最新1章常用半导体器件题解09677汇总
常用半导体器件
多数载流子（多子）参加导电，杂质原子成 为不可移动旳离子，半导体呈现电中性。
多子旳浓度与掺杂浓度有关，受温度影响很 小；
少数载流子（少子）是因本征激发产生，因 而其浓度与掺杂无关，对温度非常敏感，影响 半导体旳性能.
三、PN结及其单向导电性
1. PN结旳形成 PN结合 多子浓度差 多子扩散 产生空间 电荷区，形成内电场 阻止多子扩散， 促使少子漂移。
四 、半导体二极管旳应用
1、一般二极管
利用二极管旳单向导电性，可实现整流、限 幅及电平选择等功能。
（1）整流电路
利用单向导电性能旳整流元件，将正负交替 变化旳正弦交流电压变换成单方向旳脉动直流 电压。
在电压正半周（设a端为正，b端为负时为正 半周）电流通路如图(a)中实线箭头所示；电压 旳负半周，电流通路如图(b)中虚线箭头所示。 经过RL旳电流iL以及RL上旳电压uL旳波形如图 1.25所示。iL、uL都是单方向旳全波脉动波形。
图1.6 载流子分布浓度差引起扩散运动
扩散运动：多数载流子因浓度上旳差别而形 成旳运动。
漂移运动：少数载流子在内电场作用下有规 则旳运动。
漂移运动和扩散
运动旳方向相反。
无外加电场时，经过
PN结旳扩散电流等
于漂移电流，PN结
旳宽度处于稳定状态。
图1.7 PN结旳形成
2. PN结旳单向导电性
（1）PN结外加正电压
一 、三极管旳构造及符号
1.三极管旳基本构造
三极管旳构造特点： （1）基区做得很薄，
且掺杂浓度低； （2）发射区杂质浓度很高； （3）集电区面积较大.
NPN
PNP
图1.29 三极管构造与符号
2.三极管旳分类
半导体器件附答案
第一章、半导体器件（附答案）一、选择题1．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ________A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 ________A. B. C.3．稳压管的稳压是其工作在 ________A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿区4．V U GS 0=时，能够工作在恒流区的场效应管有 ________A. 结型场效应管B. 增强型 MOS 管C. 耗尽型 MOS 管5．对PN 结增加反向电压时，参与导电的是 ________A. 多数载流子B. 少数载流子C. 既有多数载流子又有少数载流子6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____A. 增加B. 减少C. 不变7．用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果 ______A. 相同B. 第一次测量植比第二次大C. 第一次测量植比第二次小8．面接触型二极管适用于 ____A. 高频检波电路B. 工频整流电路9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： ____A. 2CZ11B. 2CP10C. 2CW11D.2AP610．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。
若其他参数不变，当温度上升到40℃，则D U 的大小将 ____A. 等于 0.7VB. 大于 0.7VC. 小于 0.7V11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _____A. 两种B. 三种C. 四种12．在图中，稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ，且工作在稳压状态，由此可知输出电压O U 为 _____A. 6VB. 7VC. 0VD. 1V13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（ ）A. 两种B. 三种C. 四种14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 __（1）__，而少数载流子的浓度与 __（2）__有很大关系。
第一章 常用半导体器件
书中有关符号的约定
大写字母、大写下标表示直流量。UCE、IC
大写字母、小写下标表示交流有效值。Uce、Ib
小写字母、大写下标表示总量(含交、直流)。uCE、iB 小写字母、小写下标表示纯交流量。uce、ib
I 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。 U b ce
第一章 半导体器件基础
4. 教学目标
能够对一般性的、常用的电子电路进行分析，同时对较简单的单 元电路进行设计。
5. 学习方法
重点掌握基本概念、基本电路、基本方法。
6. 参考书
(1) 康华光主编，《电子技术基础》 模拟部分 第四版，高教出版社 (2) D.A.Neamen，《Electronic Circuit Analysis and Design》 Second Edition， McGraw－Hill (3)谢嘉奎 主编，《电子线路》线性部分 第四版，高教出版社
2、开关模型：正向导通时。相当于理想二极管串联一个0.7伏（导 通电压，非UON）的恒定电压源，特性曲线如图（b)所示。由于该 模型比较简单，在模拟电路里用得比较多。
ID
理想二极管符号
0
ID
开关模型等效电路
UD
(V)
0.7V
0 0.7
UD
(V)
（a）理想模型VA特性
（b）开关模型VA特性
