半导体二极管基础知识测试题

合集下载

二极管的题目

第三章二极管一、判断题1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）2、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）3、二极管的四类理想模型分别是理想二极管模型、恒压模型、折线模型、小信号模型（）。

4、掺入3价杂质元素形成的半导体叫N型半导体。

（）5、掺入5价杂质元素形成的半导体叫N型半导体。

（）6、N型半导体多子为电子，而P型半导体的少子为空穴（）7、N型半导体多子为电子，而P型半导体的少子也是电子。

（）8、PN结外加反向电压指N极电位比P极电位高。

（）9、PN结外加反向电压耗尽层变厚，扩散电流增加。

（）10、PN结外加反向电压耗尽层变厚，耗尽层变厚，扩散电流增加。

（）11、Si二极管的正向导通电压比较Ge二极管的正向导通电压高。

（）12、二极管的反向击穿有两种，一种是齐纳击穿，另一种雪崩击穿，齐纳击穿时所需反压一般比较雪崩击穿时高。

（）13、二极管的齐纳击穿是可逆的。

（）14、二极管的热击穿是可逆的，而击电穿是不可逆。

（）15、发光二极管正常工作时加正向偏置电压，而稳压二极管正常工作时一般加反向偏置电压。

（）16、PN结外加反向电压势垒区变窄。

（）17、二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。

（）18、二极管在工作频率大于最高工作频率f M时会损坏。

（）19、二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。

（）20、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（）21、稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。

（）二、填空题1、当PN结外加反向电压时，耗尽层厚度将变＿＿＿＿，漂移电流的大小将＿＿＿。

2、纯净的半导体叫＿＿＿＿半导体。

掺入3价杂质元素形成的半导体叫＿＿＿＿型半导体，它主要靠＿＿＿＿导电。

3、掺杂半导体叫＿＿＿＿半导体。

掺入5价杂质元素形成的半导体叫＿＿＿＿型半导体，它主要靠＿＿＿＿导电。

4、PN结正向偏置是指P区接电源的＿＿极、N区接电源的＿＿极。

电子技术基础题库(I_II类题)[1]

第一章半导体二极管I 类题一、简答题1．杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。

2．什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。

PN 结最基本的特性是单向导电性。

3．什么是半导体？半导体有哪些特性？答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。

具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。

二、计算题1．在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？答：b 不亮2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，VD A ，VD B ）中通过的电流；（1）U A =U B =0V ；（2）U A =+3V ，U B =0V ；答：（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3．在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求U AO =？答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。

II类题一、简答题1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。

2．光电二极管和发光二极管有什么区别？答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。

3．为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。

半导体二级管试题

半导体二级管一、填空题1、二极管的P区引出端叫（）极或（）极，N区的引出端叫（）极或（）极。

2、按二极管所用的材料不同，可分为（）和（）两类；按用途不同，可分为（）二极管、（）二极管、（）二极管、（）二极管、（）二极管、（）二极管和（）二极管。

3、二极管的正向接法是（）接电源的正极，（）接电源的负极；反向接法相反。

4、硅二极管导通时的正向管压降约为（）v，锗二极管导通时的管压降约为（）。

5、使用二极管时，应考虑的主要参数是（）和（）。

6、电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会（），如果加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会（）。

7、有一锗二极管正、反向电阻均接近于零，表明该二极管已（）；有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大，表明二极管已（）。

8、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常（）于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较（）。

9、发光二级管将（）信号转换成（）信号；光电二极管将（）信号转换成（）信号。

二、判断题1、二极管是线性元件。

（）2、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。

（）3、无论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压豆味0.3v左右。

（）4、二极管具有单向导电性。

（）5、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。

（）6、当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。

（）7、二极管加正向电压时一定导通。

（）8、二极管加反向电压时一定截止。

（）9、有两个电极的元件都叫二极管。

（）10、二极管一旦反向击穿就一定损坏。

（）11、光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。

（）12、光电二极管可以作为电路通断和指示用。

（）13、发光二极管可以接收可见光线。

（）三、选择题1、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管（）A、立即导通B、到0.3v才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通2、把电动势为1.5v的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）A、基本正常B、将被击穿C、将被烧坏D、电流为零3、当硅二极管加上0.4v正向电压时，该二极管相当于（）A、很小的电阻B、很大的电阻C、短路D、电阻4、某二极管反向击穿电压为150v，则其最高反向工作电压（）A、约等于150VB、略大于150VC、等于75vD、等于300v5、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A、增大B、减小C、不变6、测量二极管正向电阻时，若两手把管脚捏紧，电阻值将会（）A、变大B、变小C、不变化。

