance(K _))% ± ( n o i t a i v e DDeviation Vs SSEXTR Resistance @ 27MHz2.5CP=0MR=0 2.01.51.00.50.00 50 100 150Resistance(K_) 200 250 300) %±( n o i t a i v e DTDFN COL 2x2 8L package Outline drawing Symbol InchesMin0.027 DimensionsMillimetersA A3 b D E e LMax0.0315Min0.700.008 BSC0.0080.0120.079 BSC0.078 BSC0.020 BSC0.0200.0240.200.50Max0.800.203 BSC0.302.00 BSC2.00 BSC0.50 BSC0.60SSDCP1108AF Spectrum DeviceOrdering CodePart Number SSDCP1108AF-08-CR Marking DAPackage8- pin 2-mm TDFN COL - TAPE & REEL, Green Temperature0 °C to +70 °CDevice Ordering InformationS S D C P 1 1 0 8 A F - 08 - CRR = Tape & Reel, T = Tube or TrayO = TSOT23S = SOICT = TSSOPA = SSOPV = TVSOPB = BGAQ = QFNU = MSOPE = TQFPL = LQFPU = MSOPP = PDIPD = QSOPX = SC-70J=TSOT26C=TDFN (2X2) COLDEVICE PIN COUNTF = LEAD FREE AND RoHS COMPLIANT PARTG = GREEN PACKAGE, LEAD FREE, and RoHS PART NUMBERI= Industrial(-40 °C to +85 °C )A = Clock GeneratorB = Non PLL basedC = EMI ReductionD = DDR support productsE = STD Zero Delay BufferP or n/c = Commercial(0 °C to +70 )°CF = Power ManagementG = Power ManagementH = Power ManagementIJ= Hi Performance= ReservedSpread Spectrum Device CO.,LTDCopyright All rights reserved by Spread Spectrum Device Part Number:SSDCP1108AFDocument Version:0.22。
电磁兼容解决方案
电磁兼容解决方案一、背景介绍电磁兼容（Electromagnetic Compatibility，简称EMC）是指在电子设备和系统之间实现相互协调和无干扰的能力。
在现代社会中，电子设备的广泛应用使得电磁辐射和电磁干扰的问题日益突出。
为了保证电子设备的正常运行，确保设备之间不发生干扰，需要采取一系列的电磁兼容解决方案。
二、问题描述在电子设备和系统中，常常会出现以下问题：1. 电磁辐射：电子设备在工作过程中会产生电磁辐射，如果辐射强度过大，会对周围的设备和系统产生干扰。
2. 电磁干扰：电子设备之间的相互干扰会导致设备的正常工作受到影响，甚至造成设备损坏。
3. 电磁敏感性：某些电子设备对外界的电磁干扰非常敏感，容易受到干扰而无法正常工作。
三、解决方案为了解决上述问题，我们提出以下电磁兼容解决方案：1. 设计合理的电磁屏蔽结构通过在电子设备和系统中设计合理的电磁屏蔽结构，可以有效地阻挡电磁辐射的传播，减少对周围设备和系统的干扰。
常见的电磁屏蔽结构包括金属外壳、屏蔽罩、屏蔽隔板等。
通过合理的屏蔽结构设计，可以降低电磁辐射的强度，提高设备的电磁兼容性。
2. 优化电磁波传输路径在电子设备和系统的设计过程中，需要优化电磁波的传输路径，减少电磁波在传输过程中的能量损耗和干扰。
通过合理的布局设计、优化导线和电缆的走向，可以降低电磁波的传输损耗，提高设备的电磁兼容性。
3. 选择合适的滤波器和隔离器在电子设备和系统中，可以通过选择合适的滤波器和隔离器来降低电磁干扰的影响。
滤波器可以通过滤除特定频率的电磁波来减少干扰，隔离器可以将不同部分的电子设备和系统隔离开，减少相互干扰。
4. 合理设置接地系统接地系统是保证设备正常工作和提高电磁兼容性的关键。
通过合理设置接地系统，可以有效地降低电磁干扰的影响。
在接地系统设计中，需要考虑接地电阻、接地路径的选择等因素，确保设备的接地系统能够有效地排除干扰。
5. 进行电磁兼容测试和评估在电子设备和系统设计完成后，需要进行电磁兼容测试和评估，以验证设备的电磁兼容性。
EMC-EMI之综合解决方案
EMC-EMI之综合解决方案引言概述：电磁兼容性（EMC）和电磁干扰（EMI）是当今电子设备开发中不可忽视的问题。
随着电子设备的不断发展和普及，电磁辐射和干扰问题也日益突出。
为了确保设备的正常运行和互相兼容，综合解决方案变得至关重要。
本文将介绍EMC-EMI 综合解决方案的五个部分，以及每个部分的详细内容。
一、电磁辐射控制1.1 电磁屏蔽材料的选择：选择合适的电磁屏蔽材料对于控制电磁辐射至关重要。
常见的电磁屏蔽材料包括金属板、导电涂层和电磁屏蔽膜等。
根据设备的具体需求和频率范围，选择适合的材料可以有效降低电磁辐射。
1.2 接地系统设计：良好的接地系统设计是控制电磁辐射的关键。
通过合理布置接地导线和接地板，可以有效地降低电磁辐射的水平。
在设计接地系统时，应考虑接地电阻、接地路径的长度和接地导线的截面积等因素。
1.3 电磁辐射测试：进行电磁辐射测试是评估设备电磁辐射水平的重要手段。
通过在实验室环境中进行电磁辐射测试，可以了解设备在不同频率下的辐射水平，并根据测试结果进行相应的改进和优化。
二、电磁干扰抑制2.1 滤波器的应用：滤波器是抑制电磁干扰的常用工具。
根据不同的频率范围和干扰源的特点，选择合适的滤波器可以有效地抑制电磁干扰。
常见的滤波器包括低通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等。
2.2 电磁屏蔽技术：采用电磁屏蔽技术可以有效地抑制电磁干扰的传播。
通过在电路板上布置屏蔽罩、屏蔽盒或屏蔽层，可以阻止电磁波的传播和干扰其他设备。
2.3 地线的设计：合理的地线设计对于抑制电磁干扰非常重要。
通过采用星形接地或者分布式接地的方式，可以减少地线的电阻和电感，从而降低电磁干扰的水平。
三、电磁兼容性测试3.1 电磁兼容性测试标准：根据不同的应用领域和国家的要求，制定适用的电磁兼容性测试标准非常重要。
常见的标准包括CISPR、IEC和FCC等，根据标准进行测试可以评估设备的电磁兼容性。
3.2 辐射和传导测试：电磁兼容性测试包括辐射测试和传导测试。
电磁兼容解决方案
电磁兼容解决方案一、背景介绍电磁兼容（Electromagnetic Compatibility，简称EMC）是指电子设备在特定的电磁环境中，能够与其他设备共存并正常工作的能力。
