扫描电镜PPT课件
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Hitachi S-4800II
JEOL JSM-6610
FEI Quanta650
FEG
应用领域
Phenom ProX
分辨率 放大倍数
加速电压
8.0nm @30KV SE 20x - 100,000x
1kv - 30kv
优于14nm
20x-130,000x 5kv-15kv(连续 可调)(连续可
调)
光源
自动控制,钨丝阴极,预 对中灯丝
CeB6
KYKY-2800B 4.5nm
15X-250,000X 0.1kV-30kV
低电压(1kV以下)
分辨率低,所以要求电镜的枪有
可以有效地减少对样品的损伤和 足够的亮度以及观察时要减小工
荷电效应,对于不导电的样品可 作距离,甚至把样品升到物镜下
以直接观察
极靴面,使物镜激励增强,焦距
变短,像差减小,以提高分辨率
8
注意
1、观测容易受到热损伤的试样采用低压,缩 短照射时间,凃导电层 2、对于凹凸不平的样品,会存在边缘效应,降 低电压可以抑制入射电子束进入边缘内部 3、电压高,分辨率高,但是要综合考虑电子 束损伤、边缘效应
11
12
二次电子像的分辨率高、景深大,为什Baidu Nhomakorabea?
二次电子运动轨迹
背散射电子运动轨迹
13
13
二、SEM的相关对比 1、SEM原理与TEM的比较 2、同类仪器的比较
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1、SEM原理与TEM的主要区别:
1) 在SEM中电子束并不像TEM中一样是静态的:在扫描线圈产 生的电磁场的作用下,细聚焦电子束在样品表面扫描。
2)由于不需要穿过样品,SEM的加速电压远比TEM低;在SEM 中加速电压一般在200V 到50 kV范围内。
3) SEM样品不需要复杂的准备过程,制样非常简单。
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2、同类产品对比:
美.FEI 德.ZEISS 日.HITACHI 日.JEOL
韩.COXEM 荷.PHENOM 中.KYKY
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四种扫描电镜主要参数比较
9
2、操作流程
SEM
扫
的描
基 本
电 镜 原
原理
理示
意
图
10
二次电子
背散射电子
如果入射电子撞击样品表面原子5-10nm的外 层电子,把它激发出来,就形成低能量的二次 电子,在电场的作用下它可呈曲线运动,翻越 障碍进入检测器,使表面凹凸的各个部分都能 清晰成像。
二次电子的强度主要与样品表面形貌有关。 二次电子和背景散射电子共同用于扫描电镜 (SEM)的成像。
扫描电镜简单介绍
1
目录
SEM的操作 SEM的相关对比
SEM的应用举例
2
一、SEM的操作 1、参数概念 2、操作流程
3
1、参数概念
分辨率
SEM的分辨率主要受到电子束直径的限制,电子 束直径指的是聚焦后扫描在样品上的照射点的尺 寸。相同条件下,电子束直径越小,越得到好的 分辨效果 。
放大倍数
在显像管中电子束在荧光屏上最大扫描距离和在 镜筒中电子束针在试样上最大扫描距离的比值。
3.0nm 5x~300,000x
0.3kV-30kV
光源
发夹式钨灯丝四级电 子枪单元
钨灯丝 LaB6
预对中钨灯丝
钨灯丝
真空系统 涡轮分子泵
机械泵+涡轮 涡轮分子泵 分子泵+涡轮 隔膜泵+转子泵
分子泵
价格
25万美金以上 20万美金以上 100-150万
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三种扫描电镜主要参数比较
电镜型号 参数
COXEM-EM-30
钨灯丝
真空系统
机械泵+涡轮分子泵+涡轮 分子泵
隔膜泵
机械泵++压缩机
价格
50-100万
50-100万
80万
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2、国内高校应用:
北京大学
名称
场发射扫 描电镜
环境扫 描电镜
场发射 扫描电
镜
场发射扫 冷场发射 描电镜 扫描电镜
扫描电镜
场发射扫 场发射环境 场发射扫描 高分辨冷场 描电镜 扫描电镜 电镜 扫描电镜
有效放大倍数M有效
M有效=人眼分辨率/SEM分辨率
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工作距离
从物镜到样品最高点的垂直距离。 如果增加工作距离,可以在其他条件不变的情况下 获得更大的场深。 如果减少工作距离,则可以在其他条件不变的情况 下获得更高的分辨率。 通常使用的工作距离在5毫米到10毫米之间。
像的衬度
表面形貌衬度
原子序数衬度
电镜型号 参数
FEI-Quanta600
EVO-MA15
HITACHI SU1510
JEOLJSMIT300
分辨率 放大倍数
加速电压
1.0 nm 6x–1,000,000x
200 V - 30 kV
2.0 nm
3.0nm
5x-100,000x 5x-300,000x
200v-30kv (连续可调) 0.3kv-30kv (连续可调)
像的衬度:像的各部分(即各像元)强度相对于其平均强度的变化。
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光栅扫描
光栅扫描显示器显示图形时,电子束依照固定的 扫描线和规定的扫描顺序进行扫描。电子束先从荧光 屏左上角开始,向右扫一条水平线,然后迅速地回扫 到左边偏下一点的位置,再扫第二条水平线,照此固 定的路径及顺序扫下去,直到最后一条水平线,即完 成了整个屏幕的扫描。
6
焦深
SEM的焦深是较好光学显微镑的300-600倍。
焦深大意味着能使不平整性大的表面上下都能聚
焦。
F=
d 2a
△F——焦深; d ——电子束直径; 2a——物镜的孔径角
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高低电压应用时优缺点比较
高电压(10 kV以上)
优点
分辨率高
缺点
电子束能量高,穿透样品较深, 得到的不是样品真实的表面信息; 对于不耐电子束的样品如有机材 料损伤较大;对于导电性不好的 样品,表面积累电荷造成荷电和 样品漂移,严重影响观察。
当探针很细,分辨高时,基本收集的是二次 电子而背景电子很少,称为二次电子成像(SEI)
背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹 回来的,所以原子序数大的原子越大,弹性碰撞 的概率越大,所以原子序数大的背散射电子强 度的大;二次电子是从样品表面发射的电子, 跟原子序数没关系,跟样品的表面形态有关,因 为撞击角度90度是二次电子基本么有,倾斜装 机的二次电子产率就很高了,所以二次电子像 是跟样品观察角度有关的。
扫描电子 显微镜
热场发射 扫描电镜
制造商国别 美国 美国 美国 日本 日本 日本 美国
美国
日本
日本
日本
美国
型号
AMRAY 1910FE
FEI Quanta2 00FEG
FEI Nov,aNanoSEM
430
S-4800
Hitachi S-4800
JEOL JSM5600LV
FEI
FEI
JEOL
XL30SFEG Quanta600 JSM-7500F