第一章二极管章节测试题

第1 页共 2页第一章二极管章节测试题一、选择(每空2分，共22分) 1、本征半导体又叫（）A 、普通半导体B 、P 型半导体C 、掺杂半导体D 、纯净半导体 2、关于晶体二极管的正确叙述是：（）A 普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN 结温度迅速升高而烧坏。

B 普通二极管发生热击穿，不发生电击穿。

C 硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。

D 以上说法都不对。

3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是（）-5.3V -6V -6V -5.3V -5V -5V 0V -0.7V4、变压器中心抽头式全波整流电路中，每只二极管承受的最高反向电压为（） A 、U 2 B 、2U 2 C 、1.2 U 2 D 、22 U 25、关于滤波器，正确叙述是：（）A 电容滤波器电路的电容量越大，负载越重，输出直流越平滑。

B 电容量越小，负载越重，输出电压越接近脉动电压峰值。

C 电感滤波器是利用电感具有反抗电流变化的作用，使负载电流的脉动程度减小，从而使输出电压平滑。

D 电感量越大，产生的自感电动势越大，滤波效果越差。

6、在下图所示电路中，正确的稳压电路为（）7、如右图，电源接通后，正确说法为：（） A H 1、H 2、H 可能亮。

B H 1、H 2、H 都不亮。

C H 1可能亮，H 2、H 不亮。

D H 不亮，H 2、H 1可能亮。

8、二极管两端加上正向电压时（）A 一定导通B 超过死区电压才能导通 B 超过0.7伏才能导通 D 超过0.3伏才能导通 9、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。

A. 增大 B. 不变 C. 减小10、稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。

A ．正向导通区 B ．反向截止区 C ．反向击穿区二、判断（每题1分，共10分）（）1、本征半导体中没有载流子。

（）2、将P 型半导体和N 型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN 结。

电子技术基础试题

电子技术基础试题库（第四版）第一章:半导体二极管一、填空题1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。

导体、绝缘体、半导体2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。

单向导电特性、导通、截止3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。

0.7、0.34、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。

最大整流电流、最高反向工作电压5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________小、好6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。

导体，绝缘体，半导体7、PN结具有 _____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结_________。

单向导电性，导通，截止二，判断题１、半导体随温度的升高，电阻会增大。

（）N２、二极管是线性元件。

（）N３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。

（）N４、二极管具有单向导电性。

（）Y５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。

（）N６、二极管加正向压时一定导通（）N7、晶体二极管是线性元件。

（）N8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。

（）Y三、选择题１、ＰＮ结的最大特点是具有（）CＡ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）CＡ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）AＡ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小4、半导体中传导电流的载流子是（）。

电子技术基础第一单元《半导体二极管》测试卷

《电子基础基础》单元测试卷姓名：学号：得分：一、填空题：1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和三类。

2、PN结正偏时，P区接电源的极，N区接电源的极；PN结反偏时，P区接电源的极，N区接电源的极。

3、PN结具有特性，即加正向电压时PN结，加反向电压时PN结。

4、硅二极管导通时的正向管压降约V，锗二极管导通时的管压降约V。

5、有一锗二极管正、反向电阻均接近于零，表明该二极管已；有一硅管正、反向电阻均接近于无穷大，表明二极管已。

6、三极管有三个电极，即极、极和极，分别用符号、和或、和表示。

7、半导体三极管有型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。

8、硅三极管发射结的死区电压约V，锗三极管发射结的死区电压约V。

9、当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区；发射结，集电结或时，工作在饱和区；发射结或、集电结时，工作在截止区。

10、三接管电流放大系数太小，电流放大作用，电流放大系数太大，会使三极管的性能。

11、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。

二、选择题：1、最常用的半导体材料是（）A、铜B、硅C、铝D、锗2、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管（）A、立即导通B、到0.3V才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通3、当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（）A、很小的电阻B、很大的电阻C、短路D、电阻4、某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）A、约等于150VB、略大于150VC、等于75VD、等于300V5、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A、增大B、减小C、不变D、先变大后变小6、测量小功率二极管的好坏时，一般把万用表欧姆档拨到（）A、R╳100B、R╳1KC、R╳1D、R╳10K7、用万用表R╳100档来测试二极管，如果二极管（），说明管子是好的。