随着现代电子技术的快速发展，电磁干扰（Electromagnetic Interference，简称EMI）问题越来越突出，对电子设备的正常运行造成了严重的影响。
为了解决电磁兼容问题，提供稳定可靠的电子设备，我们需要制定一套全面的电磁兼容解决方案。
二、问题分析1. 电磁干扰源分析：通过对电子设备的电磁辐射源进行分析，确定可能导致电磁干扰的主要因素，如高频振荡器、电源线等。
2. 电磁感应源分析：通过对电子设备的电磁感应源进行分析，确定可能受到电磁干扰的主要因素，如电源线、通信线等。
3. 电磁兼容性测试：通过对电子设备进行电磁兼容性测试，了解设备在特定电磁环境下的工作状态，确定是否存在电磁干扰问题。
三、解决方案1. 电磁辐射源控制：通过对电子设备的电磁辐射源进行控制，减少电磁辐射的强度和频率，降低对其他设备的干扰。
- 优化电路设计：采用合理的电路布局和线路走向，减少电磁辐射的产生。
- 使用屏蔽材料：在电子设备中使用屏蔽材料，阻止电磁辐射的泄漏。
- 优化接地系统：建立良好的接地系统，减少电磁辐射的传播。
2. 电磁感应源控制：通过对电子设备的电磁感应源进行控制，减少电磁感应的强度和频率，降低对其他设备的敏感性。
- 优化电路设计：采用合理的电路布局和线路走向，减少电磁感应的产生。
- 使用屏蔽材料：在电子设备中使用屏蔽材料，阻止电磁感应的干扰。
- 优化接地系统：建立良好的接地系统，减少电磁感应的传播。
3. 电磁兼容性测试：对电子设备进行电磁兼容性测试，评估设备在特定电磁环境下的工作状态。
- 辐射发射测试：通过对设备进行辐射发射测试，了解设备在工作状态下产生的电磁辐射强度是否符合标准要求。
- 抗干扰能力测试：通过对设备进行抗干扰能力测试，了解设备在特定电磁环境下的抗干扰能力是否符合标准要求。
解读电源设计中的EMI问题与解决方案
解读电源设计中的EMI问题与解决方案电源设计中的EMI问题与解决方案电磁干扰（Electromagnetic Interference，简称EMI）是电源设计过程中需要重点考虑的问题之一。
EMI问题可能对电子设备的性能产生负面影响，干扰其正常工作并导致其他设备的性能下降。
本文将介绍电源设计中的EMI问题以及一些常见的解决方案。
一、电源设计中的EMI问题1. 什么是EMI问题？EMI指的是由电子设备产生的电磁场干扰。
当电子设备中的电流和信号在设备内部或外部传输时，会产生电磁辐射和电磁敏感性。
如果这些辐射或敏感性超过了某个特定的范围，就会导致EMI问题。
2. EMI问题可能导致的影响EMI问题可能导致以下影响：- 对设备本身造成干扰：电源系统中的高频噪声可能干扰设备的正常工作，降低设备性能。
- 对其他设备造成干扰：电磁辐射可能传播到其他设备上，导致它们的性能下降，甚至损坏。
- 不符合法规：有些国家和地区对EMI有严格的法规要求，如果不符合这些要求，产品可能无法上市销售。
二、解决EMI问题的常见方案1. 电源线滤波器电源线滤波器是最常见的解决EMI问题的措施之一。
它通过滤波器电路将高频噪声滤除，防止其传播到其他设备上。
电源线滤波器通常由电感器和电容器组成，通过选择合适的元件参数来实现滤波效果。
2. 地线设计正确的地线设计对于减少EMI问题非常重要。
地线应该尽可能短而宽，以减小回路面积，降低电磁辐射。
可以采用单点接地或多点接地的方式，根据具体情况选择最合适的设计方案。
3. 布局设计良好的布局设计可以减少EMI问题。
重要的电路应该远离敏感的传感器、接收器等部件，以减少电磁辐射对它们的影响。
同时，电路板的铺铜区域应尽可能广泛，以提供良好的地面平面。
4. 屏蔽设计屏蔽设计可以有效地减少EMI问题。
对于电源模块，可以使用金属屏蔽罩来封闭电路，将电磁辐射限制在较小的范围内。
此外，对于敏感部分，如高频元件和传感器，还可以采用局部屏蔽来降低电磁辐射。
电子设备的EMI与EMC问题解决方法
电子设备的EMI与EMC问题解决方法随着科技的快速发展，电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。
然而，随之而来的问题就是电磁干扰（Electromagnetic Interference，简称EMI）与电磁兼容性（Electromagnetic Compatibility，简称EMC）。
这些问题会导致设备性能下降，甚至可能造成严重的故障。
下面将详细介绍电子设备EMI与EMC问题的解决方法。
一、了解EMI与EMC的原因和影响1. EMI的原因：电子设备中的各种信号电路会产生互相干扰的电磁场，从而产生电磁波辐射，导致EMI问题。
2. EMC的影响：EMI问题可能会导致信号传输的错误、数据丢失、仪器测量不准确等影响设备性能的问题。
二、采取措施减少EMI问题1. 采用屏蔽技术：在电子设备的关键部件或线路周围设置屏蔽罩，以减少电磁波的辐射和接受。
这可以通过使用屏蔽材料和接地技术来实现。
2. 优化线路布局：合理排布电路，避免信号线与电源线之间的互相干扰，减少EMI问题的发生。
同时，使用分离地面平面和分层布局也可以有效降低EMI问题。
3. 控制信号的频率和功率：降低电子设备内部信号线路的频率和功率，可减少电磁波辐射。
这可以通过电路设计和合理选择相关元件来实现。
三、提高设备的EMC性能1. 通过滤波器控制电磁波干扰：在设备中添加滤波器，可有效降低电磁波的干扰。
常见的滤波器包括电源滤波器、信号滤波器等。
2. 使用合适的接地设计：良好的接地系统设计可以有效地减少EMI问题。
通过使用大地板、接地导线等，可将设备的电磁辐射能量导入地面。
3. 注意设备的散热设计：过高的温度可能会导致电子设备内部电路的不稳定工作，进而影响EMC性能。
因此，设备的散热设计应得到重视。
四、进行EMC测试和认证1. 进行EMI测试：通过使用专业的EMI测试仪器，对电子设备进行辐射和传导测量。
这可以帮助确定问题所在，并采取相应的措施进行修正。
emc解决方案
emc解决方案
《EMC解决方案：提升企业数据管理和存储效率》
在当今数字化时代，企业面临着越来越多的数据管理和存储挑战。
为了更好地应对这些挑战，许多企业正在寻找适合自身需求的EMC解决方案。
EMC是一家知名的数据存储和管理解决方案提供商，其产品和服务涵盖了存储设备、数据备份和恢复、安全性、云计算、大数据分析等领域。
通过EMC的解决方案，企业能够提升数据管理和存储效率，实现数据的更好利用和保护。
首先，EMC的存储设备能够提供高速和可靠的数据存储，满足企业不断增长的存储需求。
其数据备份和恢复解决方案能够确保数据安全和可恢复性，保障企业在面对意外情况时能够快速恢复数据。
此外，EMC的安全性解决方案能够帮助企业建立起健壮的安全防护体系，保护数据免受各种威胁。
除此之外，EMC还推出了适用于云计算和大数据分析的解决方案，帮助企业更好地利用数据。
这些解决方案能够帮助企业实现数据的高效管理和分析，提升数据的价值和利用效率。
总的来说，EMC的解决方案能够帮助企业应对存储和数据管理的挑战，提升企业的数据管理和存储效率。
随着数字化时代的发展，EMC的解决方案将会继续发挥重要作用，助力企业实现数字化转型和数据驱动业务发展。
EMC-EMI之综合解决方案
