HIT太阳能电池的发展概况
光伏hit电池
有关光伏“HIT电池”的介绍
有关光伏“HIT电池”的介绍如下：
HIT电池，全称为晶体硅异质结太阳电池，也被称为HJT、HDT或SHJ电池。
这种电池技术是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。
HIT电池的结构特点是以N型单晶硅片为衬底，正反面分别覆盖本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜和金属氧化物导电层TCO。
这种结构使得HIT电池具有高效率、低光衰、温度系数低、双面发电以及弱光响应高等多项优势。
因此，HIT电池具备更高的发电能力和更低的度电成本，这符合光伏行业追求高效率和低成本的目标。
此外，HIT电池还兼具了结构简单、工艺温度低、钝化效果好、开路电压高、温度特性好以及双面发电等特点。
这些优势使得HIT电池逐渐成为电池行业从业者公认的未来电池技术终极解决方案，并被视为光伏电池产业的下一个风口。
虽然HIT电池具有许多优势，但其产业化进程仍面临一些挑战。
然而，随着技术的不断进步和成本的降低，HIT电池有望在光伏市场中占据更大的份额。
太阳能电池的发展历史
太阳能电池的发展历史太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的设备，它在能源领域具有重要的意义。
本文将详细介绍太阳能电池的发展历史，包括关键的里程碑和技术发展。
1. 太阳能电池的起源太阳能电池的概念最早可以追溯到19世纪初。
1839年，法国科学家贝克勒尔发现了光电效应，即光线照射到某些材料上时会产生电流。
这个发现为太阳能电池的发展奠定了基础。
2. 第一代太阳能电池：硅基太阳能电池20世纪50年代，贝尔实验室的科学家们首次成功创造出可用的太阳能电池。
这种太阳能电池采用硅作为半导体材料，通过光照射到硅材料上产生电流。
硅基太阳能电池具有较高的效率和稳定性，成为当时主要的太阳能电池技术。
3. 第二代太阳能电池：薄膜太阳能电池20世纪70年代，科学家们开始研发新型的太阳能电池技术，以降低成本并提高效率。
薄膜太阳能电池应运而生，它采用较薄的材料作为光吸收层，如铜铟镓硒（CIGS）和铜铟镓硫（CIGS）。
这些材料具有较高的光吸收系数和较高的转换效率，同时可以通过卷绕和灵便的设计实现更广泛的应用。
4. 第三代太阳能电池：多结太阳能电池随着对太阳能电池技术的不断研究，人们开始寻求更高效率和更低成本的解决方案。
第三代太阳能电池的代表是多结太阳能电池，它采用多层结构，每一个层都能吸收不同波长的光线。
这样可以提高光电转换效率，并实现更广泛的光谱范围的吸收。
多结太阳能电池目前仍在研究和开辟阶段，但已经显示出巨大的潜力。
5. 未来发展趋势太阳能电池作为一种清洁、可再生的能源技术，具有广阔的应用前景。
随着技术的进步和成本的降低，太阳能电池的市场份额将不断增加。
未来的发展趋势包括提高效率、降低成本、增加可靠性和延长寿命。
同时，太阳能电池与其他能源技术的结合，如储能技术和智能电网，将进一步推动太阳能电池的发展。
总结：太阳能电池的发展历史经历了多个阶段，从硅基太阳能电池到薄膜太阳能电池，再到多结太阳能电池。
每一个阶段都有重要的技术突破和发展，推动太阳能电池的效率和可靠性不断提高。
HIT电池技术
HIT电池制备方法
本征层及掺杂层的制备
PECVD 生长速率 慢 生长面积 大 生长均匀性 好 薄膜质量 较好 工艺稳定性 好 工艺成熟度 成熟
HWCVD 快 小 较差 更好 较差 发展阶段
PO层的制备
¾溅射法：磁控溅射、离子束溅射 等 ¾蒸发法：热蒸发、离子束蒸发 等
4. 全部在线式设备，易于实现自动化 效率可以做到19%，与17%的常规电池效 率相比，相当于节省9%的成本 温度特性0.3%/K vs. 0.43%/K，增加4% 的能量输出，节省4%的成本。
R&R HJT电池的优点
工艺对比
常规工艺 清洗制绒
扩散 周边刻蚀
PECVD 丝网印刷
R&R工艺 清洗制绒 正面PECVD 背面PECVD 正面PVD 背面PVD 丝网印刷 周边刻蚀
¾ 现在人们有些习惯于用HIT表 示异质结电池。
HIT电池简介
HIT电池发展历史
¾ 1968年，第一个a-Si/c-Si异质结器件。 ¾ 1974年，第一个氢化非晶硅器件。（a-Si:H，H钝化，
减少缺陷） ¾ 1983年，第一个太阳能电池。 ¾ 2010年，转换效率达到23%。（Sanyo）
HIT电池的优点
1. HIT电池具有较高的开路电压VOC，三洋规模化生产效率可 超过20%。
2. 良好的温度特性。室外使用温度经常会达到70-80度， 在同样的高温下，HIT电池比晶硅太阳电池性能衰减更 少。
3. HIT电池工艺均在200度以下，对于衬底硅材料的要求较 低。热能投入少，同时对环境洁净程度要求较低。
晶硅/非晶硅异质结结构 增加开路电压，提高转换效率
HIT电池工艺制程
1.硅片清洗制绒
2.正面用PECVD制 备本征非晶硅薄膜 和P型非晶硅薄膜
HIT太阳能电池
高效HIT太阳能电池的发展现状2013-5-27 13:17|发布者: |查看: 1973|评论: 0|原作者: 乔秀梅，贾锐等|来自: Solarzoom摘要: 摘要：带有本征薄层的异质结（Heterojunctionwith Intrinsic Thinfilm（HIT））太阳能电池起源于Hamakawa等设计的a-Si/c-Si堆叠太阳能电池，与单晶、非晶硅太阳能电池相比，其具有低温工艺，高的稳定性等优点， ...摘要：带有本征薄层的异质结（Heterojunctionwith Intrinsic Thinfilm（HIT））太阳能电池起源于Hamakawa等设计的a-Si/c-Si堆叠太阳能电池，与单晶、非晶硅太阳能电池相比，其具有低温工艺，高的稳定性等优点，具有广阔的发展前景。
