华师大微电子复试真题 (1)
微电子笔试（笔试和面试题）有答案
微电子笔试（笔试和面试题）有答案第一部分：基础篇（该部分共有试题8题,为必答题，每位应聘者按自己对问题的理解去回答，尽可能多回答你所知道的内容。
若不清楚就写不清楚）。
1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。
数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。
模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。
例如，人对着话筒讲话，话筒输出的音频电信号就是模拟信号，收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号，也是模拟信号。
数字信号，是指在时间上和幅度上离散取值的信号，例如，电报电码信号，按一下电键，产生一个电信号，而产生的电信号是不连续的。
这种不连续的电信号，一般叫做电脉冲或脉冲信号，计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。
在电子技术中，通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号，统称为数字信号。
FPGA是英文Field－Programmable Gate Array的缩写，即现场可编程门阵列，它是在PAL、GAL、EPLD 等可编程器件的基础上进一步发展的产物。
它是作为专用集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。
2、你认为你从事研发工作有哪些特点？3、基尔霍夫定理的内容是什么？基尔霍夫电流定律:流入一个节点的电流总和等于流出节点的电流总和。
基尔霍夫电压定律:环路电压的总和为零。
欧姆定律: 电阻两端的电压等于电阻阻值和流过电阻的电流的乘积。
4、描述你对集成电路设计流程的认识。
模拟集成电路设计的一般过程：1.电路设计依据电路功能完成电路的设计。
2.前仿真电路功能的仿真，包括功耗，电流，电压，温度，压摆幅，输入输出特性等参数的仿真。
微电子笔试(笔试和面试题)要点(汇编)
第一部分：基础篇（该部分共有试题8题,为必答题，每位应聘者按自己对问题的理解去回答，尽可能多回答你所知道的内容。
若不清楚就写不清楚）。
1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。
数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。
模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。
例如，人对着话筒讲话，话筒输出的音频电信号就是模拟信号，收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号，也是模拟信号。
数字信号，是指在时间上和幅度上离散取值的信号，例如，电报电码信号，按一下电键，产生一个电信号，而产生的电信号是不连续的。
这种不连续的电信号，一般叫做电脉冲或脉冲信号，计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。
在电子技术中，通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号，统称为数字信号。
FPGA是英文Field－Programmable Gate Array的缩写，即现场可编程门阵列，它是在PAL、GAL、EPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。
它是作为专用集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。
2、你认为你从事研发工作有哪些特点？3、基尔霍夫定理的内容是什么？基尔霍夫电流定律:流入一个节点的电流总和等于流出节点的电流总和。
基尔霍夫电压定律:环路电压的总和为零。
欧姆定律: 电阻两端的电压等于电阻阻值和流过电阻的电流的乘积。
4、描述你对集成电路设计流程的认识。