EMC/EMI之综合解决方案中心议题：EMC/EMI的综合解决方案解决方案：ESD防护解决方案开关电源电磁干扰抑制措施汽车电子设备的电磁兼容设计电磁兼容主要包括电磁干扰（EMI）和电磁抗干扰(EMS)两方面，本讲将从探讨电磁干扰措施和电磁抗干扰技术的角度来介绍EMC/EMI的综合解决方案。
具体内容包括结合实例探讨ESD 防护解决方案；从电磁兼容三要素（干扰源、耦合通路和敏感体）入手分析，开关电源电磁干扰抑制措施；及汽车电子设备的电磁兼容设计案例。
1 ESD防护解决方案电磁干扰普遍存在于电子产品，不仅是设备之间的相互影响，同时也存在于元件与元件之间，系统与系统之间，其主要的两种途径为传导干扰和辐射干扰，而传导干扰又细分为共模干扰差模干扰。
引起干扰的原因种类复杂，其核心为静电放电干扰。
静电有两种类型，即传导型的静电和辐射型的静电。
对于这两种静电主要采取如下防护措施：1.1传导性ESD防护对静电电流在电路中防护主要使用一些保护器件，在敏感器件前端构成保护电路，引导或耗散电流。
此类保护器件有：陶瓷电容，压敏电阻，TVS管等。
下面通过某电子产品接触式静电放电的接地改良来说明传导型ESD防护方案。
某电子产品的ESD发生器采用苏州泰斯特电子科技有限公司生产的型号为ESD-20静电放电测试仪器，器性能满足IEC61000-4-2标准要求，电子产品抗击电压为4.7KV，超过4.7KV就会出现蜂鸣器报警，死机现象。
实验布置图：图1 某电子产品接触式静电放电的接地改良实验布置图对此电子产品的接触式静电放电的接地进行分析，找出其存在的问题，并提出解决措施，可对其接地进行改良。
1.2辐射性ESD防护对于静电产生的场对敏感电路产生影响，防护方法主要是尽量减少场的产生和能量，通过结构的改善增加防护能力，对敏感线路实施保护。
对场的保护通常比较困难，在改良实践中探索出了一种叫做等位体的方法。
通过有效地架接，是壳体形成电位相同体，抑制放电。
电源emc解决方案
电源emc解决方案
《电源EMC解决方案》
电磁兼容性（EMC）是指电子设备在电磁环境中能够正常工
作而不对周围的设备造成干扰，同时也不被周围的设备干扰。
在电源系统中，EMC问题是非常重要的，因为电源系统可能
会发出电磁干扰，影响其他设备的正常工作，并且也容易受到周围设备的干扰。
为了解决电源EMC问题，有一些解决方案可以被采用。
首先，可以使用电源滤波器来减少电源系统发出的电磁干扰，这样可以帮助保持电源系统对外部干扰的抵抗能力。
其次，设计合理的线路布局和接地，可以有效地减少电磁干扰的产生和传播。
此外，使用合适的电源线和插座也可以帮助减少对外部设备的电磁干扰。
另外，选择合适的电源转换器和稳压器也是解决电源EMC问
题的重要一环，因为它们可以帮助减少电源系统产生的干扰。
此外，设计合理的散热系统和电磁屏蔽也可以帮助抑制电源系统的电磁干扰。
最后，进行EMC测试是解决电源EMC问题的重要一步，通
过测试可以有效地检测电源系统对外部干扰的抵抗能力和自身产生的干扰情况，帮助找出问题并解决之。
总之，解决电源系统的EMC问题需要综合考虑多个因素，并
采取合适的措施。
只有这样，才能保证电源系统在电磁环境中
能够正常工作而不对周围的设备造成干扰，同时也不被周围的设备干扰。
DSP系统中的EMC和EMI的解决方案
DSP系统中的EMC和EMI的解决方案一、DSP系统中的EMC问题在DSP系统中，EMC问题主要表现为电磁发射和电磁抗扰。
电磁发射是指系统产生的电磁信号泄漏到周围环境中，可能对其他设备和系统产生干扰。
电磁抗扰是指外部电磁信号干扰系统内部，可能导致系统性能下降或失效。
为了解决DSP系统中的EMC问题，需要采取如下解决方案：1.合理的电路布局和屏蔽设计：合理的电路布局可以减少电磁信号在电路板上的传播路径，从而减少电磁辐射。
同时，采用适当的屏蔽材料和屏蔽设计，可以有效地防止外部电磁信号的干扰。
2.使用合适的滤波器：在电源线、信号线和数据线上使用合适的滤波器可以防止电源干扰和信号传输中的干扰。
例如，使用滤波器可以减少电源线上的纹波电压，从而减少电磁辐射。
3.地线设计：合理的地线设计可以减少回路参考电位差，从而减少电磁辐射和电磁抗扰。
在DSP系统中，应尽量减少接地回路的长度、宽度和面积，避免形成大回路。
4.合理的阻抗匹配和屏蔽接地：在接口电路设计中，应注意阻抗匹配，避免信号反射引起的电磁辐射。
同时，采用合适的屏蔽接地可以减少信号的传输损耗和干扰。
5.合理的电源设计：在电源线路设计中，应采取合适的电源滤波电路和稳压电路，以减少电源干扰和纹波电压。
二、DSP系统中的EMI问题EMI问题是指外部电磁信号对DSP系统产生的干扰。
为了解决DSP系统中的EMI问题，需要采取如下解决方案：1.合理的信号线布局和屏蔽设计：合理布局信号线可以减少信号和干扰源之间的距离和耦合。
采用合适的屏蔽材料和屏蔽设计，可以防止外部电磁信号对信号线的干扰。
2.合理的地线设计：合理的地线设计可以降低信号线和干扰源之间的串扰。
在DSP系统中，应尽量将信号线和地线分离，并采取合适的地线引出和接地方式，以减少串扰。
3.合理的滤波器设计：在输入输出接口处使用合适的滤波器可以减少外部干扰信号的传播和干扰。
例如，使用低通滤波器可以滤除高频噪声和干扰。
4.合适的屏蔽措施：在输入输出接口处采取合适的屏蔽措施可以减少外部干扰信号的传播和干扰。
EMC-EMI之综合解决方案
EMC-EMI之综合解决方案引言概述：电磁兼容性（EMC）和电磁干扰（EMI）是现代电子设备设计中不可忽视的重要问题。
为了确保设备在电磁环境中的正常运行，需要采取综合解决方案来解决EMC-EMI问题。
本文将介绍一种综合解决方案，包括五个大点，每个大点包含3-5个小点。
正文内容：1. 设计阶段的EMC-EMI考虑1.1. 电路板设计：合理布局和层叠设计，减少信号线的长度和交叉，降低电磁辐射和敏感度。
1.2. 接地设计：采用良好的接地策略，包括分离地平面、地平面划分和接地回路的优化，以减少共模和差模噪声。
1.3. 滤波器设计：使用合适的滤波器来抑制高频噪声和干扰，包括低通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等。
2. 电磁屏蔽技术2.1. 金属屏蔽：使用金属外壳或金属屏蔽罩来阻挡外部电磁场的干扰，减少电磁泄漏和辐射。
2.2. 电磁屏蔽材料：选择合适的电磁屏蔽材料，如电磁屏蔽涂料、电磁屏蔽膜和电磁屏蔽垫等，来吸收或反射电磁波。
2.3. 接地屏蔽：通过良好的接地设计和屏蔽连接，确保设备的接地系统能够有效地排除干扰。
3. 信号完整性和EMC-EMI测试3.1. 信号完整性：设计合适的信号线和电源线布局，减少信号串扰和功率噪声，提高信号完整性。
3.2. 电磁辐射测试：使用专业的测试设备进行电磁辐射测试，评估设备的辐射水平是否符合标准。
3.3. 电磁兼容性测试：进行电磁兼容性测试，包括传导干扰和辐射干扰测试，确保设备在电磁环境中的正常工作。
4. 故障排除和修复4.1. 电磁干扰源的定位：通过专业的仪器和技术，定位和识别电磁干扰源，如电源线、信号线和外部设备等。
4.2. 故障分析：分析电磁干扰对设备的影响，找出故障原因和解决方案。
4.3. 修复措施：采取合适的修复措施，如增加滤波器、重新布线和更换屏蔽材料等，以消除或减少电磁干扰。