本文介绍了HIT太阳能电池的基本结构和能带并对其特点进行了深入的分析，根据相关文献从清洗，透明导电氧化层（TCO）的制备，非晶硅层的制备，背表面场的制备等方面深入分析了HIT太阳能电池的技术发展状况，并以三洋公司为引线，简单介绍了HIT太阳能电池的产业发展现状。
关键词：HIT；太阳能电池；结构；特点；技术发展；产业发展1HIT太阳能电池的结构及其特点太阳能电池的结构基本结构HIT电池的本质是异质结太阳能电池，于1951年就已经提出了异质结的概念，并且进行了理论分析，但是由于当时制备异质结的工艺技术十分复杂和困难，所以异质结的样品迟迟没有制备成功。
1960年Anderson成功的制备出高质量的异质结样品，还提出了十分详细的理论模型和能带结构图。
带本征薄层异质结（HIT）太阳能电池是由MakotoTanaka 和MikioTaguchi等人于1992年在三洋公司第一次制备成功。
图1为常见的双面异质结电池的结构示意图，其特征是三明治结构，中间为衬底p(n)型晶体Si，光照侧是n(p)-i型a-Si膜，背面侧是i-p+(n+)型a-Si膜，在两侧的顶层溅射TCO膜，电极丝印在TCO膜上，构成具有对称型结构的HIT太阳电池。
太阳能电池第一、二、三代发展进程
太阳能电池第一、二、三代发展进程目前的电池片技术绝大部分（大概96%）是硅晶技术，不管是PERC还是TOPCon，还是HJT都是基于硅晶材料。
他的优势是量产成本低，光电转换效率高，是市场主流技术。
还有部分（4%左右）是薄膜电池，包括碲化镉，铜铟镓硒，钙钛矿等技术。
但他的成本较高，光电效率低，所以量很少。
晶硅/薄膜电池技术路线：光电转化效率：HJT+钙钛矿，是行业趋势。
技术发展史：→ 第1代：铝背场BSF电池 (2017年以前)→ 第2代：PERC电池 (2017年至今)→ 第2.5代：PERC+/TOPCon（隧穿氧化钝化电池）→ 第3代：HJT电池（也叫HIT电池，俗称异质结电池，全称晶体硅异质结太阳能电池）→ 第4代：HBC电池(也称IBC，即叉指式背接触电池，可能潜在方向)→ 第5代：钙钛矿叠层电池 (可能潜在方向)。
材料发展史：第一代太阳能电池——以单晶硅、多晶硅为代表的硅晶太阳能电池。
目前这技术发展成熟且应用最为广泛，目前面对的问题是单晶硅太阳能电池对原料要求太高，以及多晶硅太阳能电池生产工艺过于复杂等问题。
第二代太阳能电池——薄膜太阳能电池，以CdTe、GaAs及CIGS为代表的的太阳能电池。
该技术与晶硅电池相比，优势在于所需材料较少且容易大面积生产，成本方面优势较明显。
第三代太阳能电池——基于高效、绿色环保和先进纳米技术的新型薄膜太阳能电池，如染料敏化太阳能电池（DSSCs）、钙钛矿太阳能电池（PSCs）和量子点太阳能电池（QDSCs）等。
钙钛矿电池钙钛矿是一类陶瓷氧化物，其分子通式为ABO3 ,呈八面体形状，结构特性优异；此类氧化物最早被发现，是存在于钙钛矿石中的钛酸钙（CaTiO3）化合物，因此而得名。
钙钛矿晶体的制备工艺简单，光电转换效率高，在光伏、LED等领域应用广泛。
钙钛矿型太阳能电池（perovskite solar cells），又被称作新概念太阳能电池，是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池，属于第三代太阳能电池。
太阳能电池的发展历史
太阳能电池的发展历史太阳能电池，也被称为光伏电池，是一种能够将太阳能转化为电能的装置。
它的发展历史可以追溯到19世纪初，经过了几个重要的里程碑式的发展阶段。
本文将详细介绍太阳能电池的发展历史。
1. 早期研究（19世纪初至20世纪中叶）太阳能电池的研究始于19世纪初，当时科学家开始尝试将太阳能转化为电能。
1839年，法国物理学家贝克勒尔发现了光电效应，这是太阳能电池研究的基础。
1883年，美国发明家查尔斯·福克斯在实验室中创造了第一块光电池，但效率很低，无法实际应用。
2. 硅太阳能电池的诞生（20世纪中叶）20世纪中叶，硅太阳能电池的诞生标志着太阳能电池的重要突破。
1954年，贝尔实验室的科学家发明了第一块高效的硅太阳能电池。
这种电池利用硅半导体材料，通过光电效应将太阳能转化为电能。
这一发明引起了广泛的关注，并在航天、电力等领域得到了应用。
3. 多晶硅太阳能电池的发展（20世纪后半叶）20世纪后半叶，科学家们继续改进太阳能电池的效率和成本。
传统的硅太阳能电池使用单晶硅材料创造，成本较高。
为了降低成本，研究人员开始使用多晶硅材料创造太阳能电池。
多晶硅太阳能电池的创造工艺更简单，成本更低，同时效率也有所提高。
这种电池逐渐成为主流，并在太阳能发电领域得到广泛应用。
4. 薄膜太阳能电池的兴起（21世纪初）21世纪初，薄膜太阳能电池的兴起引起了行业的关注。
薄膜太阳能电池采用柔性材料创造，具有轻薄灵便的特点，可以应用于各种形状和表面。
这种电池的创造成本更低，生产工艺更简单，但效率相对较低。
然而，随着技术的进步，薄膜太阳能电池的效率逐渐提高，有望成为未来太阳能电池的重要发展方向。
5. 第三代太阳能电池的探索（当前）当前，科学家们正在探索第三代太阳能电池的发展。
第三代太阳能电池主要关注于提高效率、降低成本和改善可持续性。
其中，有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池、量子点太阳能电池等技术被广泛研究。
这些新型太阳能电池材料和结构的应用有望进一步提高太阳能电池的效率和可靠性。
太阳能电池的发展历程及技术现状
太阳能电池的发展历程及技术现状太阳能电池是一种能够将太阳能直接转化为电能的装置，是绿色能源的代表之一，也是目前最为成熟的可再生能源之一。
随着人们对环境保护意识的提高和能源危机的逐渐加剧，太阳能电池的应用价值更加凸显，其发展历程也越来越成为人们关注的热点问题。
一、发展历程太阳能电池的历史可以追溯到19世纪初期。
1839年，科学家法拉第首次发现了太阳能电池效应，即在光照下硒化银的电导率将增大。
20世纪初期，爱迪生、费根鲁并独立发明出了最早的太阳能电池，但在当时并没有得到广泛应用。