3、折线模型：正向导通时。相 当于理想二极管串联一个等效 电阻rD和一个电压源UON ，特 性曲线如图（c)所示。
+4
空穴
+4
电子空穴对
与本征激发相反的 +4 +4 现象——复合 在一定温度下，本征激 自由电子 发和复合同时进行，达 到动态平衡。电子空穴 对的浓度一定。 +4 +4 常温300K时： 10 1 . 4 10 硅： cm3 电子空穴对的浓度
第1章 常用半导体器件 91页
P IF 外电场
＋
＋N ＋
内电场
E
R
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② 外加反向电压（也叫反向偏置）
第1章 常用半导体器件
外加电场与内电场方向相同，增强了内电场，多子扩散难
以进行，少子在电场作用下形成反向电流I，因为是少子漂移 运动产生的，I很小，这时称PN结处于截止状态。
空间电荷区
变宽
P 区 空间电荷区 N 区
5）最高工作频率fm：主要取决于PN结结电容的大小。
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1.1.3 稳压管及其它类型二极管
第1章 常用半导体器件
稳压管是一种用特殊工艺制造的半导体二极管，稳压管 的稳定电压就是反向击穿电压。稳压管的稳压作用在于： 电流增量很大，只引起很小的电压变化。
阳极
阴极
(b)
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。
Vo
Vi
V
o
(b)
解 当Vｉ＝＋20V，V１反向击穿稳压VＺ１＝6.3V，V２ 正向导通，VＤ２＝０.7V，则VＤ＝６.３＋０.７＝7V；
同理Vｉ＝-20V，VO＝-7V。
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22
第1章 常用半导体器件
光电二极管——远红外线接收管,太阳能光电池
反向电流随光照强度的增加而上升。 I U
＋＋＋
＋＋ ＋
P
＋＋＋ N
＋＋＋
＋＋ ＋ ＋＋ ＋
内电场
外电场 I
E
R
硕
硕
内电场方向 PN 结及其内电场
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1.1.2 半导体二极管
第1章常用半导体器件
纯净的具有晶体结构的半导体
一、导体、半导体和绝缘体 导体、
导体：自然界中很容易导电的物质称为导体， 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属 导体 一般都是导体。 一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体 绝缘体， 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡 陶瓷、塑料和石英。 皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体： 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 半导体， 体之间，称为半导体 如锗、 体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓 和一些硫化物、氧化物等。 和一些硫化物、氧化物等。
二、P 型半导体
杂质元素， 在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如 铟等， 型半导体。 硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。
+4 +4 +4
3 价杂质原子称为 受主原子。 受主原子。 空穴浓度多于电子 浓度， 浓度，即 p >> n。空穴 。 为多数载流子， 为多数载流子 ， 电子为 少数载流子。 少数载流子。
五、PN结的电容效应 结的电容效应
上的电压发生变化时， 当PN上的电压发生变化时，PN 结中储存的电荷量 上的电压发生变化时 将随之发生变化， 结具有电容效应。 将随之发生变化，使PN结具有电容效应。 结具有电容效应 势垒电容 电容效应包括两部分 扩散电容 1. 势垒电容 b 势垒电容C 结的空间电荷区变化形成的。 是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。
公式推导过程略
四、PN结的伏安特性 结的伏安特性
i = f (u )之间的关系曲线。 之间的关系曲线。
i/ mA
60 40 20 –50 –25 0 0.5 1.0 u / V – 0.002
正向特性
半导体器件习题及答案
半导体器件习题及答案(总14页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--1第1章 半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错)1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。
（ ）2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。
（ ）3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。
（ ）4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ ）5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。