5. EMC-EMI标准和合规性5.1. 国际标准：了解和遵守国际电磁兼容性标准，如IEC 61000系列标准和CISPR标准等。
EMI问题解决策略
EMC/EMI问题解决策略引言EMC（Electromagnetic Compatibility，电磁兼容性）和EMI（Electromagnetic Interference，电磁干扰）是现代电子设备设计和生产中常见的问题。
EMC指的是不同电子设备之间，以及设备与电磁环境之间互不干扰的能力；而EMI指的是电子设备对其周围电磁环境的干扰。
在电子设备频繁使用的现代社会，解决EMC/EMI问题至关重要。
本文将介绍一些常见的EMC/EMI问题解决策略，以帮助电子设备设计者和制造商解决这些问题。
问题识别与分析在解决EMC/EMI问题之前，首先需要对问题进行识别和分析。
以下是识别和分析EMC/EMI问题的一些常见方法：1.测试和测量：通过使用专业的EMC测试设备和测量仪器，对电子设备进行测试和测量，以确定是否存在EMC/EMI问题。
例如，使用频谱分析仪、信号发生器和射频扫描仪等设备，可以对电磁辐射和传导干扰进行测量和分析。
2.频谱分析：通过频谱分析，可以识别电子设备发出的电磁辐射信号的频率和幅度。
这有助于确定是否存在干扰源，并确定其频段和强度。
3.电磁场模拟软件：使用专业的电磁场模拟软件，如ANSYS、CST等，可以对电子设备的辐射和接收情况进行模拟和仿真。
这些软件可以帮助电子设备设计者预测和处理EMC/EMI问题。
4.故障排除：当电子设备出现EMC/EMI问题时，通过排除法逐步确定问题的来源。
可以通过逐个关闭或断开电子设备的部件，以确定是否是某个特定部件引起的问题。
解决策略一旦识别和分析了EMC/EMI问题，下一步就是采取适当的解决策略来解决这些问题。
以下是一些常见的EMC/EMI问题解决策略：1.电磁屏蔽：电磁屏蔽是减少或消除电子设备之间和设备与环境之间电磁干扰的一种常用方法。
可以使用金属外壳、金属屏蔽罩等材料来包裹电子设备，以阻隔电磁干扰。
此外，还可以采用地线、屏蔽接地等技术手段，有效地抑制电磁干扰。
(完整word)EMC整改秘籍(有实例)
EMC整改步骤之一前言电磁干扰的观念与防制﹐在国内已逐渐受到重视。
虽然目前国内并无严格管制电子产品的电磁干扰（EMI)﹐但由于欧美各国多已实施电磁干扰的要求﹐加上数字产品的普遍使用﹐对电磁干扰的要求已是刻不容缓的事情。
笔者由于工作的关系﹐经常遇到许多产品已完成成品设计﹐因无法通过EMI测试﹐而使设计工程师花费许多时间和精力投入EMI的修改﹐由于属于事后的补救﹐往往投入许多时间与金钱﹐甚而影响了产品上市的时机2.正确的诊断要解决产品上的EMI问题﹐若能在产品设计之初便加以考虑﹐则可以节省事后再投入许多时间与金钱。
由于目前EMI Design—in的观念并不是十分普遍﹐而且由于事先的规划并不能保证其成品可以完全符合电磁干扰的测试在﹐所以如何正确的诊断EMI问题﹐对于设计工程师及EMI工程师是非常重要的。
事实上﹐我们如果把EMI当做一种疾病﹐当然平时的预防保养是很重要的﹐而一旦有疾病则正确的诊断﹐才能得到快速的痊愈﹐没有正确的诊断﹐找不到病症的源头﹐往往事倍功半而拖延费时.故在EMI的问题上﹐常常看到一个EMI有问题的产品﹐由于未能找到造成EMI问题的关键﹐花了许多时间﹐下了许多对策﹐却始终无法解决﹐其中亦不乏专业的EMI工程师。
以往谈到EMI往往强调对策方法﹐甚而视许多对策秘决或绝招﹐然而没有正确的诊断﹐而在产品上加了一大堆EMI抑制组件﹐其结果往往只会使EMI情况更糟。
笔者起初接触产品EMI对策修改时﹐会听到资深EMI工程师说把所有EMI对策拿掉﹐就可以通过测试。
初听以为是句玩笑话﹐如今回想这是很宝贵的经验谈.而后亦听到许多EMI工程师谈到类似的经验。
本文中将举出实际的例子﹐让读者更加了解EMI的对策观念。
一般提到如何解决EMI问题﹐大多说是case by case，当然从对策上而言﹐每一个产品的特性及电路板布线（layout)情况不同﹐故无法用几套方法而解决所有EMI的问题﹐但是长久以来﹐我们一直想要把处理EMI 问题并做适当的对策﹐另外也提供专业的EMI工程师一种参考方法.在此我们把电磁干扰与对策的一些心得经验整理﹐希望能对读者有些帮助。
设计电子产品中产生EMI和EMC问题原因分析及解决
高速电路传输线效应分析与处理随着系统设计复杂性和集成度的大规模提高，电子系统设计师们正在从事100MHZ以上的电路设计，总线的工作频率也已经达到或者超过50MHZ，有一大部分甚至超过100MHZ。
目前约80% 的设计的时钟频率超过50MHz，将近50% 以上的设计主频超过120MHz，有20%甚至超过500M。
当系统工作在50MHz时，将产生传输线效应和信号的完整性问题；而当系统时钟达到120MHz时，除非使用高速电路设计知识，否则基于传统方法设计的PCB将无法工作。
因此，高速电路信号质量仿真已经成为电子系统设计师必须采取的设计手段。
只有通过高速电路仿真和先进的物理设计软件，才能实现设计过程的可控性。
传输线效应基于上述定义的传输线模型，归纳起来，传输线会对整个电路设计带来以下效应。
· 反射信号Reflected signals· 延时和时序错误Delay & Timing errors· 过冲(上冲/下冲)Overshoot/Undershoot· 串扰Induced Noise (or crosstalk)· 电磁辐射EMI radiation1 反射信号在高速电路中,信号的传输如上图所示,如果一根走线没有被正确终结(终端匹配)，那么来自于驱动端的信号脉冲在接收端被反射，从而引发不可预期效应，使信号轮廓失真。
当失真变形非常显著时可导致多种错误，引起设计失败。
同时，失真变形的信号对噪声的敏感性增加了，也会引起设计失败。
如果上述情况没有被足够考虑，EMI将显著增加，这就不单单影响自身设计结果，还会造成整个系统的失败。
反射信号产生的主要原因：过长的走线；未被匹配终结的传输线，过量电容或电感以及阻抗失配。
2 延时和时序错误信号延时和时序错误表现为：信号在逻辑电平的高与低门限之间变化时保持一段时间信号不跳变。
过多的信号延时可能导致时序错误和器件功能的混乱。
EMC-EMI之综合解决方案
EMC-EMI之综合解决方案引言概述：电磁兼容性（EMC）和电磁干扰（EMI）是现代电子设备设计和制造中的重要问题。
在一个复杂的电磁环境中，电子设备需要能够正常工作，而不会对其他设备或系统产生干扰。
为了解决这个问题，工程师们需要采取一系列综合的解决方案。
本文将介绍EMC-EMI综合解决方案的五个主要部分。
一、电磁兼容性设计1.1 电磁兼容性测试与分析：在设计阶段，工程师需要进行电磁兼容性测试和分析，以评估设备在电磁环境中的性能。
这包括测量设备的辐射和敏感性，以及分析设备的电磁兼容性问题。
1.2 电磁屏蔽设计：为了减少设备对外部电磁干扰的敏感性，工程师需要设计有效的电磁屏蔽。
这可以通过使用屏蔽材料、设计屏蔽结构和布线来实现。
1.3 地线和接地设计：良好的地线和接地设计是保证设备电磁兼容性的关键。
工程师需要注意地线的布线和连接，以减少电磁干扰的传导和辐射。
二、滤波器设计2.1 电源线滤波器：电源线滤波器可以有效地抑制电源线上的高频噪声和干扰。
工程师需要选择适当的滤波器类型和参数，以满足设备的EMI要求。