随着技术的不断进步和发展，太阳能电池的效率逐步提高，生产成本逐渐降低，才逐渐开启了规模化生产应用的时代。
20世纪50年代，由路易斯·布拉托夫发明的硅太阳能电池开始应用于人造卫星，成为太空探索的重要能源来源。
随后，太阳能电池应用领域逐渐拓展到各个领域。
90年代以来，太阳能电池的效率不断提高，生产成本持续降低，规模化生产和应用得到了进一步的发展。
二、技术现状太阳能电池通常通过硅制备，并根据不同的转化方式可分为多种类型，例如单晶硅、多晶硅、非晶硅等。
其中单晶硅是效率最高的太阳能电池，但生产成本较高，非晶硅则成本较低但效率不如单晶硅。
目前，太阳能电池技术已经取得重大进展。
近年来，钙钛矿太阳能电池因其高效率、低成本、良好的透明性等特点逐渐受到人们的关注，成为太阳能电池领域的新疆域。
此外，以柔性材料制备的太阳能电池也成为一个新的研究热点，具有更广阔的应用前景。
量子点太阳能电池被认为是下一代太阳能电池的发展方向。
量子点太阳能电池主要由量子点薄膜、电解质、热电材料等多个部分组成，具有高效、稳定的性能，也是目前最具前景的太阳能电池之一。
三、发展前景太阳能电池拥有广泛的应用前景。
随着全球环保意识的增强和经济的发展，太阳能电池在工业、家庭，甚至是城市能源供应等领域都有着广泛的应用前景。
同时，太阳能电池也成为国家新能源政策的重点研究领域之一，相关科研机构和企业也在不断进行技术创新和实践探索，以满足人们对清洁能源、可持续发展的需求。
太阳能电池的发展历史
太阳能电池的发展历史太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的装置，其发展历史可以追溯到19世纪初。
本文将详细介绍太阳能电池的发展历程，包括关键技术突破、应用领域拓展以及未来发展趋势。
1. 太阳能电池的起源太阳能电池的概念最早由法国物理学家爱德蒙·贝克勒耳在1839年提出。
他发现，当光照射到某些材料上时，会产生微弱的电流。
这一现象被称为光电效应，为太阳能电池的发展奠定了基础。
2. 第一代太阳能电池：硒光电池在19世纪末，美国发明家查尔斯·费德尔和威廉·莫尔斯发明了第一种实用的太阳能电池，即硒光电池。
这种光电池利用硒的光电效应将太阳能转化为电能。
然而，硒光电池效率低下且成本高昂，限制了其应用范围。
3. 第二代太阳能电池：硅光电池20世纪50年代，贝尔实验室的科学家发明了硅光电池，标志着第二代太阳能电池的诞生。
硅光电池利用硅材料的光电效应将太阳能转化为电能。
硅光电池的效率相对较高，且成本逐渐降低，使其在航天、通信和农业等领域得到了广泛应用。
4. 第三代太阳能电池：多晶硅光电池和薄膜太阳能电池20世纪70年代，多晶硅光电池和薄膜太阳能电池成为第三代太阳能电池的代表。
多晶硅光电池采用多晶硅材料制造，相比单晶硅光电池，其制造成本更低，但效率稍低。
薄膜太阳能电池采用薄膜材料制造，具有灵活性和轻便性，适用于一些特殊应用场景。
5. 第四代太阳能电池：有机太阳能电池和钙钛矿太阳能电池近年来，有机太阳能电池和钙钛矿太阳能电池成为第四代太阳能电池的研究热点。
有机太阳能电池利用有机半导体材料将太阳能转化为电能，具有制造成本低、柔性可塑等优势。
钙钛矿太阳能电池利用钙钛矿材料的光电效应，具有高效率和制造成本低的特点。
6. 太阳能电池的应用领域拓展随着太阳能电池技术的不断进步，其应用领域也在不断拓展。
太阳能电池广泛应用于航天、通信、农业、建筑等领域。
在航天领域，太阳能电池被用于为卫星和航天器供电；在通信领域，太阳能电池被用于为远程通信设备和无线电台供电；在农业领域，太阳能电池被用于为灌溉系统和农业设备供电；在建筑领域，太阳能电池被用于建筑一体化和城市光伏发电。
太阳能电池产业的现状和发展
太阳能电池产业的现状和发展
太阳能电池产业是全球新能源领域的重要组成部分，得益于政策支持、技术进步和市场需求的增长，目前正处于快速发展阶段。
现状主要体现在以下几个方面：
1. 技术突破：太阳能电池的转换效率不断提升，新型材料如钙钛矿等的研发也取得显著进展，使得电池成本下降，性能提高。
2. 产业链完善：从上游原材料供应到中游电池片生产，再到下游光伏电站建设和运营，整个产业链条已经相当成熟。
3. 市场规模扩大：随着环保意识增强和可再生能源政策推动，全球太阳能电池市场持续增长，预计未来几年将保持10%左右的年均增长率。
4. 商业模式创新：除了传统的集中式电站，分布式发电、光伏+储能等多元化商业模式也在逐渐兴起。
5. 国际竞争加剧：中国、美国、欧洲等地的企业在技术研发和市场份额争夺上激烈竞争。
未来的发展趋势主要表现在以下几点：
1. 技术革新将持续推动产业升级，高效、低成本的太阳能电池将成为主流。
2. 政策引导和支持将对行业发展起到关键作用，包括补贴、税收优惠以及可再生能源配额制度等。
3. 储能技术的进步将解决太阳能发电的间歇性问题，进一步提升其竞争力。
4. 分布式光伏发电将在全球范围内得到更广泛的应用，尤其是在电力需求增长迅速的地区。
5. 随着能源互联网的发展，太阳能电池将与电动汽车、智能家居等形成互动，为构建绿色低碳社会做出贡献。
太阳能电池的发展历史
太阳能电池的发展历史太阳能电池是一种能够将太阳光转化为电能的装置，它的发展历史可以追溯到19世纪。
以下是太阳能电池发展历史的详细描述。
1. 19世纪初期太阳能电池的诞生1839年，法国物理学家安东尼·贝克勒尔发现了光电效应，即光照射到某些物质上时会产生电流。
这一发现为太阳能电池的发展奠定了基础。
2. 20世纪初期的太阳能电池研究20世纪初，物理学家爱因斯坦对光电效应进行了深入研究，并提出了解释光电效应的理论。
这一理论的建立进一步推动了太阳能电池的研究。
3. 第一代太阳能电池的诞生1954年，美国贝尔实验室的科学家发明了第一代太阳能电池，采用了硅材料制成的PN结构。
这种太阳能电池的效率较低，但标志着太阳能电池的商业化应用的开始。
4. 太阳能电池的进一步发展在接下来的几十年里，太阳能电池经历了不断的改进和创新。
研究人员发现了更高效的材料，如多晶硅和单晶硅，并提出了新的电池结构，如薄膜太阳能电池和有机太阳能电池。