5、描述你对集成电路工艺的认识。
把电路所需要的晶体管、二极管、电阻器和电容器等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上，再用适当的工艺进行互连，然后封装在一个管壳内，使整个电路的体积大大缩小，引出线和焊接点的数目也大为减少。
电子类面试题目及答案
1、基尔霍夫定理的内容是什么？在集总参数电路中电流、电压要受到两种约束，因为电路元件之间的互连必然迫使诸元件中的电流之间和诸元件上的电压之间有联系或者说约束，体现这种约束的是基尔霍夫定律。
（1）基尔霍夫第一定律第一定律又称基尔霍夫电流定律，简记为KCL，是电流的连续性在集总参数电路上的体现，其物理背景是电荷守恒公理。
KCL的第一种陈述：对于任一集总电路中的任一点，在任一时刻，流出（或流进）该节点的所有支路电流的代数和为零。
KCL的第二种陈述：对于任一集总电路中的任一闭合面，在任一时刻，通过该闭合面的所有支路电流的代数和等于零。
（2）基尔霍夫第二定律第二定律又称基尔霍夫电压定律，简记为KVL，是电场为位场时电位的单值性在集总参数电路上的体现，其物理背景是能量守恒公理。
KVL可表述为对于任一集总电路中的任一回路，在任一时刻，沿着该回路的所有支路电压降的代数和为零。
（仕兰微电子）2、平板电容公式(C=εS/4πkd)（未知）3、最基本的如三极管曲线特性。
三极管的特性曲线是指三极管各极的电压与电流之间的关系曲线。
它从外部直观地表达出三极管内部的物理变化规律，反映出三极管的性能。
三极管特性曲线分为输人特性曲线和输出特性曲线。
从使用角度讲，了解三极管特性曲线比了解其内部物理变化过程更重要。
因为三极管特性曲线是分析放大电路，特别是用图解法分析的重要依据和基础。
三极管特性曲线可用晶体管特性图示仪显示，也可实测得出。
下图给出了实测电路。
输人特性曲线在输人回路中测量，输出特性曲线在输出回路中测量。
（1)输人特性曲线输人特性曲线是指当集一射极之间的电压UcE为某一常数时，输人回路中的基极电流几与加在基一射极间的电压UBE之间的关系曲线，即 IB=f(UBE)/UCE=常数三极管输人特性曲线与二极管正向伏安特性曲线是一样的，因为三极管输人特性实际上就是发射结的正向伏安特性。
不同的只是存在一个集一射电压UCE .这个电压只影响IB的大小，不影响 IB与UBE之间的变化关系。
华南师范大学光电子材料与技术研究所往年复试考题_2010硕士研究生固体复试试题_固体物理
2010 年招收硕士研究生复试考试试题考试科目：固体物理适用专业：微电子学与固体电子学 温馨提示：请考生将答案写到答题纸上，并请写清楚题号，不必抄写题目。
一、单项选择题（每题3分，共30分）1.下列符合三斜晶系的晶轴、晶轴夹角特点的是（ ）A 321a a a ≠≠ γβα==B 321ααα== 。
90===γβαC 321ααα== 。
90≠==γβαD 321a a a ≠≠ γβα≠≠2.晶格常数为a 的CsCl 晶体的原胞体积等于（ ）A. B. C. D.3.金刚石结构和面心立方体结构的配位数分别为（ ）A. 4，6B. 4，12C. 3，6D. 4，84、某一晶列上有两个格点，A 为（0,0,0），B 为（2a 1,4a 2,6a 3）,其中a 1，a 2，a 3分别表示沿晶轴321,,a a a 的晶格常数，则该晶列的晶向指数为（ ）A ．[0 0 0] B.[2 4 6] C.[1 2 3] D.[6 2 4]5.掺五价磷的掺杂半导体的多数载流子是（ ）A.磷原子B.电子C.空穴D.质子6.晶体Cu 中原子间的结合是（ ）A.共价结合B.分子结合C.离子性结合D.金属性结合7.无限大晶体中，当有电场后, 满带中的电子（ ）A ．能永远循环漂移下去 B.被电场无限加速 C.随机运动 D.保持不变8.下列属于线缺陷的是（）A 刃型位错B 晶粒间界C 堆垛层错D 色心9. 在紧束缚近似中，电子的零级波函数为（）A.自由电子波函数B.轨道电子波函数C.平面波D.正弦波10.原胞中有p个原子。
