嵌入式存储器的全面解析

嵌入式存储器的全面解析
随着超大规模集成电路工艺的发展，人类已经进入了超深亚微米时代。

先进的工艺使得人们能够把包括处理器、存储器、模拟电路、接口逻辑甚至射频电路集成到一个大规模的芯片上，形成所谓的SoC(片上系统)。

作为SoC重要组成部分的嵌入式存储器，在SoC中所占的比重(面积)将逐渐增大。

下面就随小编一起来了解一下相关内容吧。

近期台积电技术长孙元成在其自家技术论坛中，首次揭露台积电研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取存储)和eRRAM(嵌入式电阻式存储器)将分别订于明后年进行风险性试产。

预计试产主要采用22nm工艺。

这种次世代存储将能够为物联网、行动装置、高速运算电脑和智能汽车等四领域所提供效能更快和耗电更低的存储效能。

台积电此举让嵌入式存储器再度回到人们的视线中。

本文将为你阐述嵌入式存储器的前世今生。

何为嵌入式存储器嵌入式存储器现在已经不是一个新的概念了。

相对于片外存储器，嵌入式存储器是指集成在片内与系统中各个逻辑、混合信号等IP共同组成单一芯片中的存储器。

现已经成为SOC芯片的基本组成部分，几乎今天每个SOC芯片中嵌入式存储器都占有一定比重。

按照掉电后数据是否会丢失，可将嵌入式存储器分为两大类，一类是挥发性存储器，另一类则是非挥发性存储器。

挥发性存储器是指掉电后数据会丢失，主要包括速度快、功耗低的SRAM和高密度的DRAM。

而非挥发性存储器则刚好相反，其在实际应用中主要包括eFlash、EEPROM以及eMRAM、eRRAM、ePRAM等次世代存储器。

虽然都是存储器，但二者还是有些许不同。

嵌入式存储器和分立式存储器最重要的不同之处在于嵌入式存储器往往跟应用IC自身的工艺特性条件有很大关系，比如用90nm和用45nm工艺做出来的芯片，其内部嵌入式存储器大小差别也是很大的。

而分立式存储器件则主要围绕存储器器件工艺进行优化。

随着信息技术的发展，嵌入式存储器在SOC中的面积所占比重也在逐年增加，从图一可以看出，从1999年平均的20%上升到2007年的60-70%乃至2014年的90%的面积。

可以看出，嵌入式存储器对于芯片系统性能的影响越来越大。