5. 太阳能电池的商业化应用随着太阳能电池技术的不断进步，太阳能电池开始在各个领域得到广泛应用。
太阳能电池板被安装在房屋屋顶上，用于发电；太阳能电池还被应用在航天器、卫星和无人机等领域，提供独立的电力供应。
6. 太阳能电池的效率提升近年来，太阳能电池的效率不断提升。
研究人员利用纳米技术、多结构设计和新型材料等手段，将太阳能电池的转换效率提高到了20%以上。
此外，太阳能电池的成本也在不断降低，推动了太阳能发电的普及和应用。
7. 太阳能电池的未来发展趋势太阳能电池作为一种清洁、可再生的能源技术，具有广阔的发展前景。
未来，太阳能电池有望进一步提高效率、降低成本，并与其他能源技术相结合，如储能技术和智能电网，实现可持续发展。
总结：太阳能电池的发展历史可以追溯到19世纪初期的光电效应发现。
经过多年的研究和创新，太阳能电池从第一代硅材料制成的PN结构发展到多晶硅、单晶硅、薄膜和有机太阳能电池等多种类型。
太阳能电池发展历程
太阳能电池发展历程太阳能电池是利用光能直接转化为电能的装置，它是一种可再生能源，具有环保、可持续的优点。
太阳能电池的发展经历了以下几个阶段。
第一阶段：固态电池20世纪中叶，科学家开始开展太阳能电池的研究。
最初的太阳能电池采用了固态结构，使用了硒化铜等半导体材料。
然而，固态电池效率低下，成本高昂，限制了其应用范围。
第二阶段：硅太阳能电池20世纪60年代至70年代，硅太阳能电池逐渐成为主流。
这种电池利用硅材料制造PN结，将阳光直接转化为电能。
硅太阳能电池具有相对较高的转换效率，并且稳定性较好。
然而，硅太阳能电池制造成本高昂，且能效低下，限制了其大规模应用。
第三阶段：多晶硅太阳能电池为了提高硅太阳能电池的效率和降低成本，科学家们开始研究多晶硅太阳能电池。
多晶硅电池使用多晶硅材料制造PN结，形成大量晶界和缺陷，降低了制造成本。
此外，多晶硅太阳能电池的转换效率也有所提高。
第四阶段：薄膜太阳能电池为了进一步提高太阳能电池的效率和降低成本，科学家开始研究新型材料制造太阳能电池。
薄膜太阳能电池采用了非晶硅、铜铟镓硒等材料，将太阳光转化为电能。
相比于传统硅太阳能电池，薄膜太阳能电池具有更低的制造成本和更高的转换效率。
第五阶段：高效率太阳能电池近年来，科学家们致力于研究高效率的太阳能电池。
通过使用新型材料、改进电池结构和加密电池布局，高效率太阳能电池的效率得到了大幅提升。
这些新技术包括多结太阳能电池、量子点太阳能电池等，能实现更高的光能转化效率。
总结起来，太阳能电池经历了从固态电池到硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、薄膜太阳能电池，再到高效率太阳能电池的发展历程。
随着技术的不断进步，太阳能电池的转换效率逐渐提高，制造成本也在逐渐降低，未来太阳能电池有望成为主流能源之一。
HIT电池知识大全
HIT电池知识大全HIT效率提升潜力高+降本空间大，是未来最有前景的太阳能电池技术。
1HIT（异质结电池）：PERC之后最有前景的太阳能电池技术当前晶体硅太阳能电池技术基本上是以表面的钝化为主线发展的。
相对于传统晶硅技术，由于非晶硅薄膜的引入，硅异质结太阳电池的晶硅衬底前后表面实现了良好的钝化，因而其表面钝化更趋完善。
且非晶硅薄膜隔绝了金属电极与硅材料的直接接触，其载流子复合损失进一步降低，可以提升转换效率。
HIT技术较为先进，将成为高效光伏电池技术的领跑者，带领光伏电池在效率提升的路上更进一步。
图1：HIT太阳能电池基本结构图2：HIT太阳能电池产品特性图3：HIT太阳能电池生产流程1.1. HIT历史：效率提升显著，未来前景可期HIT电池最早由日本的三洋公司研发，1991年三洋首次在硅异质结结构的太阳能电池中应用本征非晶硅薄膜，降低了界面缺陷态密度，使载流子复合降低，实现了异质结界面钝化作用，得到本征薄膜异质结电池，其转换效率高达18.1%。
此后HIT电池的转换效率不断提高，在2003年，三洋通过优化异质结、减少光学损失、增大有效电池面积等方法，使得HIT太阳能电池的实验室效率达到了21.3%。
2013年，松下（已收购三洋）研制了厚度仅有98μm的HIT电池，效率达24.7%。
2014年，松下采用IBC技术，将HIT电池的转换效率提升到25.6%。
2016年，日本Kaneka公司将IBC-HIT 太阳电池的效率提升到26.63%。
量产效率方面，根据钧石能源的CTO，2019年钧石能源的HIT产线平均效率23%，在建的新产线效率将超过25%。
图4：HIT电池发展历程（截止到2009年）图5：HIT电池发展历程（2009年到2018年）2015年后，松下对于HIT电池的专利已经过期，技术壁垒消除，是我国大力发展并推广HIT技术的良好时机。
但HIT电池的技术门槛高，且长期掌握在以松下和Kaneka为代表的日本企业手中，我国关于HIT技术的研究明显落后与日本。
太阳能电池发展现状及高效率实例
太阳能电池发展现状及其转换效率的提高及实例因为能源危机，环境问题，清洁的太阳能电池是不错的选择。
一太阳能电池发展概况目前研发出来的或者正在开发的太阳能电池有：晶体硅太阳电池，III-V族太阳电池，硅基薄膜太阳电池，CIGS太阳电池，染料敏化电池，纳米太阳电池。
晶体硅太阳电池的种类：HIT太阳电池，PERL太阳电池，OCEO 太阳电池，Pluto太阳电池。
HIT太阳电池，结构简单，效率高，具有产能优势；Pluto太阳电池去除或简化了PERL太阳电池电池的一些材料和工艺，已实现产业化，Pluto多晶硅太阳电池，材料多晶硅成本低，转换效率也已经实用。
目前产业化的电池还有，丝网印刷电池，掩埋栅电池，高效背面点接触电极电池。
III-V族太阳电池的种类：GaAs系太阳电池，InP系太阳电池，薄膜III-V族太阳电池，量子阱/点太阳电池，多结太阳电池，热光伏电池，分谱太阳电池，III-V族半导体中间带太阳电池。
制备方法：液相外延技术，金属有机化学气相沉积技术，分子束外延技术。