（ ）6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。
（ ）7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。
（ ）8、施主杂质成为离子后是正离子。
（ ）9、受主杂质成为离子后是负离子。
（ ）10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（ ）11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（ ）12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。
（ ）13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。
（ ）15、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（ ）16、有人测得某晶体管的U BE =，I B =20μA ，因此推算出r be =U BE /I B =20μA=35kΩ。
（ ）17、有人测得晶体管在U BE =，I B =5μA ，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =Ω。
（ ）18、有人测得当U BE =，I B =10μA 。
考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆-（ ）二、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。
第一章半导体器件的基础知识
第⼀章半导体器件的基础知识第⼀章半导体器件的基础知识⼀、填空题1、⾃然界中的物质按着导电能⼒分为、、三类。
2、半导体的导电能⼒会随着、、、和的变化⽽发⽣变化。
3、半导体材料主要有和两种。
4、半导体中的载流⼦是和。
5、主要靠导电的半导体称为N型半导体，主要靠导电的半导体称为P型半导体。
6、经过特殊⼯艺加⼯，将P型半导体和N型半导体紧密地结合在⼀起，则在两种半导体的交界处就会出现⼀个特殊的接触⾯，称为结。
7、PN结的特性是。
8、半导体⼆极管的符号是。
9、PN结两端外加的反向电压增加到⼀定值时，反向电流急剧增⼤，称为PN 结的。
10、⼆极管的核⼼部分是⼀个，具有特性。
11、半导体⼆极管⼜称。
它是由，从P区引出的极和从N区引出的极以及将他们封装起来的组成。
12、由于管芯结构不同，⼆极管⼜分为、、。
13、⼆极管的导电性能由加在⼆极管两端的电压和流过⼆极管的电流来决定，这两者之间的关系称为⼆极管的。
⽤于定量描述这两者关系的曲线称为。
14、当⼆极管两端所加的正向电压由零开始增⼤时，开始时，正向电流很⼩，⼏乎为零，⼆极管呈现很⼤电阻。
通常把这个范围称为，相应的电压称为。
15、硅⼆极管的死区电压约为；锗⼆极管的死区电压约为。
16、硅管的导通电压约为，锗管的导通电压约为，17、加在⼆极管的反向电压不断增⼤，当达到⼀定数值时，反向电流会突然增⼤，这种现象称为，相应的电压称为。
18、半导体⼆极管的主要参数有、。
19、半导体三极管的核⼼是。
20、半导体三极管的两个PN结将半导体基⽚分成三个区域：、和。
由这三个区引出三个电极为：、和。
分别⽤字母、和。
其中区相对较薄。
21、半导体三极管中，通常将发射极与基极之间的PN结称为；集电极与基极之间的PN结称为。
22、由于半导体基⽚材料不同，三极管可分为型和型两⼤类。
23、半导体三极管常采⽤、和封装。
24、半导体三极管按功率分有和;按⼯作频率分有和；按管芯所⽤半导体材料分有和；按结构⼯艺分有和；按⽤途分有和。
电子技术 第1章 常用半导体器件
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1. 本征半导体
完全纯净、不含杂质、具有晶体结构的锗、硅、硒。 四价元素，原子最外层电子轨道上有四个价电子。 每个原子与相邻的其他四个原子结合， 每个原子的一个价电子与另一原子的一个价电子组成以共价键 结合的共用电子对。
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本征激发：价电子获得一定能量（温度升高或受光照），挣脱 原子核的束缚，成为自由电子（带负电）； 同时共价键中留下一个空位——空穴（带正电）。 空穴运动：失去电子的原子带正电，吸引附近的价电子填补空 穴，使相邻的原子产生新的空穴 。
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1. PN结的形成
交界面两边载流子浓度不同形成多子的扩散运动： N区自由电子→P区扩散，P区空穴→N区扩散。 内电场阻碍多子扩散，促进少子向对侧漂移运动： N区空穴→P区漂移，P区自由电子→N区漂移。 开始，扩散运动占优势→空间电荷区加宽→内电场增强→扩散 运动减弱，漂移运动增强。 在一定条件下，多子扩散运动 = 少子漂移运动→动态平衡 →空间电荷区的宽度稳定→ PN结形成。
_ VS +
外形和内部结构与普通二极管相似。
正向特性：与普通二极管一样；
反向特性：曲线很陡，即反向击穿后，
电流变化很大，两端电压变化很小。
正常工作加反向电压。
由于制造工艺的特殊性，
一定范围内稳压二极管反向击穿可逆。
但反向电流过大，超过了其允许值，
也会发生热击穿而损坏。
所以稳压二极管在使用时必须串联一个适当大小的限流电阻。
价电子逐次递补→空穴反向运动。
半导体两端加外电压时，自由电子和空穴都参与导电。 两种载流子：自由电子、空穴 两部分电流：电子电流、空穴电流
第一章 常用半导体器件
