03嵌入式系统存储器

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DB DB 双口 CPU1 AB RAM CB CB
AB
CPU1
4. 选择 选择RAM
在设计嵌入式系统选用随机存储器时,目前有两种选择:SRAM 和DRAM。 在决定选用哪一种类型存储器的时候,系统设计者要综合考虑 存取速度和成本。
3.6 只读存储器 只读存储器ROM
1. 掩模 掩模ROM
掩膜ROM中的信息是厂家根据用户给定的程序或数据对芯片进 行掩膜(一种半导体工艺)而制造出来的。根据制造技术,掩膜型 ROM又可分为MOS型和双极型两种。主要的优点是大批量生产时产 品的成本较低。
3.2 嵌入式系统存储器的结构和组织
1. 存储器的结构
存储器的基本指标是容量和字宽,内部组织如下图所示。
地址 r 存储器阵列
c
R/W 使能 数据
2. 嵌入式系统存储器子 系统
对于基于嵌入式微处理器/控 制器的专用嵌入式系统而言பைடு நூலகம்它们 的存储器系统与通用计算机系统的 设计方法有所不同,其存储器空间 分配如右图所示。
把程序或数据写到只读存储器中的过程叫做编程。只读存储器 的编程有两种方式,一种是在线编程,另一种是离线编程。
⑴ 擦除器
目前使用的擦除器只用来擦除EPROM。
⑵ 编程器
目前,广泛使用的编程器大多是多功能的编程器,可以对 PROM、EPROM、Flash、EEPROM、PLD器件等编程。 编程过程包括3个步骤:空检查、载入程序和验证。
2. PROM
PROM属于一次性编程的只读存储器。它出厂的时候处于未被编 程的状态,里面的内容全是1。在嵌入式系统中广泛使用的PROM称 为OTP(Once Time Program)。
3. EPROM
⑴ EPROM的概述 的概述
EPROM和PROM的编程方式几乎完全一样。但是,EPROM是可 以被擦除并且反复被编程的。EPROM的擦除需要使用紫外线,把 EPROM暴露在强紫外线光源下,可把整个芯片重置到初始状态—— 未编程状态。
DRAM的接口和时序如下图所示。
CE
R/ W CE R/W RAS CAS Adrs Data
RAS CAS
Adrs Data 行地址 列地址
2. 动态 动态RAM (continued) )
动态RAM的操作 ⑵ 动态 的操作 动态RAM的技术 ⑶ 动态 的技术
DRAM 为了提高系统的数据吞吐能力,可以采用多种技术提高DRAM系 统的性能,包括:页模式、EDO、同步DRAM。
4. 存储器的测试 5. 存储器的校证 6. 系统配置数据存储器
3.1 概述
嵌入式微处理器片上集成了一定数量的存储器,可以满足一定 的需要,如果软件比较大,可能需要扩展存储器。存储器是构成嵌 入式系统硬件的重要组成部分。设计嵌入式系统的存储器时有许多 因素需要考虑:有的嵌入式控制器集成了存储器,一般不需要扩 展,甚至有的嵌入式控制器无法扩展;有的嵌入式微处理器片上没 有存储器,必须扩展;有的嵌入式微处理器片上集成了一定数量的 存储器,可以满足一定的需要,如果软件比较大,可能需要扩展存 储器。
其他EEPROM ⑶ 其他
除了上面介绍的并行EEPROM外,广泛使用的还有串行 EEPROM。
5. Flash存储器 存储器
⑴ Flash概述 概述
Flash 快闪存储器(Flash)技术是存储器技术的最新发展,使用标准 电压擦写和编程。与传统存储器相比,Flash的主要优势: a. 非易失性 b. 易更新性
⑴ 数据总线测试
目的:确定任何由处理器放置在数据总线上的值都被另一端的 存储设备正确接收。 方法:走1测试法。
5. 制定测试算法(continued) 制定测试算法( )
⑵ 地址总线测试
目的:地址总线的问题会导致存储区域的重叠 方法:测试位置2n
⑶ 存储器件测试
目的:存储器件测试用于测试存储器件本身的完整性,要确认 器件中的每一位都没有故障。 方法:抽样测试