近几年，叠层电池效率的迅速提高以及聚光太阳电池技术的发展和设备的不断改进，使聚光III-V族太阳电池系统的成本大大降低。
2009年德国已经研制出高达41.4的GaInP/GaInAs/Ge叠层太阳电池。
硅基薄膜太阳电池包括非晶硅、微晶硅薄膜太阳电池，研发的种类有：a-SiC/a-Si异质结太阳电池，uc-Si薄膜太阳电池，非晶硅/微晶硅串联太阳电池。
制备方法较多，值得关注的新方法有热膨胀等离子体沉积法，常压等离子气相沉积法。
产业化生产技术：以玻璃衬底的硅基薄膜太阳电池制备技术，非晶硅薄膜的柔性衬底、卷到卷太阳电池制备技术。
硅基薄膜太阳电池所需原材料少，可大面积沉积，成本低，可沉积到柔性衬底上，柔性衬底的电池可以装在非平整的建筑物表面上，但转化效率低，仅7.5%-8.5%，非晶硅和非晶锗硅合金电池的光诱导衰退，是需要解决的问题。
CIGS太阳电池研发的有:柔性金属CIGS电池、聚合物衬底CIGS 薄膜电池。
太阳能电池的发展历史
太阳能电池的发展历史太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的设备，它的发展历史可以追溯到19世纪初。
以下将详细介绍太阳能电池的发展历程。
1. 19世纪初：光电效应的发现太阳能电池的基础是光电效应，即光照射到某些物质表面时，会产生电流。
1839年，法国物理学家贝克勒尔首次发现了光电效应。
他发现，当光照射到金属板上时，会引起电流的流动。
这一发现为太阳能电池的发展奠定了基础。
2. 20世纪初：第一代太阳能电池的诞生1904年，美国科学家查尔斯·菲茨杰拉德和华伦斯·斯密斯发明了第一代太阳能电池。
他们使用硒作为光敏材料，将其暴露在阳光下，通过光电效应产生电流。
尽管这种太阳能电池转换效率很低，但它标志着太阳能电池的诞生。
3. 20世纪50年代：硅太阳能电池的发展20世纪50年代，美国贝尔实验室的研究人员发明了第一种硅太阳能电池。
他们将硅材料与其他材料结合，形成为了一种能够更高效地转换太阳能的太阳能电池。
这种硅太阳能电池的转换效率较高，成为当时最常用的太阳能电池。
4. 20世纪70年代：太阳能电池商业化20世纪70年代，由于能源危机的影响，人们对可再生能源的需求增加。
太阳能电池作为一种可再生能源的代表，开始被广泛应用。
太阳能电池的商业化生产也在这一时期开始。
美国、日本等国家的公司纷纷投入太阳能电池的研发和生产，太阳能电池的产量大幅增加。
5. 21世纪初：太阳能电池的技术突破21世纪初，太阳能电池的技术取得了重大突破。
研究人员开始探索新的太阳能电池材料和结构，以提高太阳能电池的转换效率。
其中，薄膜太阳能电池、多结太阳能电池等新型太阳能电池相继问世。
这些新型太阳能电池具有更高的转换效率和更低的创造成本，推动了太阳能电池产业的快速发展。
6. 当前和未来：太阳能电池的广泛应用如今，太阳能电池已经广泛应用于各个领域。
在家庭和商业建造中，太阳能电池用于发电，为电力需求提供可再生能源。
在交通运输领域，太阳能电池被用于汽车、飞机和船只等交通工具的动力系统。
hit电池简介演示
hit电池，全称为本多-伊藤电池， 是一种晶体硅太阳能电池，结合 了晶体硅和薄膜硅技术，具有较 高的光电转换效率和可靠性。
hit电池工作原理
总结词
hit电池利用晶体硅的吸光性，将光能转换为电能。
详细描述
hit电池由非晶硅层和晶体硅层组成，当太阳光照射在非晶硅层上时，光能被吸 收并转换为电能。同时，非晶硅层还能抑制光生载流子的复合，提高电池的开 路电压和短路电流。
04
hit电池的市场前景
hit电池的市场前景
• Hit电池是一种高效、环保的储能解决方案，具有高能量密 度、长寿命和低成本等优点。它采用先进的电极材料和电解 液配方，能够在较小的体积和重量下实现更高的能量存储和 释放。Hit电池在电动汽车、智能电网、可再生能源等领域 具有广泛的应用前景。
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hitБайду номын сангаас池的未来技术发展
hit电池的未来技术发展
• Hit电池是一种高效、环保的太阳能电池，其全称为异质结 太阳能电池。它利用两种不同的半导体材料形成异质结，通 过光生电场实现光电转换。Hit电池具有高转换效率、长寿 命和低成本等优点，是当前太阳能电池领域的研究热点之一 。
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hit电池的特点和优势
总结词
hit电池具有高效率、长寿命、环保等优点。
详细描述
hit电池的效率较高，可达到20%以上，远高于传统晶体硅太阳能电池。此外， hit电池的寿命长达25年，可靠性高，维护成本低。最重要的是，hit电池生产过 程中使用的材料较少，对环境影响较小，是一种环保的能源技术。
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hit电池的制造工艺
hit电池的制造工艺
• hit电池是一种高效、环保的储能电池，具有高能量密度、长寿 命、快速充电等优点。它采用先进的制造工艺和技术，确保电 池的安全性和可靠性。
太阳能电池技术的发展现状与未来趋势分析
太阳能电池技术的发展现状与未来趋势分析随着能源问题的日益凸显，人们对可再生能源的需求也越来越迫切。
太阳能作为最为丰富的一种可再生能源，其利用方式之一就是太阳能电池技术。
太阳能电池技术的发展已经取得了显著的进展，下面我们来对其现状与未来趋势进行分析。
首先，太阳能电池技术的现状。
传统的太阳能电池主要利用硅材料进行制造，其中多晶硅和单晶硅是最常用的两种材料。
这些太阳能电池面板在光照的作用下，将太阳能转化成为直流电能。
当前的太阳能电池技术已经具备了较高的转换效率，一些高性能的太阳能电池转换效率甚至可以达到30%左右。
此外，随着技术的进步，太阳能电池的成本也逐步降低，市场普及化的程度也在提升。
然而，传统的太阳能电池技术面临着一些挑战。
首先，制造太阳能电池所需的硅材料在现有资源供给下存在一定局限，未来可能会面临供应瓶颈。