2.2 信号线滤波器：信号线滤波器可以减少信号线上的电磁干扰。
工程师需要根据信号频率和干扰源的特性选择合适的滤波器，并考虑滤波器对信号质量的影响。
2.3 模块化滤波器设计：对于大型系统或模块化设备，工程师可以设计模块化滤波器来简化滤波器的安装和维护。
这可以提高设备的可靠性和可维护性。
三、接地和屏蔽技术3.1 接地系统设计：良好的接地系统可以减少设备的地线回路干扰和地线回路噪声。
工程师需要设计合适的接地系统，包括接地电极的布置和连接。
3.2 屏蔽技术：除了电磁屏蔽设计外，工程师还需要考虑其他屏蔽技术，如屏蔽罩、屏蔽盒和屏蔽涂料。
这些技术可以进一步减少设备的辐射和敏感性。
3.3 防静电设计：静电会对电子设备的性能和可靠性产生负面影响。
工程师需要采取防静电设计措施，如使用防静电材料和接地技术，以减少静电干扰和损害。
EMC-EMI之综合解决方案
EMC-EMI之综合解决方案EMC（Electromagnetic Compatibility）和EMI（Electromagnetic Interference）是电磁兼容性和电磁干扰的两个重要概念。
在现代电子设备和系统中，EMC和EMI问题越来越受到重视，因为电磁干扰会影响设备的正常工作，甚至会导致设备损坏。
因此，为了解决EMC和EMI问题，需要综合的解决方案。
一、电磁兼容性（EMC）问题1.1 电磁兼容性测试：通过电磁兼容性测试可以评估设备在电磁环境中的性能，包括传导和辐射干扰。
1.2 电磁兼容性设计：在设计阶段考虑电磁兼容性可以减少后期干扰问题的发生，包括布线设计、地线设计等。
1.3 电磁兼容性标准：遵循国际和国内的电磁兼容性标准可以确保设备在市场上的合规性，如CISPR、IEC等标准。
二、电磁干扰（EMI）问题2.1 电磁干扰源：识别和消除电磁干扰源是解决EMI问题的第一步，包括电源、信号线、开关电源等。
2.2 电磁屏蔽：采用合适的电磁屏蔽材料和技术可以有效减少电磁干扰的影响，如金属外壳、铁氧体材料等。
2.3 滤波器设计：在电路设计中加入滤波器可以减少电磁噪声的传播，提高系统的抗干扰能力。
三、综合解决方案3.1 综合测试：通过综合的EMC测试可以全面评估设备的电磁兼容性和抗干扰能力，及时发现和解决问题。
3.2 专业咨询：寻求专业的EMC工程师的建议和咨询可以匡助解决复杂的EMC和EMI问题，提高设备的性能。
3.3 持续改进：定期对设备进行EMC测试和评估，并不断改进设计和技术可以确保设备在不断变化的电磁环境中保持稳定性。
四、应用案例4.1 工业控制设备：在工业控制设备中，EMC和EMI问题尤其重要，因为设备的稳定性直接影响生产效率。
4.2 医疗设备：医疗设备对电磁干扰的敏感度较高，需要采用专业的EMC解决方案确保设备的安全和可靠性。
4.3 通信设备：在通信设备中，EMC和EMI问题会影响信号传输的质量，需要采取合适的措施保证通信质量。
EMC-EMI之综合解决方案
EMC-EMI之综合解决方案引言概述：电磁兼容性（EMC）和电磁干扰（EMI）是现代电子设备设计中不可忽视的重要问题。
为了确保电子设备在电磁环境中的正常运行，需要采取综合的解决方案来解决EMC和EMI问题。
本文将介绍一种综合的解决方案，以确保电子设备在各种电磁环境下的正常工作。
一、电磁兼容性（EMC）问题1.1 电磁辐射- 电子设备在工作过程中会产生电磁辐射，可能会对周围设备和系统造成干扰。
- 采取屏蔽措施，如金属外壳和屏蔽罩，以减少电磁辐射。
1.2 电磁感应- 电子设备受到周围电磁场的感应，可能导致设备的正常工作受到干扰。
- 采取滤波措施，如滤波器和抑制器，以减少电磁感应。
1.3 电磁敏感性- 电子设备对外界电磁场的敏感性可能导致设备的正常工作受到干扰。
- 采取抗干扰措施，如增加设备的抗干扰能力和提高系统的抗干扰能力。
二、电磁干扰（EMI）问题2.1 电磁辐射源- 电子设备可能成为电磁辐射源，对周围设备和系统造成干扰。
- 采取屏蔽措施，如金属外壳和屏蔽罩，以减少电磁辐射。
2.2 电磁感应源- 电子设备可能成为电磁感应源，对周围设备的正常工作造成干扰。
- 采取滤波措施，如滤波器和抑制器，以减少电磁感应。
2.3 电磁敏感源- 电子设备可能成为电磁敏感源，对外界电磁场的敏感性可能导致设备的正常工作受到干扰。
- 采取抗干扰措施，如增加设备的抗干扰能力和提高系统的抗干扰能力。
三、综合解决方案3.1 设备设计- 采用合适的电磁屏蔽材料和结构设计，以减少电磁辐射和电磁感应。
- 优化电路布局和地线设计，以提高电磁兼容性。
3.2 电磁兼容性测试- 对电子设备进行电磁兼容性测试，以评估设备在电磁环境中的性能。
- 根据测试结果进行调整和优化，以提高设备的电磁兼容性。
3.3 抗干扰措施- 采用滤波器、抑制器和抗干扰电路等措施，以减少电磁干扰。
- 优化设备的抗干扰能力和提高系统的抗干扰能力。
四、效果评估和改进4.1 评估电磁兼容性- 对设备进行电磁兼容性评估，以检测设备在电磁环境中的性能。
解决EMI和EMC问题的技术方法
T D K公司——解决E M I和E M C问题的技术方法主要有三大类：屏蔽、铁氧体、被动元件。
屏蔽方法目的：解决内部噪音发射出去或外部噪音渗透进来；主要采用：金属板/箔/外壳、铁氧体吸收板/箔、网格状金属外壳；铁氧体方法目的：吸收噪音并把它转化成热量散发出去主要采用：分离型铁氧体、铁氧体磁环、夹子滤波器、平板型铁氧体。
被动元件方法主要采用：：片状磁珠、片状电感、片状电容、片状贯通型电容（三端电容、穿心电容）、3端滤波器、共模扼流圈或共模滤波器、压敏电阻或突波吸收器、电源线E M C滤波器。
磁珠的主要成分是铁氧体，他的等效电路可用电感+电阻来描述，这种元件的特性是在高频段呈现高阻抗，将它串联在高频信号或数据线上时，可将这些线路上的高频噪音转化成热量散发掉。
电感串联在线路上，作用是阻挡从线路上传过来的高频噪音，并把它反射回发生源处。
电容接在线路与地之间，它的作用是将高频噪音旁通到地上。
贯通型电容（三端电容、穿心电容）的作用与片状电容一样，但它的E S L值更低，因此高频特性更好。
在需要有一定E S R的多层陶瓷电容（M L C C）的应用场合（如抑制高频纹波），【T D K的M L C C具有很大的优势，因为它采用的新结构允许将E S R设定在任何你想要的数值。
】三端滤波器由2电感+1电容（或1电感+2电容）构成，它的特性是有一个陡峭的衰减曲线。
如果使用片状电感或电容不能减少足够多的噪音，3端滤波器可能就是一个很好的选择。
共模扼流圈（或共模滤波器）都能抑制差分传输的信号线和数据线上的共模噪音，但同时又不影响差模信号。
【T D K的对抗高速数据传输线路E M I的共模滤波器有A C M2012H-900和T C M1210U-500-2P已将截止频率(传送带域)分别扩大到了6G H z和8G H z。
为了满足新一代纤薄型高清便携式电子设备配备HD M I接口的需要，T DK在A C M2012H的基础上开发出了体积仅为其四分之一的H D M I1.3兼容薄膜共模滤波器T C M1210H，尺寸从A C M2012H的 2.0×1.2×1.2m m大幅降低到 1.2×1.0×0.6m m，且截止频率仍做到6G H z。
DSP系统中的EMC和EMI的解决方案