第一章 常用半导体器件1.1 半导体基础知识1.1.1 本征半导体一、半导体1． 概念：导电能力介于导体和绝缘体之间。
2． 本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体。
二、本征半导体的晶体结构（图1.1.1）1． 晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵。
2． 共价键三、本征半导体中的两种载流子（图1.1.2）1． 本征激发：在热激发下产生自由电子和空穴对的现象。
2． 空穴：讲解其导电方式；3． 自由电子4． 复合：自由电子与空穴相遇，相互消失。
5． 载流子：运载电荷的粒子。
四、本征半导体中载流子的浓度1． 动态平衡：载流子浓度在一定温度下，保持一定。
2． 载流子浓度公式：)2/(2/31kT E i i GO e T K p n -==自由电子、空穴浓度（cm－3），T 为热力学温度，k 为波耳兹曼常数（K eV /1063.85-⨯），E GO 为热力学零度时破坏共价键所需的能量（eV ），又称禁带宽度，K 1是与半导体材料载流子有效质量、有效能级密度有关的常量。
1.1.2 杂质半导体一、概念：通过扩散工艺，掺入了少量合适的杂质元素的半导体。
二、N 型半导体（图1.1.3）1． 形成：掺入少量的磷。
2． 多数载流子：自由电子3． 少数载流子：空穴4． 施主原子：提供电子的杂质原子。
三、P 型半导体（图1.1.4）1． 形成：掺入少量的硼。
2． 多数载流子：空穴3． 少数载流子：自由电子4． 受主原子：杂质原子中的空穴吸收电子。
5． 浓度：多子浓度近似等于所掺杂原子的浓度，而少子的浓度低，由本征激发形成，对温度敏感，影响半导体的性能。
1.1.3 PN 结一、PN 结的形成（图1.1.5）1． 扩散运动：多子从浓度高的地方向浓度低的地方运动。
2． 空间电荷区、耗尽层（忽视其中载流子的存在）3． 漂移运动：少子在电场力的作用下的运动。
在一定条件下，其与扩散运动动态平衡。
4． 对称结、不对称结：外部特性相同。
1章 常用半导体器件题解
第一章题解－1第一章 常用半导体器件6.PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽 答案：A7设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S －TU U I答案：C8.稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿 答案：C9.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 答案：B10.U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 答案：C11.写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。
第一章题解－2图T1.3答案：U O 1≈1.3V ，U O 2＝0，U O 3≈－1.3V ，U O 4≈2V ，U O 5≈1.3V ， U O 6≈－2V 。
12、已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Z mi n ＝5mA 。
求图T1.4所示电路中U O 1和U O 2各为多少伏。
图T1.4答案：U O 1＝6V ，U O 2＝5V.13、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率P C M ＝200mW ，试画出它的过损耗区。
第一章题解－3图T1.5 解图T1.5答案：根据P C M ＝u C E i C =200mW 可得：U C E ＝40V 时I C ＝5mA ，U C E ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U C E ＝20V 时I C ＝10mA ，U C E ＝10V 时I C ＝20mA ，将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解图T1.5所示。
临界过损耗线的右边为过损耗区，左边为安全工作区。
14、电路如图T1.6所示，V C C ＝15V ，β＝100，U B E ＝0.7V 。
第1章 常用半导体器件(30页)
第1章常用半导体器件1.1 二极管①1.1.1 半导体基础知识1．半导体当电流通过各种物体时，对电流的通过有着各自不同的阻止能力，有的物体可使电流顺利通过，也有的物体不让电流通过，或者在一定的阻力下让其通过。
这种不同物体通过电流的能力叫做物体的导电性。
自然界的物质按导电性可分为绝缘体、导体和半导体三类。
半导体的导电性比导体差，但比绝缘体强。
由于半导体的导电性随杂质浓度、环境温度和光照条件而改变，因此利用它的这些特点，可制成多种性能的电子元器件，如二极管、晶体管、热敏和光敏元件等。
2．本征半导体不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体，其内部存在数量相等的两种载流子：自由电子和空穴。
常温下，本征半导体的两种载流子的数量都很少，所以导电性能很差。
空穴的出现是半导体称区别于导体的重要特征，因为导体只有一种载流子，即自由电子。
3．杂质半导体②向本征半导体中有控制地掺入特定的杂质可以改变它的导电性，这种半导体被称为杂质半导体。
比如，往纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），形成的半导体称为N型半导体，掺入三价元素（如硼），形成的半导体称为P型半导体。