AB[0..19] 地址总线 AB[0..19] AB0 12 AB1 11 AB2 10 AB3 9 AB4 8 AB5 7 AB6 6 AB7 5 AB8 27 AB9 26 AB10 23 AB11 25 AB12 4 AB13 28 AB14 3 AB15 31 AB16 2 1 WR ∗ RD ∗ LCS ∗ DB[0..15] IS62C1024 U17 13 DB0 A0 D0 14 DB1 A1 D1 15 DB2 A2 D2 17 DB3 A3 D3 18 DB4 A4 D4 19 DB5 A5 D5 20 DB6 A6 D6 21 DB7 A7 D7 A8 VCC A9 32 A10 VCC A11 C52 0.1µF A12 16 A13 GND A14 GND 30 A15 CE2 22 LCS∗ A16 CE1 24 RD∗ OE 29 WR∗ NC WE DB[0..15] 数据总线
2. 循环冗余码
循环冗余码(CRC)的可靠性比较高。
3.10 系统配置数据存储器
系统配置数据(常数)描述了系统的参数,这些参数包括软件 参数和硬件参数。存储这些参数的存储器的特点:非易失性、访问 的方便性。 可以给SRAM加备份电源作为配置参数存储,原理如下图所示。
AM2764A2JC(32)
4. EEPROM
⑴ EEPROM概述 概述
EEPROM是电可擦除可编程的。EEPROM允许按字节进行擦除和 编程,因此,它是最具有灵活性的ROM,也是最昂贵的ROM。 EEPROM通常用于系统的配置数据和参数的存储与备份。
⑵ EEPROM的使用 的使用
EEPROM通常有4种工作方式,即读方式、写方式、字节擦除方 式和整体擦除方式。
⑵ Flash的分类 的分类
Flash主要有两类:NOR Flash和NAND Flash。
5. Flash存储器(continued) 存储器( 存储器 )
⑶ NAND Flash的使用 的使用
NAND Flash主要有两种用途:一种是用做存储卡;另一种用途 是用做嵌入式系统的程序存储器。
⑷ NOR Flash的使用 的使用
3.4 存储器的分类
嵌入式系统中使用的存储器主要包括:随机存储器;只读存储 器;双端口存储器,主要是双端口随机存储器。 嵌入式系统中常用的存储类型如下图所示。
存储器
RAM
混合
ROM
DRAM
SRAM
NVRAM
Flash
EEPROM
EPROM
PROM
掩膜ROM
3.5 随机存储器 随机存储器RAM
随机存储器(RAM)的任意存储单元都可以以任意次 序进行读/写操作。
3. 接触不良
为了检测这种错误,需要设计适用的算法。
4. 芯片的不正确安装
如果有存储器芯片,但是安装到插槽时不正确,系统通常会表 现出好像是一个连线问题或者找不到存储器芯片。
5. 制定测试算法
进行测试时需要按照正确的顺序进行,正确的顺序是:首先进 行数据总线测试,接着是地址总线测试,最后是存储器件测试。
1. 静态 静态RAM
⑴ 概述
CE SRAM通常有以下4种引脚:
W
静态RAM的操作 ⑵ 静态 的操作
SRAM的操作有两种:读操作和写操作。
静态RAM的举例 ⑶ 静态 的举例
以IS62C1024为例,说明静态RAM的使用。
1. 静态 静态RAM
静态RAM的举 ⑶ 静态 的举 例(continued)
RAM 空间
ROM 空间
EEPROM 空间
3.3 存储器的性能指标
⑴ 易失性:指电源断开之后,存储器的内容是否丢失。 ⑵ 只读性:指在某个存储器中写入数据后,只能被读出,不能用常 规的办法重写或改写。 ⑶ 位容量:半导体存储器件常用位容量来表示其存储功能。 ⑷ 速度:用存储器访问时间来衡量。 ⑸ 功耗 ⑹ 可靠性:存储器的可靠性主要取决于引脚的接触、插件板的接触 及存储器模块板的复杂性。 ⑺ 价格:存储器的价格主要由两方面的因素决定,一是存储器本身 的价格,二是存储器模块中附加电路的价格。
⑷ 综合测试
进行了上面三种测试之后进行。
3.9 校证只读存储器的内容
1. 校验和
⑴ 校验和的原理
原理:编程前,计算校验和求反,存放;运行时重新计算,与 存放的结果进行比较。
⑵ 校验和的缺点
a. 如果所有的数据(包括存储的校验和)被意外地重写为零,那么 这个数据错误将不会被检测出来。 b. 校验能力比较差。
IS62C1024的功能 IS62C1024 框图如右图所示。
A0~A16 解码器 5122048 存储矩阵
VCC GND
I/O0~I/O7
I/O数 据电路
列I/O