DSP 系统中的EMC 和EMI 的解决方案
在任何高速数字电路设计中，处理噪音和电磁干扰(EMI)都是必然的挑战。
处理音视讯和通讯讯号的数字讯号处理(DSP)系统特别容易遭受这些干扰，设计时应该及早厘清潜在的噪音和干扰源，并及早采取措施将这些干扰降到最小。
良好的规划将减少除错阶段中的大量时间和工作反复，可节省整体设计时间和成本。
如今，最快的DSP 的内部频率速率高达数GHz，而发射和接收讯号的频率高达数百MHz。
这些高速开关讯号将会产生大量的噪音和干扰，将影响系统性能并产生电平很高的EMI。
而DSP 系统也变得更加复杂，如具有音视讯接口、LCD 和无线通讯功能，以太网络和USB 控制器、电源、振荡器、驱动控制以及其它各种电路，它们都将产生噪音，也都会受到相邻零组件的影响。
音视讯系统中特别容易产生这些问题，因为噪音会引起微妙的性能衰减，但这几乎不会显露在离散的数据之中。
重点是要从设计开始就着手解决噪音和干扰问题。
许多设计第一次都没有通过联邦通讯委员会(FCC)的电磁兼容测试。
如果在早期设计中，在低噪音和低干扰设计方法上花费一些时间，就会减少后续阶段的重新设计成本和产品上市时间的延迟。
因此，从设计一开始，开发工程师就应该着眼于：
1. 选用在动态负载条件下具有低开关噪音的电源；
2. 将高速讯号线间的串扰降到最小；
3. 高频和低频退耦；
4. 具有最小传输线效应的优良讯号完整性；
如果实现了这些目标，开发工程师就能有效避免噪音和EMI 方面的缺陷。
噪音的影响及控制。
电磁兼容解决方案
电磁兼容解决方案一、引言电磁兼容（Electromagnetic Compatibility，简称EMC）是指电子设备在共同工作环境下，不产生对其他设备造成干扰，同时也不受其他设备干扰的能力。
为了确保设备的正常工作和通信质量，需要采取一系列的措施来解决电磁兼容问题。
本文将介绍一种电磁兼容解决方案，以确保设备在复杂电磁环境中的正常工作。
二、问题描述在现代社会中，电子设备的数量不断增加，各种设备之间的电磁干扰问题也日益突出。
例如，手机在使用过程中可能会干扰到附近的音响设备，或者电子设备在使用过程中受到附近电源线的干扰等。
这些干扰问题会导致设备的性能下降，甚至造成设备的损坏。
因此，需要采取一种有效的电磁兼容解决方案来解决这些问题。
三、解决方案1. 设备设计阶段在设备设计阶段，应该考虑到电磁兼容的要求。
首先，需要合理选择和布局电子元件，避免元件之间的相互干扰。
其次，应该采用合适的屏蔽措施，如金属屏蔽罩、屏蔽导线等，来减少电磁辐射和敏感度。
此外，还应该合理设计电路板，减少电磁辐射和敏感度。
2. 电磁辐射防护为了减少电磁辐射对周围设备的干扰，可以采取以下措施：- 设备外壳采用金属材料，形成屏蔽效果。
- 在电路板上采用屏蔽层，减少电磁辐射。
- 使用合适的滤波器来减少电磁辐射。
- 合理布局电源线，减少电磁辐射。
3. 电磁敏感度防护为了减少设备受到周围电磁干扰的影响，可以采取以下措施：- 设备内部采用屏蔽罩，减少外部电磁干扰。
- 在电路板上采用屏蔽层，减少电磁敏感度。
- 使用合适的滤波器来减少电磁敏感度。
- 合理布局电源线，减少电磁敏感度。
4. 地线设计地线的设计对于电磁兼容至关重要。
合理的地线设计可以有效地减少电磁干扰和敏感度。
在地线设计中，应该注意以下几点：- 地线的走向应尽量短而直，避免过长的回路。
- 地线应与信号线和电源线分离，避免相互干扰。
- 地线应有良好的接地，避免接地电阻过大。
5. 测试与验证在设计和制造完成后，需要进行电磁兼容测试和验证，以确保设备符合相关标准和要求。
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General Purpose Peak EMI reduction IC General Features• •• •• • •• • 1x, LVCMOS Peak EMI ReductionIncorporates the latest Timing-Safe technologywhich allows the spread of analog video signalInput frequency:1 0MHz - 35MHz @ 2.5V1 0MHz - 40MHz @ 3.3VOutput frequency :1 0MHz - 35MHz @ 2.5V1 0MHz - 40MHz @ 3.3VAnalog Deviation SelectionSpread Spectrum Enable/DisableSupply Voltage: 2.5V±0.2V3.3V±0.3V8pin TDFN(2X2) COL PackagesCommercial temperature rangeDC coupled to XIN/CLKIN) and locks on to it delivering a 1xmodulated clock output. SSDCP1108AF has a SSON pin forenabling and disabling Timing-SafeʳSpread Spectrumfunction.SSDCP1108AF has an SSEXTR pin to select differentdeviations depending upon the value of an external resistorconnected between SSEXTR and GND. Charge Pump (CP)control selects one of the two different ChargePumpcurrent settings.SSDCP1108AF operates from a 3.3V/2.5V supply, and isavailable in an 8 pin TDFN(2X2) COLpackages, over Commercial temperature range.Functional DescriptionSSDCP1108AF is a versatile, 3.3V/2.5V Peak EMI reduction IC. SSDCP1108AF accepts an input clock either from a fundamental Crystal or from an external reference (AC or •ApplicationSSDCP1108AF is targeted for consumer electronicsapplication such as MFP, STB, DSC, MID,HDMI,LCD panel Camcorder,and other timing sensitive analog video imaging applications •Applications of HDMI, RJ45 port has good compatibilityBlock DiagramVDDSSON CPXIN/CLKINXOUTCrystalOscillatorPLL ModOUTSSEXTRGNDPin ConfigurationXIN / CLKIN 1XOUT 