4．半导体的导电特性半导体的导电机理不同于导体，它具有以下几个导电特性，见表1-1。
①二极管，英文Diode。
②N指Negative，负的、负极性等，P指Positive，正的、正极性等。
采用不同的掺杂工艺，将P 型和N 型半导体制作在同一块硅片上，在两者交界面形成一层很薄的特殊导电层，这个特殊导电层称为PN 结。
从PN 结两端各引出一只电极，再用塑料、金属或玻璃封装成不同的形状，便制成二极管。
从P区引出的电极叫阳极（或正极），从N 区引出的电极叫阴极（或负极），如图1-1所示。
图1-1a 所示为点接触型二极管，由一根金属丝经过特殊工艺与半导体表面相接，形成PN 结。
因其结面积小，不能通过较大的电流；但其结电容小，工作频率高，因此适合于高频电路和小功率整流。
图1-1b 所示为面接触型二极管，采用合金法工艺制成。
第1章-常用半导体器件
–0.02
锗管旳伏安特征
温度对二极管特征旳影响
iD / mA 90C
60
20C
40
20 –50 –25
0 0.4
uD / V
– 0.02
在室温附近，温度每升高1 C ，正向压降减 小(2 2.5) mV。
温度每升高10 C ，反向电流约增大一倍。
可见，二极管旳特征对温度很敏感。
IO = UO / R = 1.3 / 2 = 0.65 (mA)
理想
2. VDD = 10 V IO = VDD/ R = 10 / 2 = 5 (mA)
VDD 大， 采用理想模型
恒压降 UO = 10 0.7 = 9.3 (V) IO = 9.3 / 2 = 4.65 (mA)
VDD 小， 采用恒压降模型
触丝
点接触型
正极 引线
N型锗
金锑 合金
负极引线
底座
负极
面接触型
引线
P N
P 型支持衬底
集成电路中平面型
1.2.2 二极管旳伏安特征 一、PN 结旳伏安方程
iD IS (euD /UT 1)
反向饱 和电流
温度旳 电压当量
玻尔兹曼 常数
UT
kT q
电子电量
当 T = 300K(27C)：
UT = 26 mV
例3分析
思索1：已知电路中稳压管旳稳定电压UZ=6V，最 小稳定电流IZmin=5mA，最大稳定电流Izmax=25mA。
（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输 出电压UO旳值。 （2）若UI=35V时负载开路，则会出现什么现象？
为何？
章常用半导体器件
β 值较小，ICEO＝41μA， ICBO＝1μA。
、 ICBO相等，但 旳β 较大，故 很好。
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第五节 场效应晶体管
N沟道增强型MOS管 N沟道耗尽型MOS管 MOS管旳主要参数及使用注意事项
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场效应晶体管是用输入回路旳电场效应来控 制半导体中旳多数载流子，使流过半导体内旳电 流大小随电场强弱而变化，形成电压控制其导电 旳一种半导体器件。与晶体管相比场效应晶体管 更易于集成。
U CE 0
IB/
发 射 结 、 集 电 μA
UCE=0
UCE≥1
结正偏，两个二极管正向
并联。
U CE 1
UCE > 1 重叠。
集电结反偏，IB 减小O
UBE /V
IB 变化很小，与 UCE = 1 曲线
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2．输出特征曲线
IC f (UCE ) I B 衡量
截止区
IC/
IB≈0 ，IC≈0 ，
PN结正偏，导通；PN结反偏，截止
返回
第二节 半导体二极管
半导体二极管旳伏安特征 半导体二极管旳主要参数
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一、半导体二极管旳伏安特征
阳极 + VD 阴极 1. 正2.向反特向征特征
P区－阳极
N区－阴极
I/mA
死小区反，电向硅 锗可压饱管管视和为00..电开51VV路流；很 正反向向导电通电压压过高，电
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二、晶体管旳电流分配和放大原理
１．放大条件
（１）内部特点决定
发射区产生大量载流子;
基区传送载流子;
集电区搜集载流子。
（２）外部条件
发射结正偏，集电结反偏。
【免费下载】第一章 常用半导体器件
5.7V，则A脚为
极，B脚为
极，C脚为
极；该管是 型。
5. 调整某放大电路中两只三极管（A和B管）各电极对地的电位为： VA1= 7V VA2 = 1.8V
VA3 = 2.5V； VB1 =7V VB2 = 2.8V V B3= 7.2V。 则A管为
型管； B管为
型。
6. PN结的基本特性是
。
7. 使用稳压二极管时，其负极端应接
。
2. 在室温下，某三极管的ICBO=8µA，=70，穿透电流为
mA 。另一支三极管的电
流值：IB = 20A时IC = 1.18mA、IB = 80A时IC = 4.72mA，该管的 =
。
3. PN 结中其扩散电流的方向 是
; 漂移电流的方向 是
。
4. 在一实际电路中，测得三极管三个管脚的对地电位分别是： VA= -10V，VB= - 5V,VC = -
。
8. 在共射极接法时，三极管的交流电流放大倍数β=
。
9. 某3BX型晶体管各极电位分别是VE= 6V，VB= 6.3V，VC= 6.6V则该管处于
10. 有A、B两个三极管，A管的β=100，ICEO=200μA；B管的β=50，ICEO=10μA。