其次，太阳能电池的转换效率虽然已经较高，但与化石能源相比还有一定的差距，因此提高太阳能电池的转换效率是未来的主要研究方向之一。
此外，太阳能电池的稳定性和寿命也是亟需解决的问题，因为其长期稳定性和耐用度直接关系到太阳能电池的经济性和可持续性。
然而，尽管存在一些技术问题，太阳能电池技术的未来前景依然十分光明。
首先，随着科技的不断进步，新材料的应用为太阳能电池的性能提升提供了新的可能。
例如，有机太阳能电池和钙钛矿太阳能电池等新型材料，以其较高的转换效率和较低的制造成本成为当前的研究热点。
其次，新兴的太阳能电池技术，如薄膜太阳能电池和柔性太阳能电池等，为太阳能电池的应用场景扩展提供了新的可能性。
这些新型太阳能电池具有重量轻、柔性可塑性强的特点，适用于建筑一体化、汽车充电等领域，为太阳能电池的商业化应用提供了更多的选择。
此外，太阳能电池技术与其他新兴技术的结合也将推动其发展。
例如，太阳能电池与储能技术的结合，可以解决太阳能的间歇性和不稳定性问题，实现能源的可持续利用。
此外，太阳能电池与人工智能、大数据等技术的结合，可以实现太阳能电池系统的智能监控和优化，提高其效率和经济性。
太阳能电池的发展历史
太阳能电池的发展历史太阳能电池是一种能够将太阳光转化为电能的装置，它在人类的能源利用和环境保护方面起着重要的作用。
本文将详细介绍太阳能电池的发展历史，从最早的实验到现代高效的太阳能电池技术。
1. 太阳能电池的起源太阳能电池的发展可以追溯到19世纪初。
1839年，法国物理学家贝克勒尔发现了光电效应，即光照射到某些物质上时，会产生电流。
这一发现为太阳能电池的发展奠定了基础。
2. 第一代太阳能电池：硒电池1876年，美国发明家威尔洛夫·史密斯创造了第一台太阳能电池，它使用了硒作为光敏材料。
这种硒电池虽然效率较低，但是为后来的太阳能电池技术奠定了基础。
3. 第二代太阳能电池：硅太阳能电池20世纪50年代，美国贝尔实验室的研究人员发明了第一台硅太阳能电池。
硅太阳能电池利用硅半导体材料的光电效应将太阳能转化为电能。
这种硅太阳能电池效率较高，成本相对较低，因此成为当时最主要的太阳能电池技术。
4. 第三代太阳能电池：多结太阳能电池20世纪80年代，研究人员开始尝试使用多结太阳能电池。
多结太阳能电池是在硅太阳能电池的基础上，通过在不同的材料之间形成多个结构层，提高了太阳能电池的效率。
这种多结太阳能电池在光吸收和电子传输方面具有更好的性能，因此能够提高太阳能电池的效率和稳定性。
5. 第四代太阳能电池：钙钛矿太阳能电池近年来，钙钛矿太阳能电池成为太阳能电池领域的热点研究方向。
钙钛矿太阳能电池利用钙钛矿材料的光电效应将太阳能转化为电能。
这种太阳能电池具有高效率、低成本和易制备等优点，被认为是未来太阳能电池技术的发展方向。
6. 太阳能电池的应用太阳能电池的应用范围越来越广泛。
在家庭居住方面，太阳能电池可以用于给家庭供电，减少对传统能源的依赖。
在交通运输方面，太阳能电池可以用于驱动电动汽车，减少汽车尾气的排放。
在航天领域，太阳能电池被广泛应用于卫星和空间站，为宇航员提供电力。
此外，太阳能电池还可以用于农业灌溉、水泵供水等领域。
2024年HIT电池市场发展现状
HIT电池市场发展现状引言随着能源危机和环境保护意识的增加，新能源领域的发展日益重要。
作为新能源领域的重要组成部分，太阳能电池板的发展成为科研和产业界的关注焦点之一。
HIT 电池作为富锗异质结太阳能电池的一种，由于其高效率和稳定性，成为太阳能电池市场上备受关注的产品之一。
本文将介绍HIT电池市场发展现状，并对其未来趋势进行展望。
HIT电池的背景HIT电池即异质结太阳能电池(Heterojunction with Intrinsic Thin layer)，由世界知名太阳能企业日本三洋电机(SANYO)最早开发。
HIT电池利用了硅基薄膜太阳能电池的优势，通过在一侧加上富锗薄膜，提高了电池的效率和稳定性。
HIT电池以其高效和高品质在市场上独树一帜。
HIT电池市场现状目前，HIT电池市场发展迅速，得到了世界各地的广泛认可和应用。
以下是HIT 电池市场的一些现状：1. 市场规模扩大随着太阳能产业的快速发展，HIT电池市场的规模不断扩大。
不仅在日本本土市场上有较大的份额，逐渐在全球范围内占据一定的市场份额。
2. 高效率是关键竞争力HIT电池以其卓越的高效率在市场上颇具竞争力。
相比传统多晶硅太阳能电池，HIT电池的转换效率更高，能够充分利用太阳能资源，提供更多的电力输出。
3. 技术持续创新HIT电池市场中，技术创新一直是关键驱动力。
日本三洋电机连续不断地进行技术改进，不断提高电池的效率和稳定性。
此外，其他厂商也在积极研发HIT电池相关的技术，推动市场创新。
4. 价格逐渐下降随着技术的成熟和市场竞争的加剧，HIT电池的价格逐渐下降。
这使得HIT电池对消费者更有吸引力，推动了其市场的发展。
5. 运营成本较低HIT电池的运营成本相对较低，主要是由于其高效率能够减少依赖于其他能源的需求。
这使得HIT电池成为太阳能电力系统的首选，进一步推动了市场的发展。
HIT电池市场的未来趋势HIT电池市场未来的发展将面临以下趋势：1. 产品进一步成熟HIT电池的技术将会进一步成熟，转换效率和稳定性将得到进一步提高。
太阳能电池的发展历史
太阳能电池的发展历史太阳能电池是一种能够将太阳能转化为电能的装置，被广泛应用于各种领域，包括太阳能发电、太阳能热水器等。
下面将详细介绍太阳能电池的发展历史。
1. 19世纪初：光电效应的发现太阳能电池的发展始于19世纪初，当时科学家发现了光电效应，即光照射到某些金属表面时，会产生电流。
这一发现为太阳能电池的原理奠定了基础。
2. 20世纪初：第一代太阳能电池的诞生在20世纪初，美国科学家查尔斯·菲里斯成功创造出第一台太阳能电池。
这种太阳能电池采用了半导体材料硒化铜作为光敏材料，效率较低，并且成本较高，限制了其商业化应用。