2SSON 38 VDDSSEXTRCPModOUT7 SSDCP1108AFSSDCP1108A6GND 4 5 Pin DescriptionPin #12345678 Pin NameXIN / CLKINXOUTSSONGNDModOUTCPSSEXTRVDDPin TypeIOIPOIIPDescriptionCrystal connection or External reference clock input.Crystal connection. If using an external reference, this pin should be left open.Spread Spectrum ON/OFF. Spread Spectrum function enabled when HIGH, disabledwhen LOW. Has an internal pull-up resistor inside.GroundModulated clock outputCharge Pump current Select. When LOW selects Low CP current. Selects High CPcurrent when pulled HIGH. Has an internal pull-up resistor inside.Analog Deviation Selection through external resistor to GND.2.5V /3.3V supply Voltage.Frequency Selection tableVDD (V)2.53.3 Frequency (MHz)15-3515-40Operating ConditionsParameterVDDTACLCINDescriptionSupply VoltageOperating Temperature (Ambient Temperature)Load CapacitanceInput CapacitanceMin2.3Max3.6+70107UnitV°CpFpFAbsolute Maximum RatingSymbolVDD, V INT STG T s T JT DVParameterVoltage on any input pin with respect to GroundStorage temperatureMax. Soldering Temperature (10 sec) Junction TemperatureStatic Discharge Voltage (As per JEDEC STD22- A114-B)Rating-0.5 to +4.6 -65 to +125260 150 2Unit V°C °C °C KVNote: These are stress ratings only and are not implied for functional use. Exposure to absolute maximum ratings for prolonged periods of time may affectdevice reliability.DC Electrical Characteristics for 2.5V ParameterVDD V IL V IH I IL I IH V OL V OH I CC I DDZ oDescriptionSupply Voltage Input LOW Voltage Input HIGH Voltage Input LOW Current Input HIGH Current Output LOW Voltage Output HIGH Voltage Static Supply Current Dynamic Supply Current Output ImpedanceTest Conditions Min2.3Typ2.5Max2.7 0.71.7V IN V INI OL I OH= 0V= V DD = 8mA = -8mA25 25 0.61.8XIN / CLKIN pulled low Unloaded Output50 1235UnitV V VµA µA V V µA mASwitching Characteristics for 2.5VParameterInput Frequency* / ModoUT 1, 2Duty CycleTest Conditions 1, 2 Output Rise Time 1,2Output Fall Time2Cycle-to-Cycle Jitter 2PLL Lock TimeMeasured at V DD /2Measured between 20% to 80% Measured between 80% to 20%Unloaded output with SSEXTR OPEN @ 27MHz Stable power supply, valid clock presented on XIN / CLKINMin1045Typ 50Max3555 2.2 2±1753UnitMHz% nS nS pSmSNote: 1. All parameters are specified with 10pF loaded outputs.2. Parameter is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production* Functionality with Crystal is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production.DC Electrical Characteristics for 3.3V ParameterVDD V IL V IH I IL I IH V OL V OH I CC I DDZ oDescriptionSupply Voltage Input LOW Voltage Input HIGH Voltage Input LOW Current Input HIGH Current Output LOW Voltage Output HIGH Voltage Static Supply CurrentDynamic Supply CurrentOutput ImpedanceTest Conditions Min3.0Typ3.3Max3.6 0.82.0V IN V INI OL I OH= 0V= V DD= 8mA = -8mA 25 25 0.42.4XIN / CLKIN pulled lowUnloaded Output501630UnitV V VµA µA V VµAmASwitching Characteristics for 3.3VParameterInput Frequency* / ModOUT 3, 4Duty CycleTest Conditions 3, 4 Output Rise Time 3, 4Output Fall Time4Cycle-to-Cycle Jitter 4PLL Lock TimeMeasured at V DD /2Measured between 20% to 80% Measured between 80% to 20%Unloaded output with SSEXTR OPEN @ 27MHz Stable power supply, valid clock presented on XIN / CLKINMin1045Typ 50Max4055 1.8 1.6±1503UnitMHz% nS nS pSmSNote: 3. All parameters are specified with10pF loaded outputs.4. Parameter is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production.