那么在晶体中的声学波和光学波分别为（）A．4支，4p-4支 B. 2支，2p-2支 C. 6支，3p-6支 D. 3支，3p-3支二、简答题（任选6题，每题5分，共30分）1、高指数的晶面族与低指数的晶面族相比, 对于同级衍射, 哪一晶面族衍射光弱? 为什么?2、什么叫简正振动模式？简正振动数目、格波数目或格波振动模式数目是否是一回事？3、高温时, 频率为的格波的声子数目与温度有何关系?4、绝对零度时, 价电子与晶格是否交换能量?5、何谓极化声子? 何谓电磁声子?6、为什么形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量低?7、紧束缚模型下, 内层电子的能带与外层电子的能带相比较, 哪一个宽?为什么?三、计算题（任选4题，每题10分，共40分）1．试证三角晶系的倒格子也属于三角晶系2．证明自由电子在0K时的费米波失为，其中n为电子的密度。
最新华南师范大学光电子材料与技术研究所往年复试考题研究生材料物理与化学面试详细答案l材料物理与化学
华南师范大学光电子材料与技术研究所往年复试考题2008研究生材料物理与化学面试详细答案l材料物理与化学1-1 设水的化学势为)1(*μ，冰的化学势为)(*S μ，在kPa 325.101及-5℃条件以下，)1(*μ是大于、小于还是等于)(*S μ？答：在kPa 325.101及-5℃条件下，水凝固为冰的过程是可以自动进行的过程。
根据化学势判据，在恒温、恒压、W‘=0的条件下，自发过程是向化学势减小的方向进行，所以)1(*μ>)(*S μ。
1-2 有两个可逆卡偌热机,在高温热源温度皆为500K\低温热源分别为300K 和250K 之间工作,若两者分别经一个循环所做的功相等.试问:(1)两个热机的功率是否相等?(2)两个热机自高温热源吸收的热量是否相等?向低温热源放出的热量是否相等?答:两个热机的工作情况如图3.2.1(a) (b)所示.(1) 热机（a ）的效率a η=1—Q W a =121—Q Q Q =121—T T T =KK K 500300—500=40 % 热机(b)的效率b η=‘1—Q W b =’‘’）（121Q Q Q +=121—T T T ‘=K K K 500250—500=50 % b η＞a η，表明高温热源与低温热源的温差愈大，可逆热机的效率愈高。
（2）Q 1= －W a /a η; Q '1=Wb/b η因W a =W b 及b η＞a η，所以Q 1＞Q '1Q 1=Q 1（a η－1）=－0.6Q 1Q '2= Q '1（b η－1）=－0.5 Q '1因Q 1 ＞Q '1 ＞0，所以在数值上1Q ＞'2Q'1Qa Wb W'2Q图1上述推导表明，在高低温热源温度之差a T ∆＜b T ∆的情况下，经一个循环若对环境做功相等，则热机（a ）较（b ）需要从高温热源吸收更多的热量，同时向低温热源放出更多的热量，即消耗更多的能量，1-3 已知樟脑（C 10H 16O ）的凝固点降低常数K f =40K·mol -1·kg 。
华师大mba面试题及参考答案
华师大mba面试题及参考答案推荐文章清华北大MBA面试题目热度：mba面试题目及答案热度：mba经典面试题集锦热度：MBA复试面试题目热度：清华大学mba面试题及参考答案热度：回答好面试题是华师大mba考核中相当关键的一步。
以下是小编精心推荐的一些华师大mba面试题及参考答案，一起来学习下吧!华师大mba面试题及参考答案(一)1.作为一名管理者，请谈谈对管理的看法(内涵和意义)?2.如何看待技术与管理的关系?技术与管理师一对此消彼长的关系;公司初创期技术完全围绕着销售在转，公司成长期重点是打造管理、打造平台，做好了研发管理，公司成熟期的技术远比管理重要，这不是说这个阶段不需要管理了，而是因为管理已经规范得不用操心了，真正需要操心和重视的就是如何不断提升技术。
3.你认为管理的目的与本质是什么?就是使所有的工作都能制度化，系统化，所有部门(员工)都能按照“低支出、高收入”的这个原则进行运作，进而为企业创造更多的经济效益、更多的利润空间。
4.管理是科学还是艺术?企业管理的艺术成分大，决定了管理是艺术的性质，但不代表管理没有科学的成分，也不代表科学管理的东西没用，只不过在管理中，科学成分没有艺术成分起的作用大而已。
比如，人不仅自私，还需要公平和成就感，因此人事薪酬制度必须体现多劳多得才行，否则，雇员就不会玩命干活。
这是管理的科学。