3. 20世纪50年代：硅太阳能电池的问世20世纪50年代，贝尔实验室的科学家们发现，硅材料对太阳光有较好的吸收和转化效果，于是研制出了第一代硅太阳能电池。
这种太阳能电池的效率较高，成本较低，开始逐渐应用于航天领域。
4. 20世纪70年代：第一次石油危机的推动20世纪70年代，第一次石油危机爆发，能源危机成为全球关注的焦点。
太阳能电池因其可再生、清洁的特点备受关注，各国政府开始大力投资太阳能电池的研发和应用。
5. 20世纪90年代：多晶硅太阳能电池的突破20世纪90年代，科学家们通过改进硅材料的制备工艺，成功研制出了多晶硅太阳能电池。
与传统的单晶硅太阳能电池相比，多晶硅太阳能电池的创造成本更低，效率也有所提高。
6. 21世纪初：薄膜太阳能电池的崛起21世纪初，薄膜太阳能电池成为太阳能电池领域的新兴技术。
薄膜太阳能电池采用了非晶硅、铜铟镓硒等材料，具有创造成本低、柔性化等优势，被广泛应用于建造一体化、便携式充电器等领域。
7. 当前：高效太阳能电池的研究与应用目前，科学家们正在不断研究和开辟高效太阳能电池技术。
其中，单晶硅太阳能电池、多结太阳能电池、钙钛矿太阳能电池等技术逐渐成熟并应用于实际生产中。
这些高效太阳能电池的问世，进一步推动了太阳能产业的发展。
总结：太阳能电池的发展历史经历了多个阶段，从最初的光电效应的发现到硅太阳能电池的问世，再到薄膜太阳能电池的崛起，每一次技术突破都推动了太阳能电池的应用领域扩大和效率提升。
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Abstract T he structur e and cha racteristics o f HIT so lar cells ar e intro duced and summarized the status o f technolog y development f rom the aspects belo w: the o pt imization of hetero junction band str ucture, the preparat ion method of amor phous silicon lay er , the study o f the back surface field, t he selection of subst rate mat erial and the inno vatio ns o f emitter mater ial. A t last the status of their indust rializatio n and pr ospects of the H IT solar cells have been rev iewed.
关键词 H IT 太阳能电池 异质结结构
中图分类号: TM 615
文献标识码: A
Overview of the Development of HIT Solar Cells
SH I Shaofei1, 2 , WU Aim in1, 2, 3 , ZH A NG Xueyu1, 2 , JIANG Xin1, 4
膜形成背面场。T oru Saw ada 等[ 17] 用 PECVD 法在 n 型衬底 上制备出 H IT 结构( i/ n a S i) 的背面场。该背面场利用了异 质结的特性, 不需要重掺杂就能形成。结果显示, H IT 结构 背面场达到了比热 氧钝化更好 的表面钝化 效果。Y. Ves chet ti 等[18] 还用光刻、硼离子注入实现了局部背面场( L ocal BSF) , 与全面积( Full) 铝合金背面场相比, 开路电压大大提 高, 达到了 676m V, 为 p 型 H IT 电 池开路电 压的最 高值。 H . D. Goldbach 等[19] 用 p+ + c Si 制作了 p 型 H IT 电池的背 面场。因为 c Si 比 a S i 有更高的掺杂效率, 所以能实现高 浓度的掺杂, 从而降低激活能, 形成性能优良的背面场, 提高 电池转换效率。数值模拟结果表明, 在 n 型衬底 H IT 电池的 背面增加一层重掺杂的 n+ 层可以起到背面场的作用, 使电 池的效率提高到 24. 35% [ 20] 。
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材料导报 A: 综述篇
2011 年 7 月( 上) 第 25 卷第 7 期
H IT 太阳能电池的发展概况*
史少飞1, 2 , 吴爱民1, 2, 3, 张学宇1, 2 , 姜 辛1, 4
( 1 大连理工大学 材料科学与工程学院, 大连 116024; 2 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室, 大连 116024; 3 辽宁省太阳能光伏系统重点实验室, 大连 116024; 4 德国锡根大学材料工程学院, 德国 锡根 57056)
侧的 p i 型 a Si H 膜( 膜厚 5~ 10nm ) 和背面侧的 i n 型 a Si H 膜( 膜厚 5~ 10nm) 夹住晶体硅片, 在两侧的顶层形成 透明的电极和集电极, 构成具有对称结构的 H IT 太阳能电 池[1,2] 。
图 1 HIT 太阳能电池结构示意图 Fig. 1 The structure schematic of HIT solar cell
( 1) 异质结能带结构的优化 H IT 电池与传统电池最大的区别就是非晶硅与晶体硅 构成的异质结结构。通过设计异质结界面的势垒高度获得 合适的能带结构, 以提高电池的转换 效率。以 Sanyo 公司 H IT 电池为例[10] , 在( p ) a Si/ ( i) a Si/ ( n) c Si 的异质结结构 中, 非晶硅与单晶硅界面价带位错要小, 以便收集空穴, 同时 导带的位错要尽可能大, 以阻止 电子的通过。异质结 势垒 高度的设计主要是通过控制非晶硅薄膜的沉积参数来实现 的。
2 H IT 太阳能电池的发展现状