* Functionality with Crystal is guaranteed by design and characterization. Not 100% tested in production.Typical Crystal SpecificationsFundamental AT cut parallel resonant crystal Nominal frequency Frequency tolerance Operating temperature range Storage temperatureLoad capacitance(C P ) Shunt capacitance ESR27MHz± 50 ppm or better at 25°C 0°C to +70°C -40°C to +85°C 18pF7pF maximum 25Note: C L is the Load Capacitance and Rx is used to prevent oscillations at overtone frequency of the Fundamental frequency.Typical Crystal Interface CircuitSSDCP1108ARXIN/CLKINCrystalXOUTRxC LC LC L = 2*(C P - C S ),Where C P = Load capacitance of crystal from crystal vendor datasheetC S = Stray capacitance due to C IN, PCB, Trace etc.Switching WaveformsDuty Cycle Timingt 1t 2V DD /2V DD /2 V DD /2OUTPUTOutput Rise/Fall Time80%20%80%20%OUTPUTt 3t 4Application SchematicC L is the load capacitance for proper XTAL operation1 C LSSDCP1108AFXIN/CLKINVDD 8Noise Reduction FilterRCVDDExternal Deviation ControlVDDR1XOUTVDD2 SSEXTR7Analog Deviation Control SSEXTR can be Pulled HIGH to turn OFF Deviation3 SSONCP 6SSON ControlCP Control4 GNDModOUT 5Note: SSON (Pin#3) CP (Pin#6): Connect to VDD or GNDRefer to Pin Description table for Functionality detailsNote: For AC Coupled Interface refer to Application Brief: CT100801Deviation Vs SSEXTR resistance Charts at 27MHzDeviation Vs SSEXTR Resistance @ 27MHz2.5CP=1MR=12.0 1.51.00.50.050 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600650Resistance(K _))% ± ( n o i t a i v e DDeviation Vs SSEXTR Resistance @ 27MHz2.5CP=0MR=0 2.01.51.00.50.00 50 100 150Resistance(K_) 200 250 300) %±( n o i t a i v e DTDFN COL 2x2 8L package Outline drawingSymbol InchesMin0.027 DimensionsMillimetersA A3 b D E e LMax0.0315Min0.700.008 BSC0.0080.0120.079 BSC0.078 BSC0.020 BSC0.0200.0240.200.50Max0.800.203 BSC0.302.00 BSC2.00 BSC0.50 BSC0.60SSDCP1108AF Spectrum DeviceOrdering CodePart Number SSDCP1108AF-08-CR MarkingDAPackage8- pin 2-mm TDFN COL - TAPE & REEL, GreenTemperature0 °C to +70 °CDevice Ordering InformationS S D C P 1 1 0 8 A F - 08 - CRR = Tape & Reel, T = Tube or TrayO = TSOT23S = SOICT = TSSOPA = SSOPV = TVSOPB = BGAQ = QFNU = MSOPE = TQFPL = LQFPU = MSOPP = PDIPD = QSOPX = SC-70J=TSOT26C=TDFN (2X2) COLDEVICE PIN COUNTF = LEAD FREE AND RoHS COMPLIANT PARTG = GREEN PACKAGE, LEAD FREE, and RoHSPART NUMBERI= Industrial(-40 °C to +85 °C )A = Clock GeneratorB = Non PLL basedC = EMI ReductionD = DDR support productsE = STD Zero Delay BufferP or n/c = Commercial(0 °C to +70 )°CF = Power ManagementG = Power ManagementH = Power ManagementIJ= Hi Performance= ReservedSpread Spectrum Device CO.,LTDCopyright All rights reserved by Spread Spectrum Device Part Number:SSDCP1108AFDocument Version:0.22。