在放大电路中，
管工作的较稳定可靠。
状态。
科目:模拟电子技术
D 电流增量△IZ很小，将引起很小的电压变化△VZ。 20. 两只稳压管任意连接，可得到稳压值的个数有：（ ）
A 1； B、4； C、6； D、8
科目:模拟电子技术
对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术关，系电，力根保通据护过生高管产中线工资敷艺料设高试技中卷术资0配料不置试仅技卷可术要以是求解指，决机对吊组电顶在气层进设配行备置继进不电行规保空范护载高高与中中带资资负料料荷试试下卷卷高问总中题体资，配料而置试且时卷可，调保需控障要试各在验类最；管大对路限设习度备题内进到来行位确调。保整在机使管组其路高在敷中正设资常过料工程试况中卷下，安与要全过加，度强并工看且作护尽下关可都于能可管地以路缩正高小常中故工资障作料高；试中对卷资于连料继接试电管卷保口破护处坏进理范行高围整中，核资或对料者定试对值卷某，弯些审扁异核度常与固高校定中对盒资图位料纸置试.，卷保编工护写况层复进防杂行腐设自跨备动接与处地装理线置，弯高尤曲中其半资要径料避标试免高卷错等调误，试高要方中求案资技，料术编试5交写卷、底重保电。要护气管设装设线备置备4敷高动调、设中作试电技资，高气术料并中课3中试且资件、包卷拒料中管含试绝试调路线验动卷试敷槽方作技设、案，术技管以来术架及避等系免多统不项启必方动要式方高，案中为；资解对料决整试高套卷中启突语动然文过停电程机气中。课高因件中此中资，管料电壁试力薄卷高、电中接气资口设料不备试严进卷等行保问调护题试装，工置合作调理并试利且技用进术管行，线过要敷关求设运电技行力术高保。中护线资装缆料置敷试做设卷到原技准则术确：指灵在导活分。。线对对盒于于处调差，试动当过保不程护同中装电高置压中高回资中路料资交试料叉卷试时技卷，术调应问试采题技用，术金作是属为指隔调发板试电进人机行员一隔，变开需压处要器理在组；事在同前发一掌生线握内槽图部内纸故，资障强料时电、，回设需路备要须制进同造行时厂外切家部断出电习具源题高高电中中源资资，料料线试试缆卷卷敷试切设验除完报从毕告而，与采要相用进关高行技中检术资查资料和料试检，卷测并主处且要理了保。解护现装场置设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。
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1章常用半导体器件题解09677第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
解：（1）√（2）×（3）√（4）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。
A. I S e UB. «Skip Record If...»C. «Skip Record If...»（3）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏解：（1）A （2）C （3）C （4）B三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
图T1.4解：U O1＝6V，U O2＝5V。
六、电路如图T1.6所示，V CC＝15V，β＝100，U BE＝0.7V。
试问：（1）R b＝50kΩ时，u O＝？（2）若T临界饱和，则R b≈？解：（1）R b＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为«Skip Record If...»μA«Skip Record If...»所以输出电压U O＝U CE＝2V。
图T1.6（2）设临界饱和时U CES＝U BE＝0.7V，所以«Skip Record If...»1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入 a 元素可形成N型半导体，加入 c 元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 a 。
A. 增大B. 不变C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 c 。
A. 83B. 91C. 100A.增大B.不变C.减小解：（1）A ，C （2）A （3）C1.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V 时，管子会因电流过大而烧坏。
1.3 电路如图P1.3所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3解图P1.3解：u i和u o的波形如解图P1.3所示。
1.4 电路如图P1.4所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图P1.4解图P1.4解：波形如解图P1.4所示。
1.5 电路如图P1.5（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.5解：u O的波形如解图P1.5所示。
解图P1.51.6 电路如图P1.6所示，二极管导通电压U D＝0.7V，常温下U T≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；u i为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：二极管的直流电流I D＝（V－U D）/R＝2.6mA其动态电阻r D≈U T/I D＝10Ω故动态电流有效值I d＝U i/r D≈1mA 图P1.61.7现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。