2. 1 H IT 太阳能电池的技术发展状况 1990 年, 日本 Sanyo 公司最早开始研究异质结太阳能电
池[ 5] 。1992 年, T anaka 等就创下 p a S i H / i a S i H / n c Si 结构太阳能电池光电转换效率 18. 1% 的纪录, 并将这种带 有本征薄层的结构称之为 H IT 结构[6] 。此后, 中国、美国、德 国、法国、意大利、荷兰等国家也相继投入到 H IT 太阳能电 池的研究中( 表 1[ 3, 4,7- 9] 为各国研究的 H IT 电池的种类、制 备工艺以及电池所能达到的转换效率情况) 。为进一步提高 电池的效率, 其研究主要侧重于以下几个方面。
表 1 世界 HIT 太阳能电池的研究现状
Table 1 Research stat us of H IT solar cells in the w orld
国家/ 单位
晶体硅 是否Biblioteka 背面场 类型 绒面工艺
效率/ % 文献
日本/ Sanyo CZn 德国/ H M I FZn 德国/ H M I FZp 美国/ NREL FZp 美国/ NREL CZp 中国/ 中科院 CZp
是 i/ n a Si PECVD 23 [ 3] 是 n a Si PECVD 19. 8 [ 7] 是 p a Si PECVD 18. 5 [ 8] 是 n a Si H WCVD 19. 1 [ 9] 是 n a Si H WCVD 18. 7 [ 9] 否 A l H WCVD 17. 36 [ 4]
( 2) 非晶硅层的制备方法 H IT 电池的非晶硅层通常用等离子增强化学气相沉积 ( PECVD) 技术进行制备[ 7,8, 11,12] 。近年来, 中科院研究生院 张群芳等[13,14] 以及美国国家可再生能源实验室( NERL) T. H . Wang 等[ 15] 采用热丝增强化学气相沉积( H WCV D) 技术 制备了 p 型衬底的 H IT 电池。与 PECVD 相比, H WCVD 产 生的等离子能量较低, 能有效避免离子的轰击, 同时可产生 用于预处理硅片表面的低能原子氢, 制备过程中的粉尘 较 少, 不易使 a Si H 薄层短路。此外, 美国纽约州立大学的 B. Jagannathan 等[ 16] 还用 直流 磁 控溅 射技 术制 备 了 p 型 H IT 电池, 在 0. 3cm2 的面积上得到了 550m V 的开路电压和 30mA/ cm2 的短路电流。 ( 3) 背面场( BSF) 的研究 背面场能改善背面复合速率和背表面反射, 从而提高开 路电压、增大短路电流。制备 背面场的传统方法有铝合 金 法、硼扩散法、磷扩散法等, 但这些工艺都需要高温过程, 只 能先制备背面场再沉积非晶硅薄膜。与 H IT 电池低温工艺 兼容的制备工艺主要有在单晶硅背面沉积重掺杂非晶硅薄
晶体硅( 包括单晶硅、多晶硅) 、非晶/ 单晶异质结( H IT ) 、非 晶硅薄膜、碲化镉( CdT e) 薄膜及铜铟硒( CIS) 薄膜太阳电池 等。其中商品化的晶体硅太阳能电池仍占主流, 其光电转化 效率已达 25% , 但受到材料纯度和制备工艺限制, 很难再提 高其转化效率或降低成本; 而非晶硅太阳能电池虽然能大面 积生产, 造价又低廉, 但其转换效率仍比较低, 并且稳定性 差。
H IT 太阳能电池的发展概况/ 史少飞等
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1. 2 H IT 太阳能电池的特点 ( 1) 低温工艺 H IT 电池结合了薄膜太阳能电池低温( < 250 ) 制造的
优点, 从而避免采用传统的高温( > 900 ) 扩散工艺来获得 p n 结。这种技术不 仅节约了 能源, 而且 低温环 境使得 a Si H 基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制, 工 艺上也易于优化器件特性; 低温沉积过程中, 单晶硅片弯曲 变形小, 因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值 ( 约 80 m) ; 同时低温过程消除了硅衬底在高温处理中的性 能退化, 从而允许采用 低品质 的晶体硅甚至多晶硅来作衬 底。
( 2) 高效率 H IT 电池独有的带本征薄层的异质结结构, 在 p n 结成 结的同时完成了单晶硅的表面钝化, 大大降低了表面、界面 漏电流, 提高了电池效率。目前 H IT 电池的实验室效率已 达到 23% [ 3] , 市售 200W 组件的电池效率达到 19. 5% [ 2] 。 ( 3) 高稳定性 H IT 电池的光照稳定性好, 理论研究表明非晶硅薄膜/ 晶态硅异质结中的非晶硅薄膜没有发现 Staebler Wronski 效 应, 从而不会出现类似非晶硅太阳能电池转换效率因光照而 衰退的现 象; H IT 电 池 的温 度 稳 定性 好, 与 单 晶硅 电 池 - 0. 5% / 的温度 系数相比, H IT 电池的温度系 数可达到 - 0. 25% / , 使得电池即使在光照升温情况下仍有好的输 出[ 4] 。 ( 4) 低成本 H IT 电池的厚度薄, 可以节省硅材料; 低温工艺可以减 少能量的消耗, 并且允许采用廉价衬底; 高效率使得在相同 输出功率的条件下可以减少电池的面积, 从而有效降低了电 池的成本。
( 1 Schoo l of M aterials Science and Eng ineering , Dalian U niver sity o f T echno log y, Dalian 116024; 2 K ey L aborat or y of M ateria ls M odification, Dalian U niver sity o f T echno log y, Dalian 116024; 3 K ey L aborato ry of So lar Photov oltaic Systems,