A、正、反向电阻都为零B、正、方向电阻都为无穷大C、正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧D、反向电阻为几百欧，正向电阻为几百千欧8、发光二极管工作时，应加（）A、正向电压B、反向电压C、正向电压或反向电压9、三极管放大的实质是（）A、将小能量换成大能量B、将低电压放大成高电压C、将小电流放大成大电流D、用较小电流的变化控制较大电流的变化10、在一块正常放大的电路板上，测得三极管1、2、3脚对地电压分别为－10V、－10.3V、－14V，下列符合该三极管叙述的是（）A、该三极管是PNP型B、该三极管是硅三极管C、1脚是发射极D、2脚是基极11、用直流电压表测量NPN型三极管中管子各极电位是U B=4.7V，U C=4.3V，U E=4V，则该晶体三极管的工作状态是（）A、截止状态B、饱和状态C、放大状态D、击穿状态12、在三极管放大器中，三极管各极电位最高的是（）A、NPN管的集电极B、PNP管的集电极C、NPN管的发射极D、PNP管的发射极13、三极管各极对地电位如图所示，工作于饱和状态的三极管是（）A 、B 、C 、14、满足I C=βI B的关系，三极管工作在（）A、饱和区B、放大区C、截止区D、击穿区15、晶体三极管处于饱和状态，它的集电极电流将（）A、随基极电流的增加而增加B、随基极电流的增加而减小C、与基极电流变化无关，只取决于U CC和R C16、三极管的（）作用是三极管最基本和最重要的特性。

二极管习题(含答案)

习题６基础知识部分：6.1 选择题1．用万用表R×1K电阻档测某一个二极管时，发现其正、反电阻均近于1000ＫΩ，这说明该二极管（）A、短路B、完好C、开路D、无法判断答案：C2.AB0.7V，反偏时电阻为∞，则以下说法正确的是（）。

A、VD导通，U AO=5.3V；B、VD导通，U AO=—5.3V；C、VD导通，U AO=—6V；D、VD导通，U AO=6V；E、VD截止，U AO=—9V。

答案：C4.下列电路中变压器二次电压均相同，负载电阻及滤波电容均相等，二极管承受反向电压最低的是( )，负载电流最小的是（）。

A.半波整流电容滤波电路B.全波整流电容滤波电路C.桥式整流电容滤波电路答案：C A5.测得输出电压为10VA.滤波电容开路B.负载开路C.滤波电容击穿短路D.其中一个二极管损坏答案：B D A6. 稳压二极管电路如图，稳压二极管的稳压值U Z=6.3V，正向导通压降0.7V，则U O 为( )。

A.6.3VB.0.7VC.7VD.14V答案：C7.图示电路，若U I上升，则U O( )→U A（）→U CE1（）→U O（）。

A.增大B.不变C.减小答案：b9.某NPN硅管在放大电路中测得各极对地电压分别为U C=12V，U B=4V，U E=0V，由此可判别三极管（）。

A.处于放大状态B.处于饱和状态C.处于截止状态D.已损坏答案：D10.测得三极管的电流方向、大小如图所示，则可判断三个电极为（）。

A.①基极b，②发射极e，③集电极cB.①基极b，②集电极c，③发射极eC.①集电极cD.①发射极e答案：C6.2 填空题1.PN结具有性，偏置时导通，偏置时截止。