试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8已知稳压管的稳定电压U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA，最大功耗P ZM＝150mW。
试求图P1.8所示电路中电阻R的取值范围。
解：稳压管的最大稳定电流I ZM＝P ZM/U Z＝25mA电阻R的电流为I ZM～I Zmin，所以其取值范围为«Skip Record If...»图P1.81.9已知图P1.9所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax＝25mA。
（1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值；（2）若U I＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？解：（1）当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故«Skip Record If...»当U I＝15V时，稳压管中的电流大于最图P1.9小稳定电流I Zmin，所以U O＝U Z＝6V同理，当U I＝35V时，U O＝U Z＝6V。
（2）«Skip Record If...»29mA＞I ZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.10在图P1.10所示电路中，发光二极管导通电压U D＝1.5V，正向电流在5～15mA时才能正常工作。
试问：（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？（2）R的取值范围是多少？解：（1）S闭合。
（2）R的范围为«Skip Record If...»图P1.101.11 电路如图P1.11（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压U Z＝3V，R的取值合适，u I的波形如图（c）所示。
试分别画出u O1和u O2的波形。
图P1.11解：波形如解图P1.11所示解图P1.111.13 有两只晶体管，一只的β＝200，I CEO＝200μA；另一只的β＝100，I CEO ＝10μA，其它参数大致相同。
你认为应选用哪只管子？为什么？解：选用β＝100、I CBO＝10μA的管子，因其β适中、I CEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。
1.14已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。
分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。
图P1.14解：答案如解图P1.14所示。
解图P1.141.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图P1.15解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.15所示。
解表P1.15管号T1 T2 T3 T4 T5 T6上 e c e b c b中 b b b e e e下 c e c c b c管型PNP NPN NPN PNP PNP NPN材料Si Si Si Ge Ge Ge1.16 电路如图P1.16所示，晶体管导通时U BE＝0.7V，β=50。
试分析V BB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压u O的值。
解：（1）当V BB＝0时，T截止，u O＝12V。
（2）当V BB＝1V时，因为«Skip Record If...»μA«Skip Record If...»所以T处于放大状态。
（3）当V BB＝1.5V时，因为«Skip Record If...»μA图P1.16«Skip Record If...»所以T处于饱和状态。
1.17电路如图P1.17所示，试问β大于多少时晶体管饱和？解：取U CES＝U BE，若管子饱和，则«Skip Record If...»所以，«Skip Record If...»时，管子饱和。
图P1.171.18电路如图P1.18所示，晶体管的β＝50，|U BE|＝0.2V，饱和管压降|U CES|＝0.1V；稳压管的稳定电压U Z＝5V，正向导通电压U D＝0.5V。
试问：当u I＝0V时u O＝？当u I＝－5V时u O＝？解：当u I＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，u O＝－U Z＝－5V。
当u I＝－5V时，晶体管饱和，u O＝－0.1V。
因为«Skip Record If...»«Skip Record If...»图P1.181.19 分别判断图P1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
图P1.19解：（a）可能（b）可能（c）不能（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。
（e）可能。