但是，知道人的共性，以及那些在别的企业成功的360度评估和德尔菲打分法对管理者帮助不大，因为每个管理者面对的是：怎样才能让自己公司那群具体的雇员感到公平和有成就感，这就是艺术要解决的问题。
5.如何认识领导决策的重要性?怎样理解“管理就是决策”?理的全过程就是一个完整的决策过程，也就是说决策贯穿于管理的全过程。
不仅选择行动方案是决策，制定计划是决策，行动的组织、实施、控制等等每个环节都存在着决策问题，所以说管理即决策6.如何理解决策的选择性，满意性和可行性?7.民主决策是否意味着，事无巨细，都需要集体决策?8. SWOT分析法有什么作用?企业在什么情况下可以采用多元化经营?既“优势—劣势—机会—威胁” 作用可概括为“扬长避短、趋利避害、丢掉包袱、加速发展”依据生命周期理论，企业应在产品的导入期或成长期进入该产业，因为此时市场吸引力最大，譬如足够的规模，高的投资回报率，低的进入障碍，较为宽松的市场竞争环境等。
SCNU历年复试题
笔试有两部分：专业基础和专业英语跟去年未来方向题型差不多。
未来&&学习科学方向复试经验谈[hide]一、名词解释1.普适学习2.混合学习3.远程教育4.云计算二、英文缩写的含义（10个）具体记不大清了，有Web2.0、U-Learning、courseware、ICAI、CALL、ITS、AELs等三、用英文写出国外教育技术的专家、期刊、学术会议、学术组织、专著（每个不少于2个）四、用英文写出你对教育技术感兴趣领域或关注点（至少3个），并选择一个用中文进行论述。
专业英语为英译中和中译英。
关于教育技术的定义建构主义面试：11年未来方向有6个考生，面试老师有5个，焦老师、谢老师还有其他3位老师；还有2位负责记录的师兄师姐。
面试的主要问题有：1、自我介绍（中英文均可）2、回答问题：What technology do you think is educational technology?(焦老师问的)你参加过什么比赛，对教育技术哪些领域感兴趣（谢老师问的）3、为什么考未来教育方向的研究生？4、你写博客吗，你认为如何利用博客开展教育技术基础理论的研究？5、毕业论文情况补充：第一题四个名次解释，一个2.5分，第二题每个1分，第三题共10分，第四题共20分。
这是要靠平时的积累。
英译汉两段，汉译中也是两段，共50分。
这是翻译的基本功。
面试的老师有焦老师，谢幼如老师，余红老师，张宏老师，王冬青老师。
面试问了，自我介绍（中文），你为什么考这个方向，你毕业后想从事什么工作，你毕业论文做了什么，针对毕业论文问了一些你对论文设计的内容的理解，你读过什么书，感受是什么，你知道焦老师在关注什么吗，读过他的什么书，你参加或组织过什么活动吗，你的组织能力如何。
英文让我做一个现场演讲，因为我说过我曾参加过英语演讲。
初试和复试都很重要！13年华南复试笔试：1.忘记了2.ADDIE模型设计一堂信息技术课，题目自选3.你如何理解信息素养？如何提高大学生的信息素养4.英译汉：建构主义学习环境面试：1.自我介绍2.专业问题（TV program edit等）3.毕业论文4.大学实践活动5.大学课程14 年SCNU 复试笔试部分（2个大题）：1.一段英文，翻译成中文英文应该是一篇外文文献的摘要部分，翻译过程中要注意专业词汇的把握和整体的通顺。
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（请同学注意：部分年份的为各位学长考完之后的回忆版，其余的是电子档完整原版，这些真题在市面上都是很少见的，通过真题你可以发现，试题难度不大，但是范围真的很广很广，涉及到半导体物理，半导体器件，集成电路原理，版图设计及语言，半导体工艺等等的，但是不要灰心，抓住重点（器件，集成电路），看书的时候不要求深究，会一般的方法及典型，加强记忆，所以请各位学弟学妹们好好利用，争取在复试的笔试中取得好成绩！）
2006年
1 半导体两侧的区域叫什么？
2 非门有___型负载管和__型驱动管组成。
3 MOS与非门有___组成。
4 ECL电路为什么比TTL电路快？
5 SOC全称
6 二极管的电容___和____
7 MOS管的四种类型。
8 常用的两种硬件描述语言？
9 双极型的工作模式？四种。
10 集成电路的两种设计途径？
11 三种击穿机制？
12pn结工作原理？
13 MOS管子的工作原理和特性曲线？