答案：单向导电正向反向2. 半导体二极管2AP7是半导体材料制成的，2CZ56是半导体材料制成的。

答案：N型锗N型硅3．图示电路中设二极管正向压降为0.7V，当U i=6V时，U o为答案：4.7V4.I R= mA；⑷流过稳压二极管的电流为mA。

二极管试题及答案

二极管试题及答案1. 二极管是一种具有单向导电性的半导体器件，其正向导通电压约为多少伏？A. 0.3VB. 0.7VC. 1.5VD. 2.0V答案：B2. 在电路中，二极管的正极通常用哪个符号表示？A. -B. +C. ○D. ∆答案：B3. 以下哪个不是二极管的特性？A. 单向导电性B. 整流作用C. 放大作用D. 稳压作用答案：C4. 稳压二极管的工作原理是什么？A. 利用PN结的正向导通特性B. 利用PN结的反向击穿特性C. 利用PN结的正向击穿特性D. 利用PN结的反向导通特性答案：B5. 在整流电路中，二极管的作用是什么？A. 放大信号B. 整流C. 稳压D. 滤波答案：B6. 以下哪个二极管不是按照材料分类的？A. 硅二极管B. 锗二极管C. 稳压二极管D. 肖特基二极管答案：C7. 一个二极管的正向电流为10mA，反向电流为1nA，那么它的正向电流与反向电流的比值是多少？A. 1000B. 10000C. 100000D. 1000000答案：D8. 以下哪个参数不是二极管的主要特性参数？A. 最大整流电流B. 反向击穿电压C. 导通电压D. 频率响应答案：D9. 在电路中，二极管的正向导通电压一般是多少？A. 0.2VB. 0.7VC. 1.0VD. 2.0V答案：B10. 稳压二极管的反向击穿电压称为什么？A. 导通电压B. 反向击穿电压C. 稳压电压D. 正向导通电压答案：C。

半导体二极管自测题

半导体二极管自测题1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。

2、（1）在图所示的电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是_____。

A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mA（2）设电路中保持V=5V不变。

当温度为20摄氏度时，测得二极管正向电压ＶP=0.7V。

当温度上升到40摄氏度时，则ＶP的大小是______。

A.仍等于0.7VB.大于0.7C.小于0.7V3、图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？4、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V，求图中电路的输出电压Uo。

已知稳压管的正向压降为0.7V。

5、图所示的电路中，Dz1和Dz2为稳压二极管，其稳定工作电压分别为6V和7V，且具有理想的特性。

由此可知输出电压Uo为_______。

6、图所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo的波形应为图示_______图。

7、判断图所示电路中各二极管是否导通,并求A,B两端的电压值。

设二极管正向压降为0.7V。

8、二极管最主要的特性是____________，它的两个主要参数是反映正向特性的____________和反映反向特性的____________。

（注：本题为往年考题）9、用一只万用表不同的欧姆档测得某个二极管的电阻分别为250Ω和1.8KΩ（1）产生这种现象的原因是_______________________________________________。

（2）两个电阻值对应的二极管偏置条件是：250Ω为_______偏，1.8KΩ为_______偏。

10、图所示电路中，D为理想二极管，设Vi=15sinωt（V），试画出输出电压Vo的波形。

半导体的基础知识试题

第一章半导体的基础知识一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为、和三大类。

2、电子技术的核心是半导体，它的三个特性是：、、3、半导体中存在着两种载流子，其中带正电的载流子叫做，带负电的载流子叫做；N型半导体中多数载流子是，P型半导体中的多数载流子是。

4、PN结具有性能，即：加电压时PN结导通，加电压时PN结截止。

5、二极管的主要特性是具有。

二极管外加正向电压超过死区电压以后，正向电流会，这时二极管处于状态。

6、晶体二极管的伏安特性可简单理解为正向，反向的特性。

导通后，硅管的管压降约为，锗管约为。

7、整流电路将交流电变为直流电，滤波电路将直流电变为的直流电。

8、整流电路按整流相数，可分为与两种；按被整流后输出电压（或电流）的波形分，又可分为与两种。

9、把脉动直流电变成比较平滑直流电的过程称为。

10、电容滤波电路中的电容具有对交流电的阻抗，对直流电的阻抗的特性，整流后的脉动直流电中的交流分量由电容，只剩下直流分量加到负载的两端。

二、选择题1、稳压管（）A、是二极管B、不是二极管C、是特殊二极管2、稳压管电路如图1—1所示，稳压管的稳压值为（）A、6.3VB、0.7VC、7VD、14V3、稳压管稳压电路如图1—2所示，其中U Z1=7V、U Z2=3V，该电路输出电压为（）A、0.7VB、1.4VC、3VD、7V4、NPN型和PNP型晶体管的区别是（）A、由两种不同材料硅和锗制成的B、掺入杂质元素不同C、P区和N区的位置不同5、三极管的I CEO大，说明其（）A、工作电流大B、击穿电压高C、寿命长D、热稳定性差6、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V,m则（）A、1为e 2为b 3为cB、1为e 2为c 3为bC、1为b 2为e 3为cD、1为b 2为c 3为e7、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（）A 、i cB 、U CEC 、I bD 、i E8、P 型半导体中空穴多于自由电子，则P 型半导体呈现的电性为（）。

