怎么判断场效应管的工作状态

怎么判断场效应管的工作状态场效应管及其放大电路

场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。按结构不同场效

应管有两种:

结型场效应管

绝缘栅型场效应管

它电极及硅片之间址绝级的.称绝缘栅唱场效应汁©

源极5柚极G漏极D

本节仅介绍绝缘栅型场效应管

按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类每类又有N

沟道和P沟道之分2.11.1绝缘栅场效应管

1.增强型绝缘栅场效应管

⑴

N沟道增强型管的结构

(1) N沟逍增强型管的结构

由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MO场效应管

源极$柵极G漏极D

P型硅衬底

⑵N沟道

增强型管的工作原理

由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底

隔开，漏极和源极之间是两

个背靠背的PN结

十柵渊电压厂佃=0时,

不昨a询和源极之何所加

电爪的极性如何.其 +总有

一个PN结是反向債置的•

反向电m很鬲. 漏极电渝近

似为苓。

当U GS>0时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；

w.

r

,

将出现N型辱电沟

逍・将。召连孩起

来.%愈福.孚电沟

遺Jfe®, 在涌极电

源的作用下将产生

秦械电擁当U G S

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N型导电沟道「

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尹彌底I

U Gs（th）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏 -源之间加上一定的电压U Ds,则有漏极电流I D产生。在一定的U Ds下漏极电流I D的大小与栅源电压L bs有关所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。

在一定的漏-源电压U Ds下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压L b s（th）。（3）

特性曲线

开启电压「册m

裁止匯

V

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5"

漏极特性曲线

严了鼻% 无导电；仃导取沟逍 沟道施移特性沏线 /&/mA ^=WV

(4)P 沟道增强型

2.耗尽型绝缘栅场效应管？如果MOS 管在制造时导电

沟道就已形成，称为耗尽型场效应管。(1 ) N 沟道耗尽 型管

增就烈炀敦应许只有当「口 At 忙玄时 时才形加 牡河通L

加电斥才形J®

卩唧¥电沟道

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畏电禅迎J

由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在 "尸0 时，若漏-原之间加上一定的电压U Ds,也会有漏极电流I D产生。

这时的漏极电流用

I DSS表示，称为饱和漏极电流。当U GS>0时，使导电沟

道变宽，I D增大；

当U G S<0时，使导电沟道变窄，I D减小；“S负值愈高，

沟道愈窄，I D就愈小。

当U G S达到一定负值时，N型导电沟道消失，

I D= 0，称为场效应管处于夹断状态（即截止）。这时的

U bs称为夹断电压，用U bs（off）表示。

⑵耗尽型N沟道MOS t的特性曲线

o

T

4

耗尽型的MOS 管U G 萨0时就有导电沟道，加反向电压到 —定值时才能夹断 (3) P 沟道耗尽型管

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加极待性曲绞

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在制11时SJHf

凍始导联沟通3.场效应管的主要参数

(1) 开启电压是增强型MOS管的参数

(2) 夹断电压

U Gs(off):

⑶饱和漏电流

I DSS：

是结型和耗尽型

MOS管的参数

(4)低频跨导

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控制方式 电流控制

二电压控制

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B —E C

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2.11.3

:表示栅源电压对漏极电流的控制能力

极限参数：最大漏极电流、耗散功率、击穿电压。

场

效应管与晶体管的比较

场效应管放大电路场效应晶体管具有输入电阻高、噪 声低等优点，常用于多级放大电路的输入级以及要求

噪声低的放大电路。？?？

场效应管的源极、漏极、栅极相当于双极型晶体管的 发射极、集电极、基极。场效应管的共源极放大电路 和源极输出器与双极型晶体管的共发射极放大电路和 射极输出器在结构上也相类似。???