14 摩尔定律？
15 对集成电路设计的看法？
16画出非门的原理图。
latch up效应是？
17 功耗大的原因及解决方案。
2007年
1 SOC ，SOI是什么？
2 摩尔定律？
3 HEC相关问题
4 工艺发展对氧化层介质的要求，高k，低k问题。
5 晶体管用什么符号表示
6 电流平方率器件
7 功耗如何降低？
8 三极管种类，mos管种类问题
9 对集成电路发展的认识
10 按比例缩小理论
11 硬件描述语言有哪几种？
12 闭锁效应
2008年
题目比较简单，都是基本概念，大概是以下：MOSFET基本类型，影响阈值电压的因素，下拉电流，厄利电压，MOSFET的小信号模型，噪声容限，BJT饱和状态的特点，怎样提高BJT开关的速度，什么是大注入，为何在半导体工艺中要使用Low K材料代替SiO2，用铜代替铝？说说你知道的纳米材料方面的新进展，使用High K材料的好处，EDA，VLSI，MOSFET本征寄生电容的来源是什么，静态CMOS的重要特性，闩锁效应及其防止方法，画出与非门和或非门原理图，扇入扇出数的计算。
口语的话就是先自我介绍下，然后就是翻译一篇关于微电子前言概述消息方面的文章，当场口译，我的那篇文章是关于wafer尺寸和
芯片尺寸发展的趋势。
2011年复试真题
一、填空题
1、击穿除隧道击穿外，还有和，且隧道击穿是属于（正/负）温度系数
2、SOC是
3、影响MOSFET的主要结构参数是，且该值越小速度越（快/慢）
4、影响硅基材料的外界因素有和，迁移率的单位是。
5、有一n型半导体和金属，且金属的功函数大于n型半导体，则电子流动方向为。
二、简答题
1、双极型晶体管使用放大区的三个基本条件是什么？影响双极型晶体管的主要结构参数是什么？
2、画出MOSFET的I-V工作曲线，并且虚线标出线性区，非线性区，饱和区。
3、热生长SiO2有什么应用，并用器件举例。
4、说明研究高K介电常数材料的前提和意义，并说明要突破什么问题。
5、画出{（AB+CD）E}’的晶体管级电路MOS口为四端原件。
6、CMOS电路功耗由什么组成，并降低功耗措施。
7、标准单元CMOS数字集成电路设计流程。
2012年复试真题
1、MOS或非门由-------组成？
2、wire型变量后未指定（）
3、cmos反相器一般输入为vdd/2，pmos工作在饱和区，nmos工作在（）
4、硬件描述语言有哪些？
5、verilog的初始化语句可以综合吗？
6、nmos的沟道电阻是否是线性的？
简答题：
1、晶面指数？cmos晶圆用什么指数的晶片？
2、迁移率的单位？如何提高本征硅材料的迁移率？请说明理由
3、什么是厄尔利效应？提高厄尔利电压Va的方法。
4、cmos的功耗包括几个方面及原因。
5、标准单元电路设计,画出电路图。
{AB+(C+D)E}’
2013年复试真题
1.单晶硅的结构是——
2.迁移率的单位是——，电子和空穴的迁移率哪个大？
3.pn结正偏时在P端加——（填正或者负）压，低掺杂的pn结易发生-——击穿
4.SiO2中的可动电荷来自——，降低其电荷密度会使阈值电压Vt——（填减小或者增大）
5.按比例缩小理论中，使MOS得沟道长度缩短，则要求沟道掺杂——（填减小或者增大）
6.
9.每代工艺的发展——(填需要或者不需要)重新设计工艺库。
10.DRC是指——
11.在做LVS检查时，需要版图GDS文件，——文件和——文件
12.短沟道器件的Ids与Vgs的是——（填线性或者平方）关系
13.initial过程块是否可以被综合（填是或者否）
14.夹断点电压随着Vds的变化
15.硬件描述语言有——和——
16.CMOS反相器输入为VDD/2，NMOS工作在——状态
17.n型半导体与金属接触，且Ws《Wm，则电子的流动方向是——
18.给了一个MOS器件和传输管结合的电路图，要求写出输出Y的表达式(很简单，只要写
出真值表即可得出表达式)
二．简答题
1．分别画出平衡时和反偏下的pn结的能带图，标出相关线段的含义
2. 双极型晶体管中有哪些寄生电容，它们对晶体管有什么影响？
3. 标准单元电路设计,画出电路图。
{AB+EF(C+D)}’
4. 画出MOS寄生电容的结构示意图，并且说明在三态（截止，放大，饱和）中电容值的变化情况？
5. MOS的尺寸缩小到深纳米量级，漏区结构有哪些变化？。