1半导体器件复习练习题二极管三极管场效应管差动放大电路集成运放

半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。

A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。

A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。

A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。

A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。

A．减小温漂B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。

A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。

A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。

A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。

A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管ArrayC.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。

A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 =50，则复合后的β约为（）。

A．1500 B.80 C.50 D.3015、发光二极管发光时，工作在( )。

模拟电子技术半导体二极管题目与解析

一.单选题（共8题,80.0分）1二极管的正向电阻比反向电阻（）•A、大•B、小•C、一样大•D、无法确定正确答案：B答案解析：二极管正向导通时，电流较大，呈现较小的正向电阻，反向截止时，电流较小，呈现较大的反向电阻2二极管的导通条件是（）A、B、大于开启电压C、大于击穿电压D以上都不是正确答案：B3当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）•A、左移，下移•B、右移，上移•C、左移，上移•D、右移，下移正确答案：A4硅二极管的开启电压为（）•A、0.2V•B、0.3V•C、0.5V•D、0.7V正确答案：C5硅二极管的导通电压为（）•A、0.3V•B、0.4V•C、0.7V•D、1.0V正确答案：C6锗二极管的开启电压约为（）•A、0.1V•B、0.3V•C、0.5V•D、0.7V正确答案：A7锗二极管的导通电压约为（）A、0.1V•B、0.2V••C、0.5V•D、0.7V正确答案：B8在25℃时，某二极管的开启电压,反向饱和电流,则在35℃时，哪组数据可能正确？•A、•B、•C、•D、正确答案：D答案解析：根据温度对二极管伏安特性的影响，温度升高正向特性曲线左移，对应正向电压减小，反向曲线下移，反向饱和电流增加，只有满足正向电压减小，反向饱和电流增加的选项才正确。

二.填空题（共2题,20.0分）1二极管加正向偏置电压是指，将电源正极与二极管的_______极相连，电源负极与二极管的_______极相连，此时二极管呈现电阻________,可等效为开关_________.正确答案：第一空：阳；P第二空：阴；N第三空：较小第四空：闭合2二极管反向偏置时，呈现的电阻_______,可等效为开关________.正确答案：第一空：较大第二空：断开。

第一章半导体基础知识题库

1．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。

（错）2．晶体管可以把小电流放大成大电流。

（对）3．在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

（对）4．在P型半导体中，空穴是少数载流子，电子是多数载流子。

（错）5．晶体管可以把小电压放大成大电压。

（错）6．在N型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

（错）7．在N型半导体中空穴是少数载流子，电子是多数载流子。

（对）8．二极管两端加上正向电压就一定会导通。

（错）9.半导体随温度的升高,电阻会增大。

（错）10.PN结正向偏置时电阻小，反正偏置时电阻大。

（对）11.硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。

（错）12.二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。

（错）13.二极管一旦反向击穿就一定损坏。

（错）14.光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。

（对）15.发光二极管可以接受可见光线。

（错）16.发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。

（错）17.硅稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的正向特性来实现的。

（错）18.硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿状态。

（错）19.硅稳压二极管可以串联使用，也可以并联使用。

（错）20.只要限制击穿电流，硅稳压管就可以长期工作在反向击穿区。

（对）21.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）22.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（对）23-.PN结正向偏置时，其表现的电阻为无穷大。