CE2
CE1
OE WE
控制电路
1. 静态 静态RAM (continued)
静态RAM的使用 ⑷ 静态 的使用
基于IS62C1024的SRAM存储器电路设计如下图所示。
在嵌入式系统中使用NOR Flash有两种形式,一种是嵌入式处理 器上集成了Flash,另一种是片外扩展Flash。操作包括写入和读出。 Freescale公司的集成片内Flash的8位微控制器表现出众,具体 体现在: a. 单一电源电压供应。 b. 可靠性高。 c. 擦写速度快。
6. 只读存储器的编程
第三章 嵌入式系统的存储器
本章学习目的及主要内容
学习目的: 学习目的:
介绍嵌入式存储器子系统,包括随机存储器、只读存储器、混合 存储器的特点和使用,并着重讲述了存储器的测试方法。
主要内容: 主要内容:
1. 嵌入式系统存储器的结构和组织 2. 存储器的性能指标 3. 存储器的分类
⑴随机存储器RAM ⑵只读存储器ROM ⑶混合类型的存储器
3.8 存储器的测试
存储器测试的目的是确认在存储器件中的每一个存储单元都正 常工作。
1. 存储器件本身的问题
存储器的问题可能发生在存储器芯片的内部和外部。内部问题 表现在存储器芯片内的某一个或某一部分存储单元出了问题;外部 问题指的是存储器芯片的连线问题、时序问题等。
2. 电子线路的问题
电子线路问题可能是由印制电路板设计或者制造中的错误造成 的,也可能是在加工好以后损坏的。
2. 动态 动态RAM
动态RAM的简介 ⑴ 动态 的简介
由于动态RAM(DRAM)的工作需要刷新,因此DRAM在使 用时必须配合DRAM控制器。DRAM通过DRAM控制器组成存储 器系统如下图所示。
CPU
DRAM 控制器
DRAM
2. 动态 动态RAM
动态RAM的简介(continued) 的简介( ⑴ 动态 的简介 )
动态RAM的使用 ⑷ 动态 的使用
设计嵌入式系统时,通常不需要使用分离的DRAM控制器,因为 嵌入式处理器上集成了DRAM控制器,因此在嵌入式系统中使用 DRAM很方便。
3. 双端口 双端口RAM简介 简介
与普通存储器不同,双端口RAM具有两个端口,即两套地址 线、数据线、控制线。 两个处理器通过双端口RAM共享数据资源如下图所示。
6. 只读存储器的编程(continued) 只读存储器的编程( )
⑶ 编程器的输入文件
a. intel 16进制格式 b. motorola格式 c. 二进制型
⑷ 在线编程
a. JTAG编程器 b. monitor方式
⑸ 现场软件编程
现场软件编程便于系统的维护
3.7 混合类型存储器
具有RAM快速读/写访问的特性,又具有非易失性, 即掉电之后数据也不丢失。 例:NVRAM 特点:速度快,相对于EEPROM;价格高。 用途:存储配置数据等,要求高速度的应用。
AB[0..15] A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 * CE * OE VCC 11 10 9 8 7 6 5 4 29 28 24 27 3 23 25 31 U1 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 CE OE PGM DB[0..7] DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 NC NC NC NC NC 13 14 15 18 19 20 21 22 1 12 17 26 30 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
⑵ EPROM的使用 的使用
因为EPROM的写入过程很慢,所以,它仍然作为只读存储器在 计算机系统中使用。一般用在软件或系统开发阶段。 EPROM有读方式、编程方式和检验方式外和一种备用方式。
3. EPROM(continued) ( )
⑶ EPROM与系统的连接 与系统的连接
EPROM EPROM与系统需要使用信号线进行连接,下图为EPROM 2764 EPROM 的应用电路原理图。
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