（错）24.无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。

（错）25.无论P型半导体还是N型半导体都是不带电的。

（对）26.二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。

（错）27.当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I㎝时，该管必被击穿。

（错）28.使用万用表无法判断一个二极管的好坏。

（错）29.三极管的集电极和发射极半导体类型相同，因此可以互换使用。

电子技术-半导体-二极管-三极管-基础题1

电子技术-半导体-二极管-三极管-基础题1202311半期考前复习题-电子技术1.自然界的物质按照导电能力不同,可分为________三大类型。

半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。

[填空题] *空1答案：导体、绝缘体和半导体2.目前用来制造半导体器件的材料是 __________，它们都是四价元素具有晶体结构。

[填空题] *空1答案：硅和锗3. 半导体又称_______ [填空题] *空1答案：晶体4.半导体具有3个奇妙且可贵的特性:_________。

在纯净的半导体中掺人微量的三价或五价元素,它的导电性能将大大增强。

应用掺杂技术可以制造出二极管、三极管、场效晶体管、晶闸管和集成电路等半导体器件。

[填空题] *空1答案：掺杂性5._________. 导温度对半导体的导电能力影响很大。

温度越高，价电子获得的能量越大，挣脱共价键柬缚形成自由电子和空穴就越多，导电能力就越强。

利用平导体对温度十分敏感的特性，可以制成热敏电阻及其他热敏器件。

[填空题] *空1答案：热敏性6._________. 半导体受到光照时，自由电子和空穴数量会增多，导电能力随之增强,这就是半导体的光电性。

利用这种特性能制造各种光电器件，如光电二极管、光电三极管、光控晶闸管等，如图1-3所示，从而实现路灯、航标灯的自动控制或制成火灾报。

[填空题] *空1答案：光电性7.在硅、锗半导体中，人为掺人微量的其他元素后,所得的半导体称为________,其类型有P型半导体和N型半导体,这两种半导体是制造各种半导体器件的基础材料。

[填空题] *空1答案：杂质半导体8.在纯净半导体硅或锗中掺人硼、铝等三价元素就形成_________。

特点是:空穴数量多，自由电子数量少，参与导电的主要是带正电荷的空穴，所以又称空穴半导体[填空题] *空1答案：P型半导体9.在纯净半导体硅或锗中掺人微量磷、砷等五价元素就形成________。

特点是:自由电子数量多，空穴数量少，参与导电的主要是带负电荷的自由电子，所以又称自由电子半导体。

半导体二极管基础知识测试题

2020秋季电子技术基础第一次月考半导体二极管基础知识测试题（满分100分，时间：2.5小时）一、填空题（每题2分，第19题1分，共37分） 2、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为 __ 、 ______ 和 ______ 2、 ___________________________________________ 导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是 ____________________________ 。

3、 ________________ 半导体具有 ___ 特性、 ________ 特性和特性。

4、 ___________________________ 二极管P 区的引出端叫 ___________ 极或极，N 区的引出端叫 __________ 极或 ____ 极。

5、 ___________________________________ 按二极管所用的材料不同可分为和 _________________________________ 两类;二极管按用途分，有 ___ 二极管、 _______ 二极管、 ______ 二极管、 _________ 二极管、 _____ 二极管、 ______ 二极管和 _______ 二极管等。

6、二极管的正向接法是_接电源的正极, _______ 接电源的负极;反向接法则相反。

7、硅二极管导通时的正向管压降约为 ______ V 点者二极管导通时的管压降约为 ______ Vo8、 ___________________________ 二极管最主要的特性是 _____ ,它是指:PN 结正偏时呈 _______________ 状态，正向电阻很（小，大），正向电流很 __ （小,大）;PN 结反偏时呈 ___ 状态, 反向电阻很 _____ （小，大），反向电流很 _ （小,大）。

9、 __________________________________________________________ 二极管是用一个PN 结制成的半导体器件，它的最基本的性质是 ___________ 硅管的死区电压和正向压降比错管的 _____ 而反向饱和电流比错管的_得多。

第一章半导体二极管练习

第一章半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。

A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移 2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。

A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于 3.下列符号中表示发光二极管的为（）。

ABCD4. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。

A. I D = 0 B. I D < I Zm 且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Zm < I D < I ZM5. 杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。

A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴6. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。

A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降 7. PN 结形成后，空间电荷区由（）构成。

A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 8. 硅管正偏导通时，其管压降约为（）。

A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V9. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不同量程时通过二极管的电流，所测得正向电阻阻值。

A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同二、判断题1. PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）2. 二极管在工作电流大于最大整流电流I F 时会损坏。

（）3. 二极管在工作频率大于最高工作频率f M 时会损坏。

（）4. 二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM 时会损坏。

（）5. 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

(完整版)二极管习题

二极管电路习题一、选择题1、在题 1.1 图所示电路中，U A0 电压为（）（a ）12V （b ）-9V （c ）-3V2 在题 1.2 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2、D3 的工作状态为（）。

（a ）D1 导通，D2、D3 截止（b ）D1、D2 截止，D3 导通（c ）D1、D3 截止，D2 导通3 在题 1.3 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2 的工作状态为（）。

（a ）D1 导通，D2、截止（b ）D1、D2 均导通（c ）D1、截止，D2 导通4 在题 1.4 图所示电路中，D1、D2 为理想元件，则电压 U0 为（）（a ）3V （b ）5V （c ）2V5 电路如题 1.5 图（a ）所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为图（b ）所示的三角波，则输出电压 u0 的最大值为（）。

（a ）5V （b ）17V （c ）7V6 在题 1.6 图所示电路中，二极管为理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV ,R=4KΩ,则 uF 等于( ). （a ）3V （b ）2sinωtV （c ）3+2sinωtV7 在题 1.7 图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压 U0 为（）（a ）3V （b ）0V （c ）－12V8 在题 1.8 图（1）所示电路中，二极管 D 为理想元件，设 u1=2sinωtV,稳压二极管 DZ 的稳定电压为 6V ，正向压降不计，则输出电压 u0 的波形为图（2）中的波形（）12V9V(c) RV O题1.1图9 在题1.9 图所示电路中，稳压二极管DZ2 的稳定电压为6V，DZ2 的稳定电压为12V，则输出电压U0 等于（）。

（a）12V （b）6V （c）18V10 在题1.10 图所示电路中，稳压二极管DZ1 和DZ2 的稳定电压分别为6V 和9V，正向电压降都是0.7V。

半导体器件的有机发光二极管考核试卷

B.广视角
C.高对比度
D.高功耗
2.以下哪些因素会影响OLED的寿命？（）
A.电流密度
B.发光材料的热稳定性
C.封装工艺
D.工作环境湿度
3. OLED的发光颜色可以通过以下哪些方式进行调整？（）
A.改变发光材料的化学结构
B.调整发光层的厚度
C.改变掺杂剂的种类
D.调整驱动电流的大小
4.以下哪些是OLED的常见驱动方式？（）
3.影响因素：材料稳定性、界面缺陷、驱动电流等。改进措施：使用稳定材料、优化界面工艺、控制电流密度。
4.发展趋势：大面积、低成本、高寿命、多功能。潜在优势：可弯曲、透明、低功耗、高色彩表现。
A.热淬灭
B.氧化损伤
C.电迁移
D.光散射
5.有机发光二极管在显示技术中的应用不包括（）
A.手机屏幕
B.电脑显示器
C.太阳能电池板
D.电视屏幕
6.下列哪个参数与OLED的亮度和效率关系密切？（）
A.寿命
B.扭曲角度
C.电流密度
D.颜色纯度
7. OLED的驱动方式通常有（）
A.交流驱动
B.直流驱动
C.脉冲宽度调制
B.基板材料
C.封装工艺
D.驱动方式
17.有机发光二极管的发光颜色主要取决于（）
A.发光材料的能级结构
B.电流密度
C.工作温度
D.基底材料的种类
18.下列哪种现象可能导致OLED的效率降低？（）
A.器件内部缺陷
B.工作温度升高
C.电子传输层与空穴传输层厚度增加
D.所有以上
19. OLED器件在设计和制造过程中，下列哪个因素需要特别注意？（）
C.封装工艺

半导体二极管基础知识测试题

二极管的题目

电子技术基础题库(I_II类题)[1]

半导体二级管试题

第一章 二极管章节测试题

电子技术基础试题

电子技术基础第一单元《半导体二极管》测试卷

二极管习题(含答案)

二极管试题及答案

半导体二极管自测题

半导体的基础知识试题

1半导体器件复习练习题二极管三极管场效应管差动放大电路集成运放

模拟电子技术半导体二极管题目与解析

第一章 半导体基础知识题库

电子技术-半导体-二极管-三极管-基础题1

半导体二极管基础知识测试题

第一章 半导体二极管练习

(完整版)二极管习题

半导体器件的有机发光二极管考核试卷

第一章二极管章节测试题

第一章半导体基础知识题库

第一章半导体二极管练习